显示装置及显示面板的制作方法

1.本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置及显示面板。


背景技术：

2.oled(organic light emitting diode，有机电致发光二极管)显示装置由于具有全固态结构、自发光、响应速度快、亮度高、全视角、可柔性显示等一系列优点，因而成为目前极具竞争力和良好发展前景的一类显示装置。然而，目前的oled显示装置在制备过程中容易发生静电释放的问题。


技术实现要素：

3.本公开的目的在于提供一种显示装置及显示面板，能够解决静电释放的问题。
4.根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括：
5.衬底；
6.第一绝缘层，设于所述衬底的一侧，所述第一绝缘层背向所述衬底的一侧存在凹陷部，所述凹陷部的深度小于所述第一绝缘层的厚度；
7.第一走线层，设于所述第一绝缘层背向所述衬底的表面，且用于电连接一电源信号端，所述第一走线层的至少部分延伸至所述凹陷部内；
8.第二绝缘层，设于所述第一绝缘层背向所述衬底的一侧，所述第二绝缘层填充所述凹陷部，并覆盖所述第一走线层位于所述凹陷部内的部分。
9.进一步地，所述显示面板还包括：
10.像素界定层，设于所述第一绝缘层背向所述衬底的一侧，且设有像素开口；
11.发光单元，设于所述像素开口，并与所述第一走线层电连接。
12.进一步地，所述像素界定层与所述第二绝缘层同层设置。
13.进一步地，所述发光单元包括相对设置的阳极层和阴极层，所述阳极层设于所述第一绝缘层上，并与所述第一走线层同层设置。
14.进一步地，所述发光单元包括相对设置的阳极层和阴极层，所述阴极层与所述第一走线层电连接。
15.进一步地，所述显示面板包括显示区以及围绕所述显示区的边框区，所述凹陷部位于所述边框区。
16.进一步地，所述显示面板还包括：
17.挡墙，设于所述边框区，且围绕所述显示区，所述凹陷部位于所述挡墙与所述显示区之间。
18.进一步地，所述凹陷部为扩口型结构，所述第一走线层覆盖所述凹陷部的侧壁。
19.进一步地，所述凹陷部的深度与所述第一绝缘层的厚度的比值为0.4
‑
0.6。
20.进一步地，所述显示面板还包括：
21.信号线层，设于所述衬底与所述第一绝缘层之间，所述第一绝缘层设有暴露所述
信号线层的过孔，所述第一走线层通过所述过孔与所述信号线层电连接；所述信号线层用于电连接一电源信号端。
22.进一步地，所述信号线层设有贯穿所述信号线层的通孔，所述凹陷部的数量为多个，所述通孔在所述衬底上的正投影位于相邻的两个所述凹陷部在所述衬底上的正投影之间。
23.进一步地，所述通孔的数量为多个，所述过孔在所述衬底上的正投影位于相邻的两个所述通孔在所述衬底上的正投影之间。
24.进一步地，多个所述凹陷部中至少存在一个所述凹陷部在所述衬底上的正投影的形状与所述通孔在所述衬底上的正投影的形状相同。
25.进一步地，多个所述凹陷部中至少存在一个所述凹陷部在所述衬底上的正投影的面积与所述通孔在所述衬底上的正投影的面积相同。
26.进一步地，所述凹陷部在所述衬底上的正投影的面积大于所述过孔在所述衬底上的正投影的面积。
27.根据本公开的一个方面，提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
28.本公开的的显示装置及显示面板，第一绝缘层背向衬底的一侧存在凹陷部，第一走线层的至少部分延伸至凹陷部内，由于第二绝缘层填充凹陷部，并覆盖第一走线层位于凹陷部内的部分，从而增加了覆盖第一走线层的第二绝缘层的厚度，同时增加了被第二绝缘层覆盖的第一走线层的宽度，从而提高了第一走线层边界的包覆程度，可以防止第一走线层的边界暴露，进而解决了由于第一走线层的边界暴露所导致的静电释放的问题。
附图说明
29.图1是相关技术中的显示面板的蒸镀示意图。
30.图2是相关技术中的显示面板的第一走线层与第二绝缘层的示意图。
31.图3是本公开实施方式的显示面板的断面示意图。
