位线结构、半导体结构及位线结构的制作方法与流程

技术特征：
1.一种位线结构，设置于衬底，其特征在于，所述位线结构包括：接触部，其底面与所述衬底连接；阻挡层，其包括延伸部，所述延伸部覆盖所述接触部的顶面和外侧壁面；导电层，覆盖部分所述阻挡层。2.根据权利要求1所述的位线结构，其特征在于，所述接触部包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述衬底内部，所述第二部分位于所述衬底的上方；所述阻挡层还包括主体部，所述接触部的第二部分贯穿所述主体部并延伸至所述导电层内；所述导电层覆盖所述主体部，以及所述延伸部的部分表面。3.根据权利要求2所述的位线结构，其特征在于，所述主体部与所述延伸部连为一体。4.根据权利要求2所述的位线结构，其特征在于，所述主体部覆盖所述衬底上方的第一介质层；所述接触部的第二部分贯穿所述第一介质层。5.根据权利要求4所述的位线结构，其特征在于，沿所述延伸部的周向方向，所述延伸部的第一部分外侧壁与所述衬底接触连接，所述延伸部的第二部分外侧壁设置绝缘部。6.根据权利要求5所述的位线结构，其特征在于，所述绝缘部与所述第一介质层连为一体。7.根据权利要求5所述的位线结构，其特征在于，所述衬底中埋设有平行设置的多条字线，所述接触部设置在相邻的所述字线之间。8.根据权利要求7所述的位线结构，其特征在于，所述延伸部在所述衬底上的投影呈方形，以平行于所述字线且垂直于所述衬底的平面为第一截面，所述延伸部的第二部分外侧壁与所述第一截面相互垂直。9.根据权利要求5所述的位线结构，其特征在于，所述延伸部的第一部分外侧壁的厚度大于所述延伸部的第二部分外侧壁的厚度。10.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括如权利要求1至9任一项所述的位线结构。11.一种位线结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基底，所述基底包括衬底和覆盖在所述衬底上的第一初始介质层；在所述基底内形成初始接触孔，所述初始接触孔的底壁暴露所述衬底，所述初始接触孔贯穿所述第一初始介质层；在所述初始接触孔中形成接触部和覆盖所述接触部的外侧壁的第二初始介质单元，所述接触部的底面与所述衬底相连，所述第二初始介质单元的侧壁与所述衬底和所述第一初始介质层相连；刻蚀部分所述第一初始介质层，形成第一介质层，所述第一介质层暴露所述第二初始介质单元的部分侧壁；沉积第三初始介质层和初始层叠结构，所述第三初始介质层覆盖所述第一介质层和所述第二初始介质单元的侧壁，以及所述接触部的顶面和所述第二初始介质单元的顶面，所述第三初始介质层与所述第二初始介质单元连为一体，所述初始层叠结构覆盖所述第三初始介质层；
刻蚀所述初始层叠结构、所述第三初始介质层和所述第二初始介质单元，被保留的初始层叠结构形成层叠结构，所述层叠结构包括导电层；被保留的所述第二初始介质单元和所述第三初始介质层连为一体形成阻挡层，包覆所述接触部的被保留的所述第二初始介质单元和所述第三初始介质层形成所述阻挡层的延伸部；形成第四介质层，所述第四介质层覆盖所述层叠结构和部分所述延伸部。12.根据权利要求11所述的位线结构的制作方法，其特征在于，所述在所述初始接触孔中形成覆盖所述接触部的外侧壁的第二初始介质单元，包括：沉积第二初始介质层，所述第二初始介质层覆盖所述第一初始介质层和所述初始接触孔的侧壁和底壁；刻蚀覆盖在所述第一初始介质层上的所述第二初始介质层，包括所述第一初始介质层，刻蚀覆盖在所述初始接触孔的底壁的所述第二初始介质层，暴露所述衬底，形成所述第二初始介质单元。13.根据权利要求12所述的位线结构的制作方法，其特征在于，在所述初始接触孔中形成接触部，包括：沉积接触介质层，所述接触介质层覆盖所述第二初始介质单元的内壁面和所述第一初始介质层，以及所述初始接触孔暴露的所述衬底；去除部分所述接触介质层，保留所述接触介质层在所述初始接触孔中的部分，形成所述接触部，所述接触部的顶面与所述第一初始介质层的顶面平齐。14.根据权利要求11所述的位线结构的制作方法，其特征在于，沉积所述初始层叠结构包括：沉积初始导电层，所述初始导电层覆盖所述第三初始介质层；沉积初始隔离层，所述初始隔离层覆盖所述初始导电层。15.根据权利要求14所述的位线结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述初始隔离层上形成掩膜层。16.根据权利要求15所述的位线结构的制作方法，其特征在于，所述刻蚀所述初始层叠结构、所述第三初始介质层和所述第二初始介质单元，包括：刻蚀所述初始隔离层，被保留的与所述掩膜层定义的图形对应的所述初始隔离层形成所述隔离层；刻蚀所述初始导电层，被保留的与所述图形对应的所处初始导电层形成所述导电层；刻蚀所述第三初始介质层，被保留的与所述图形对应的所述第三初始介质层的一部分作为所述延伸部的一部分，被保留的与所述图形对应的所述第三初始介质层的另一部分作为所述阻挡层的主体部；刻蚀所述第二初始介质单元，被保留的与所述图形对应的所述第二初始介质单元作为所述延伸部的另一部分。17.根据权利要求11所述的位线结构的制作方法，其特征在于，所述第四介质层与所述第一介质层连为一体；位于所述第二初始介质单元与所述衬底之间的部分所述第四介质层形成绝缘部。

技术总结
本公开提供一种位线结构、半导体结构及位线结构的制作方法，所述位线结构设置于衬底，所述位线结构包括：接触部，其底面与所述衬底连接；阻挡层，其包括延伸部，所述延伸部覆盖所述接触部的顶面和外侧壁面；导电层，覆盖部分所述阻挡层。在本公开中，位线结构的阻挡层覆盖接触部的顶面和外侧壁面，阻挡层保护接触部的侧壁不被氧化，减小了位线的接触电阻，能够增加器件的读取速度。增加器件的读取速度。增加器件的读取速度。


技术研发人员：金星
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2021.07.26
技术公布日：2021/10/29