半导体器件测量方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件测量方法，用于使用椭圆偏振干涉光谱仪进行半导体器件的关键尺寸测量，其特征在于，包括以下步骤：根据所述半导体器件的标准件的表面形貌特征，获取所述半导体器件表面的至少两种最小重复单元；对所述至少两种最小重复单元进行关键尺寸测量，获取所述至少两种最小重复单元的关键尺寸数据；根据所述至少两种最小重复单元的关键尺寸数据，构建所述椭圆偏振干涉光谱仪内关于所述半导体器件的测量模型；根据所述测量模型对所述半导体器件进行关键尺寸测量。2.根据权利要求1所述的半导体器件测量方法，其特征在于，根据所述至少两种最小重复单元的关键尺寸数据，构建所述椭圆偏振干涉光谱仪内关于所述半导体器件的测量模型时，还包括以下步骤：在薄膜上分别形成与各个最小重复单元具有同样的关键尺寸数据的数个模拟结构；使用所述椭圆偏振干涉光谱仪对所述模拟结构进行关键尺寸测量，获取第一关键尺寸数据；使用所述椭圆偏振干涉光谱仪对所述标准件进行关键尺寸测量，获取第二关键尺寸数据；根据所述第一关键尺寸数据和第二关键尺寸数据在所述椭圆偏振干涉光谱仪内获取所述标准件的测量模型。3.根据权利要求2所述的半导体器件测量方法，其特征在于，对所述模拟结构进行关键尺寸测量，获取第一关键尺寸数据前，还包括以下步骤：对待测试的半导体器件以及各个模拟结构进行至少一个相同的工艺制程。4.根据权利要求2所述的半导体器件测量方法，其特征在于，所述薄膜包括硅薄膜、氮化硅薄膜或二氧化硅薄膜中的至少一种。5.根据权利要求2所述的半导体器件测量方法，其特征在于，所述模拟结构形成在形成有所述标准件的晶圆的切割道中。6.根据权利要求1所述的半导体器件测量方法，其特征在于，根据所述半导体器件的标准件的表面形貌特征，获取所述半导体器件表面的至少两种最小重复单元时，包括以下步骤：获取所述半导体器件的标准件的表面形貌特征数据，包括所述标准件表面的不同区域的线宽大小和不同线宽的分布方式；将具有相似线宽的区域作为同一种最小重复单元。7.根据权利要求6所述的半导体器件测量方法，其特征在于，将具有相似线宽的区域作为同一种最小重复单元时，包括以下步骤：确定被选择的区域的线宽宽度是否处于预设线宽范围内，若是，则该区域为该预设线宽范围对应的最小重复单元。8.根据权利要求6所述的半导体器件测量方法，其特征在于，将具有相似线宽的区域作为同一种最小重复单元前，还包括以下步骤：划分至少两个预设线宽范围，以获取至少两种最小重复单元。9.根据权利要求1所述的半导体器件测量方法，其特征在于，使用所述测量模型对所述
半导体器件进行关键尺寸测量时，包括以下步骤：向待测量的所述半导体器件投射测量光线；获取所述半导体器件反射所述测量光线而形成的干涉光谱；对比分析所述干涉光谱与所述测量模型，获取所述半导体器件的关键尺寸。10.根据权利要求1所述的半导体器件测量方法，其特征在于，还包括以下步骤：对比分析所述半导体器件上的各个最小重复单元的干涉光谱与所述测量模型。

技术总结
该发明涉及一种半导体器件测量方法，能够减小对半导体器件的关键尺寸进行测量时的测量误差。所述半导体器件测量方法，用于使用椭圆偏振干涉光谱仪进行半导体器件的关键尺寸测量，包括以下步骤：根据所述半导体器件的标准件的表面形貌特征，获取所述半导体器件表面的至少两种最小重复单元；对所述至少两种最小重复单元进行关键尺寸测量，获取所述至少两种最小重复单元的关键尺寸数据；根据所述至少两种最小重复单元的关键尺寸数据，构建所述椭圆偏振干涉光谱仪内关于所述半导体器件的测量模型；根据所述测量模型对所述半导体器件进行关键尺寸测量。关键尺寸测量。关键尺寸测量。


技术研发人员：李弘祥
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2020.04.28
技术公布日：2021/10/28