封装结构的制作方法

技术特征：
1.一种封装结构，包括：第一管芯；管芯堆叠结构，接合到所述第一管芯；支撑结构，设置在所述管芯堆叠结构上，其中所述支撑结构的宽度大于所述管芯堆叠结构的宽度并且小于所述第一管芯的宽度；以及绝缘结构，至少在侧向上包裹在所述管芯堆叠结构及所述支撑结构周围。2.根据权利要求1所述的封装结构，其中在所述支撑结构与所述管芯堆叠结构之间具有熔融接合界面。3.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述绝缘结构的顶表面与所述支撑结构的顶表面共面。4.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述管芯堆叠结构的最顶部管芯包括圆化拐角，并且在垂直方向上在所述支撑结构的底表面与所述最顶部管芯的所述圆化拐角之间存在间隙。5.一种封装结构，包括：第一管芯；至少一个第二管芯，接合到所述第一管芯，其中所述第一管芯在侧向上延伸超出所述至少一个第二管芯的侧壁；以及虚设管芯结构，接合到所述至少一个第二管芯，其中所述第一管芯的侧壁、所述至少一个第二管芯的所述侧壁及所述虚设管芯结构的侧壁在侧向上彼此偏移。6.根据权利要求5所述的封装结构，还包括至少在侧向上包封所述虚设管芯结构的包封件。7.根据权利要求5所述的封装结构，还包括多个介电层，所述多个介电层在侧向上包裹在所述至少一个第二管芯及所述虚设管芯结构周围。8.根据权利要求5所述的封装结构，其中所述虚设管芯结构的衬底的杨氏模量小于或等于所述至少一个第二管芯的衬底的杨氏模量，并且所述虚设管芯结构的所述衬底的热导率大于或等于所述至少一个第二管芯的所述衬底的热导率。9.一种形成封装结构的方法，包括：提供第一管芯；将管芯堆叠结构接合到所述第一管芯，其中所述管芯堆叠结构包括至少一个第二管芯；通过熔融接合工艺将支撑结构接合到所述管芯堆叠结构，其中所述支撑结构的宽度大于所述管芯堆叠结构的宽度并且小于所述第一管芯的宽度；以及形成绝缘结构以在侧向上包裹在所述支撑结构及所述管芯堆叠结构周围，其中所述绝缘结构的至少一部分是在将所述支撑结构接合到所述管芯堆叠结构之后形成。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述绝缘结构包括多个介电层，并且形成所述管芯堆叠结构、所述支撑结构及所述绝缘结构包括：将第二管芯接合到所述第一管芯；在所述第一管芯上并在侧向上在所述第二管芯的侧边形成第一介电层；
将另一第二管芯接合到所述第二管芯；在所述第一介电层上并在侧向上在所述另一第二管芯的侧边形成第二介电层；通过熔融接合工艺将所述支撑结构接合到所述另一第二管芯及所述第二介电层；以及在所述第二介电层上并在侧向上在所述支撑结构的侧边形成第三介电层。

技术总结
一种封装结构包括第一管芯、管芯堆叠结构、支撑结构以及绝缘结构。所述管芯堆叠结构接合到所述第一管芯。所述支撑结构设置在所述管芯堆叠结构上。所述支撑结构的宽度大于所述管芯堆叠结构的宽度并且小于所述第一管芯的宽度。所述绝缘结构至少在侧向上包裹在所述管芯堆叠结构及所述支撑结构周围。芯堆叠结构及所述支撑结构周围。芯堆叠结构及所述支撑结构周围。


技术研发人员：陈明发 叶松峯 刘醇鸿 史朝文
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.05.27
技术公布日：2021/10/18