一种易加工的大功率碳化硅二极管的制作方法

1.本实用新型涉及二极管技术领域，具体涉及一种易加工的大功率碳化硅二极管。


背景技术：

2.碳化硅材料具有宽带隙、高击穿场强、高热导率、高饱和电子迁移速率以及极好的物理化学稳定性等特性，适于在高温、高频、大功率和极端环境下工作，因此部分二极管应用碳化硅材料取代传统的硅材料制作成了碳化硅二极管。传统的碳化硅二极管，通常需要将碳化硅芯片和两引脚焊接后，再经过封装成型制得。焊接工序繁琐，加工难度大，并且焊接后容易出现引脚位置偏移等现象，影响了后续封装进程。


技术实现要素：

3.针对以上问题，本实用新型提供一种易加工的大功率碳化硅二极管，适用于高温、高频、大功率的电路场景中，无需焊接，容易加工，提升了加工效率。
4.为实现上述目的，本实用新型通过以下技术方案来解决：
5.一种易加工的大功率碳化硅二极管，包括碳化硅二极管，所述碳化硅二极管包括外壳、基座、碳化硅芯片、阴极导电脚、阳极导电脚，所述基座上设有芯片槽，所述碳化硅芯片固定在所述芯片槽上，所述芯片槽两侧分别设有第一卡槽、第二卡槽，所述阴极导电脚包括第一接触部、第一弯折部、第一限位部、第二弯折部、第一焊接部，所述第一接触部与所述碳化硅芯片一端相抵触，所述第一限位部插入所述第一卡槽内侧，所述阳极导电脚包括第二接触部、第三弯折部、第二限位部、第四弯折部、第二焊接部，所述第二接触部与所述碳化硅芯片另一端相抵触，所述第二限位部插入所述第二卡槽内侧。
6.具体的，所述基座底部设有凹槽，所述凹槽内固定有散热垫片。
7.具体的，所述散热垫片与所述基座之间通过定位销固定连接。
8.具体的，所述第一接触部与所述第二接触部之间还连接有黏胶层，所述黏胶层位于所述碳化硅芯片上端。
9.具体的，所述外壳外侧面还覆盖有一层防水涂层。
10.本实用新型的有益效果是：
11.本实用新型的碳化硅二极管，适用于高温、高频、大功率的电路场景中，并且增加了一个基座，将碳化硅芯片固定在基座上，再安装阴极导电脚、阳极导电脚，阴极导电脚、阳极导电脚与碳化硅芯片之间通过接触的方式实现导电连接，无需焊接，提高了加工效率，并且在基座上设置与第一卡槽、第二卡槽，使得阴极导电脚、阳极导电脚更容易安装与固定，安装后不容易偏位，保证了产品的良率。
附图说明
12.图1为本实用新型的一种易加工的大功率碳化硅二极管的俯视图。
13.图2为基座、碳化硅芯片、阴极导电脚、阳极导电脚、散热垫片的结构示意图。
14.图3为基座、碳化硅芯片、阴极导电脚、阳极导电脚、散热垫片组合后的结构示意图。
15.附图标记为：外壳1、基座2、芯片槽21、第一卡槽22、第二卡槽23、凹槽24、碳化硅芯片3、阴极导电脚4、第一接触部41、第一弯折部42、第一限位部43、第二弯折部44、第一焊接部45、阳极导电脚5、第二接触部51、第三弯折部52、第二限位部53、第四弯折部54、第二焊接部55、散热垫片6、黏胶层7。
具体实施方式
16.下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。
17.如图1
‑
3所示：
18.一种易加工的大功率碳化硅二极管，包括碳化硅二极管，碳化硅二极管包括外壳1、基座2、碳化硅芯片3、阴极导电脚4、阳极导电脚5，基座2上设有芯片槽21，碳化硅芯片3通过胶水固定在芯片槽21上，芯片槽21两侧分别设有第一卡槽22、第二卡槽23，阴极导电脚4包括第一接触部41、第一弯折部42、第一限位部43、第二弯折部44、第一焊接部45，第一接触部41与碳化硅芯片3一端相抵触，第一限位部43插入第一卡槽22内侧，阳极导电脚5包括第二接触部51、第三弯折部52、第二限位部53、第四弯折部54、第二焊接部55，第二接触部51与碳化硅芯片3另一端相抵触，第二限位部53插入第二卡槽23内侧。
19.优选的，基座2底部设有凹槽24，凹槽24内固定有散热垫片6，散热垫片6下端延伸至外壳1外侧，散热垫片6具有良好的导热能力，能够将碳化硅芯片3工作时产生的热量迅速导出至空气中。
20.优选的，散热垫片6与基座2之间通过定位销固定连接。
21.优选的，第一接触部41与第二接触部51之间还连接有黏胶层7，黏胶层7位于碳化硅芯片3上端，外壳1封装前，通过黏胶层7将阴极导电脚4、阳极导电脚5固定，固定后碳化硅芯片3夹持在第一接触部41与第二接触部51之间，保证了碳化硅芯片3与第一接触部41、第二接触部51之间的接触稳定性。
22.优选的，外壳1外侧面还覆盖有一层防水涂层，防水涂层是由特氟龙涂料经过涂覆后形成，覆盖在外壳1外侧面，具有优异的防水性能。
23.以上实施例仅表达了本实用新型的1种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。