32.图4是本公开实施方式的显示面板中第一走线层与第二绝缘层的示意图。
33.图5是本公开实施方式的显示面板的平面示意图。
34.图6是本公开实施方式的凹陷部、过孔以及通孔的平面布局示意图。
35.附图标记说明：1、衬底；2、薄膜晶体管；21、有源层；22、栅绝缘层；23、栅电极；24、层间绝缘层；25、源极；26、漏极；3、平坦化层；4、导电连接层；5、第一绝缘层；51、凹陷部；6、发光单元；61、阳极层；62、发光材料层；63、阴极层；7、像素界定层；8、第一走线层；9、第二绝缘层；10、信号线层；11、挡墙；1101、第一挡墙；1102、第二挡墙；12、金属掩模板；13、第二走线层；14、通孔；15、过孔；100、显示区；200、边框区；300、绑定区。
具体实施方式
36.这里将详细地对示例性实施方式进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施方式中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置的例子。
37.在本公开使用的术语是仅仅出于描述特定实施方式的目的，而非旨在限制本公
开。除非另作定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开说明书以及权利要求书中使用的“第一”“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“多个”或者“若干”表示两个及两个以上。除非另行指出，“前部”、“后部”、“下部”和/或“上部”等类似词语只是为了便于说明，而并非限于一个位置或者一种空间定向。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。在本公开说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
38.相关技术中，如图1和图2所示，第一走线层8被第一绝缘层5包覆的宽度l较小，导致第一走线层8的边界容易暴露在外。在进行蒸镀(ev)工艺时，由于磁力的吸附作用，导致金属掩模板12(fmm mask)发生形变，并朝基板凹陷，进而容易导致金属掩模板12与电连接于恒定负压的第一走线层8的边界之间发生静电释放(esd)。为了改善该问题，可以通过降低第二绝缘层9的曝光(dose)量，从而提高第一走线层8被第一绝缘层5包覆的宽度l，从而降低esd的风险。然而，该方法会带来其他问题，由于第二绝缘层9与像素界定层7同层设置，降低第二绝缘层9的dose量，从而也降低了像素界定层7的dose量，会导致阳极层61表面的残膜加重，并减小了阴极层63和阳极层61的接触面积，从而引起电阻增大，进而影响屏幕loading，恶化亮度均一性。
39.如图3和图4所示，本公开实施方式提供一种显示面板。该显示面板可以包括衬底1、第一绝缘层5、第一走线层8以及第二绝缘层9，其中：
40.该第一绝缘层5设于衬底1的一侧。该第一绝缘层5背向衬底1的一侧存在凹陷部51。该凹陷部51的深度小于第一绝缘层5的厚度。该第一走线层8设于第一绝缘层5背向衬底1的表面，且用于电连接一电源信号端。该第一走线层8的至少部分延伸至凹陷部51内。该第二绝缘层9设于第一绝缘层5背向衬底1的一侧。该第二绝缘层9填充凹陷部51，并覆盖第一走线层8位于凹陷部51内的部分。
41.本公开实施方式的显示面板，第一绝缘层5背向衬底1的一侧存在凹陷部51，第一走线层8的至少部分延伸至凹陷部51内，由于第二绝缘层9填充凹陷部51，并覆盖第一走线层8位于凹陷部51内的部分，从而增加了覆盖第一走线层8的第二绝缘层9的厚度，同时增加了被第二绝缘层9覆盖的第一走线层8的宽度，从而提高了第一走线层8的包覆程度，可以防止第一走线层8的边界暴露，进而解决了由于第一走线层8的边界暴露所导致的静电释放的问题；同时，本公开无需调整第二绝缘层9的曝光量，不会影响到屏幕的均一性。
42.下面对本公开实施方式的显示面板的各部分进行详细说明：
