半导体结构的制造方法、半导体结构与存储器与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底和反应腔室，所述衬底置于反应腔室中；在所述衬底上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上形成多晶硅层；其中，在形成所述氮化硅层之后且在形成所述多晶硅层之前，使用解离后的氮气处理所述反应腔室的内表面以及所述氮化硅层的表面，以减少所述氮化硅层表面的氮氢键结。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述使用解离后的氮气处理所述反应腔室的内表面以及所述氮化硅层的表面还包括：使用惰性气体对所述氮气进行轰击以使所述氮气解离。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述惰性气体包括：氩气与氦气中的至少一种。4.根据权利要求2或3所述的制造方法，其特征在于，所述惰性气体与所述氮气的流量比为0.2
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1。5.根据权利要求2或3所述的制造方法，其特征在于，所述惰性气体的流量为5000sccm
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15000sccm，所述氮气的流量为15000sccm
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25000sccm。6.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，通过等离子体发生装置使所述惰性气体对所述氮气进行轰击，射频功率为400w
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1000w。7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述形成氮化硅层包括：根据硅烷、氨气与氮气通过化学气相沉积工艺形成氮化硅层；其中，所述硅烷与所述氨气的流量比为1.3
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10。8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述硅烷的流量为200sccm
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500sccm，所述氨气的流量为50sccm
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250sccm。9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述氮气的流量为15000sccm
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25000sccm。10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述形成氮化硅层包括：向所述反应腔室中通入硅烷、氨气与氮气；经过第一预设时间后，将等离子体发生装置的射频功率调整至第一预设射频功率；经过第二预设时间后，暂停通入所述硅烷与所述氨气，形成氮化硅层；继续向所述反应腔室中通入所述氮气并同时通入惰性气体，将所述等离子体发生装置的射频功率调整至第二预设射频功率，通过等离子体发生装置使所述惰性气体对所述氮气进行轰击，解离所述氮气；使用解离后的所述氮气处理所述反应腔室的内表面以及所述氮化硅层的表面。11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述形成氮化硅层还包括：经过第三预设时间后，停止通入所述氮气和所述惰性气体，且将所述等离子体发生装置的射频功率调整为零。12.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述第一预设射频功率与所述第二预设射频功率相同。13.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述硅烷与所述氨气的流量比为1.3
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10。
14.一种半导体结构，其特征在于，由权利要求1
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13任一项所述的制造方法形成。15.一种存储器，其特征在于，包括权利要求14所述的半导体结构。

技术总结
本公开提供一种半导体结构的制造方法、半导体结构与存储器。该半导体结构的制造方法包括：提供衬底和反应腔室，所述衬底置于反应腔室中；在所述衬底上形成氮化硅层；在所述氮化硅层上形成多晶硅层；其中，在形成所述氮化硅层之后且在形成所述多晶硅层之前，使用解离后的氮气处理所述反应腔室的内表面以及所述氮化硅层的表面，以减少所述氮化硅层表面的氮氢键结。本公开提供的氮化硅层的制造方法，通过氮气解离后形成的氮离子对氮化硅层的表面进行处理，减少了氮氢键结，从而能够提升与多晶硅层的粘附性，避免了黏附在喷头和反应腔体内壁上的薄膜脱落在晶圆上形成的缺陷。壁上的薄膜脱落在晶圆上形成的缺陷。壁上的薄膜脱落在晶圆上形成的缺陷。


技术研发人员：张春雷
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2021.07.09
技术公布日：2021/10/18