电子装置及其制备方法与流程

1.本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种电子装置及其制备方法。


背景技术：

2.随着科技的进步，各种显示设备不断地推陈出新，例如手机、平板电脑、超轻薄电脑及卫星导航等。在显示装置的制作过程中，需要将待形成显示器件的衬底基板贴合在产线的载台(如加工载台、传输载台等)上，衬底基板作为形成显示器件的承载体，目前的衬底基板大多采用方形基板，例如玻璃基板或者金属基板，在形成显示器件后再将衬底基板移除，目前将衬底基板移除的方法包括剥离法、湿法蚀刻，剥离法使施加机械力使衬底基板与显示器件分离，这样会造成显示器件朝向衬底基板的部分膜层破裂或损伤，而湿法蚀刻会使得显示器件中对水敏感的元件受损。


技术实现要素：

3.本技术内容旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，在本技术的第一个方面，提供一种电子装置的制备方法，所述电子装置的制备方法包括：
4.提供预制电子装置，所述提供预制电子装置包括：
5.提供硅基板；
6.在所述硅基板一侧形成第一绝缘层；
7.在所述第一绝缘层远离所述硅基板的一侧形成电子元件层，所述电子元件层包括发光功能层或者连接件层；
8.将至少部分所述硅基板移除。
9.优选的，所述电子元件层包括发光功能层时，所述发光功能层包括有源器件层及发光元件，所述“在所述第一绝缘层远离所述硅基板的一侧形成电子元件层”包括：
10.在所述第一绝缘层远离所述硅基板的一侧形成所述有源器件层；
11.在所述有源器件层远离所述第一绝缘层的一侧形成所述发光元件。
12.优选的，所述“将至少部分所述硅基板移除”包括：
13.将所述硅基板远离所述电子元件层的表面进行减薄处理；
14.将变薄后的硅基板通过第一干蚀刻法全部移除。
15.优选的，所述“将所述硅基板远离所述电子元件层的表面进行减薄处理”包括：
16.将所述硅基板远离所述电子元件层的表面通过第二干蚀刻法进行减薄处理；或者，将所述硅基板远离所述电子元件层的表面通过研磨进行减薄处理。
17.优选的，在所述“提供硅基板”和所述“在所述硅基板一侧形成第一绝缘层”之间，所述提供预制电子装置还包括：
18.在所述硅基板的一侧形成柔性层；
19.所述“在所述硅基板一侧形成第一绝缘层”包括：在所述柔性层远离所述硅基板的一侧形成第一绝缘层；
20.在所述“在所述第一绝缘层远离所述硅基板的一侧形成电子元件层”之后，所述提供预制电子装置还包括：
21.在所述电子元件层远离所述柔性层的一侧形成弹性层；
22.在所述“提供预制电子装置”和所述“将至少部分所述硅基板移除”之间，所述电子装置的制备方法还包括：
23.在所述弹性层远离所述电子元件层的一侧形成保护层；
24.在所述“将至少部分所述硅基板移除”之后，所述电子装置的制备方法还包括：
25.将所述保护层移除。
26.优选的，所述“将至少部分所述硅基板移除”包括：
27.将所述硅基板远离所述电子元件层的表面进行减薄处理；
28.在变薄后的所述硅基板上形成贯穿所述硅基板相对两表面的第一通孔，所述第一通孔延伸至有源器件层，以露出所述有源器件层朝向所述硅基板的部分表面；
29.所述电子装置的制备方法还包括：
30.在所述第一通孔中形成第一连接件，所述第一连接件与所述有源器件层连接；
31.在所述第一连接件远离所述有源器件层的表面形成第二绝缘层；
32.在所述第二绝缘层上形成第二通孔，在所述第二通孔中形成第二连接件，所述第二连接件覆盖部分所述第二绝缘层远离所述第一连接件的表面。
33.优选的，所述第一通孔延伸至发光元件，以露出所述发光元件朝向所述硅基板的部分表面；所述第一连接件与所述有源器件层及所述发光元件连接。
34.优选的，在所述“提供硅基板”和所述“在所述硅基板一侧形成第一绝缘层”之间，所述提供预制电子装置还包括：
35.在所述硅基板的表面上间隔形成多个子柔性层，相邻两个子柔性层之间形成第一间隔区；
36.所述“在所述硅基板一侧形成第一绝缘层”包括：