43.如图3所示，该衬底1可以为刚性衬底。其中，该刚性衬底可以为玻璃衬底或pmma(polymethyl methacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)衬底等。当然，该衬底1还可以为柔性衬底。其中，该柔性衬底可以为pet(polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)衬底、pen(polyethylene naphthalate two formic acid glycol ester，聚萘二甲酸乙二
醇酯)衬底或pi(polyimide，聚酰亚胺)衬底。
44.如图3所示，该衬底1上可以设有驱动晶体管。该驱动晶体管可以为薄膜晶体管2，但本公开实施方式不限于此。该薄膜晶体管2可以为顶栅型薄膜晶体管，当然，该薄膜晶体管2还可以为底栅型薄膜晶体管。以薄膜晶体管2为顶栅型薄膜晶体管为例，该薄膜晶体管2可以包括有源层21、栅绝缘层22、栅电极23、层间绝缘层24、源极25以及漏极26。该有源层21可以设于衬底1上。该栅绝缘层22可以设于衬底1上，并覆盖有源层21。该栅电极23可以设于栅绝缘层22远离衬底1的一侧。该层间绝缘层24可以设在栅绝缘层22上，并覆盖栅电极23。该源极25和漏极26可以设在层间绝缘层24上，并经由穿过层间绝缘层24和栅绝缘层22的过孔15连接至有源层21。本公开的显示面板还可以包括第二走线层13。该第二走线层13、源极25以及漏极26可以同层设置。该第二走线层13用于传输goa信号。
45.如图3和图4所示，本公开的显示面板还可以包括平坦化层3以及导电连接层4。该平坦化层3可以覆盖薄膜晶体管2的源极25、漏极26以及层间绝缘层24。该导电连接层4可以设于平坦化层3上，并将经由穿过平坦化层3的过孔15与薄膜晶体管2的源极25或漏极26电连接。本公开的显示面板还可以包括信号线层10。该信号线层10可以设于平坦化层3背向衬底1的表面。该信号线层10可以与导电连接层4同层设置。该信号线层10可以电连接于电源信号端。其中，该信号线层10可以电连接于vss电源信号端。该信号线层10可以设有贯穿信号线层10的通孔14。其中，该通孔14可以形成于信号线层10对应于上述第二走线层13的区域，从而可以防止信号线层10与第二走线层13形成电容结构，避免发生信号干扰。该通孔14的数量可以为一个、两个、三个或更多个。
46.如图3和图4所示，上述第一绝缘层5可以覆盖上述的导电连接层4以及信号线层10，并覆盖上述的平坦化层3。该第一绝缘层5背向衬底1的一侧可以存在凹陷部51。该凹陷部51的数量可以为一个、二个、三个、四个或更多个。如图6所示，上述通孔14在衬底1上的正投影可以位于相邻的两个凹陷部51在衬底1上的正投影之间。多个凹陷部51中至少存在一个凹陷部51在衬底1上的正投影的形状与通孔14在衬底1上的正投影的形状相同，例如矩形、方形等。多个凹陷部51中至少存在一个凹陷部51在衬底1上的正投影的面积与通孔14在衬底1上的正投影的面积相同。该凹陷部51可以为扩口型结构。该凹陷部51的截面面积沿着靠近衬底1的方向逐渐减小。该凹陷部51的深度与第一绝缘层5的厚度的比值可以为0.4
‑
0.6，例如0.4、0.5、0.6等。以凹陷部51呈扩口型结构为例，该凹陷部51的侧壁的坡度角α可以为40
°‑
80
°
，也就是说，该凹陷部51的侧壁与衬底1面向第一绝缘层5的表面之间的夹角可以为40
°‑
80
°
。此外，该第一绝缘层5还可以设有暴露上述导电连接层4的开口以及暴露上述信号线层10的过孔15。如图6所示，该过孔15在衬底1上的正投影可以位于相邻的两个通孔14在衬底1上的正投影之间。此外，上述凹陷部51在衬底1上的正投影的面积可以大于过孔15在衬底1上的正投影的面积。
