一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法与流程

技术特征：
1.一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，其特征在于：包括以下步骤：s1、在基片上覆盖种子层；s2、对种子层光刻后进行金层图形层电沉积；s3、对金层图形层光刻后覆盖进行pt图形层；s4、对pt图形层光刻后进行金锡合金层电沉积，并进行干法蚀刻、切割。2.根据权利要求1所述的一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，其特征在于：所述s3步骤中，pt图形层的厚度为5000
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50000埃。3.根据权利要求1所述的一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，其特征在于：所述s3步骤中，pt图形层通过电子束蒸镀、磁控溅射、电沉积三种方式中的一种制作。4.根据权利要求1所述的一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，其特征在于：所述s3步骤中，电沉积pt图形层中电镀工艺温度为70
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85℃，电流密度为1
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3a/dm2。5.根据权利要求4所述的一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，其特征在于：所述s4步骤中，金锡合金层的外沿尺寸小于pt图形层10
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50um。6.根据权利要求5所述的一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，其特征在于：所述s4步骤中电沉积金锡合金层所用电镀液包括以下原料组分：金盐3～5g/l、金络合剂10～50g/l、锡盐4～15g/l、光亮剂0.1～1g/l、稳定剂3～15g/l、去离子水。7.根据权利要求1所述的一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，其特征在于：所述s4步骤中，电沉积金锡合金层中控制电镀工艺温度为40
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55℃，电流密度为0.2
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0.8a/dm2。8.根据权利要求6所述的一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，其特征在于：所述锡盐为锡酸钠。9.根据权利要求1所述的一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，其特征在于：所述种子层包括由基片向外依次设置的ti金属层、pt金属层和au金属层。

技术总结
本发明公开了一种用于生产制造金锡合金薄膜集成电路的工艺方法，包括以下步骤：S1、在基片上覆盖种子层；S2、对种子层光刻后进行金层图形层电沉积；S3、对金层图形层光刻后覆盖进行Pt图形层；S4、对Pt图形层光刻后进行金锡合金层电沉积，并进行干法蚀刻、切割。在金层图形层外先覆盖Pt图形层，进而使特制的金锡电镀液通过电沉积的方式覆盖在Pt图形层上形成稳定的金锡合金层，提高生产工艺的精准度，大大减小贵金属浪费，将金锡合金集成在薄膜电路上，可以大大缩小光模块的体积，提高集成度。提高集成度。提高集成度。


技术研发人员：杜晶 徐亚平
受保护的技术使用者：四川科尔威光电科技有限公司
技术研发日：2021.07.19
技术公布日：2021/10/23