37.在所述硅基板位于第一间隔区的表面上和所述子柔性层远离所述硅基板的表面上形成所述第一绝缘层，位于所述第一间隔区中的部分所述第一绝缘层远离所述硅基板的表面朝向所述硅基板凹陷形成凹部；
38.所述“在所述第一绝缘层远离所述硅基板的一侧形成所述有源器件层”包括：
39.在所述第一绝缘层远离所述硅基板的一侧形成所述有源器件层，且部分所述有源器件层形成在所述凹部中；
40.所述第一通孔形成在第一间隔区中。
41.优选的，在所述“在所述有源器件层远离所述第一绝缘层的一侧形成所述发光元件”之后，所述提供预制电子装置还包括：
42.在所述发光元件远离所述硅基板的表面上形成弹性层；
43.在所述“提供预制电子装置”和所述“将至少部分所述硅基板移除”之间，所述电子装置的制备方法还包括：
44.将载体贴附在所述弹性层远离所述电子元件层的表面上；
45.在所述“在所述第二绝缘层上形成第二通孔，在所述第二通孔中形成第二连接件，所述第二连接件覆盖部分所述第二绝缘层远离所述第一连接件的表面”之后，所述电子装
置的制备方法还包括：
46.将所述载体移除。
47.优选的，所述硅基板包括层叠设置的第一子硅基板和第二子硅基板，所述第二子硅基板为soi基板，所述soi基板包括氧化埋层和硅层，所述氧化埋层设置在所述第一子硅基板的一侧，所述硅层设置在所述氧化埋层远离所述第一子硅基板的表面上；
48.所述“在所述硅基板一侧形成第一绝缘层”包括：在所述第二子硅基板远离所述第一子硅基板的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层包括多个间隔设置的第一子绝缘层，所述第一子绝缘层之间具有第二间隔区；
49.所述“在所述第一绝缘层远离所述硅基板的一侧形成电子元件层”包括：在所述第一子绝缘层远离所述第二子硅基板的表面上对应形成电子元件层，所述“将至少部分所述硅基板移除”包括：
50.将第二子硅基板对应于所述第二间隔区的部分移除，以露出第一子硅基板朝向所述电子元件层的部分表面；
51.在所述“将第二子硅基板对应于所述第二间隔区的部分移除，以露出第一子硅基板朝向所述电子元件层的部分表面”之后，所述电子装置的制备方法还包括：
52.在所述电子元件层和所述第二间隔区的第一子硅基板的表面上形成连接层，所述连接层连接电子元件层中的多个电子元件；
53.在所述连接层远离所述电子元件层一侧形成弹性层；
54.在所述弹性层远离所述连接层的表面上贴附载体；
55.将所述第一子硅基板和所述载体移除。
56.优选的，所述电子元件层包括连接件层时，所述连接件层中设有多个第三连接件，所述第一绝缘层形成在所述硅层远离所述第一子硅基板的一侧，所述第一绝缘层中开设有贯穿第一绝缘层相对两表面的第三通孔，所述第三连接件形成在所述第三通孔中，且部分所述第三连接件覆盖第三通孔周围的部分第一绝缘层。
57.本发明第二个方面，提供一种电子装置，所述电子装置包括：
58.电子元件层，所述电子元件层中包括多个电子元件；
59.第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述电子元件层的一侧；
60.柔性层，所述柔性层设置在所述第一绝缘层远离所述电子元件层的一侧；
61.硅基板，所述硅基板设置在所述柔性层远离所述电子元件层的一侧，所述硅基板上开设有贯穿所述柔性层和所述硅基板的第一通孔，以露出部分所述电子元件层，所述第一通孔中设有第一连接件，所述第一连接件与所述电子元件层连接。
62.优选的，所述电子装置还包括：
63.第二绝缘层，所述第二绝缘层至少设置在所述第一连接件远离所述柔性层的表面上，所述第二绝缘层上开设有贯穿所述第二绝缘层相对两表面的第二通孔；
64.第三连接件，所述第三连接件设置在所述第二通孔中，且覆盖所述第二绝缘层远离所述第一连接件的部分表面。
65.优选的，所述电子元件层为发光功能层，所述发光功能层包括：
66.有源器件层，所述有源器件层设置在所述第一绝缘层远离所述柔性层的一侧；
