驱动电路、显示基板、显示装置及制作方法与流程

技术特征：
1.一种驱动电路，其特征在于，包括：开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和电容；所述开关薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极和漏极，所述开关薄膜晶体管的栅极用于与栅线连接，所述源极分别与所述驱动薄膜晶体管的栅极和所述电容连接，所述漏极用于与数据线连接；所述半导体层包括：沟道区域以及位于所述沟道区域两端的第一导体化区域和第二导体化区域，所述沟道区域与所述开关薄膜晶体管的栅极存在交叠，所述第一导体化区域与所述源极存在交叠并连接，所述第二导体化区域与所述漏极存在交叠并连接，所述源极与所述沟道区域之间的所述第一导体化区域呈直线型或者大致呈直线型。2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述源极与所述沟道区域之间的所述第一导体化区域与所述数据线平行或大致平行。3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，整个所述第一导体化区域呈直线型或者大致呈直线型。4.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述源极与所述沟道区域之间的所述第一导体化区域的长度，小于所述漏极与所述沟道区域之间的第二导体化区域的长度。5.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述漏极与所述沟道区域之间的所述第二导体化区域呈l型，包括第一部分和第二部分，所述第一部分一端与所述沟道区域连接，另一端与所述第二部分连接，所述第二部分与所述开关薄膜晶体管的漏极存在交叠并连接。6.根据权利要求5所述的驱动电路，其特征在于，所述第一部分与所述数据线平行或大致平行，所述第二部分与所述栅线平行或大致平行。7.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的栅极包括第三部分和第四部分，所述第三部分与所述栅线平行或大致平行，所述第三部分与所述开关薄膜晶体管的沟道区域存在交叠，所述第四部分的一端与所述第三部分连接，另一端与所述栅线连接。8.根据权利要求7所述的驱动电路，其特征在于，所述第三部分和第四部分相互垂直，形成l型。9.一种显示基板，其特征在于，包括如权利要求1
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8任一项所述的驱动电路。10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示基板。11.一种驱动电路的制作方法，其特征在于，包括：形成开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和电容；所述开关薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极和漏极，所述开关薄膜晶体管的栅极用于与栅线连接，所述源极分别与所述驱动薄膜晶体管的栅极和所述电容连接，所述漏极用于与数据线连接；所述半导体层包括：沟道区域以及位于所述沟道区域两端的第一导体化区域和第二导体化区域，所述沟道区域与所述开关薄膜晶体管的栅极存在交叠，所述第一导体化区域与所述源极存在交叠并连接，所述第二导体化区域与所述漏极存在交叠并连接，所述源极与所述沟道区域之间的所述第一导体化区域呈直线型或者大致呈直线型。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述源极与所述沟道区域之间的所述第
一导体化区域与所述数据线平行或大致平行。13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，整个所述第一导体化区域呈直线型或者大致呈直线型。14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述源极与所述沟道区域之间的所述第一导体化区域的长度，小于所述漏极与所述沟道区域之间的第二导体化区域的长度。

技术总结
本发明提供一种驱动电路、显示基板、显示装置及制作方法，该驱动电路包括：开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和电容；开关薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极和漏极，栅极用于与栅线连接，源极分别与驱动薄膜晶体管的栅极和电容连接，漏极用于与数据线连接；半导体层包括：沟道区域以及位于沟道区域两端的第一导体化区域和第二导体化区域，沟道区域与开关薄膜晶体管的栅极存在交叠，第一导体化区域与源极存在交叠并连接，第二导体化区域与漏极存在交叠并连接，源极与沟道区域之间的第一导体化区域呈直线型或者大致呈直线型，使载流子在从漏极经沟道区域流到源极的过程中沿直线进行传输，减少载流子发生碰撞的可能性，提高开关薄膜晶体管的性能。体管的性能。体管的性能。


技术研发人员：王庆贺 崔容豪 苏同上 刘宁
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2021.07.20
技术公布日：2021/10/23