天线装置的制作方法

1.本实用新型涉及应对宽频带或多个频带的天线装置。


背景技术：

2.在便携式电话中的数据通信用的天线中，例如需要遍及如0.7ghz～3.6ghz这样的宽带来确保给定的增益。以往，一般设置使天线的谐振频率选择性地变化的附加电路，并对该附加电路的开关进行切换，由此使其应对使用频带。
3.但是，为了应对通过同时利用多个频带来提高传输速率的载波聚合，寻求能够同时覆盖宽带的天线。应对这样的要求，在专利文献1示出了通过在供电辐射元件追加变压器和无供电辐射元件而使天线复谐振化，从而进行宽带化的天线装置。
4.在先技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：日本专利第5505561号公报


技术实现要素：

7.实用新型要解决的课题
8.如专利文献1所记载的天线装置那样，在将变压器和无供电辐射元件追加到供电辐射元件的天线装置中，供电辐射元件从供电电路直接被供电，因此与无供电辐射元件相比，电动势难以依赖于频率。在此，若用v表示变压器的次级线圈的电动势、用i1表示初级线圈的电流、用m表示变压器的互感、用f表示频率，并设次级线圈电流为0，则v＝2πfm
·
i1的关系成立。也就是说，在频率f低的低频段中，上述电动势v下降。因此，为了得到与高频段相同程度的增益，必须增大互感m，提高变压器的次级侧的电动势。
9.在此，若用l1表示变压器的初级线圈的自感、用l2表示次级线圈的自感、用m表示互感、用k表示初级线圈与次级线圈的耦合系数，则存在的关系。
10.在使用变压器的初级线圈，供电电路与供电辐射元件已经匹配的状态下，变得能够实现基于无供电辐射元件的宽带化，因此优选不变更供电辐射元件以及与其连接的变压器的初级线圈的结构。此外，在制造上难以提高耦合系数k。因此，为了提高互感m，只要使变压器的次级线圈的卷绕数比初级线圈的卷绕数多即可，但是其结果是，在次级线圈产生的寄生电容增加，因此变压器的自谐振频率变低。
11.因此，本实用新型的目的在于，提供一种具备供电辐射元件以及无供电辐射元件的确保了应对宽带或多个频带的天线的增益及其频带的天线装置。
12.用于解决课题的技术方案
13.作为本公开的一个例子的天线装置，
14.具备连接供电电路的第1辐射元件、第2辐射元件、和具有初级线圈以及次级线圈的层叠构造的耦合元件，
15.所述第1辐射元件具有第1谐振频率以及比所述第1谐振频率高的频率即第2谐振
频率，
16.所述第2辐射元件具有比所述第2谐振频率靠近所述第1谐振频率的谐振频率，
17.所述初级线圈包含多个初级线圈导体图案，
18.所述次级线圈包含多个次级线圈导体图案，
19.从所述初级线圈以及所述次级线圈的层叠方向观察，所述初级线圈与所述次级线圈重叠，
20.所述初级线圈与所述次级线圈磁场耦合，
21.所述初级线圈的一端与所述第1辐射元件连接，
22.所述次级线圈连接在所述第2辐射元件与地(ground)之间，
23.所述次级线圈的卷绕数比所述初级线圈的卷绕数多，
24.所述多个次级线圈导体图案包含在俯视下内缘彼此的位置以及外缘彼此的位置中至少一者不同的多个导体图案。
25.实用新型效果
26.根据本实用新型，可得到具备供电辐射元件以及无供电辐射元件的确保了应对宽带或多个频带的天线的增益及其频带的天线装置。
附图说明
27.图1是第1实施方式涉及的天线装置101的电路图。
28.图2是耦合元件2的立体图。
29.图3是构成第1实施方式涉及的天线装置101具备的耦合元件2的多层基板的各层的俯视图。
30.图4是具有与图3所示的导体图案不同的导体图案的构成耦合元件2的多层基板的各层的俯视图。
31.图5是具有与图3所示的导体图案不同的导体图案的构成耦合元件2的多层基板的各层的俯视图。
32.图6是耦合元件2的等效电路图。
33.图7的(a)是示出第1实施方式的天线装置101的反射损耗的频率特性的图。图7的(b)是示出作为比较例的天线装置的反射损耗的频率特性的图。
34.图8是关于第2实施方式涉及的天线装置具备的耦合元件的图，并且是构成耦合元件的多层基板的各层的俯视图。