47.如图3和图4所示，该第一走线层8可以设于第一绝缘层5背向衬底1的表面。该第一走线层8可以用于电连接一电源信号端。具体地，该第一走线层8可以经由穿过第一绝缘层5的过孔15与上述的信号线层10接触，由于信号线层10电连接于电源信号端，从而使第一走线层8通过信号线层10电连接于电源信号端。该第一走线层8的至少部分延伸至第一绝缘层5的凹陷部51内。以凹陷部51呈扩口型结构为例，该第一走线层8可以覆盖凹陷部51的侧壁，上述的第二绝缘层9可以覆盖第一走线层8覆盖于凹陷部51侧壁的部分。进一步地，该第一
走线层8可以延伸至凹陷部51的底壁。
48.如图3和图4所示，该第二绝缘层9设于第一绝缘层5背向衬底1的一侧。该第二绝缘层9填充凹陷部51，并覆盖第一走线层8位于凹陷部51内的部分。该凹陷部51在衬底1上的正投影可以位于第二绝缘层9在衬底1上的正投影区域内。其中，该第二绝缘层9在衬底1上的正投影可以大于凹陷部51在衬底1上正投影，即第二绝缘层9可以覆盖第一绝缘层5位于凹陷部51以外的区域。
49.如图3和图4所示，本公开实施方式的显示面板还可以包括像素界定层7和发光单元6。该像素界定层7可以设于第一绝缘层5背向衬底1的表面。该像素界定层7可以设有像素开口。该像素开口的数量可以为多个。该像素界定层7可以与上述的第二绝缘层9同层设置，即像素界定层7与第二绝缘层9可以通过一步光刻工艺制备而成。该发光单元6可以设于像素开口。该发光单元6可以包括红光发光单元、绿光发光单元以及蓝光发光单元。各发光单元6可以包括阳极层61、发光材料层62以及阴极层63。该阳极层61可以设于第一绝缘层5背向衬底1的表面，该阴极层63设于阳极层61背向衬底1的一侧，该发光材料层62可以设于阳极层61与阴极层63之间。该发光材料层62可以为有机电致发光材料层，但本公开实施方式不限于此。该阳极层61可以经由穿过第一绝缘层5的过孔15与上述的导电连接层4接触，由于导电连接层4与薄膜晶体管2的源极25或漏极26电连接，从而使阳极层61与薄膜晶体管2的源极25或漏极26电连接。此外，该阳极层61可以与上述的第一走线层8同层设置，从而使阳极层61与第一走线层8可以通过一步光刻工艺制备而成，简化了制备过程。此外，该阴极层63可以与第一走线层8电连接，以使阴极层63与信号线层10电连接。其中，该阴极层63可以覆盖上述的第二绝缘层9。
50.如图3和图5所示，本公开的显示面板可以包括显示区100以及围绕显示区100的边框区200。上述的凹陷部51可以位于边框区200。本公开的显示面板还可以包括挡墙11。该挡墙11可以设于显示面板的边框区200，且围绕显示区100。该凹陷部51可以位于挡墙11与显示区100之间。该挡墙11可以包括第一挡墙1101和第二挡墙1102。该第一挡墙1101围绕显示区100，该第二挡墙1102围绕第一挡墙1101，该凹陷部51位于第一挡墙1101与显示区100之间。本公开实施方式的显示面板还可以包括覆盖发光单元6的封装层。该封装层可以为薄膜封装层(tfe)。该挡墙11用于对封装层进行阻挡。此外，本公开实施方式的显示面板还可以包括绑定区300。该绑定区300可以位于挡墙11的外侧，上述的信号线层10可以电连接于绑定区300，以与电源信号端电连接。
51.本公开实施方式还提供一种显示装置。该显示装置可以包括上述任一实施方式所述的显示面板。该显示装置可以为手机、平板电脑、电视等。由于本公开实施方式的显示装置所包含的显示面板与上述显示面板的实施方式中的显示面板相同，其具有相同的有益效果，本公开在此不再赘述。
52.以上所述仅是本公开的较佳实施方式而已，并非对本公开做任何形式上的限制，虽然本公开已以较佳实施方式揭露如上，然而并非用以限定本公开，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本公开技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施方式，但凡是未脱离本公开技术方案的内容，依据本公开的技术实质对以上实施方式所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本公开技术方案的范围内。