67.发光元件，所述发光元件设置在所述有源器件层远离所述第一绝缘层的一侧。
68.优选的，所述柔性层包括多个子柔性层，所述多个部分子柔性层间隔设置在所述第一绝缘层远离所述电子元件层的一侧，相邻两个子柔性层之间形成第一间隔区；
69.部分所述第一绝缘层设置在所述第一间隔区，所述第一通孔设置在所述第一间隔区中并贯穿所述第一间隔区中的部分所述第二绝缘层延伸至发光元件，以露出所述发光元件朝向所述硅基板的部分表面；所述第一连接件与所述有源器件层及所述发光元件连接。
70.优选的，所述电子装置还包括：
71.弹性层，所述弹性层设置在所述电子元件层远离所述柔性层的一侧。
72.本发明第三个方面，还提供另一种电子装置，所述电子装置包括：
73.多个soi基板，所述多个soi基板间隔设置，相邻两个soi基板之间具有第二间隔区，所述soi基板包括层叠设置的氧化埋层和硅层；
74.第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述硅层远离所述氧化埋层的一侧；
75.多个电子元件，所述多个电子元件与所述多个soi基板一一对应设置，所述电子元件设置在所述第一绝缘层远离所述硅层的一侧；
76.连接层，所述连接层设置在所述电子元件远离所述soi基板的一侧，且覆盖所述第二间隔区。
77.优选的，所述第一绝缘层开设有贯穿第一绝缘层相对两表面的第三通孔，所述电子元件为第三连接件，所述第三连接件设置在所述第三通孔中，且部分所述第三连接件覆盖第三通孔周围的部分第一绝缘层；部分所述连接层设置在所述第三连接件远离所述硅层的表面上，以将各电子元件相连接。
78.优选的，所述电子装置包括：
79.弹性层，所述弹性层设置在所述连接层远离所述电子元件的一侧。
80.本发明的有益效果：本发明中的电子装置的制备方法通过在预制电子装置中设置硅基板作为承载体，然后在硅基板上形成预制电子装置的其他部件，再去除至少部分硅基板，采用硅基板作为承载体相较于其他基板，最后被移除时可通过干蚀刻法以保护电子装置中对水敏感的部件，或者可保留部分硅基板作为电子装置的一部分，用于与其他电子部件连接。
附图说明
81.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
82.图1为本发明第一实施例提供的一种电子装置的制备方法流程图。
83.图2为本发明第一实施例提供的一种电子装置的结构示意图。
84.图3为图1中步骤s100的一种子流程图。
85.图4为图1中步骤s200的一种子流程图。
86.图5为本发明第一实施例提供的另一种电子装置制备过程中的制备方法流程图。
87.图6为本发明第一实施例提供的一种电子装置制备过程中的部分结构示意图。
88.图7为本发明第二实施例提供的一种电子装置制备过程中的制备方法流程图。
89.图8为本发明第二实施例提供的一种电子装置的结构示意图。
90.图9为本发明第二实施例提供的一种电子装置制备过程中的部分结构示意图。
91.图10为本发明第三实施例提供的一种电子装置制备过程中的制备方法流程图。
92.图11为本发明第三实施例提供的一种电子装置的结构示意图。
93.图12为本发明第三实施例提供的一种电子装置制备过程中的部分结构示意图。
具体实施方式
94.以下所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
95.本发明的说明书和权利要求书及所述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
96.在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
97.请参阅图1至图6，本发明第一实施例提供一种电子装置10的制备方法，包括步骤s100和步骤s200(如图1所示)。具体如下所述。
98.步骤s100，提供预制电子装置100。其中所述预制电子装置100可以为预先制备得到，或者预先直接获取得到。在本实施例中，是在制备电子装置10过程中，预先制备得到。步骤s100具体包括步骤s110、步骤s120及步骤s130。
