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栅极
半导体装置的制作方法
本发明涉及一种用于常开型晶体管的共源共栅电路(cascode circuit),且特别涉及一种具有金属栅极mosfet(金氧半场效晶体管)与常开型晶体管的半导体装置。
标签:
常开
晶体管
栅极
半导体
半场
2023-04-10
一种低功耗、宽电源电压范围的栅极驱动集成电路的制作方法
本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种低功耗、宽电源电压范围的栅极驱动集成电路。
标签:
集成电路
栅极
电压
低功耗
范围
2023-04-05
三维半导体装置与存储装置的制作方法
本公开有关于三维半导体装置与存储装置,且特别有关于使用栅极全环架构的三维半导体装置与存储装置。
标签:
装置
半导体
栅极
架构
2023-04-05
半导体结构的制作方法
本实用新型涉及半导体结构,尤其涉及具有低栅极电阻的半导体结构。
标签:
半导体
栅极
结构
电阻
2023-03-31
半导体装置的制作方法
本实用新型实施例涉及多栅极装置,尤其涉及在最顶部的半导体通道层上形成较厚栅极介电层的方法与结构。
标签:
栅极
半导体
装置
通道
结构
2023-03-31
半导体装置的制作方法
本发明涉及一种用于常开型晶体管的共源共栅电路(cascode circuit),且特别涉及一种具有金属栅极mosfet(金氧半场效晶体管)与常开型晶体管的半导体装置。
标签:
常开
晶体管
栅极
半导体
半场
2023-03-31
一种低功耗、宽电源电压范围的栅极驱动集成电路的制作方法
本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种低功耗、宽电源电压范围的栅极驱动集成电路。
标签:
集成电路
栅极
电压
低功耗
范围
2023-03-29
三维半导体装置与存储装置的制作方法
本公开有关于三维半导体装置与存储装置,且特别有关于使用栅极全环架构的三维半导体装置与存储装置。
标签:
装置
半导体
栅极
架构
2023-03-28
半导体结构的制作方法
本实用新型涉及半导体结构,尤其涉及具有低栅极电阻的半导体结构。
标签:
半导体
栅极
结构
电阻
2023-03-24
半导体装置的制作方法
本实用新型实施例涉及多栅极装置,尤其涉及在最顶部的半导体通道层上形成较厚栅极介电层的方法与结构。
标签:
栅极
半导体
装置
通道
结构
2023-03-24
半导体装置的制作方法
本发明涉及一种用于常开型晶体管的共源共栅电路(cascode circuit),且特别涉及一种具有金属栅极mosfet(金氧半场效晶体管)与常开型晶体管的半导体装置。
标签:
常开
晶体管
栅极
半导体
半场
2023-03-24
一种低功耗、宽电源电压范围的栅极驱动集成电路的制作方法
本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种低功耗、宽电源电压范围的栅极驱动集成电路。
标签:
集成电路
栅极
电压
低功耗
范围
2023-03-19
三维半导体装置与存储装置的制作方法
本公开有关于三维半导体装置与存储装置,且特别有关于使用栅极全环架构的三维半导体装置与存储装置。
标签:
装置
半导体
栅极
架构
2023-03-19
半导体结构的制作方法
本实用新型涉及半导体结构,尤其涉及具有低栅极电阻的半导体结构。
标签:
半导体
栅极
结构
电阻
2023-03-15
半导体装置的制作方法
本发明涉及一种用于常开型晶体管的共源共栅电路(cascode circuit),且特别涉及一种具有金属栅极mosfet(金氧半场效晶体管)与常开型晶体管的半导体装置。
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常开
晶体管
栅极
半导体
半场
2023-03-15
半导体结构的制作方法
本实用新型涉及半导体结构,尤其涉及具有低栅极电阻的半导体结构。
标签:
半导体
栅极
结构
电阻
2023-03-05
半导体装置的制作方法
本实用新型实施例涉及多栅极装置,尤其涉及在最顶部的半导体通道层上形成较厚栅极介电层的方法与结构。
标签:
栅极
半导体
装置
通道
结构
2023-03-05
半导体装置的制作方法
本发明涉及一种用于常开型晶体管的共源共栅电路(cascode circuit),且特别涉及一种具有金属栅极mosfet(金氧半场效晶体管)与常开型晶体管的半导体装置。
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常开
晶体管
栅极
半导体
半场
2023-03-05
半导体结构的制作方法
本实用新型涉及半导体结构,尤其涉及具有低栅极电阻的半导体结构。
标签:
半导体
栅极
结构
电阻
2023-03-01
半导体装置的制作方法
本实用新型实施例涉及多栅极装置,尤其涉及在最顶部的半导体通道层上形成较厚栅极介电层的方法与结构。
标签:
栅极
半导体
装置
通道
结构
2023-03-01
半导体装置的制作方法
本发明涉及一种用于常开型晶体管的共源共栅电路(cascode circuit),且特别涉及一种具有金属栅极mosfet(金氧半场效晶体管)与常开型晶体管的半导体装置。
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常开
晶体管
栅极
半导体
半场
2023-02-28
半导体结构的制作方法
本实用新型涉及半导体结构,尤其涉及具有低栅极电阻的半导体结构。
标签:
半导体
栅极
结构
电阻
2023-02-25
半导体装置的制作方法
本实用新型实施例涉及多栅极装置,尤其涉及在最顶部的半导体通道层上形成较厚栅极介电层的方法与结构。
标签:
栅极
半导体
装置
通道
结构
2023-02-25
半导体装置的制作方法
本发明涉及一种用于常开型晶体管的共源共栅电路(cascode circuit),且特别涉及一种具有金属栅极mosfet(金氧半场效晶体管)与常开型晶体管的半导体装置。
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常开
晶体管
栅极
半导体
半场
2023-02-25
半导体装置的制作方法
本实用新型实施例涉及多栅极装置,尤其涉及在最顶部的半导体通道层上形成较厚栅极介电层的方法与结构。
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栅极
半导体
装置
通道
结构
2023-02-21
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