表面保护薄膜和带有保护薄膜的光学构件的制作方法

技术特征：
1.一种表面保护薄膜，其具备：基材层、以及配置在所述基材层的至少一个表面的粘合剂层，所述粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，所述表面保护薄膜满足下述(a)：(a)在对于耐指纹涂层玻璃的180
°
剥离试验中，23℃的温度和300mm/分钟的剥离速度的条件下的剥离强度为0.2n/25mm以上。2.根据权利要求1所述的表面保护薄膜，其具有40μn
·
m2以下的抗弯刚度。3.根据权利要求2所述的表面保护薄膜，其中，所述抗弯刚度为20μn
·
m2以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的表面保护薄膜，其中，所述基材层的厚度为250μm以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的表面保护薄膜，其中，所述基材层的厚度为200μm以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的表面保护薄膜，其中，所述基材层的厚度为35μm以上。7.根据权利要求1～6中任一项所述的表面保护薄膜，其中，所述粘合剂层的厚度为1μm以上且200μm以下。8.根据权利要求1～7中任一项所述的表面保护薄膜，其中，所述耐指纹涂层玻璃的表面的水的静止接触角为110
°±
10
°
。9.一种表面保护薄膜，其具备：基材层、以及配置在所述基材层的至少一个表面的粘合剂层，所述粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，所述表面保护薄膜满足下述(b)和(c)中的至少一者：(b)所述粘合剂层还包含增粘剂，(c)所述丙烯酸系聚合物至少包含含氮单体单元。10.根据权利要求9所述的表面保护薄膜，其对于耐指纹涂层玻璃的残留粘接率为60％以上。11.根据权利要求9或10所述的表面保护薄膜，其中，相对于所述丙烯酸系聚合物100质量份，所述增粘剂的比例为1质量份以上且100质量份以下。12.根据权利要求9～11中任一项所述的表面保护薄膜，其中，所述丙烯酸系聚合物中的所述含氮单体单元的比例为5质量％以上。13.根据权利要求9～12中任一项所述的表面保护薄膜，其中，所述含氮单体单元具有含氮环。14.根据权利要求9～13中任一项所述的表面保护薄膜，其中，所述丙烯酸系聚合物包含(甲基)丙烯酸c
14－26
烷基酯单元。15.根据权利要求14所述的表面保护薄膜，其中，在所述丙烯酸系聚合物中，相对于所述(甲基)丙烯酸c
14－26
烷基酯单元100质量份，所述含氮单体单元的比例为30质量份以上。16.根据权利要求14或15所述的表面保护薄膜，其中，所述丙烯酸系聚合物中的所述(甲基)丙烯酸c
14－26
烷基酯单元的比例为1质量％以上。17.根据权利要求9～16中任一项所述的表面保护薄膜，其中，所述增粘剂包含羟基化
合物。18.一种表面保护薄膜，其具备：基材层、以及配置在所述基材层的至少一个表面的粘合剂层，所述粘合剂层满足下述(d)：(d)包含含有(甲基)丙烯酸c
14－26
烷基酯单元的丙烯酸系聚合物，所述丙烯酸系聚合物中的所述(甲基)丙烯酸c
14－26
烷基酯单元的比例为20质量％以上。19.根据权利要求18所述的表面保护薄膜，其中，所述丙烯酸系聚合物中的所述(甲基)丙烯酸c
14－26
烷基酯单元的比例为40质量％以上。20.根据权利要求18或19所述的表面保护薄膜，其中，所述丙烯酸系聚合物的含量为50质量％以上。21.根据权利要求14～16和18～20所述的表面保护薄膜，其中，所述丙烯酸系聚合物中的所述(甲基)丙烯酸c
14－26
烷基酯单元的比例为70质量％以下。22.根据权利要求9～21中任一项所述的表面保护薄膜，其在对于耐指纹涂层玻璃的180
°
剥离试验中，23℃的温度和300mm/分钟的剥离速度的条件下的剥离强度为0.2n/25mm以上。23.根据权利要求14～16和18～22中任一项所述的表面保护薄膜，其中，所述(甲基)丙烯酸c
14－26
烷基酯单元至少包含(甲基)丙烯酸异硬脂基酯单元。24.根据权利要求9～23中任一项所述的表面保护薄膜，其中，所述丙烯酸系聚合物包含具有2个以上(甲基)丙烯酰基的丙烯酸系单体单元。25.一种带有保护薄膜的光学构件，其具备：光学构件、以及借助所述粘合剂层粘贴在所述光学构件上的权利要求1～24中任一项所述的表面保护薄膜。26.根据权利要求25所述的带有保护薄膜的光学构件，其中，所述光学构件在至少一部分表面具备耐指纹涂层，所述粘合剂层与所述耐指纹涂层的至少一部分接触。27.根据权利要求25或26所述的带有保护薄膜的光学构件，其中，所述光学构件具备弯曲面，所述粘合剂层与所述弯曲面的至少一部分接触。28.根据权利要求27所述的带有保护薄膜的光学构件，其中，所述弯曲面的曲率半径为30mm以下。

技术总结
表面保护薄膜具备基材层和配置在前述基材层的至少一个表面的粘合剂层。前述粘合剂层包含丙烯酸系聚合物。表面保护薄膜在对于耐指纹涂层玻璃的180


技术研发人员：沖田奈津子 山形真人 高桥智一
受保护的技术使用者：日东电工株式会社
技术研发日：2019.12.26
技术公布日：2021/10/29