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利用蚀刻腔室的蚀刻装置的制作方法

2021-10-29 20:08:00 来源:中国专利 TAG:装置 利用 性能 提高 详细

技术特征:
1.一种利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其包括:一蚀刻液存储腔室,该蚀刻液存储腔室存储一蚀刻液;一连接部,该连接部与该蚀刻液存储腔室连通;一蚀刻腔室,该蚀刻腔室通过该连接部而与该蚀刻液存储腔室连通以蚀刻一目标物;及一加压维持部,该加压维持部使该蚀刻液存储腔室与该蚀刻腔室中的至少一个维持在加压气氛。2.根据权利要求1所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,该加压维持部具备调节该蚀刻液存储腔室的压力的一第一加压维持部及调节该蚀刻腔室的压力的一第二加压维持部中的至少一个。3.根据权利要求2所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,该第一加压维持部具备:一第一加压部,该第一加压部使该蚀刻液存储腔室维持在设定的压力;一温度控制部,该温度控制部控制该蚀刻液存储腔室内部的温度;及一第一排气部,该第一排气部使该蚀刻液存储腔室内部的气体排出到外部。4.根据权利要求2所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,该第二加压维持部具备:一第二加压部,该第二加压部使该蚀刻腔室维持在设定的压力;及一第二排气部,该第二排气部使该蚀刻腔室内部的气体排出到外部。5.根据权利要求4所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,该第二排气部使该蚀刻腔室内部的气体排出到外部而与该蚀刻液存储腔室的内部产生压力差异。6.根据权利要求1所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,该连接部具备:一蚀刻液移动部,该蚀刻液移动部供该蚀刻液从该蚀刻液存储腔室移动到该蚀刻腔室;一选择性切断部,该选择性切断部配置于该蚀刻液移动部,选择性地切断该蚀刻液移动部;及一蚀刻液供应部,该蚀刻液供应部促进该蚀刻液的移动。7.根据权利要求1所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,该蚀刻腔室具备在内部形成有一容纳部的一杯部,以及在该杯部的上部可旋转地配置的一托架。8.根据权利要求7所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,该蚀刻腔室具备:一第一腔室,该第一腔室在内部的一压力室配置有该杯部;及一第二腔室,该第二腔室能开闭地配置于该第一腔室的一侧,并形成有一蚀刻液投入口,以向内部供应该蚀刻液。9.根据权利要求7所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,该杯部具备安装于该压力室的底面的一支架。
10.根据权利要求7所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,在该托架的下部具备一旋转轴,该旋转轴形成垂直旋转中心,并从一旋转驱动部传递旋转驱动力。11.根据权利要求10所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,该旋转轴垂直地贯通于该第一腔室的一第一连结部,具备一第一密封构件,该第一密封构件插入于该第一连结部,并以贴紧状态包围该旋转轴的旋转方向。12.根据权利要求11所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,该第一密封构件具备一第一肋部,该第一肋部从内周面凸出,倾斜地贴紧该旋转轴的半径方向,沿上下方向排列至少一个。13.根据权利要求7所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,该托架具备用以上下贯通的一通道。14.根据权利要求13所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,包含一升降部,该升降部具备:一主体,该主体能够在该杯部的下部升降;及一支撑销,该支撑销从该主体向上部凸出,能够通过该通道而升降,并支撑该物件体的下部。15.根据权利要求14所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,该主体具备从升降驱动部传递升降驱动力的一升降销。16.根据权利要求15所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,该升降销垂直地贯通于该第一腔室的一第二连结部,具备一第二密封构件,该第二密封构件向该主体的下部凸出,插入于该第二连结部,并以贴紧状态包围该升降销的宽度方向。17.根据权利要求16所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,该第二密封构件进一步包括一第二肋部,该第二肋部从内周面凸出,倾斜地贴紧该升降销的宽度方向,沿上下方向排列至少一个。18.根据权利要求1所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,在该蚀刻腔室具备用于在蚀刻完成后清洗该蚀刻液的一清洗部。19.根据权利要求18所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,该清洗部具备一供应管线,该供应管线连接到该蚀刻腔室的内部;及一清洗水供应部,该清洗水供应部通过该供应管线供应清洗水。20.根据权利要求1所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,该加压气氛维持在0.1帕至10帕。21.根据权利要求1所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,该蚀刻液选择性地使用hf、nho3、h2o2、ipa、nh4oh、h2o、h3po4、h2so4中至少一种或一种以上的混合物。

技术总结
本发明涉及利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其包括:蚀刻液存储腔室,该蚀刻液存储腔室存储蚀刻液;连接部,该连接部与蚀刻液存储腔室连通;蚀刻腔室,该蚀刻腔室通过该连接部而与蚀刻液存储腔室连通以蚀刻目标物;及加压维持部,该加压维持部使蚀刻液存储腔室与蚀刻腔室中的至少一个维持在加压气氛。至少一个维持在加压气氛。至少一个维持在加压气氛。


技术研发人员:李昇勋 牟圣元 李羊浩 裵祯贤 朴成焕 赵显东
受保护的技术使用者:杰宜斯科技有限公司
技术研发日:2020.04.22
技术公布日:2021/10/28
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