99.步骤s110，提供硅基板110(如图6所示)。其中硅基板110可以是纯硅基板、掺杂部分其他成分的掺杂硅基板、包括多层硅层的硅基板、soi基板或者soi基板与硅基板结合的复合硅基板，其中soi基板是指包括氧化埋层和硅层，其中氧化埋层为绝缘层，soi基板相较于一般的硅基板可减少寄生电容和减少漏电流。在本实施例中，硅基板110为掺杂量少于预设值的硅基板。
100.步骤s120，在硅基板110一侧形成第一绝缘层120。
101.步骤s130，在第一绝缘层120远离硅基板110的一侧形成电子元件层130，电子元件层130包括发光功能层，在其他实施例中，电子元件层130包括连接件层。
102.步骤s200，将至少部分硅基板110移除。在该步骤中硅基板110为用于形成预制电子装置100中其他部件的承载体，在电子装置的其他部件形成完成后，需要将至少部分硅基板110移除，在本实施例中，将硅基板110全部移除。其中移除的方法包括干蚀刻法，而采用干蚀刻法可最大限度地减少或者消除液体进入电子元件层130中，从而可以降低电子元件层130中对水分敏感的部件被水分破坏的风险。在其他实施例中，可保留部分硅基板110作为电子装置10的一部分，用于与其他电子部件连接。
103.本技术中的电子装置10的制备方法通过在预制电子装置100中设置硅基板100作
为承载体，然后在硅基板100上形成预制电子装置100的其他部件，再去除至少部分硅基板100，采用硅基板110作为承载体相较于其他基板，最后被移除时可通过干蚀刻法以保护电子装置10中对水敏感的部件，或者可保留部分硅基板110作为电子装置10的一部分，用于与其他电子部件连接。
104.请参阅图3和图6，在进一步的实施例中，电子元件层130包括发光功能层时，发光功能层包括有源器件层131及发光元件132，所述步骤s130包括步骤s131
-ⅰ
和步骤s132
-ⅰ
。具体如下所述。
105.步骤s131
-ⅰ
，在第一绝缘层120远离硅基板100的一侧形成有源器件层131。其中有源器件层131包括由薄膜晶体管组成的驱动电路。
106.步骤s132
-ⅰ
，在有源器件层131远离第一绝缘层120的一侧形成发光元件132。其中发光元件132包括多个，由驱动电路驱动发光。
107.请参阅图4，在进一步的实施例中，所述步骤s200包括步骤s210
-ⅰ
和步骤s220
-ⅰ
。具体如下所述。
108.步骤s210
-ⅰ
，将硅基板100远离电子元件层200的表面进行减薄处理。
109.步骤s220
-ⅰ
，将变薄后的硅基板100通过第一干蚀刻法全部移除。在本实施例中，采用干蚀刻法将至少部分硅基板110移除，采用干蚀刻法可最大限度地减少或者消除液体进入电子元件层130中，从而可以降低电子元件层130中对水分敏感的部件被水分破坏的风险。在本实施例中，可降低发光功能层131中发光元件132被水分破坏的风险。
110.在进一步的实施例中，所述步骤s210
-ⅰ
包括将硅基板100远离电子元件层200的表面通过第二干蚀刻法进行减薄处理。其中第一干蚀刻法不同于第二干蚀刻法，在一些实施例中，第一干蚀刻法对于硅基板的蚀刻力度或者蚀刻强度可弱于第二干蚀刻法，也就是说采用蚀刻力度或者蚀刻强度较强的第二干蚀刻法先将硅基板110变薄，然后采用蚀刻力度或者蚀刻强度较弱的第二干蚀刻法将变薄后的硅基板移除，进而避免干蚀刻过程破坏硅基板110一侧的电子元件层130。在本实施例中，第一干蚀刻法采用xef2蚀刻法，第二干蚀刻法采用sf6蚀刻法，xef2蚀刻法相较于sf6蚀刻法破坏电子元件层的风险更低。
111.或者，在其他实施例中，所述步骤s210
-ⅰ
包括将硅基板110远离电子元件层200的表面通过研磨进行减薄处理。
112.请参阅图5和图6，在进一步的实施例中，在所述步骤s110和所述步骤s120之间，所述步骤s100还包括步骤s140
-ⅰ
。
113.步骤s140
-ⅰ
，在硅基板110的一侧形成柔性层140。