35.图9是具有与图8所示的导体图案不同的导体图案的构成耦合元件的多层基板的各层的俯视图。
36.图10是具有与图8所示的导体图案不同的导体图案的构成耦合元件的多层基板的各层的俯视图。
37.图11是第3实施方式涉及的天线装置102a的电路图。
38.图12是第3实施方式涉及的另一个天线装置102b的电路图。
39.图13是第3实施方式涉及的又一个天线装置102c的电路图。
具体实施方式
40.首先，对本实用新型涉及的天线装置的几个方式进行记载。
41.本实用新型涉及的第1方式的天线装置如用于解决课题的技术方案所述，具备连接供电电路的第1辐射元件、第2辐射元件、以及具有初级线圈以及次级线圈的层叠构造的耦合元件，
42.所述第1辐射元件具有第1谐振频率以及比所述第1谐振频率高的频率即第2谐振频率，
43.所述第2辐射元件具有比所述第2谐振频率靠近所述第1谐振频率的谐振频率，
44.所述初级线圈包含多个初级线圈导体图案，
45.所述次级线圈包含多个次级线圈导体图案，
46.从所述初级线圈以及所述次级线圈的层叠方向观察，所述初级线圈与所述次级线圈重叠，
47.所述初级线圈与所述次级线圈磁场耦合，
48.所述初级线圈的一端与所述第1辐射元件连接，
49.所述次级线圈连接在所述第2辐射元件与地之间，
50.所述次级线圈的卷绕数比所述初级线圈的卷绕数多，
51.所述多个次级线圈导体图案包含在俯视下内缘彼此的位置以及外缘彼此的位置中至少一者不同的多个导体图案。
52.根据上述结构，第1辐射元件的第1谐振频率附近根据第2辐射元件的谐振频率特性而被高增益化、宽带化。此外，在次级线圈导体图案彼此之间产生的寄生电容被抑制，耦合元件的自谐振频率提高。
53.因此，可确保针对第2辐射元件的电动势，可充分地提高低频段侧的增益。此外，通过提高耦合元件的自谐振频率，该自谐振频率成为使用频带外，从而防止由自谐振引起的辐射阻碍。
54.在本实用新型涉及的第2方式的天线装置中，所述初级线圈以及所述次级线圈进行卷绕，使得在从所述供电电路朝向所述第1辐射元件流过电流时在所述初级线圈产生的磁通的方向和在从所述地朝向所述第2辐射元件流过电流时在所述次级线圈产生的磁通的方向相互成为相反。根据该结构，即使在存在第1辐射元件与第2辐射元件实质上在相同方向上延伸的部分的情况下，由于在从两个元件产生的磁通相互增强的方向上卷绕有初级线圈以及次级线圈，所以也可抑制辐射效率的下降。基于这样的构造的效果，特别在辐射元件会相对变长的低频段用的天线装置中显著。
55.在本实用新型涉及的第3方式的天线装置中，所述多个初级线圈导体图案的内缘在俯视下大致重叠。根据该构造，能够有效地提高初级线圈与次级线圈的耦合系数。
56.在本实用新型涉及的第4方式的天线装置中，在所述多个次级线圈导体图案中在层叠方向上相邻的两个次级线圈导体图案的内缘彼此的位置或外缘彼此的位置的至少一者在俯视下相互不同。根据该构造，可有效地抑制次级线圈导体图案彼此的寄生电容。此外，作为次要的效果，在作为层叠体的耦合元件中可抑制堆积偏移。
57.在本实用新型涉及的第5方式的天线装置中，所述多个初级线圈导体图案的内缘收于从所述多个次级线圈导体图案中最靠近该多个次级线圈导体图案共有的卷绕轴的次
级线圈导体图案的内缘至最远离所述卷绕轴的次级线圈导体图案的内缘的范围内。根据该构造，能够不使初级线圈与次级线圈的耦合系数大幅下降而维持给定的耦合系数。
58.在本实用新型涉及的第6方式的天线装置中，所述多个初级线圈导体图案包含与所述次级线圈导体图案最接近的第1最接近线圈导体图案，所述多个次级线圈导体图案包含与所述初级线圈导体图案最接近的第2最接近线圈导体图案，从所述层叠方向观察，所述第1最接近线圈导体图案与所述第2最接近线圈导体图案重叠的面积比所述多个初级线圈导体图案中的所述第1最接近线圈导体图案以外的导体图案与所述第2最接近线圈导体图案重叠的面积小。根据该构造，也可抑制初级线圈与次级线圈之间的寄生电容，耦合元件的自谐振频率进一步提高。其结果是，可有效地防止由自谐振引起的辐射阻碍。
