半导体器件及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件，包括：器件层，包括第一晶体管和第二晶体管；第一互连结构，位于所述器件层前侧上；以及第二互连结构，位于所述器件层的背侧上，所述第二互连结构包括：第一介电层，位于所述器件层的背侧上，其中半导体材料设置在所述第一介电层和所述第一晶体管的第一源极/漏极区之间；接触件，延伸穿过所述第一介电层至所述第二晶体管的第二源极/漏极区；以及第一导电线，通过所述接触件电连接到所述第二晶体管的所述第二源极/漏极区。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电线是电源线或电接地线。3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述第一介电层和所述器件层之间的介电衬垫，其中所述接触件延伸穿过所述介电衬垫。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述介电衬垫接触所述第一晶体管的栅极堆叠件。5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述接触件的侧壁上的绝缘间隔件。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述绝缘间隔件接触所述半导体材料。7.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括位于所述绝缘间隔件和所述半导体材料之间的空隙。8.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括位于所述绝缘间隔件和所述半导体材料之间的绝缘材料。9.一种半导体器件，包括：器件层，包括多个晶体管；前侧互连结构，位于所述器件层的前侧上；以及背侧互连结构，位于所述器件层的背侧上，所述背侧互连结构包括：半导体材料，位于所述器件层的背侧上；第一绝缘材料，位于所述器件层的背侧上，其中所述第一绝缘材料接触所述器件层中的栅极堆叠件，以及其中所述半导体材料将所述第一绝缘材料与所述器件层中的第一源极/漏极区的角区分离；接触件，延伸穿过所述第一绝缘材料至所述器件层中的第二源极/漏极区；以及导电线，通过所述接触件电连接到所述第二源极/漏极区。10.一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成器件层，所述器件层包括多个晶体管，其中所述形成所述器件层包括：蚀刻所述半导体衬底中的第一凹槽和第二凹槽；在所述第一凹槽中外延生长第一半导体材料；在所述第一凹槽中的所述第一半导体材料上方外延生长第二半导体材料；以及在所述第二凹槽中外延生长第三半导体材料；在所述器件层的背侧上方形成第一互连结构，其中形成所述第一互连结构包括：去除半导体衬底的部分以暴露所述第一半导体材料；在所述半导体衬底的剩余部分上方并且围绕所述第一半导体材料沉积第一介电层；
去除所述第一半导体材料以限定第三凹槽，其中所述半导体衬底的所述剩余部分至少掩蔽所述第三半导体材料的角区，同时去除所述第一半导体材料，以及其中所述第三凹槽暴露所述第二半导体材料；以及在所述第二凹槽中形成接触件，并且所述接触件电连接到所述第二半导体材料。

技术总结
器件包括：包含第一晶体管和第二晶体管的器件层；在器件层的前侧上的第一互连结构；以及在器件层的背侧上的第二互连结构。该第二互连结构包括：在器件层的背侧上的第一介电层，其中半导体材料设置在第一介电层和第一晶体管的第一源极/漏极区之间；延伸穿过第一介电层至第二晶体管的第二源极/漏极区的接触件；以及通过接触件电连接到第二晶体管的第二源极/漏极区的第一导电线。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。及半导体器件及其形成方法。及半导体器件及其形成方法。


技术研发人员：游力蓁 苏焕杰 黄麟淯 庄正吉 王志豪
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.01.05
技术公布日：2021/10/19