114.所述步骤s120包括步骤s120
-ⅰ
。
115.步骤s120
-ⅰ
，在柔性层140远离硅基板110的一侧形成第一绝缘层120。
116.在步骤s130之后，所述步骤s100还包括步骤s150
-ⅰ
。
117.步骤s150
-ⅰ
，在电子元件层130远离柔性层140的一侧形成弹性层150。弹性层150用于提高电子装置的拉伸弯折性。
118.在步骤s100和步骤s200之间，电子装置10的制备方法还包括步骤s300
-ⅰ
。
119.步骤s300
-ⅰ
，在弹性层150远离电子元件层130的一侧形成保护层160。其中保护层160用于在制备显示面板10过程中保护电子元件层130。
120.在步骤s200之后，电子装置的制备方法还包括步骤s400
-ⅰ
。
121.步骤s400
-ⅰ
，将保护层160移除。
122.在其他实施例中，还可在保护层160远离弹性体150的一侧形成蓝膜，以进一步在制备过程中保护电子元件层130，最后将保护层160和蓝膜一起移除。
123.请参阅图7至图9，本发明第二实施例一种电子装置10a的制备方法，其中所述步骤s200包括：
124.步骤s210
-ⅱ
，将硅基板110远离电子元件层130的表面进行减薄处理。在一些实施例中，还需将变薄后的硅基板110远离电子元件层130的表面进行抛光，以使变薄后的硅基板110远离电子元件层130的表面的粗糙度小于预设值，以提高电子装置10a的平整度。
125.步骤s220
-ⅱ
，在变薄后的硅基板110上形成贯穿硅基板110相对两表面的第一通孔111(如图9中所示)，第一通孔111延伸至有源器件层131，以露出有源器件层131朝向硅基板110的部分表面。也就是说，在实施例中，是将第一通孔111对应的硅基板110移除。
126.电子装置10a的制备方法还包括步骤s500
-ⅱ
、步骤s600
-ⅱ
和步骤s700
-ⅱ
(如图7和图9所示)。
127.步骤s500
-ⅱ
，在第一通孔111中形成第一连接件112，第一连接件112与有源器件层131连接。
128.步骤s600
-ⅱ
，在第一连接件112远离有源器件层131的表面形成第二绝缘层113。
129.步骤s700
-ⅱ
，在第二绝缘层113上形成第二通孔114，在第二通孔114中形成第二连接件115，第二连接件115覆盖部分第二绝缘层113远离第一连接件112的表面。其中第一连接件112和第二连接件115的材料可相同或者不相同。
130.在第二实施例中，是通过将部分硅基板110移除，然后在硅基板110中的第一通孔111中形成连接有源器件层131的连接件，通过第一连接件112和第二连接件115将电子元件层130与外部电源或者本电子装置10a中的其他电子元件电连接。也就是说，硅基板110不仅作为形成电子装置10a的承载体，还作为电子装置10a中的一部分，并通过硅基板110中形成的连接件，将硅基板110一侧的电子元件层130与硅基板110另一侧的电子部件电连接。
131.请再次参阅图8，在进一步的实施例中，第一通孔111延伸至发光元件132，以露出发光元件132朝向硅基板110的部分表面；第一连接件112与有源器件层131及发光元件132连接。
132.请再次参阅图7和图9，在进一步的实施例中，步骤s100还包括步骤s140
-ⅱ
。
133.步骤s140
-ⅱ
，在硅基板110的表面上间隔形成多个子柔性层141，相邻两个子柔性层141之间形成第一间隔区142(如图8所示)。其中形成多个子柔性层141的方法包括先形成柔性层，然后再对柔性层图案化形成多个间隔设置的子柔性层141。
134.所述步骤s120包括步骤s120
-ⅱ
。
135.步骤s120
-ⅱ
，在硅基板110位于第一间隔区142的表面上和子柔性层141远离硅基板110的表面上形成第一绝缘层120，位于第一间隔区142中的部分第一绝缘层120远离硅基板110的表面朝向硅基板110凹陷形成凹部116(如图9所示)。由于第一间隔区142中没有子柔性层141，形成第一绝缘层120时在第一间隔区142中会凹陷。
