制造光电子半导体器件的方法及光电子半导体器件与流程

技术特征：
1.一种用于制造光电子半导体器件（1）的方法，具有以下步骤：a）提供具有至少一个接触侧（20）的至少一个光电子半导体芯片（2），b）在所述接触侧（20）上或在至少一个所述接触侧（20）上产生至少一个涂层区域（21）和至少一个保护区域（22），c）将至少一种液体涂层材料（30）施加到所述至少一个接触侧（20）上，其中至少一种涂层材料（30）润湿所述至少一个涂层区域（21）并且不润湿所述至少一个保护区域（22），以及d）在所述至少一个涂层区域（21）上将所述至少一种涂层材料（30）固化为至少一个电接触结构（31），使得在按规定使用时穿过所述至少一个接触结构（31）地向所述半导体芯片（2）通电。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个涂层区域（21）和所述至少一个保护区域（22）分别是成品半导体器件（1）的组成部分，并且所述涂层材料（30）既施加在所述至少一个涂层区域（21）上又施加在所述至少一个保护区域（22）上并且由于润湿特性而从所述至少一个保护区域（22）撤出，其中所述至少一个半导体芯片（2）由发光二极管芯片或激光二极管芯片形成，并且其中在所述至少一个接触侧（20）的俯视图中观察，所述至少一个半导体芯片（2）具有至多0.1mm的平均边长。3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述至少一个涂层区域（21）由光滑的半导体表面地域或由所述半导体芯片（2）的金属化部（39）形成，并且所述至少一个保护区域（22）由粗糙的半导体表面地域或由所述半导体芯片（2）的粗糙的保护涂层（42）形成，其中所述粗糙的保护区域（22）的粗糙度在5nm和100nm之间，包括端值。4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述至少一个涂层区域（21）由半导体表面地域或由所述半导体芯片（2）的金属化部（39）形成，并且所述至少一个保护区域（22）由至少一个保护涂层 （42） 形成，其中所述保护涂层（42）是光滑的并且包括全氟化塑料或氧化物，或由全氟化塑料或由氧化物组成。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述至少一个涂层区域（21）和所述至少一个保护区域（22）仍然在晶片复合体中产生，其中在所述晶片复合体中，大量半导体芯片（2）彼此相距一定距离地存在，正如最初生长的那样。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中在步骤c）中，将所述至少一种涂层材料（30）同时无掩模地施加在至少105个半导体芯片（2）上。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中在步骤c）中借助于喷涂、印刷、旋涂或滴涂施加所述涂层材料（30）或至少一种所述涂层材料（30）。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中在步骤c）中，借助于浸没施加所述涂层材料（30）或至少一种所述涂层材料（30）。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中完成的接触结构（31）或至少一个完成的接触结构（31）是金属的并且不透光。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述涂层材料（30）或至少一种所述涂层材料（30）是焊料。11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中在所述接触侧（20）上除了所述接触结构（31）之外还制造其他接触结构（32），其中所述接触侧（20）在所述接触结构（31）的区域中和所述其他接触结构（32）的区域中具有不同的高度，使得这些区域之间存在至少一个台阶（23）。12.根据权利要求11所述的方法，其中在另一步骤c）和另一步骤d）中由液相产生所述其他接触结构（32）。13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述接触结构（31）或至少一个所述接触结构（31）是用于直接在所述半导体芯片（2）的半导体层序列（26）上对完成的半导体器件（1）进行外部电接触的电接触面。14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中完成的半导体器件（1）还包括载体（5），并且在步骤a）中将所述至少一个半导体芯片（2）安装在所述载体（5）上，其中所述接触结构（31）或至少一个所述接触结构（31）是从所涉及半导体芯片（2）一直达到所述载体（5）的电接触部位（51）的电印制线路，并且所述接触部位（51）在所述接触侧（20）的俯视图中观察时位于所涉及半导体芯片（2）的旁边。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述接触结构（31）或至少一个所述接触结构（31）形成导电网络，使得所述接触结构（31）将多个所述半导体芯片（2）与公共接触部位（51）电连接，其中所述涂层材料（30）在步骤c）中平面地施加。16.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述接触结构（31）或至少一个所述接触结构（31）形成接触框架（29），使得在所述接触侧（20）的中心形成由所述接触结构（31）环绕的光出射窗（25）。17.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述接触结构（31）或至少一个所述接触结构（31）包括至少一种光学有效添加物（33），其中所述添加物（33）是发光物质、扩散体、染料、过滤物质、导热物质、折射率适配体和/或热膨胀系数适配体。18.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述接触结构（31）或至少一个所述接触结构（31）是透光的并且成形为透镜。19.一种使用根据前述权利要求中任一项所述的方法制造的光电子半导体器件（1），具有：
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带有接触侧（20）的光电子半导体芯片（2），
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在所述接触侧（20）上的涂层区域（21）和保护区域（22），以及
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在所述涂层区域（21）上的电接触结构（31），使得所述保护区域（22）没有所述接触结构（31），其中所述接触结构（31）在所述涂层区域（21）的边缘处朝向所述保护区域（22）以弯月
形逐渐减小。

技术总结
在一种实施方式中，该方法用于制造光电子半导体器件并且包括以下步骤：A）提供具有接触侧（20）的光电子半导体芯片（2），B）在所述接触侧（20）上产生涂层区域（21）和保护区域（22），C）将液体涂层材料（30）施加到接触侧（20）上，其中涂层材料（30）润湿所述涂层区域（21）并且不润湿所述保护区域（22），以及D）在所述涂层区域（21）上将所述涂层材料（30）固化为至少一个电接触结构（31），使得在按规定使用时穿过所述至少一个接触结构（31）地向所述半导体芯片（2）通电。电。电。


技术研发人员：M
受保护的技术使用者：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
技术研发日：2020.03.05
技术公布日：2021/10/23