从存储器单元检索数据的自适应迭代读取校准的制作方法

1.本文中所公开的至少一些实施例大体上涉及存储器系统，且更明确地说涉及(但不限于)具有用于从集成电路存储器装置中的存储器单元读取数据的自适应迭代校准的存储器系统。


背景技术：

2.存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。


技术实现要素：

3.在一个方面中，本申请提供一种方法，所述方法包括：确定存储器装置中的存储器单元群组的第一读取电压；基于所述第一读取电压中的至少一个测量所述存储器单元群组的第一信号和噪声特性；根据所述第一信号和噪声特性计算经优化以读取所述存储器单元群组的第二读取电压；基于所述第二读取电压相对于所述第一读取电压当中的相应电压的偏移来估计第三读取电压；基于所述第三读取电压测量所述存储器单元群组的第二信号和噪声特性；以及根据所述第二信号和噪声特性计算经优化以读取所述存储器单元群组的第四读取电压。
4.在另一方面中，本申请提供一种存储器子系统，所述存储器子系统包括：处理装置；以及至少一个存储器装置，所述存储器装置具有：形成于集成电路裸片上的存储器单元群组；以及校准电路，其被配置成测量所述存储器装置中的存储器单元的信号和噪声特性；其中响应于来自所述处理装置的命令，所述校准电路被配置成迭代地校准所述存储器单元群组的多个读取电压；其中基于经由测量所述存储器单元群组的信号和噪声特性确定的读取电压的经校准子集来校准高于所述多个读取电压中的至少一个的所述读取电压当中的每一相应读取电压。
5.在又一方面中，本申请提供一种存储器装置，所述存储器装置包括：多个存储器单元群组，其形成于集成电路裸片上；以及校准电路，其被配置成测量所述存储器装置中的存储器单元的信号和噪声特性；其中响应于在所述存储器装置中接收的读取命令，所述校准电路被配置成迭代地校准所述存储器单元群组的多个读取电压；其中所述校准电路被配置成基于所述多个读取电压中的至少一个的至少一个经校准读取电压校准高于所述多个读取电压中的所述至少一个的所述多个读取电压当中的每一相应读取电压；其中所述校准电路被配置成计算对应于待校准的相应读取电压的经校准读取电压，方式是通过在所述经校准读取电压的估计值附近的测试电压下测量所述存储器单元群组的信号和噪声特性；且其中所述校准电路被配置成基于所述至少一个经校准读取电压和所述多个读取电压中的所述至少一个之间的至少一个偏移来确定相对于待校准的所述相应读取电压的经估计偏移，所述经校准读取电压的估计在距待校准的所述相应读取电压所述经估计偏移处。
附图说明
6.借助于实例而非限制在附图的各图中示出实施例，在附图中相似参考指示类似元件。
7.图1示出根据本公开的一些实施例具有存储器子系统的实例计算系统。
8.图2示出根据一个实施例具有被配置成测量信号和噪声特性的校准电路的集成电路存储器装置。
9.图3展示根据一个实施例测量信号和噪声特性以改进存储器操作的实例。
10.图4
‑
7示出根据一个实施例的读取命令的执行期间的自适应迭代读取校准。
11.图8展示根据一个实施例的读取校准的方法。
12.图9是本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
13.本公开的至少一些方面是针对一种存储器子系统，其具有校准管理器，所述校准管理器被配置成自适应地校准用于读取存储器单元群组的多个经优化读取电压。存储器子系统可以是存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的混合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个组件(例如，存储数据的存储器装置)的存储器子系统。主机系统可提供数据以存储于存储器子系统处，且可请求从存储器子系统检索数据。
14.集成电路存储器单元(例如，快闪存储器单元)可在阈值电压下被编程为借助于其状态来存储数据。举例来说，如果存储器单元在阈值电压下被配置/编程在允许大量电流通过存储器单元的状态中，则存储器单元正存储位一；且否则，存储器单元正存储位零。此外，存储器单元可通过在多个阈值电压下以不同方式被配置/编程而存储多个数据位。举例来说，存储器单元可通过在多个阈值电压下具有状态的组合而存储多个数据位；且可解译阈值电压下存储器单元的状态的不同组合以表示存储于存储器单元中的数据位的不同状态。
15.然而，在使用写入操作配置/编程集成电路存储器单元的状态以将数据存储在存储器单元中之后，用于读取存储器单元的经优化阈值电压可归因于例如电荷损失、读取干扰、交叉温度效应(例如，不同操作温度下的写入和读取)等若干因素而移位，尤其是在存储器单元被编程为存储多个数据位时。
16.一直使用常规校准电路系统来自行校准存储器区，方式是施加读取电平信号以考虑存储器区内的存储器单元的阈值电压的移位。在校准期间，校准电路系统被配置成将不同测试信号施加到存储器区以对针对测试信号输出指定数据状态的存储器单元的数目进行计数。基于所述计数，校准电路系统确定读取电平偏移值作为对校准命令的响应。
17.可在用于读取存储器单元的经优化信号的预期位置附近生成测试信号。然而，当经优化信号的预期位置的初始估计距经优化信号的实际位置太远时，测试信号可不在经优化信号的位置附近。因此，基于此些测试信号(基于经优化信号的预期/所估计位置而确定)执行的校准可能以较差精确度识别经优化信号，或无法识别经优化信号。
18.本公开的至少一些方面通过基于用于读取被编程为使用多个读取电压读取的存储器单元群组的较低经优化读取电压的校准自适应地和/或迭代地改进较高经优化读取电压的位置的估计，来解决上述缺陷和其它缺陷。
19.举例来说，被编程为存储多个数据位的存储器单元将使用多个读取电压读取以确定所述读取电压下存储器单元的状态和(因此)存储于存储器单元中的多个位。用于读取多个状态的经优化读取电压可归因于例如快速电荷损失(qcl)、存储电荷损失(scl)等数据保持效应和/或其它效应而移位。在一时间周期内，经优化读取电压可在相同方向上(例如，朝向较低电压，或朝向较高电压)移位。一般来说，不同的经优化读取电压可移位不同的量，其中经优化读取电压中的较高经优化读取电压可比经优化读取电压中的较低经优化读取电压移位得更多。
20.预测模型可用于基于一或多个较低经优化读取电压的移位预测较高经优化读取电压的移位。因此，一旦经由校准确定较低经优化读取电压，则可预测/估计高于较低经优化读取电压的经优化读取电压的移位以校正较高经优化读取电压的预期位置的初始估计。使用经校正的估计，可执行针对较高经优化读取电压的校准以按改进的精确度识别经优化读取电压和/或避免校准中的故障。
21.图1示出根据本公开的一些实施例包含存储器子系统110的实例计算系统100。存储器子系统110可包含介质，例如一或多个易失性存储器装置(例如，存储器装置140)、一或多个非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)，或它们的组合。