136.所述步骤s131包括步骤s131
-ⅱ
。
137.步骤s131
-ⅱ
，在第一绝缘层120远离硅基板110的一侧形成有源器件层131，且部分有源器件层131形成在凹部116中。
138.第一通孔111形成在第一间隔区142中(如图8所示)。其中对应的第一连接件112、第二通孔114以及第二连接件115均设置在第一间隔区142。
139.在进一步的实施例中，在步骤s132
-ⅰ
之后，所述步骤s100还包括步骤s150
-ⅱ
。
140.步骤s150
-ⅱ
,在发光元件132远离硅基板110的表面上形成弹性层150。
141.在步骤s100和步骤s200之间，电子装置的制备方法还包括步骤s300
-ⅱ
。
142.步骤s300
-ⅱ
，将载体170贴附在弹性层150远离电子元件层130的表面上。此时载体170作为制备电子装置的承载体，在步骤s300
-ⅱ
后，进行后面的步骤(如图9所示)。
143.在步骤s700
-ⅱ
之后，电子装置的制备方法还包括步骤s400
-ⅱ
。
144.步骤s400
-ⅱ
，将载体170移除。
145.请参阅图10至图12，本发明第三实施例一种电子装置10b的制备方法，其中所述步骤s110包括步骤s110
-ⅲ
。
146.步骤s110
-ⅲ
，提供硅基板110，所述硅基板110包括层叠设置的第一子硅基板180和第二子硅基板190(如图12所示)，第二子硅基板190为soi基板，soi基板190包括氧化埋层191和硅层192，氧化埋层191设置在第一子硅基板180的一侧，硅层192设置在氧化埋层191远离第一子硅基板180的表面上。其中氧化买层191为绝缘层，soi基板190相较于一般的硅基板可减少寄生电容和减少漏电流。
147.所述步骤s120包括步骤s120
-ⅲ
。
148.步骤s120
-ⅲ
，在第二子硅基板190远离第一子硅基板180的一侧形成第一绝缘层120；第一绝缘层120包括多个间隔设置的第一子绝缘层121，第一子绝缘层121之间具有第二间隔区122。
149.所述步骤s130包括步骤s130
-ⅲ
。
150.s130
-ⅲ
，在第一子绝缘层121远离第二子硅基板190的表面上对应形成电子元件层130。
151.所述步骤s200包括步骤s200
-ⅲ
(如图12所示)。
152.步骤s200
-ⅲ
，将第二子硅基板190对应于第二间隔区122的部分移除，以露出第一子硅基板180朝向电子元件层130的部分表面。可采用干蚀刻法将第二子硅基板190对应于第二间隔区122的部分移除。
153.在步骤s200
-ⅲ
之后，电子装置10b的制备方法还包括步骤s300
-ⅲ
、步骤s400
-ⅲ
、步骤s500
-ⅲ
和步骤s600
-ⅲ
。具体如下所述。
154.步骤s300
-ⅲ
，在电子元件层130和第二间隔区122的第一子硅基板180的表面上形成连接层200，连接层200连接电子元件层130中的多个电子元件。其中连接层200用于将电子元件层130中的多个电子元件连接。
155.步骤s400
-ⅲ
，在连接层200远离电子元件层130一侧形成弹性层150。
156.步骤s500
-ⅲ
，在弹性层150远离连接层200的表面上贴附载体170(图未示出)。
157.步骤s600
-ⅲ
，将第一子硅基板180和载体170移除。
158.在进一步的实施例中，电子元件层130包括连接件层130时，连接件层130中设有多个第三连接件133，第一绝缘层120形成在硅层192远离第一子硅基板180的一侧，第一绝缘层120中开设有贯穿第一绝缘层120相对两表面的第三通孔123，第三连接件133形成在第三通孔123中，且部分第三连接件133覆盖第三通孔123周围的部分第一绝缘层120。在本实施
例中，制备的电子元件层130为连接件层130，可用于与其他电子部件电连接，采用soi基板作为第二子硅基板190，使用时可减少寄生电容和减少漏电流，提升电子装置电性效果。
