一种基于透明氧化物的光电类突触器件及其应用的制作方法

技术特征：
1.一种基于透明氧化物的光电类突触器件，其特征在于，包括衬底以及所述衬底上依次叠层设置的功能层和离子发光层；所述离子发光层的两侧分别设置有金属电极，且两个所述金属电极的底部均与所述功能层的上表面相接触；所述离子发光层为钙钛矿型氧化物，所述钙钛矿型氧化物掺杂有稀土元素。2.如权利要求1所述的光电类突触器件，其特征在于，所述钙钛矿型氧化物为batio3或srzro3。3.如权利要求2所述的光电类突触器件，其特征在于，所述稀土元素为ce、pr、nd、pm、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、tm、yb中的一种或多种。4.如权利要求3所述的光电类突触器件，其特征在于，所述离子发光层中稀土元素的掺杂摩尔百分比为0.1～1.0％。5.如权利要求1所述的光电类突触器件，其特征在于，所述功能层为氧化镓薄膜，且所述氧化镓薄膜掺杂有cu或al。6.如权利要求5所述的光电类突触器件，其特征在于，所述功能层中，cu或al的掺杂摩尔百分数为4～6％。7.如权利要求6所述的光电类突触器件，其特征在于，所述功能层是通过以下步骤设置在所述衬底上的：采用磁控共溅射法，于真空下，通入氩气和氧气的混合气体，在衬底上同时溅射氧化镓以及cu或al，溅射5～10min，获得掺杂有cu或al氧化镓薄膜；随后将掺杂有cu或al氧化镓薄膜在n2氛围下进行退火处理，退火后即完成在所述衬底上设置的所述功能层。8.如权利要求1所述的光电类突触器件，其特征在于，所述功能层的厚度为20～50nm；所述离子发光层的厚度为40
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60nm。9.如权利要求1所述的光电类突触器件，其特征在于，所述衬底为重掺杂n型si衬底；所述金属电极为cu、ag、au和pt中的任意一种；所述金属电极为圆孔电极；所述圆孔电极的直径为0.3mm或0.5mm；且所述圆孔电极的厚度为80～100nm。10.如权利要求1
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9任意一项所述的光电类突触器件在模拟人脑中突触响应方面的应用。

技术总结
本发明公开一种基于透明氧化物的光电类突触器件及其应用，属于人工神经网络技术领域，包括衬底以及所述衬底上依次叠层设置的功能层和离子发光层；所述离子发光层的两侧分别设置有金属电极，且两个所述金属电极的底部均与所述功能层的上表面相接触；所述离子发光层为钙钛矿型氧化物，所述钙钛矿型氧化物掺杂有稀土元素。本发明的光电类突触器件可以对大范围波长的光都能做出突触响应，且在较小电信号或光信号刺激下有很大的电阻，从而具有很低的功耗，且提高了光电类突触器件的稳定性和均一性。性。性。


技术研发人员：苏杰 林珍华 杜亚伟 常晶晶 郝跃
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2021.07.09
技术公布日：2021/10/19