22.存储器子系统110可为存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的混合。存储装置的实例包含固态驱动器(ssd)、快闪驱动器、通用串行总线(usb)快闪驱动器、嵌入式多媒体控制器(emmc)驱动器、通用快闪存储(ufs)驱动器、安全数字(sd)卡和硬盘驱动器(hdd)。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(dimm)、小外形dimm(so
‑
dimm)和各种类型的非易失性双列直插式存储器模块(nvdimm)。
23.计算系统100可以是计算装置，例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、运载工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、支持物联网(iot)的装置、嵌入式计算机(例如，包含在运载工具、工业设备或联网市售装置中的计算机)，或这类包含存储器和处理装置的计算装置。
24.计算系统100可包含耦合到一或多个存储器子系统110的主机系统120。图1示出耦合到一个存储器子系统110的主机系统120的一个实例。如本文中所使用，“耦合到
……”
或“与
……
耦合”通常是指组件之间的连接，其可以是间接通信连接或直接通信连接(例如，不具有中间组件)，无论有线或无线，包含例如电连接、光学连接、磁连接等连接。
25.主机系统120可包含处理器芯片组(例如，处理装置118)和由处理器芯片组执行的软件堆栈。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓冲存储器、存储器控制器(例如，控制器116)(例如，nvdimm控制器)，以及存储协议控制器(例如，pcie控制器、sata控制器)。主机系统120使用存储器子系统110，例如，将数据写入到存储器子系统110以及从存储器子系统110读取数据。
26.主机系统120可经由物理主机接口耦合到存储器子系统110。物理主机接口的实例包含(但不限于)串行高级技术附件(sata)接口、外围组件互连高速(pcie)接口、通用串行总线(usb)接口、光纤通道、串行附接scsi(sas)、双数据速率(ddr)存储器总线、小型计算机系统接口(scsi)、双列直插式存储器模块(dimm)接口(例如，支持双数据速率(ddr)的dimm套接接口)、开放nand快闪接口(onfi)、双数据速率(ddr)、低功率双数据速率(lpddr)，或任何其它接口。物理主机接口可用于在主机系统120与存储器子系统110之间发射数据。当存
储器子系统110通过pcie接口与主机系统120耦合时，主机系统120可进一步利用nvm高速(nvme)接口来存取组件(例如，存储器装置130)。物理主机接口可提供用于在存储器子系统110与主机系统120之间传递控制、地址、数据和其它信号的接口。图1示出存储器子系统110作为实例。一般来说，主机系统120可经由同一通信连接、多个单独的通信连接和/或通信连接的组合存取多个存储器子系统。
27.主机系统120的处理装置118可例如为微处理器、中央处理单元(cpu)、处理器的处理核心、执行单元等。在一些情况下，控制器116可称作存储器控制器、存储器管理单元和/或起始器。在一个实例中，控制器116控制耦合在主机系统120与存储器子系统110之间的总线上的通信。通常，控制器116可向存储器子系统110发送期望存取存储器装置130、140的命令或请求。控制器116可进一步包含用于与存储器子系统110通信的接口电路系统。接口电路系统可将从存储器子系统110接收到的响应转换成用于主机系统120的信息。
28.主机系统120的控制器116可与存储器子系统110的控制器115通信以执行操作，例如在存储器装置130、140处读取数据、写入数据或擦除数据以及其它此类操作。在一些情况下，控制器116集成于处理装置118的同一封装内。在其它情况下，控制器116与处理装置118的封装分离。控制器116和/或处理装置118可包含硬件，例如一或多个集成电路(ic)和/或离散组件、缓冲存储器、高速缓冲存储器或其组合。控制器116和/或处理装置118可以是微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(fpga)、专用集成电路(asic)等)或另一合适的处理器。
29.存储器装置130、140可包含不同类型的非易失性存储器组件和/或易失性存储器组件的任何组合。易失性存储器装置(例如，存储器装置140)可以是但不限于随机存取存储器(ram)，例如动态随机存取存储器(dram)和同步动态随机存取存储器(sdram)。
30.非易失性存储器组件的一些实例包含与非(或not and)(nand)型快闪存储器和就地写入存储器，例如三维交叉点(“3d交叉点”)存储器。非易失性存储器的交叉点阵列可结合可堆叠交叉网格化数据存取阵列而基于体电阻的改变来执行位存储。另外，与许多基于快闪的存储器对比，交叉点非易失性存储器可执行就地写入操作，其中可在不预先擦除非易失性存储器单元的情况下对非易失性存储器单元进行编程。nand型快闪存储器包含(例如)二维nand(2d nand)和三维nand(3d nand)。
31.存储器装置130中的每一个可包含一或多个存储器单元阵列。一种类型的存储器单元，例如单层级单元(slc)，可每单元存储一个位。其它类型的存储器单元，例如多层级单元(mlc)、三层级单元(tlc)、四层级单元(qlc)和五层级单元(plc)可每单元存储多个位。在一些实施例中，存储器装置130中的每一个可包含一或多个存储器单元阵列，例如slc、mlc、tlc、qlc或此类存储器单元阵列的任何组合。在一些实施例中，特定存储器装置可包含存储器单元的slc部分，和mlc部分、tlc部分或qlc部分。存储器装置130的存储器单元可分组为页，所述页可指用于存储数据的存储器装置的逻辑单元。对于一些类型的存储器(例如，nand)，页可进行分组以形成块。
32.尽管描述了非易失性存储器装置，例如3d交叉点型和nand型存储器(例如，2d nand、3d nand)，但存储器装置130可基于任何其它类型的非易失性存储器，例如只读存储器(rom)、相变存储器(pcm)、自选存储器、其它基于硫属化物的存储器、铁电晶体管随机存取存储器(fetram)、铁电随机存取存储器(feram)、磁随机存取存储器(mram)、自旋转移力
矩(stt)
‑
mram、导电桥接ram(cbram)、电阻性随机存取存储器(rram)、基于氧化物的rram(oxram)、或非(nor)快闪存储器和电可擦除可编程只读存储器(eeprom)。.
