微型发光二极管及显示面板的制作方法

技术特征：
1.一种微型发光二极管，其特征在于，包括：外延结构，包括；第一型半导体层；第二型半导体层；以及主动层，设置于所述第一型半导体层以及所述第二型半导体层之间；第一接垫，电性连接所述第一型半导体层；第一欧姆接触层，电性连接于所述第一型半导体层以及所述第一接垫之间；以及电流传导层，电性连接于所述第一欧姆接触层以及所述第一接垫之间，其中所述第一欧姆接触层在所述第一型半导体层所在的平面上的垂直投影至少部分远离所述第一接垫在所述第一型半导体层的所在的平面上的垂直投影。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一欧姆接触层的所述垂直投影与所述第一接垫的所述垂直投影相重叠的面积小于等于所述第一欧姆接触层的所述垂直投影的面积的50％。3.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述电流传导层在所述第一型半导体层所在的平面上的垂直投影与所述第一接垫的所述垂直投影相重叠的面积小于等于所述电流传导层的所述垂直投影的面积的50％。4.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，还包括第一绝缘层，其中所述电流传导层设置于所述第一欧姆接触层以及所述第一绝缘层之间，其中所述第一接垫通过所述第一绝缘层的第一通孔连接所述电流传导层。5.根据权利要求4所述的微型发光二极管，其特征在于，还包括第二绝缘层，设置于所述第一绝缘层以及所述第一接垫之间，其特征在于，所述电流传导层设置于第一绝缘层间。6.根据权利要求5所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第二绝缘层的光反射率大于等于所述第一绝缘层的光反射率。7.根据权利要求5所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第二绝缘层的杨式模量大于等于所述第一绝缘层的杨式模量。8.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述主动层在所述第一型半导体层所在的平面上的垂直投影与所述第一接垫的所述垂直投影相重叠的面积小于等于所述主动层的所述垂直投影的面积的50％。9.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述电流传导层接触所述第一型半导体层，且至少部分包覆所述第一欧姆接触层。10.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述电流传导层远离所述第一型半导体层。11.根据权利要求9或10所述的微型发光二极管，其特征在于，所述电流传导层在所述第一型半导体层所在的平面上的垂直投影的面积大于所述第一接垫的所述垂直投影的面积，且所述第一接垫的所述垂直投影的面积大于所述第一欧姆接触层的所述垂直投影的面积。12.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，还包括第二接垫，电性连接所述第二型半导体层，其中所述第一欧姆接触层的所述垂直投影在所述第二接垫在所述第一型半导体层所在的平面上的垂直投影以及所述第一接垫的所述垂直投影之间。
13.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，还包括第二接垫，电性连接所述第二型半导体层，其中所述第一接垫的所述垂直投影在所述第二接垫在所述第一型半导体层所在的平面上的垂直投影以及所述第一欧姆接触层的所述垂直投影之间。14.一种显示面板，其特征在于，包括呈阵列排列的多个像素单元，其中每一像素单元具有根据权利要求1所述的微型发光二极管。

技术总结
本发明提供一种微型发光二极管及一种显示面板，微型发光二极管包括外延结构、第一接垫、第一欧姆接触层以及电流传导层。外延结构包括第一型半导体层、第二型半导体层以及主动层。第一接垫电性连接第一型半导体层。第一欧姆接触层电性连接于第一型半导体层以及第一接垫之间。电流传导层电性连接于第一欧姆接触层以及第一接垫之间。第一欧姆接触层在第一型半导体层所在的平面上的垂直投影至少部分远离第一接垫在第一型半导体层所在的平面上的垂直投影。垂直投影。垂直投影。


技术研发人员：陈建智 蔡百扬 陈飞宏 曾彦钧
受保护的技术使用者：錼创显示科技股份有限公司
技术研发日：2021.04.23
技术公布日：2021/10/19