技术特征：
1.一种易加工的大功率碳化硅二极管，其特征在于，包括碳化硅二极管，所述碳化硅二极管包括外壳(1)、基座(2)、碳化硅芯片(3)、阴极导电脚(4)、阳极导电脚(5)，所述基座(2)上设有芯片槽(21)，所述碳化硅芯片(3)固定在所述芯片槽(21)上，所述芯片槽(21)两侧分别设有第一卡槽(22)、第二卡槽(23)，所述阴极导电脚(4)包括第一接触部(41)、第一弯折部(42)、第一限位部(43)、第二弯折部(44)、第一焊接部(45)，所述第一接触部(41)与所述碳化硅芯片(3)一端相抵触，所述第一限位部(43)插入所述第一卡槽(22)内侧，所述阳极导电脚(5)包括第二接触部(51)、第三弯折部(52)、第二限位部(53)、第四弯折部(54)、第二焊接部(55)，所述第二接触部(51)与所述碳化硅芯片(3)另一端相抵触，所述第二限位部(53)插入所述第二卡槽(23)内侧。2.根据权利要求1所述的一种易加工的大功率碳化硅二极管，其特征在于，所述基座(2)底部设有凹槽(24)，所述凹槽(24)内固定有散热垫片(6)。3.根据权利要求2所述的一种易加工的大功率碳化硅二极管，其特征在于，所述散热垫片(6)与所述基座(2)之间通过定位销固定连接。4.根据权利要求1所述的一种易加工的大功率碳化硅二极管，其特征在于，所述第一接触部(41)与所述第二接触部(51)之间还连接有黏胶层(7)，所述黏胶层(7)位于所述碳化硅芯片(3)上端。5.根据权利要求1所述的一种易加工的大功率碳化硅二极管，其特征在于，所述外壳(1)外侧面还覆盖有一层防水涂层。

技术总结
本实用新型提供了一种易加工的大功率碳化硅二极管，所述碳化硅二极管包括外壳、基座、碳化硅芯片、阴极导电脚、阳极导电脚，所述阴极导电脚包括第一接触部、第一弯折部、第一限位部、第二弯折部、第一焊接部，所述第一接触部与所述碳化硅芯片一端相抵触，所述第一限位部插入所述第一卡槽内侧，所述阳极导电脚包括第二接触部、第三弯折部、第二限位部、第四弯折部、第二焊接部，所述第二接触部与所述碳化硅芯片另一端相抵触，所述第二限位部插入所述第二卡槽内侧。本实用新型的大功率碳化硅二极管，适用于高温、高频、大功率的电路场景中，无需焊接，容易加工，提升了加工效率。提升了加工效率。提升了加工效率。


技术研发人员：曾贵德
受保护的技术使用者：东莞市佳骏电子科技有限公司
技术研发日：2021.03.23
技术公布日：2021/10/23