33.存储器子系统控制器115(或为简单起见，控制器115)可与存储器装置130通信以执行操作，例如在存储器装置130处读取数据、写入数据或擦除数据和其它此类操作(例如，响应于控制器116在命令总线上调度的命令)。控制器115可包含硬件，例如一或多个集成电路(ic)和/或离散组件、缓冲存储器或其组合。硬件可包含具有专用(即，硬译码)逻辑的数字电路系统以执行本文所描述的操作。控制器115可以是微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(fpga)、专用集成电路(asic)等)或另一合适的处理器。
34.控制器115可包含被配置成执行存储在本地存储器119中的指令的处理装置117(处理器)。在所示出的实例中，控制器115的本地存储器119包含被配置成存储指令的嵌入式存储器，所述指令用于执行控制存储器子系统110的操作(包含处理存储器子系统110与主机系统120之间的通信)的各种过程、操作、逻辑流和例程。
35.在一些实施例中，本地存储器119可包含存储存储器指针、所提取数据等的存储器寄存器。本地存储器119还可包含用于存储微码的只读存储器(rom)。虽然图1中的实例存储器子系统110已示出为包含控制器115，但在本公开的另一实施例中，存储器子系统110不包含控制器115，而是可依赖于外部控制(例如，由外部主机或由与存储器子系统分离的处理器或控制器提供)。
36.通常，控制器115可从主机系统120接收命令或操作，且可将所述命令或操作转换为指令或适当命令以实现对存储器装置130的所要存取。控制器115可负责其它操作，例如耗损均衡操作、垃圾收集操作、错误检测和错误校正码(ecc)操作、加密操作、高速缓存操作，以及与存储器装置130相关联的逻辑地址(例如，逻辑块地址(lba)、名字空间)和物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转译。控制器115可进一步包含主机接口电路系统以经由物理主机接口与主机系统120通信。主机接口电路系统可以将从主机系统接收到的命令转换成存取存储器装置130的命令指令，以及将与存储器装置130相关联的响应转换成用于主机系统120的信息。
37.存储器子系统110还可包含未示出的额外电路系统或组件。在一些实施例中，存储器子系统110可以包含高速缓冲存储器或缓冲器(例如，dram)和地址电路系统(例如，行解码器和列解码器)，其可从控制器115接收地址且对地址进行解码以存取存储器装置130。
38.在一些实施例中，存储器装置130包含本地介质控制器150，其结合存储器子系统控制器115操作以对存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作。外部控制器(例如，存储器子系统控制器115)可在外部管理存储器装置130(例如，执行存储器装置130上的介质管理操作)。在一些实施例中，存储器装置130是受管理存储器装置，其是与本地控制器(例如，本地控制器150)组合以在同一存储器装置封装内进行介质管理的原始存储器装置。受管理存储器装置的实例是受管理nand(mnand)装置。
39.控制器115和/或存储器装置130可包含校准管理器113，其被配置成基于一或多个较低经优化读取电压的经校准位置预测/估计较高经优化读取电压的位置，且基于所预测/估计的位置校准较高经优化读取电压。或者，可基于一或多个较高经优化读取电压的经校准位置预测/估计较低经优化读取电压。在一些实施例中，存储器子系统110中的控制器115包含校准管理器113的至少一部分。在其它实施例中，或以组合方式，主机系统120中的控制
器116和/或处理装置118包含校准管理器113的至少一部分。举例来说，控制器115、控制器116和/或处理装置118可包含实施校准管理器113的逻辑电路系统。举例来说，主机系统120的控制器115或处理装置118(处理器)可被配置成执行存储于存储器中的用于执行本文中所描述的校准管理器113的操作的指令。在一些实施例中，校准管理器113实施于安置于存储器子系统110中的集成电路芯片中。在其它实施例中，校准管理器113可以是存储器子系统110的固件、主机系统120的操作系统、装置驱动器，或应用，或其任何组合的部分。
40.校准管理器113可接收针对存储器装置130中的存储器单元的一或多个较低经优化读取电压测得的信号和噪声特性，且处理所述信号和噪声特性以预测高于所述一或多个较低经优化读取电压的存储器单元的经优化读取电压的位置的改进的估计。举例来说，从初始所估计读取电压到较低经优化读取电压的调整量可用作为了校准下一读取电压将初始估计值调整到何处的指示符。
41.举例来说，存储器子系统110的控制器115可初始地识别用于读取用于执行读取命令的群组中的每一存储器单元的状态的多个经优化读取电压的所预期/估计/预测位置。响应于读取命令，校准管理器113致使存储器装置130使用由控制器115初始识别的最低经优化读取电压的所预期/估计/预测位置首先校准多个经优化读取电压中的最低经优化读取电压。所述校准导致识别最低经优化读取电压的经优化位置，其相对于最低经优化读取电压的所预期/估计/预测位置可具有偏移或移位。最低经优化读取电压的偏移或移位可用于预测/估计次低经优化读取电压的偏移或移位，且因此改进或校正次低经优化读取电压的所预期/估计/预测位置。用于次低经优化读取电压的估计的经改进或校正的位置可以在其校准中使用，这导致识别次低经优化读取电压的经优化位置。随后，可使用依据由控制器115识别的其初始估计确定的经改进或校正的位置和如依据其初始估计校准的一或多个经优化读取电压的一或多个偏移/移位来校准存储器单元的更高的经优化读取电压。因此，可基于存储器单元的较低经优化读取电压的结果迭代地和自适应地校准存储器单元的较高经优化读取电压。
42.图2示出根据一个实施例具有被配置成测量信号和噪声特性的校准电路145的集成电路存储器装置130。举例来说，图1的存储器子系统110中的存储器装置130可使用图2的集成电路存储器装置130来实施。