59.在本实用新型涉及的第7方式的天线装置中，在上述第5方式中，所述第1最接近线圈导体图案的内缘与所述第2最接近线圈导体图案的内缘大致重叠。根据该构造，磁通通过的线圈开口对齐，而初级线圈与次级线圈的耦合增强。
60.以下，参照图并列举几个具体的例子示出用于实施本实用新型的多个方式。在各图中，对同一部位标注同一附图标记。考虑到要点的说明或理解的容易性，为了便于说明，将实施方式分开示出，但是能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合。在第2实施方式以后，省略关于与第1实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别是，关于基于同样的结构带来的同样的作用效果，将不在每个实施方式中逐次提及。
61.《第1实施方式》
62.图1是第1实施方式涉及的天线装置101的电路图。该天线装置101具备第1辐射元件10、第2辐射元件20以及耦合元件2。耦合元件2通过相互磁场耦合的初级线圈l1以及次级线圈l2来构成。在第1辐射元件10的供电端连接有耦合元件2的初级线圈l1的一端。在初级线圈l1的另一端与地之间连接供电电路1。也就是说，在第1辐射元件10的供电端经由耦合元件2的初级线圈l1连接供电电路1。
63.第2辐射元件20的一端与耦合元件2的次级线圈l2的一端连接，次级线圈l2的另一端与地连接。
64.在本实施方式的天线装置101中，第1辐射元件10是供电辐射元件，第2辐射元件20是无供电辐射元件。第1辐射元件10具有第1谐振频率和比第1谐振频率高的频率即第2谐振频率。第2辐射元件20具有比第2谐振频率靠近第1谐振频率的谐振频率。另外，第1辐射元件10具有的谐振频率由第1辐射元件10和耦合元件2的初级线圈l1各自的电感值确定。此外，第2辐射元件20具有的谐振频率由第2辐射元件20和次级线圈l2各自的电感值确定。进而，存在第1辐射元件10和第2辐射元件20具有的谐振频率因耦合元件2的磁场耦合(也可以包含电场耦合。)而相互变化的情况。本技术说明书中的“谐振频率”也包含这样的变化。
65.第1辐射元件10经由耦合元件2的初级线圈l1由供电电路1直接供电，第2辐射元件20经由耦合元件2由供电电路1间接供电。此外，第2辐射元件20根据情况，也通过相对于第1辐射元件10进行电场耦合、磁场耦合或电场耦合以及磁场耦合而被供电。
66.图2是耦合元件2的立体图，图3是构成耦合元件2的多层基板的各层的俯视图。
67.耦合元件2是安装在电路基板的长方体状的片式部件。在图2中，用双点划线表示耦合元件2的外形。在耦合元件2的外表面形成有供电电路连接端子pf、供电辐射元件连接端子pa、接地端子pg、以及无供电辐射元件连接端子ps。此外，耦合元件2具备第1面ms1和作
为该第1面的相反侧的面的第2面ms2。在本实施方式中，第1面ms1是安装面，且该面与电路基板对置。
68.图3表示构成图2中的中央的层ml的多个绝缘基材。在绝缘基板s11、s12分别形成有初级线圈导体图案l11、l12。在绝缘基板s21、s22、s23、s24分别形成有次级线圈导体图案l21、l22、l23、l24。
69.初级线圈导体图案l11与初级线圈导体图案l12经由层间连接导体v1连接。次级线圈导体图案l21与次级线圈导体图案l22经由层间连接导体v2连接，次级线圈导体图案l22与次级线圈导体图案l23经由层间连接导体v3连接，次级线圈导体图案l23与次级线圈导体图案l24经由层间连接导体v4连接。
70.通过初级线圈导体图案l11、l12以及层间连接导体v1构成初级线圈l1，通过次级线圈导体图案l21～l24以及层间连接导体v2、v3、v4构成次级线圈l2。
71.初级线圈导体图案l11的一端与供电电路连接端子pf连接，初级线圈导体图案l12的一端与供电辐射元件连接端子pa连接。此外，次级线圈导体图案l21的一端与无供电辐射元件连接端子ps连接，次级线圈导体图案l24的一端与接地端子pg连接。