159.请再次参阅图8，本发明一实施例提供一种电子装置10a，包括电子元件层130、第一绝缘层120、柔性层140及硅基板110，其中电子元件层130中包括多个电子元件；第一绝缘层120设置在电子元件层130的一侧；柔性层140设置在第一绝缘层120远离电子元件层130的一侧；硅基板110设置在柔性层140远离电子元件层130的一侧，硅基板110上开设有贯穿柔性层140和硅基板110的第一通孔111，以露出部分电子元件层130，第一通孔111中设有第一连接件112，第一连接件112与电子元件层130连接。本实施例提供的电子装置10a采用硅基板110作为制备电子装置10a的承载体，其还可作为电子装置10a的一部分。
160.在进一步的实施例中，电子装置10a还包括第二绝缘层113和第三连接件210，第二绝缘层113至少设置在第一连接件112远离柔性层140的表面上，第二绝缘层113上开设有贯穿第二绝缘层113相对两表面的第二通孔114；第三连接件210设置在第二通孔114中，且覆盖第二绝缘层113远离第一连接件112的部分表面。
161.在进一步的实施例中，电子元件层130为发光功能层，发光功能层包括有源器件层131和发光元件132，有源器件层131设置在第一绝缘层120远离柔性层140的一侧；发光元件132设置在有源器件层131远离第一绝缘层120的一侧。其中有源器件层131包括由薄膜晶体管组成的驱动电路，发光元件132包括多个，由驱动电路驱动发光。
162.在进一步的实施例中，柔性层140包括多个子柔性层141，多个部分子柔性层141间隔设置在第一绝缘层120远离电子元件层130的一侧，相邻两个子柔性层141之间形成第一间隔区142；部分第一绝缘层120设置在第一间隔区142，第一通孔111设置在第一间隔区142中并贯穿第一间隔区142中的部分第二绝缘层120延伸至发光元件132，以露出发光元件132朝向硅基板110的部分表面；第一连接件112与有源器件层131及发光元件132连接。
163.在进一步的实施例中，电子装置10a还包括弹性层150，弹性层150设置在电子元件层130远离柔性层140的一侧。所述弹性层150用于提高电子装置10a的拉伸弯折性。
164.请再次参阅图11，本发明另一实施例提供一种电子装置10b，电子装置10b包括多个soi基板190、第一绝缘层120、多个电子元件133和连接层200，在本实施例中，电子元件为第三连接件133。多个soi基板190间隔设置，相邻两个soi基板190之间具有第二间隔区122，soi基板190包括层叠设置的氧化埋层191和硅层192；第一绝缘层120设置在硅层192远离氧化埋层191的一侧；多个电子元件133与多个soi基板190一一对应设置，电子元件133设置在第一绝缘层120远离硅层192的一侧；连接层200设置在电子元件133远离soi基板190的一侧，且覆盖第二间隔区122。本实施例中的soi基板190不仅作为电子装置10b的承载体，还做电子装置10b的一部分，soi基板190相较于一般的硅基板可减少寄生电容和减少漏电流，提升电子装置10b的电性效果。
165.在进一步的实施例中，第一绝缘层120开设有贯穿第一绝缘层120相对两表面的第三通孔123，电子元件为第三连接件133，第三连接件133设置在第三通孔123中，且部分第三连接件133覆盖第三通孔123周围的部分第一绝缘层120；部分连接层200设置在第三连接件210远离硅层192的表面上，以将各电子元件相连接。
166.在进一步的实施例中，电子装置10b包括弹性层150，弹性层150设置在连接层200远离电子元件133的一侧。
167.本实施例中的电子装置10b中的连接层200可用于与外界多个电子部件电连接以将电子装置10b中的电子元件133与外界电子部件电连接，且采用soi基板作为第二子硅基板190，使用时可减少寄生电容和减少漏电流，提升电子装置10b的电性效果。
168.以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。