43.集成电路存储器装置130可围封在单个集成电路封装中。集成电路存储器装置130包含可形成于一或多个集成电路裸片中的存储器单元的多个群组131、...、133。群组131、...、133中的典型的存储器单元可被编程为存储一或多个数据位。
44.集成电路存储器装置130中的一些存储器单元可被配置成一起操作以用于特定类型的操作。举例来说，集成电路裸片上的存储器单元可组织成平面、块和页。平面含有多个块；块含有多个页；且页可具有多个存储器单元串。举例来说，集成电路裸片可以是可独立地执行命令或报告状态的最小单位；可在集成电路裸片中的多个平面上并行地执行相同的并发操作；块可以是用以执行擦除操作的最小单位；且页可以是用以执行数据编程操作(将数据写入到存储器单元中)的最小单位。每一串的存储器单元连接到共同位线；且块或页中的串中的相同位置处的存储器单元的控制栅极连接到共同字线。控制信号可施加到字线和位线以对个别存储器单元进行寻址。
45.集成电路存储器装置130具有通信接口147以从存储器子系统110的控制器115接
收地址135，且提供从存储器地址135检索的数据137。集成电路存储器装置130的地址解码器141将地址135转换为控制信号以选择集成电路存储器装置130中的存储器单元；且集成电路存储器装置130的读取/写入电路143执行操作以确定存储于被寻址存储器单元中的数据，或对存储器单元进行编程以具有对应于存储数据137的状态。
46.集成电路存储器装置130具有校准电路145，其被配置成确定群组(例如，131、...或133)中的存储器单元的信号和噪声特性139的测量值，且经由通信接口147将信号和噪声特性139提供到存储器子系统110的控制器115。
47.在至少一些实施例中，校准电路145还经由通信接口147向控制器115提供测得的信号和噪声特性139以确定读取电平偏移值。在一些实施例中，读取电平偏移值可用于理解、量化或估计信号和噪声特性139。在其它实施例中，在一或多个测试电压下具有特定状态的群组或区中的存储器单元的统计数据可提供为信号和噪声特性139。
48.举例来说，校准电路145可通过借助于改变用于读取存储器单元的操作参数(例如，从存储器单元读取数据的操作期间施加的电压)从群组(例如，131、...、133)中的存储器单元读取不同响应来测量信号和噪声特性139。
49.举例来说，校准电路145可当执行从地址135读取数据137的命令时在运行中测量信号和噪声特性139。因为信号和噪声特性139作为从地址135读取数据137的操作的一部分而测量，所以信号和噪声特性139可以在校准管理器113中使用，而对从地址135读取数据137的命令的执行过程中的时延的惩罚减小或为零。
50.存储器子系统110的校准管理器113被配置成使用存储器单元群组(例如，131或133)的一或多个较低经优化读取电压的校准期间测得的信号和噪声特性139，来识别较高经优化读取电压的所估计位置且因此改进针对较高经优化读取电压执行的校准操作。
51.举例来说，校准管理器113可使用经由机器学习训练或经由经验公式建立的预测模型来预测较高经优化读取电压的位置。所述预测可基于较高经优化读取电压的位置的初始估计、所述一或多个较低经优化读取电压的位置的初始估计，以及所述一或多个较低经优化读取电压的经校准位置，其中所述一或多个较低经优化读取电压的经校准位置是依据所述一或多个较低经优化读取电压的校准期间测得的信号和噪声特性139而确定。所述预测可以在较高经优化读取电压的校准中使用，在此期间，可在预测位置附近测量更多信号和噪声特性139以识别较高经优化读取电压的经校准位置。较高经优化读取电压的校准结果可进一步迭代地在更高经优化读取电压的校准中使用。
52.图3展示根据一个实施例测量信号和噪声特性139以改进存储器操作的实例。
53.在图3中，校准电路145施加不同读取电压v
a
、v
b
、v
c
、v
d
和v
e
来读取群组(例如，131、...或133)中的存储器单元的状态。一般来说，可使用更多或更少的读取电压来生成信号和噪声特性139。
54.由于读取操作期间施加的不同电压，群组(例如，131、...或133)中的同一存储器单元可展示不同状态。因此，一般来说，在不同读取电压v
a
、v
b
、v
c
、v
d
和v
e
下具有预定状态的存储器单元的计数c
a
、c
b
、c
c
、c
d
和c
e
可不同。预定状态可以是有大量电流通过存储器单元的状态，或没有大量电流通过存储器单元的状态。计数c
a
、c
b
、c
c
、c
d
和c
e
可称为位计数。
55.校准电路145可通过一次一个地在存储器单元的群组(例如，131、...或133)上施加读取电压v
a
、v
b
、v
c
、v
d
和v
e
来测量位计数。
56.或者，存储器单元的群组(例如，131、...或133)可被配置成多个子群组；且校准电路145可通过施加读取电压v
a
、v
b
、v
c
、v
d
和v
e
并行地测量子群组的位计数。子群组的位计数被视为表示整个群组(例如，131、...或133)中的位计数。因此，获得计数c
a
、c
b
、c
c
、c
d
和c
e
的持续时间可缩短。
57.在一些实施例中，在从映射到群组(例如，131、...或133)中的一或多个存储器单元的地址135读取数据137的命令的执行期间测量位计数c
a
、c
b
、c
c
、c
d
和c
e
。因此，控制器115不需要发送单独的命令来请求基于位计数c
a
、c
b
、c
c
、c
d
和c
e
的信号和噪声特性139。
58.邻近电压的位计数之间的差指示在读取群组(例如，133、...或133)中的存储器单元的状态的过程中的错误。
59.举例来说，依据c
a
‑
c
b
计算计数差d
a
，其为由于读取电压从v
a
改变到v
b
而引入的读取阈值错误的指示。
60.类似地，d
b
＝c
b
‑
c
c
；d
c
＝c
c
‑
c
d
；且d
d
＝c
d
‑
c
e
。
61.基于计数差d
a
、d
b
、d
c
和d
d
获得的曲线157表示作为读取电压的函数的读取阈值误差e的预测。依据曲线157(和/或计数差)，经优化读取电压v
o
可被计算为曲线157上的提供最低读取阈值误差d
min
的点153。
62.在一个实施例中，校准电路145计算经优化读取电压v
o
且致使读取/写入电路143使用经优化读取电压v