72.初级线圈l1是从供电电路连接端子pf到供电辐射元件连接端子pa大约1.5匝的线圈。初级线圈导体图案l11、l12遍及线宽度的整个宽度，在俯视下相互重叠。也就是说，初级线圈导体图案l11、l12的相互的内缘大致重叠。其中，由制造精度引起的位置的差异包含在“大致重叠”中。
73.次级线圈l2是从无供电辐射元件连接端子ps到接地端子pg大约3.5匝的线圈。次级线圈导体图案l21、l23的内缘分别是相互大致相等的小径线圈导体图案，次级线圈导体图案l22、l24的内缘分别是相互大致相等的大径线圈导体图案。小径线圈导体图案与大径线圈导体图案相比平均线圈直径小，小径线圈导体图案的内缘与大径线圈导体图案的内缘相比位于内侧。也就是说，次级线圈导体图案l21～l24包含内缘相互不同的多个导体图案。
74.在图3所示的例子中，小径的线圈次级线圈导体图案l21、l23的内缘在俯视下不与大径的线圈次级线圈导体图案l22、l24重叠。此外，小径的次级线圈导体图案l21、l23的外缘在俯视下与大径的次级线圈导体图案l22、l24重叠。
75.初级线圈导体图案l11、l12的外缘在俯视下与次级线圈导体图案l21、l23的外缘大致重叠，初级线圈导体图案l11、l12的内缘在俯视下与次级线圈导体图案l22、l24的内缘大致重叠。也就是说，初级线圈导体图案l11、l12的内缘以及外缘并不与次级线圈导体图案l21～l24中任一内缘以及外缘大幅不同。但是，并非必须初级线圈导体图案l11、l12也与小径的次级线圈导体图案l21、l23与大径的次级线圈导体图案l22、l24在俯视下重叠的部分重叠。
76.在图3中，初级线圈导体图案l12是与次级线圈导体图案l21～l24最接近的导体图案，相当于本实用新型涉及的“第1最接近线圈导体图案”。此外，次级线圈导体图案l21是与初级线圈导体图案l11、l12最接近的导体图案，相当于本实用新型涉及的“第2最接近线圈导体图案”。
77.接着，示出在构成耦合元件2的多层基板的各层形成的导体图案的另一个例子。图4以及图5均是耦合元件2的多层基板的各层的俯视图。图4以及图5所示的导体图案与图3所示的导体图案部分地不同。
78.初级线圈导体图案l11与初级线圈导体图案l12经由层间连接导体v1连接。次级线圈导体图案l21与次级线圈导体图案l22经由层间连接导体v2连接，次级线圈导体图案l22与次级线圈导体图案l23经由层间连接导体v3连接，次级线圈导体图案l23与次级线圈导体图案l24经由层间连接导体v4连接。通过初级线圈导体图案l11、l12以及层间连接导体v1构成初级线圈l1，通过次级线圈导体图案l21～l24以及层间连接导体v2、v3、v4构成次级线圈l2。初级线圈导体图案l11的一端与供电电路连接端子pf连接，初级线圈导体图案l12的一端与供电辐射元件连接端子pa连接。此外，次级线圈导体图案l21的一端与无供电辐射元件连接端子ps连接，次级线圈导体图案l24的一端与接地端子pg连接。
79.在图4所示的例子、图5所示的例子中的任一者中，均与图3所示的例子不同，卷绕初级线圈l1和次级线圈l2，使得在从供电电路连接端子pf向供电辐射元件连接端子pa的方向流过电流时在初级线圈l1产生的磁场的方向和在从接地端子pg向无供电辐射元件连接端子ps的方向流过电流时在次级线圈l2产生的磁场的方向相互成为相反。根据该构造，例如，即使存在第1辐射元件10与第2辐射元件20实质上在相同方向上延伸的部分，由于在从这两个元件产生的磁通相互增强的方向上卷绕有初级线圈l1以及次级线圈l2，所以也可抑制辐射效率的下降。基于这样的构造的效果，特别在辐射元件会相对变长的低频段用的天线装置中显著。
80.图6是耦合元件2的等效电路图。在图6中，寄生电容c12是初级线圈l1与次级线圈l2之间的寄生电容，寄生电容c2是在次级线圈l2产生的寄生电容。根据图3所示的构造，由于在层叠方向上相邻的导体图案彼此的对置面积小，所以可有效地抑制次级线圈导体图案彼此的寄生电容c2。此外，由于作为第1最接近线圈导体图案的初级线圈导体图案l12与作为第2最接近线圈导体图案的次级线圈导体图案l21的对置面积小，所以也可抑制初级线圈l1与次级线圈l2之间的寄生电容c12。
