透明导电基体及包含该透明导电基体的触摸面板的制作方法

技术特征：
1.一种透明导电基体，其特征在于，具有：透明基材；在所述透明基材的至少一个主面上形成的、包含粘合剂树脂和导电性纤维的透明导电膜；以及在所述透明导电膜上形成的保护膜，所述保护膜为固化性树脂组合物的固化膜，并且厚度超过100nm且为1μm以下。2.根据权利要求1所述的透明导电基体，所述导电性纤维为金属纳米线。3.根据权利要求2所述的透明导电基体，所述金属纳米线为银纳米线。4.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电基体，所述保护膜为固化性树脂组合物的热固化膜，所述固化性树脂组合物包含(a)含有羧基的聚氨酯、(b)环氧化合物、和(c)固化促进剂。5.根据权利要求1～4中任一项所述的透明导电基体，所述粘合剂树脂为可溶于醇、水、或醇与水的混合溶剂的粘合剂树脂。6.根据权利要求5所述的透明导电基体，所述粘合剂树脂包含聚
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乙烯基吡咯烷酮、水溶性纤维素系树脂、缩丁醛树脂、和聚
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乙烯基乙酰胺中的任意者。7.根据权利要求1～6中任一项所述的透明导电基体，所述透明基材为环烯烃聚合物即cop膜。8.根据权利要求7所述的透明导电基体，所述cop膜的厚度为5～20μm。9.根据权利要求7或8所述的透明导电基体，所述cop膜的玻璃化转变温度tg在90～170℃。10.根据权利要求7或8所述的透明导电基体，所述cop膜的玻璃化转变温度tg在125～145℃。11.根据权利要求1～10中任一项所述的透明导电基体，所述保护膜的厚度超过100nm且为200nm以下。12.根据权利要求1～10中任一项所述的透明导电基体，所述保护膜的厚度超过100nm且为120nm以下。13.根据权利要求1～12中任一项所述的透明导电基体，成为所述保护膜的固化性树脂组合物的固体成分中的含有芳香环的化合物的含有比例为15质量％以下。14.根据权利要求1～13中任一项所述的透明导电基体，供于弯曲试验后的所述透明导电基体的电阻值r相对于供于弯曲试验前的所述透明导电基体的电阻值r0之比r/r0为2.0以下，所述弯曲试验是使用曲率半径设定为1mm的蛤壳型耐久试验机，将所述透明导电基体进行20万次弯曲的试验。15.一种触摸面板，其包含权利要求1～14中任一项所述的透明导电基体。

技术总结
本发明的课题是提供除了良好的光学特性、电气特性以外，耐弯曲性也优异的透明导电基体。解决手段是一种透明导电基体，其特征在于，具有：透明基材；在上述透明基材的至少一个主面上形成的、包含粘合剂树脂和导电性纤维的透明导电膜；以及在上述透明导电膜上形成的保护膜，上述保护膜为固化性树脂组合物的固化膜，并且厚度超过100nm且为1μm以下。并且厚度超过100nm且为1μm以下。并且厚度超过100nm且为1μm以下。


技术研发人员：山木繁 米田周平 鸟羽正彦
受保护的技术使用者：昭和电工株式会社
技术研发日：2020.02.17
技术公布日：2021/9/13