o
从地址135读取数据137。
63.或者，校准电路145可经由通信接口147向存储器子系统110的控制器115提供计数差d
a
、d
b
、d
c
和d
d
和/或由校准电路145计算的经优化读取电压v
o
。
64.图3示出生成统计数据集合(例如，位计数和/或计数差)以供在经优化读取电压v
o
下读取的实例。一般来说，存储器单元的群组可被配置成将一个以上位存储在存储器单元中；且使用多个读取电压来读取存储于存储器单元中的数据。可类似地针对读取电压中的每一个测量统计数据集合以识别相应优化读取电压，其中每一统计数据集合中的测试电压配置在相应经优化读取电压的预期位置附近。因此，针对存储器单元群组(例如，131或133)测得的信号和噪声特性139可包含分别针对多个阈值电压测得的多个统计数据集合。
65.举例来说，控制器115可通过提供地址135和至少一个读取控制参数来指示存储器装置130执行读取操作。举例来说，读取控制参数可以是由控制器115建议、估计或预测的读取电压。
66.存储器装置130可通过在读取电压下确定地址135处的存储器单元的状态来执行读取操作，且根据所确定的状态提供数据137。
67.在读取操作期间，存储器装置130的校准电路145生成信号和噪声特性139。数据137和信号和噪声特性139作为响应从存储器装置130提供到控制器115。或者，可至少部分使用配置于存储器装置130中的逻辑电路系统来执行信号和噪声特性139的处理。举例来说，可使用配置于存储器装置130中的处理逻辑来部分或完全实施信号和噪声特性139的处理。举例来说，可使用在存储器装置130的集成电路裸片上形成于存储器单元阵列下方的互补金属氧化物半导体(cmos)电路系统来实施处理逻辑。举例来说，处理逻辑可在存储器装置130的集成电路封装内形成在单独的集成电路裸片上，所述单独的集成电路裸片使用硅通孔(tsv)和/或其它连接技术连接到具有存储器单元的集成电路裸片。
68.可至少部分地基于读取控制参数确定信号和噪声特性139。举例来说，当读取控制
参数为用于在地址135处读取存储器单元的所建议读取电压时，校准电路145可计算在所建议读取电压附近的读取电压v
a
、v
b
、v
c
、v
d
和v
e
。
69.信号和噪声特性139可包含位计数c
a
、c
b
、c
c
、c
d
和c
e
。替代地或组合地，信号和噪声特性139可包含计数差d
a
、d
b
、d
c
和d
d
。
70.可选地，校准电路145使用一种方法依据计数差d
a
、d
b
、d
c
和d
d
计算经优化读取电压v
o
；且控制器115使用另一种不同的方法依据信号和噪声特性139和任选地校准电路145不可用的其它数据来计算经优化读取电压v
o
。
71.当校准电路145可依据读取操作期间生成的计数差d
a
、d
b
、d
c
和d
d
计算经优化读取电压v
o
时，信号和噪声特性可任选地包含经优化读取电压v
o
。此外，存储器装置130可在确定地址135处来自存储器单元的数据137中的硬位数据的过程中使用经优化读取电压v
o
。可通过以从经优化读取电压v
o
发生预定偏移的读取电压读取存储器单元来获得数据137中的软位数据。或者，存储器装置130在读取数据137的过程中使用读取控制参数中提供的控制器指定的读取电压。
72.可以比集成电路存储器装置130的校准电路145更多的处理功率来配置控制器115。此外，控制器115可具有适用于群组(例如，133、...或133)中的存储器单元的其它信号和噪声特性。因此，一般来说，控制器115可计算经优化读取电压v
o
的更精确估计(例如，用于后续读取操作，或用于读取操作的重试)。
73.一般来说，校准电路145不必以位计数在读取电压集合上的分布的形式或以计数差在读取电压集合上的分布的形式提供信号和噪声特性139。举例来说，校准电路145可提供由校准电路145计算的经优化读取电压v
o
作为信号和噪声特性139。
74.校准电路145可被配置成生成信号和噪声特性139(例如，位计数或位计数差)作为读取操作的副产物。信号和噪声特性139的生成可在集成电路存储器装置130中实施，相比于不生成信号和噪声特性139的典型读取，对读取操作的时延的影响极少或无影响。因此，校准电路145可有效地将信号和噪声特性139确定为根据来自存储器子系统110的控制器115的命令执行读取操作的副产物。
75.一般来说，经优化读取电压v
o
的计算可在存储器装置130内或由存储器子系统111的控制器115执行，所述控制器接收信号和噪声特性139作为来自存储器装置130的丰富状态响应的一部分。
76.图4
‑
7示出根据一个实施例的读取命令的执行期间的自适应迭代读取校准。举例来说，自适应迭代读取校准可由校准管理器113使用根据图3测得的信号和噪声特性139来控制，所述校准管理器可实施于图1的存储器子系统110的控制器115中，和/或图2的集成电路存储器装置130中。
77.图4示出用于在各种读取电压下读取存储器单元群组(例如，131或133)的读取阈值误差分布157。经优化读取电压v
o1
、v
o2
和v
o3
具有对应于读取阈值误差分布157的局部最小值点的位置。当分别在经优化读取电压v
o1
、v
o2
和v
o3
下读取存储器单元群组(例如，131或133)时，从读取操作确定的状态中的错误最小化。
78.图4示出具有用于读取存储器单元群组(例如，131或133)的多个经优化读取电压v
o1
、v
o2
和v
o3
的实例。一般来说，存储器单元群组(例如，131或133)可被编程为经由如图4中所示出的更多或更少的经优化读取电压来读取。
79.可使用图3中示出的技术(例如，通过确定相邻读取电压的位计数差)来测量读取阈值误差分布157。
80.当初始编程或最近校准存储器单元群组(例如，131或133)时，经优化读取电压v
o1
、v
o2
和v
o3
的位置是已知的。然而，在某一时间周期之后，经优化读取电压v
o1
、v
o2
和v
o3
的位置可例如归因于快速电荷损失(qcl)、存储电荷损失(scl)等而移位。
81.图5
‑
7示出读取阈值误差分布161，其中经优化读取电压的位置已经在读取电压的轴线上移位。举例来说，经优化读取电压v
