包括超晶格图案的半导体器件的制作方法

技术特征：
1.一种半导体器件，包括：第一区域和第二区域，分别形成在衬底中；第一有源图案，从所述第一区域向上延伸；第一超晶格图案，在所述第一有源图案上；第一有源鳍，居中设置在所述第一有源图案上；第一栅电极，设置在所述第一有源鳍上；以及第一源极/漏极图案，设置在第一有源鳍的相对侧和所述第一有源图案上，其中，所述第一超晶格图案包括至少一个第一半导体层和至少一个第一含阻挡剂层，以及所述至少一个第一含阻挡剂层包括氧、碳、氟和氮中的至少一种。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个第一半导体层包括多个第一半导体层，并且所述至少一个第一含阻挡剂层包括多个第一含阻挡剂层，所述多个第一半导体层中的每个第一半导体层与所述多个第一含阻挡剂层中的对应的第一含阻挡剂层竖直且相邻地堆叠以形成对，以及所述第一超晶格图案包括1对至10对之间的对。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述多个第一半导体层中的每个第一半导体层的厚度在约1nm至10nm的范围内，以及所述多个第一含阻挡剂层中的每个第一含阻挡剂层的厚度在约1nm至5nm的范围内。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一超晶格图案在所述第一有源图案与所述第一有源鳍之间延伸。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一超晶格图案接触所述第一源极/漏极图案的底表面和侧壁的至少一部分。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一超晶格图案接触所述第一源极/漏极图案的底表面，并且设置在所述第一有源图案和所述第一有源鳍之间，所述第一超晶格图案在所述第一有源图案和所述第一有源鳍之间具有第一厚度，并且在所述第一有源图案和所述第一源极/漏极图案之间具有第二厚度，以及所述第一厚度大于所述第二厚度。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一超晶格图案接触所述第一源极/漏极图案的底表面并且与所述第一源极/漏极图案的侧壁间隔开，以及所述第一超晶格图案在所述第一源极/漏极图案的底表面的中心下方比在所述第一源极/漏极图案的底表面的边缘下方厚。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一有源鳍包括竖直堆叠的沟道图案，以及所述第一栅电极在相应的沟道图案之间延伸，并且在所述第一有源图案和所述沟道图案中的最下面的一个沟道图案之间延伸。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一有源鳍包括竖直堆叠的沟道图案，所述第一栅电极在相应的沟道图案之间延伸，以及所述沟道图案中的最下面的一个沟道图案接触所述第一超晶格图案。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第二有源图案，从所述第二区域向上延伸；第二超晶格图案，在所述第二有源图案上；第二有源鳍，居中设置在所述第二有源图案上；第二栅电极，设置在所述第二有源鳍上；以及第二源极/漏极图案，设置在所述第二有源图案上的所述第二有源鳍的相对侧上，其中，所述第二超晶格图案包括至少一个第二半导体层和至少一个第二含阻挡剂层，以及所述至少一个第二含阻挡剂层包括氧、碳、氟和氮中的至少一种。11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述至少一个第一含阻挡剂层包括与所述至少一个第二含阻挡剂层不同的材料。12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一超晶格图案的厚度与所述第二超晶格图案的厚度不同。13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一超晶格图案的上表面和所述第二超晶格图案的上表面处于不同的水平。14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一超晶格图案的上表面和所述第二超晶格图案的上表面处于相同的水平，所述第一源极/漏极图案与所述第一超晶格图案间隔开，以及所述第二源极/漏极图案接触所述第二超晶格图案。15.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第二有源图案，从所述第二区域向上延伸；第二有源鳍，居中设置在所述第二有源图案上；第二栅电极，设置在所述第二有源鳍上；以及第二源极/漏极图案，设置在第二有源鳍的相对侧上并与所述第二有源图案接触。16.根据权利要求15所述的半导体器件，还包括：第一阱区域，设置在所述第一区域中；以及第二阱区域，设置在所述第二区域中，其中，所述第一阱区域和所述第二阱区域掺杂有具有相同导电类型的掺杂剂。17.一种半导体器件，包括：第一区域和第二区域，分别形成在衬底中；第一有源图案，从所述第一区域向上延伸；第一超晶格图案，在所述第一有源图案上；第一有源鳍，居中设置在所述第一有源图案上；第一栅电极，设置在所述第一有源鳍上；以及第一源极/漏极图案，设置在所述第一有源鳍的相对侧上并与所述第一超晶格图案接触，其中，所述第一超晶格图案包括交替堆叠的第一半导体层和第一含阻挡剂层，所述第一含阻挡剂层包括氧、碳、氟和氮中的至少一种，所述第一超晶格图案设置在所述第一有源图案和所述第一有源鳍之间，
所述第一超晶格图案在所述第一有源图案和所述第一有源鳍之间具有第一厚度，并且在所述第一源极/漏极图案和所述第一有源图案之间具有第二厚度，以及所述第一厚度大于所述第二厚度。18.一种半导体器件，包括：第一区域和第二区域，分别形成在衬底中；第一超晶格区域，设置在所述第一区域上，以及第二超晶格区域，设置在所述第二区域上；第一栅电极，设置在所述第一区域上；第一源极/漏极部分，设置在所述第一栅电极的相对侧上；第二栅电极，设置在所述第二区域上；以及第二源极/漏极部分，设置在所述第二栅电极的相对侧上，其中，所述第一超晶格区域和所述第二超晶格区域中的每一个包括阻挡剂，所述阻挡剂包括氧、碳、氟和氮中的至少一种，所述第一超晶格区域在所述第一源极/漏极部分的底表面的中心下方具有第一厚度，并且在所述第一源极/漏极部分的底表面的边缘下方具有第二厚度，以及所述第一厚度与第二厚度不同。19.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，所述第一超晶格区域接触所述第一源极/漏极部分的侧壁，并且所述第二超晶格区域接触所述第二源极/漏极部分的侧壁。20.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，包括在所述第一超晶格区域中的阻挡剂与包括在所述第二超晶格区域中的阻挡剂不同。

技术总结
公开了一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一有源图案，从第一区域向上延伸；第一超晶格图案，在第一有源图案上；第一有源鳍，居中设置在第一有源图案上；第一栅电极，设置在第一有源鳍上；以及第一源极/漏极图案，设置在第一有源鳍的相对侧和第一有源图案上。第一超晶格图案包括至少一个第一半导体层和至少一个第一含阻挡剂层，以及第一含阻挡剂层包括氧、碳、氟和氮中的至少一种。氟和氮中的至少一种。氟和氮中的至少一种。


技术研发人员：慎一揆 金旻怡 姜明吉 金真范 李承勋 赵槿汇
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2021.01.26
技术公布日：2021/10/28