81.另外，由于初级线圈的卷绕数少，所以在初级线圈l1产生的寄生电容与在次级线圈l2产生的寄生电容c2相比，小到能够忽视的程度。特别是，在图3、图4以及图5中，初级线圈导体图案l11、l12与次级线圈导体图案l21～l24相比，线宽度细，层数少(两层)。根据这样的特征，也可以说，在初级线圈l1产生的寄生电容与在次级线圈l2产生的寄生电容c2相比，小到能够忽视的程度。
82.在以上所示的构造的耦合元件2中，次级线圈的卷绕数比初级线圈多，因此即使在第1辐射元件10具有的低谐振频率侧，也能够进行高增益化以及宽带化。具体地，可确保相对于第2辐射元件20的电动势，即使是低的谐振频率也能够充分地提高增益。此外，能够抑制耦合元件2的不必要的耦合电容，因此耦合元件2的自谐振频率提高。由此，如以下所示，可防止由自谐振引起的辐射阻碍。
83.图7的(a)是示出本实施方式的天线装置101的反射损耗的频率特性的图。图7的(b)是示出作为比较例的天线装置的反射损耗的频率特性的图。该比较例的天线装置是具备图3所示的次级线圈导体图案l21～l24的全部的内缘以及外缘分别与初级线圈导体图案l11、l12的内缘以及外缘重叠的耦合元件的天线装置。
84.在图7的(a)、图7的(b)中，实线是第1辐射元件10单体中的反射系数(谐振特性)，虚线是包含耦合元件2的第2辐射元件20的反射系数(谐振特性)。在图7的(a)、图7的(b)中，相邻的两个双点划线之间省略了图示。频率f1l是第1辐射元件10的基本谐振(1/4波长谐
振)的频率，频率f1h是第1辐射元件10的高阶谐振(例如3/4波长谐振)频率。此外，频率f2l是包含耦合元件2的第2辐射元件20的基本谐振(1/4波长谐振)的频率，频率sr是耦合元件2的自谐振频率。该自谐振不仅对辐射没有贡献，而且还阻碍基于第1辐射元件10的高频段hb的辐射。在图7的(b)中，自谐振频率的频带sb表示阻碍高频段hb内的辐射的频带。
85.本实施方式的天线装置101用第1辐射元件10的基本谐振频率f1l和第2辐射元件20的基本谐振频率f2l覆盖低频段lb，用第1辐射元件10的高阶谐振频率f1h覆盖高频段hb。进而，也可以用第2辐射元件20的高阶谐振频率覆盖高频段hb。在该例子中，低频段lb是0.70ghz～0.96ghz的频带，高频段hb例如是0.96ghz～3.6ghz的频带。
86.耦合元件2的自谐振频率大幅受到耦合元件2的寄生电容的影响。在图7的(a)所示的本实施方式的天线装置101中，若与图7的(b)比较可明确，耦合元件2的自谐振频率sr移动到高频段hb的使用频带外。与此相伴地，基于第1辐射元件10的高阶谐振频率f1h的高频段hb的辐射不会被上述自谐振阻碍，可确保给定的增益。
87.另外，在图3、图4以及图5中，示出了小径的次级线圈导体图案l21、l23与大径的次级线圈导体图案l22、l24在俯视下部分地重叠的例子。此外，示出了小径的次级线圈导体图案l21、l23与大径的次级线圈导体图案l22、l24交替地层叠的例子。根据这样的构造，相对于绝缘基板s21、s22、s23、s24的堆积偏移的线圈导体图案的重叠量的偏差少。也就是说，起因于制造时的对位、尺寸精度的次级线圈的寄生电容的偏差少。因此，可抑制电特性的偏差。
88.次级线圈导体图案l21～l24的图案也可以是如下的关系，即，分别使次级线圈导体图案l21、l23的内缘以及外缘与次级线圈导体图案l22、l24的内缘以及外缘各自的俯视下的距离之差变大，次级线圈导体图案l21、l23与次级线圈导体图案l22、l24在俯视下不重叠。根据该构造，能够有效地抑制次级线圈的寄生电容。
89.此外，在图3、图4以及图5中，示出了小径的线圈导体图案与大径的线圈导体图案交替地层叠的例子，但是小径的线圈导体图案彼此也可以在层叠方向上相邻。同样地，大径的线圈导体图案彼此也可以在层叠方向上相邻。
90.此外，在图3、图4以及图5中，示出了次级线圈通过小径的次级线圈导体图案l21、l23和大径的次级线圈导体图案l22、l24构成的例子，但是也可以是三种以上具有离多个次级线圈导体共有的卷绕轴的距离不同的内缘以及外缘的次级线圈导体。
