一种可高精度控制且快速关断的大磁场系统的制作方法

技术特征：
1.一种可高精度控制且快速关断的大磁场系统，包括igbt开关模块，其特征在于，还包括mosfet电流控制模块，igbt开关模块包括绝缘栅双极晶体管、第一压敏电阻和第二压敏电阻，费什巴赫线圈与第一压敏电阻并联，费什巴赫线圈一端与电流源一端连接，另一端与绝缘栅双极晶体管的集电极连接，绝缘栅双极晶体管的集电极和发射极并联有第二压敏电阻，mosfet控制模块包括场效应管、pid控制器、第三压敏电阻和信号源，场效应管的漏极与绝缘栅双极晶体管的发射极连接，场效应管的漏极和源极并联有第三压敏电阻r3，场效应管的源极与电流源另一端连接，场效应管的栅极与pid控制器的输出端连接，pid控制器的输入端分别与信号源s和霍尔电流传感器输出的信号连接，霍尔电流传感器用于测量费什巴赫线圈的电流。2.根据权利要求1所述的一种可高精度控制且快速关断的大磁场系统，其特征在于，所述的费什巴赫线圈包括第一亥姆霍兹线圈和第二亥姆霍兹线圈，第一亥姆霍兹线圈和第二亥姆霍兹线圈均由铜管绕制而成，第一亥姆霍兹线圈通过连接铜管与第二亥姆霍兹线圈串联，第一亥姆霍兹线圈上开设有进水孔和出水孔，第二亥姆霍兹线圈上开设有进水孔和出水孔。3.根据权利要求2所述的一种可高精度控制且快速关断的大磁场系统，其特征在于，所述的霍尔电流传感器设置在连接铜管上。

技术总结
本实用新型公开了一种可高精度控制且快速关断的大磁场系统，IGBT开关模块包括绝缘栅双极晶体管、第一压敏电阻和第二压敏电阻，场效应管的漏极与绝缘栅双极晶体管的发射极连接，场效应管的漏极和源极并联有第三压敏电阻，费什巴赫线圈包括第一亥姆霍兹线圈和第二亥姆霍兹线圈，第一亥姆霍兹线圈和第二亥姆霍兹线圈均由铜管绕制而成，第一亥姆霍兹线圈和第二亥姆霍兹线圈上均开设有进水孔和出水孔。本实用新型通过采用压敏电阻做耗散、结合绝缘栅双极晶体管实现大磁场的快速关断；利用PID控制器对费什巴赫线圈中的电流反馈来实现对电流的控制；对电流源的输出电压进行了外部控制，使得两个或者多个并联的电流源不同电流下输出的电压不同。输出的电压不同。输出的电压不同。


技术研发人员：王璐 严祥传 闵靖 孙大立
受保护的技术使用者：中国科学院精密测量科学与技术创新研究院
技术研发日：2021.04.29
技术公布日：2021/10/29