一种嵌埋式陶瓷基板的制备方法与流程

技术特征：
1.一种嵌埋式陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，正面金属层以及背面金属层预处理；所述正面金属层包括至少两层金属片，至少两层金属片包括靠近瓷片的第一金属片，至少两层金属片中除了第一金属片的其余的金属片开设有至少一个上下贯穿的贯穿孔；步骤二，将正面金属层、瓷片以及背面金属层三者进行真空烧结。2.根据权利要求1所述的一种嵌埋式陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述第一金属片上通过精雕机开设有盲孔。3.根据权利要求1所述的一种嵌埋式陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述贯穿孔的横截面为正方形、长方形、圆形、五边形、六边形中的一种或几种。4.根据权利要求1所述的一种嵌埋式陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述正面金属层包括从下至上依次设置的第一金属片、第二金属片以及第三金属片；所述第一金属片的厚度为0.2mm
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0.4mm，所述第二金属片的厚度为0.2mm
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0.3mm，所述第三金属片的厚度为0.2mm
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0.3mm，所述背面金属层的厚度为0.5mm
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1.0mm；所述正面金属层为铜层或铝层。所述背面金属层为铜层或铝层。5.根据权利要求1所述的一种嵌埋式陶瓷基板的制备方法，其特征在于：步骤一中，正面金属层的所有金属片从上至下堆叠后扩散焊接相连，步骤二中，正面金属层、瓷片以及背面金属层真空钎焊相连。6.根据权利要求1所述的一种嵌埋式陶瓷基板的制备方法，其特征在于：步骤二中，正面金属层的所有金属片、瓷片以及背面金属层从上至下依次堆叠后真空钎焊；所述瓷片与所述第一金属片以及背面金属层之间涂覆有钎料。7.根据权利要求1所述的一种嵌埋式陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述正面金属层包括从下至上依次设置的第一金属片、第二金属片以及第三金属片；所述第二金属片以及所述第三金属片上均开设有所述贯穿孔，且所述第二金属片以及所述第三金属片上的贯穿孔相互导通；所述第二金属片的贯穿孔的面积小于第三金属片的贯穿孔的面积。8.一种嵌埋式陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，正面金属层以及背面金属层预处理；所述正面金属层包括至少两层金属片，至少两层金属片包括靠近瓷片的第一金属片，至少两层金属片中除了第一金属片的其余的金属片开设有至少一个上下贯穿的贯穿孔；步骤二，第一金属片、瓷片以及背面金属层从上至下依次堆叠后真空钎焊烧结；步骤三，对第一金属片进行蚀刻，制成图案，使得所述第一金属片上设有内凹的内凹部，且所述第一金属片上还开设有上下贯穿的回形槽，所述回形槽位于所述内凹部的外围，所述回形槽用于将内凹部呈孤岛状设置在第一金属片；步骤四，将步骤三制成的金属基板的上方依次堆叠正面金属层的其余金属片后，真空扩散焊接；至少两层金属片中除了第一金属片的其余的金属片的贯穿孔与所述内凹部上下导通。9.根据权利要求8所述的一种嵌埋式陶瓷基板的制备方法，其特征在于：步骤二中，真空钎焊烧结的温度控制在700℃
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940℃，真空度小于0.01pa，烧结时间60min
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540min。
10.根据权利要求8所述的一种嵌埋式陶瓷基板的制备方法，其特征在于：步骤四中，真空扩散焊接的工艺参数：扩散焊烧结温度为500℃
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900℃，真空度小于0.1pa，烧结时间10min
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540min。

技术总结
本发明涉及半导体技术领域。一种嵌埋式陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，正面金属层以及背面金属层预处理；所述正面金属层包括至少两层金属片，至少两层金属片包括靠近瓷片的第一金属片，至少两层金属片中除了第一金属片的其余的金属片开设有至少一个上下贯穿的贯穿孔；步骤二，将正面金属层、瓷片以及背面金属层三者进行真空烧结。所述贯穿孔用于内嵌芯片。本专利通过在正面金属层上开设有贯穿孔，便于实现了对芯片的限位固定效果。相应的减薄了后期封装件的厚度。此外，可以实现芯片的热量从周向向外以及向下区域的金属层散热，大大的提高的散热范围。大大的提高的散热范围。大大的提高的散热范围。


技术研发人员：王斌 贺贤汉 周轶靓 葛荘 吴承侃
受保护的技术使用者：上海富乐华半导体科技有限公司
技术研发日：2021.07.07
技术公布日：2021/10/28