91.此外，若第2最接近线圈导体图案的内缘与初级线圈导体图案的内缘大致重叠，则磁通通过的线圈开口对齐，初级线圈与次级线圈的耦合增强，因此优选。
92.《第2实施方式》
93.在第2实施方式中，示出第1最接近线圈导体图案与在第1实施方式中示出的第1最接近线圈导体图案不同的天线装置。
94.图8是关于第2实施方式涉及的天线装置具备的耦合元件的图，是构成耦合元件的多层基板的各层的俯视图。
95.在绝缘基板s11、s12分别形成有初级线圈导体图案l11、l12。在绝缘基板s21、s22、s23、s24分别形成有次级线圈导体图案l21、l22、l23、l24。
96.初级线圈导体图案l11与初级线圈导体图案l12经由层间连接导体v1连接。次级线圈导体图案l21与次级线圈导体图案l22经由层间连接导体v2连接，次级线圈导体图案l22
antenna，平面倒f天线)而发挥作用。第2辐射元件20经由耦合元件2由供电电路1间接供电。此外，第2辐射元件20也通过与第1辐射元件1()进行电场耦合或磁场耦合而被供电。
106.图12是第3实施方式涉及的另一个天线装置102b的电路图。天线装置102b具备倒f天线或pifa构造的第1辐射元件10和倒l天线构造的第2辐射元件20。第1辐射元件10的供电端以及接地端的位置与图11所示的例子不同。在第1辐射元件10的供电端连接有耦合元件2的供电辐射元件连接端子pa。在耦合元件2的供电电路连接端子pf与地之间连接有供电电路1。第1辐射元件10的接地端与地连接。在第2辐射元件20的供电端连接有无供电辐射元件连接端子ps。耦合元件2的接地端子pg与地连接。
107.天线装置102b的第1辐射元件10作为倒f天线或pifa而发挥作用。第2辐射元件20经由耦合元件2由供电电路1间接供电。此外，第2辐射元件20也通过与第1辐射元件10进行电场耦合或磁场耦合而被供电。
108.图13是第3实施方式涉及的又一个天线装置102c的电路图。天线装置102c具备单极型的第1辐射元件10和倒f天线或pifa构造的第2辐射元件20。在第1辐射元件10的供电端连接有耦合元件2的供电辐射元件连接端子pa。在耦合元件2的供电电路连接端子pf与地之间连接有供电电路1。在第2辐射元件20的供电端连接有耦合元件2的无供电辐射元件连接端子ps。第2辐射元件20的接地端与地连接。
109.如以上例示的那样，第1辐射元件以及第2辐射元件也可以是倒f天线、pifa、倒l天线等。即使在这些情况下，也可构成利用了第1辐射元件10以及第2辐射元件20的基本谐振模式以及高阶谐振模式的多频段的天线装置，高频段有效地被宽带化。
110.最后，上述的实施方式的说明在所有的方面均为例示，而不是限制性的。对本领域技术人员而言，能够适当地进行变形以及变更。本实用新型的范围不是由上述的实施方式示出，而是由权利要求书示出。进而，本实用新型的范围包含从与权利要求书等同的范围内的实施方式进行的变更。
111.例如，在图7的(a)中，示出了用第1辐射元件10的基本谐振频率f1l和第2辐射元件20的基本谐振频率f2l覆盖低频段，用第1辐射元件10的高阶谐振频率f1h覆盖高频段的例子，但是也可以将第1辐射元件10以及第2辐射元件20用作对从低频段遍及至高频段的全频段进行覆盖的辐射元件。
112.附图标记说明
113.c2、c12：寄生电容；
114.l1：初级线圈；
115.l2：次级线圈；
116.l11、l12：初级线圈导体图案；
117.l21、l22、l23、l24：次级线圈导体图案；
118.ml：层；
119.ms1：第1面；
120.ms2：第2面；
121.pa：供电辐射元件连接端子；
122.pf：供电电路连接端子；
123.pg：接地端子；
124.ps：无供电辐射元件连接端子；
125.s11、s12、s21、s22、s23、s24：绝缘基板；
126.v1、v2、v3、v4：层间连接导体；
127.1：供电电路；
128.2：耦合元件；
129.10：第1辐射元件；
130.20：第2辐射元件；
131.101、102a、102b、102c：天线装置。