o1
、v
o2
和v
o3
的位置可向下移位使得新位置的电压小于相应先前位置。在其它实例中，经优化读取电压v
o1
、v
o2
和v
o3
的位置可向上移位使得新位置的电压大于相应先前位置。
82.图3的校准技术通过对所估计位置(例如，v
c
)附近的读取阈值误差分布157的一部分进行取样且确定被取样的读取阈值误差分布157的局部最小值点的位置，来确定经优化读取电压(例如，v
o
)在读取电压的轴线上的位置。
83.为了确定已经移位的经优化读取电压的位置，经优化读取电压v
o1
、v
o2
和v
o3
的先前已知位置可用作用于图3的校准技术的应用的所估计位置(例如，v
c
)。
84.图5
‑
7示出经优化读取电压v
o1
、v
o2
和v
o3
相对于新读取阈值误差分布161的所估计位置v
c1
、v
c2
和v
c3
。在一些例子中，控制器115可基于公式和/或预测模型使用控制器115可用的参数来计算所估计位置v
c1
、v
c2
和v
c3
。
85.图5示出应用图3的技术来确定最低经优化读取电压v
o1
的位置。v
a1
到v
e1
范围内的测试电压配置在所估计位置v
c1
附近。测试电压v
a1
到v
e1
可被施加以读取存储器单元群组(例如，131或133)来确定测试电压下的位计数，和指示读取阈值误差的量值的计数差。可在经由测得的位差取样的读取阈值误差分布161的部分的局部最小值点处确定经优化读取电压v
o1
；且所估计位置v
c1
到经校准位置v
o1
的偏移或移位v
s1
可用于确定下一较高经优化读取电压v
o2
的所估计位置v
c2
的所估计移位v
t1
。
86.举例来说，所估计移位v
t1
可确定为与较低经优化读取电压v
o1
相对于其初始估计v
c1
的测得的移位v
s1
相同。替代的经验公式或预测模型可用于计算相对于至少较低经优化读取电压v
o2
的测得的移位v
s1
的较高经优化读取电压v
o2
的所估计移位v
t1
。
87.所估计移位v
t1
确定经优化读取电压v
02
的位置的改进的估计v
c2u
。
88.图6示出应用图3的技术来确定经优化读取电压v
o2
的位置。在将估计从v
c2
调整到v
c2u
之后，v
a2
到v
e2
范围内的测试电压配置在改进的估计v
c2u
附近(代替相对于v
c2
)。作为改进的估计v
c2u
的结果，v
a2
到v
e2
范围内的测试电压较好地定位以捕获经优化读取电压v
o2
。测试电压v
a2
到v
e2
可被施加以读取存储器单元群组(例如，131或133)来确定测试电压下的位计数，和指示读取阈值误差的量值的计数差。可在经由位差的测量取样的读取阈值误差分布161的部分的局部最小值点处确定经优化读取电压v
o2
；且从初始所估计位置v
c2
到经校准位置v
o2
的偏移或移位v
s2
可以用于确定相对于下一较高经优化读取电压v
o3
的所估计位置v
c3
的所估计移位v
t2
。
89.举例来说，所估计移位v
t2
可确定为与较低经优化读取电压v
o2
相对于其初始估计v
c2
的测得的移位v
s2
相同。或者，可依据较低经优化读取电压v
o2
相对于其初始估计v
c2
的测得的移位v
s2
和另一较低经优化读取电压v
o1
相对于其初始估计v
c1
的测得的移位v
s1
两者来确定所估计移位v
t2
。替代的经验公式或预测模型可用于计算至少相对于一或多个较低经优化读
取电压(例如，v
o2
和/或v
s1
)的测得的移位(例如，v
s2
和/或v
s1
)的较高经优化读取电压v
o3
的所估计移位v
t2
。
90.所估计移位v
t2
提供经优化读取电压v
02
的位置的改进的估计v
c3u
。
91.图7示出应用图3的技术来确定经优化读取电压v
o3
的位置。范围v
a3
到v
e3
内的测试电压配置于改进的估计v
c3u
附近。测试电压v
a3
到v
e3
可被施加以读取存储器单元群组(例如，131或133)来确定测试电压下的位计数，和指示读取阈值误差的量值的计数差。可在经由位差取样的读取阈值误差分布161的部分的局部最小值点处确定经优化读取电压v
o3
。
92.如图6和7中所示出，自适应地和迭代地计算的改进的估计v
c2u
和v
c3u
允许在接近经优化读取电压v
02
和v
03
的改进的测试电压范围内执行较高经优化读取电压v
02
和v
03
的校准。如果测试电压将使用初始估计v
c2
和v
c3
来构造，则测试范围可能不捕获经优化读取电压v
02
和v
03
；且校准可能无法识别经优化读取电压v
02
和v
03
，或无法以足够的精确度识别经优化读取电压v
02
和v
03
。
93.一般来说，校准管理器113可实施于存储器子系统110的存储器装置130中和/或控制器115中。举例来说，校准管理器113可实施于存储器装置130中且被配置成使用较低读取电压(例如，v
o1
和v
o2
)的校准结果迭代地确定较高读取电压(例如，v
o2
和v
o3
)的改进的估计(例如，v
c2u
和v
c3u
)。实施于存储器装置130中的校准管理器113可在原子操作中校准多个读取电压(例如，v
o1
、v
o2
、v
o3
)，而不必在原子操作期间与控制器通信。
94.或者，校准管理器113可实施于控制器150中。在存储器装置130向控制器150报告较低读取电压(例如，v
o1
和v
o2
)的校准结果之后，校准管理器113计算改进的估计(例如，v
c2u
和v
c3u
)且传达改进的估计(例如，v
c2u
和v
c3u
)以致使存储器装置130使用改进的估计(例如，v
c2u
和v
c3u
)来校准较高读取电压(例如，v
o2
和v
o3
)。
95.实施于控制器115中的校准管理器113可不仅使用从存储器装置130接收的数据137的信号和噪声特性139，而且使用存储器装置130中可能不可用的其它信息，例如电荷损失、读取干扰、交叉温度效应、编程/擦除、数据保持等。实施于控制器115中的校准管理器113和实施于存储器装置130中的校准管理器113可具有不同的复杂性，和/或不同的其预测中的精确度。实施于控制器115中的校准管理器113和实施于存储器装置130中的校准管理器113可彼此通信以合作地控制由校准电路145执行的校准操作。举例来说，控制器115可向存储器装置130发布指示读取操作中涉及的存储器单元中的大量电荷损失、读取干扰、交叉温度效应等的命令，因此允许实施于存储器装置130中的校准管理器113基于对存储器单元的状态的了解调适读取电压的初始估计值。
