一种金属-氧化层-栅极电容器及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种金属
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氧化层
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栅极电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在半导体衬底(10)上覆盖第一绝缘层(11)；在所述第一绝缘层(11)的表面形成导电层(12)；在所述导电层(12)的表面上气相沉积第二层绝缘层(24)；对所述第二层绝缘层(24)进行蚀刻，形成对所述导电层(12)的局部暴露，同时形成接触孔；对所述接触孔的开口进行金属填充，形成翅片结构，作为所述电容器的底板电极即栅极柱；对围绕所述栅极柱的所述第二层绝缘层(24)进行蚀刻，使所述栅极柱从所述第二绝缘层(24)突出，围绕所述栅极柱形成沟槽；在所述第二层绝缘层(24)和所述栅极柱的表面上气相沉积绝缘介电层(13)；在所述绝缘介电层(13)上沉积并覆盖一层衬底金属层(14)；在所述衬底金属层(14)上沉积并覆盖一层主体金属层(30)，形成所述电容器的上极板电极。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底(10)为沟槽阵列形状，所述半导体衬底(10)为体硅或者由外延层形成。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一绝缘层(11)由栅氧化物组成。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用钨金属对所述接触孔的开口进行金属填充。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用lpcvd工艺在所述第二层绝缘层(24)和所述栅极柱的表面上气相沉积所述绝缘介电层(13)。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述导电层(12)包括多晶硅或金属栅极线，所述栅极柱为多晶硅栅极柱或金属栅极柱。7.根据权利要求1
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6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘介电层(13)的厚度在200至400埃之间，由未掺杂硅酸盐玻璃组成。8.根据权利要求1
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6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述衬底金属层(14)的复合厚度在50至600埃之间，由钛或者氮化钛组成。9.根据权利要求1
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6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述主体金属层(30)的厚度在3000至8000埃之间，由铝或者铜组成。10.一种金属
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氧化层
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栅极电容器，其特征在于，采用权利要求1
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9任一项所述的制备方法制备而成，所述电容器包括：底板电极和上极板电极；在半导体衬底(10)上覆盖第一绝缘层(11)；在所述第一绝缘层(11)的表面形成导电层(12)；在所述导电层(12)的表面上气相沉积第二层绝缘层(24)；对所述第二层绝缘层(24)进行蚀刻，形成对所述导电层(12)的局部暴露，同时形成接触孔；对所述接触孔的开口进行金属填充，形成翅片结构，作为所述电容器的底板电极即栅极柱；
对围绕所述栅极柱的所述第二层绝缘层(24)进行蚀刻，使所述栅极柱从所述第二绝缘层(24)突出，围绕所述栅极柱形成沟槽；在所述第二层绝缘层(24)和所述栅极柱的表面上气相沉积绝缘介电层(13)；在所述绝缘介电层(13)上沉积并覆盖一层衬底金属层(14)；在所述衬底金属层(14)上沉积并覆盖一层主体金属层(30)，形成所述电容器的上极板电极。

技术总结
本发明公开了一种金属


技术研发人员：吴汉明 陈春章 胡煜
受保护的技术使用者：芯创智创新设计服务中心(宁波)有限公司
技术研发日：2021.06.16
技术公布日：2021/10/28