96.校准管理器113的处理逻辑可使用在存储器装置130的集成电路裸片上形成于存储器单元阵列下方的互补金属氧化物半导体(cmos)电路系统来实施。举例来说，处理逻辑可在存储器装置130的集成电路封装内形成在单独的集成电路裸片上，所述单独的集成电路裸片使用硅通孔(tsv)和/或其它连接技术连接到具有存储器单元的集成电路裸片。
97.图8展示根据一个实施例的读取校准的方法。图8的方法可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件/固件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，图8的方法至少部分由图1的控制器115或图2的存储器装置130中的处理逻辑来执行。虽然以特定序列或次序展示，但是除非另有指定，否则可修改过程的次序。因此，应理
解，所说明的实施例仅为实例，且所说明的过程可以不同次序执行，且一些过程可并行地执行。此外，可在各种实施例中省略一或多个过程。因此，并非在每个实施例中需要所有的过程。其它过程流程是可能的。
98.举例来说，图8的方法可利用图2的存储器装置和图3中示出的信号噪声特性以如图4
‑
7中所示出的方式实施于图1的计算系统中。
99.在框301处，存储器装置130确定存储器装置130中的存储器单元群组(例如，131或133)的第一读取电压(例如，v
c1
、v
c2
、v
c3
)。
100.在框303处，存储器装置130的校准电路145基于第一读取电压(例如，v
c1
、v
c2
、v
c3
)中的至少一个测量存储器单元群组(例如，131或133)的第一信号和噪声特性139。
101.在框305处，存储器装置130的校准电路145根据第一信号和噪声特性139计算经优化以读取存储器单元群组(例如，131或133)的第二读取电压(例如，v
o1
或v
o2
)。
102.在框307处，校准管理器113基于第二读取电压(例如，v
o1
或v
o2
)相对于第一读取电压(例如，v
c1
、v
c2
、v
c3
)当中的相应电压(例如，v
c1
或v
c2
)的偏移(例如，v
s1
或v
s2
)来估计第三读取电压(例如，v
c2u
或v
c3u
)。
103.举例来说，可基于第一读取电压(例如，v
c1
、v
c2
、v
c3
)当中的另一电压(例如，v
c2
或v
c3
)和偏移(例如，v
s1
或v
s2
)来估计第三读取电压(例如，v
c2u
或v
c3u
)。第一读取电压(例如，v
c1
、v
c2
、v
c3
)当中的另一电压(例如，v
c2
或v
c3
)高于第一读取电压(例如，v
c1
、v
c2
、v
c3
)当中的校准/优化第二读取电压(例如，v
o1
或v
o2
)所针对的相应电压(例如，v
c1
或v
c2
)。
104.在框309处，存储器装置130的校准电路145基于第三读取电压(例如，v
c2u
或v
c3u
)测量存储器单元群组(例如，131或133)的第二信号和噪声特性139。
105.举例来说，第二信号和噪声特性139的测量可包含：基于第三读取电压(例如，v
c2u
或v
c3u
)确定测试电压(例如，v
a2
到v
e2
；或v
a3
到v
e3
)；以及在群组(例如，131或133)中的存储器单元经受测试电压(例如，v
a2
到v
e2
；或v
a3
到v
e3
)的同时读取存储器单元群组(例如，131或133)的状态。
106.第二信号和噪声特性139可包含当测试电压(例如，v
a2
到v
e2
；或v
a3
到v
e3
)被施加以读取群组(例如，131或133)中的存储器单元时具有预定状态(例如，允许大量电流通过，或不允许大量电流通过)的群组(例如，131或133)中的存储器单元的位计数。第二信号和噪声特性139可进一步包含针对邻近/相邻测试电压(例如，v
a2
到v
e2
；或v
a3
到v
e3
)获得的计数之间的计数差。
107.在框311处，存储器装置130的校准电路145根据第二信号和噪声特性139计算经优化以读取存储器单元群组(例如，131或133)的第四读取电压(例如，v
o2
或v
o3
)。
108.举例来说，第四读取电压(例如，v
o2
或v
o3
)计算为在第三读取电压(例如，v
c2u
或v
c3u
)接近的测试电压(例如，v
a2
到v
e2
；或v
a3
到v
e3
)下取样的计数差的分布161的局部最小值处。
109.一般来说，第一读取电压(例如，v
c1
、v
c2
、v
c3
)可包含电压不高于第二读取电压(例如，v
o3
)的相应电压(例如，v
c3
)的第一子集(例如，v
c1
、v
c2
)。校准电路145经由测量存储器单元群组(例如，131或133)的信号和噪声特性139确定对应于第一子集中的电压的经优化读取电压(例如，v
o1
、v
o2
)。校准管理器113分别计算经优化读取电压(例如，v
o1
、v
o2
)与第一子集(例如，v
c1
、v
c2
)中的电压之间的偏移(例如，v
s1
、v
s2
)。校准管理器113基于经优化读取电压
(例如，v
o1
、v
o2
)和第一子集(例如，v
c1
、v
c2
)中的相应电压之间的这些偏移(例如，v
s1
、v
s2
)估计相对于第一读取电压(例如，v
c1
、v
c2
、v
c3
)当中的另一电压(例如，v
c3
)的偏移(例如，v
t2
)。
110.经优化读取电压(例如，v
o1
、v
o2
)的确定和经优化以读取存储器单元群组(例如，131或133)的第四读取电压(例如，v
o3
)的计算可响应于从存储器子系统110的控制器115到存储器装置130的命令。
111.举例来说，所述命令可指定第一读取电压(例如，v
c1
、v
c2
、v
c3
)以请求存储器装置130识别经优化读取电压(例如，v
o1
、v
o2
、v
o3
)，和/或偏移(例如，v
s1
、v
s2
、v
s3
)。
112.举例来说，所述命令可指定第一读取电压(例如，v
c1
、v
c2
、v
c3
)以请求存储器装置130识别经优化读取电压(例如，v
o1
、v
o2
、v
o3
)，且使用经优化读取电压从存储器单元群组(例如，131或133)检索数据。
113.举例来说，响应于来自存储器子系统控制器115的处理装置117的命令，校准电路145被配置成迭代地校准存储器单元群组(例如，131)的多个读取电压(例如，v
c1
、v
c2
、v
c3
)。基于经由测量存储器单元群组(例如，131)的信号和噪声特性139确定的读取电压的经校准子集(例如，v
o1
)来校准读取电压当中的高于所述多个读取电压中的至少一个(例如，v
c1
)的每一相应读取电压(例如，v
c2
)。
114.举例来说，处理装置117可被配置成识别针对所述命令的存储器单元群组的第一读取电压(例如，v
c1
、v
c2
、v
c3
)；且存储器装置130被配置成响应于所述命令确定分别针对第一读取电压(例如，v
c1
、v
c2
、v
c3
)校准的第二读取电压(例如，v
o1
、v
o2
、v
o3
)。
115.校准电路145被配置成使用存储器单元群组的信号和噪声特性139计算高于第二读取电压中的至少一个(例如，v
o1
)的第二读取电压中的每一个(例如，v
o2
)，所述信号和噪声特性是通过使用存储器单元群组的经优化读取电压(例如，v
o2
)的估计值(例如，v
c2u
)附近的测试电压(例如，v
a2
到v
e2
)读取存储器单元群组而测得的。基于第一读取电压(例如，v
c1
、v
c2
、v
c3
)中的相应一个(例如，v
c2
)和经估计偏移(例如，v
t1
)来确定经优化读取电压(例如，v
o2
)的估计值(例如，v
c2u
)。基于第一读取电压中的一或多个(例如，v
c1
)和第二读取电压中的相应一或多个(例如，v
o1
)之间的一或多个测得的偏移(例如，v
s1
)来计算经估计偏移(例如，v
t1
)。测量和使用所述一或多个测得的偏移(例如，v
s1
)来计算经估计偏移(例如，v
t1
)所针对的第一读取电压中的所述一或多个(例如，v
c1
)低于第一读取电压中的确定经优化读取电压的估计值(例如，v
c2u
)所基于的相应一个第一读取电压(例如，v
c1
)。
116.举例来说，基于由于例如快速电荷损失(qcl)或存储电荷损失(scl)或其任何组合等数据保持效应而产生的读取电压移位的模型来计算经估计偏移(例如，v
t1
)。
117.非暂时性计算机存储介质可用于存储存储器子系统(例如，113)的固件的指令。当指令由控制器115和/或处理装置117执行时，所述指令致使控制器115和/或处理装置117执行上文所论述的方法。
118.图9示出计算机系统400的实例机器，所述实例机器内可执行用于致使所述机器执行本文中所论述的方法中的任何一或多种的指令集。在一些实施例中，计算机系统400可对应于主机系统(例如，图1的主机系统120)，其包含、耦合到或利用存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)，或可用于执行校准管理器113的操作(例如，执行指令以执行对应于参考图1
‑
8描述的校准管理器113的操作)。在替代性实施例中，机器可连接(例如联网)到lan、内联网、外联网和/或因特网中的其它机器。机器可作为对等(或分布式)网络环境中的
对等机器或作为云计算基础设施或环境中的服务器或客户端机器而以客户端
‑
服务器网络环境中的服务器或客户端机器的容量进行操作。
119.机器可以是个人计算机(pc)、平板pc、机顶盒(stb)、个人数字助理(pda)、蜂窝式电话、网络器具、服务器、网络路由器、交换机或桥接器，或能够(循序或以其它方式)执行指定将由所述机器采取的动作的指令集的任何机器。另外，尽管说明单个机器，但术语“机器”还应理解为包含机器的任何集合，所述机器个别地或联合地执行一(或多)个指令集以执行本文中所论述的方法中的任何一或多种。
120.实例计算机系统400包含处理装置402、主存储器404(例如，只读存储器(rom)、快闪存储器、例如同步dram(sdram)或rambus dram(rdram)等动态随机存取存储器(dram)、静态随机存取存储器(sram)等)以及数据存储系统418，它们经由总线430(其可包含多个总线)彼此通信。
121.处理装置402表示一或多个通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元等。更特定来说，处理装置可以是复杂指令集计算(cisc)微处理器、精简指令集计算(risc)微处理器、超长指令字(vliw)微处理器或实施其它指令集的处理器，或实施指令集的组合的处理器。处理装置402也可为一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)、数字信号处理器(dsp)、网络处理器等。处理装置402被配置成执行用于执行本文中所论述的操作和步骤的指令426。计算机系统400可进一步包含网络接口装置408以在网络420上通信。
122.数据存储系统418可以包含机器可读存储介质424(也称为计算机可读介质)，其上存储有一或多个指令集426或体现本文中所描述的任何一或多种方法或功能的软件。指令426还可在其由计算机系统400执行期间完全或至少部分地驻留在主存储器404内和/或处理装置402内，主存储器404和处理装置402也构成机器可读存储介质。机器可读存储介质424、数据存储系统418和/或主存储器404可对应于图1的存储器子系统110。
123.在一个实施例中，指令426包含实施对应于校准管理器113(例如，参考图1
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8描述的校准管理器113)的功能性的指令。尽管在实例实施例中机器可读存储介质424展示为单个介质，但术语“机器可读存储介质”应理解为包含存储所述一或多个指令集的单个介质或多个介质。术语“机器可读存储介质”还应被理解为包含能够存储或编码供机器执行的指令集且致使机器执行本公开的方法中的任何一或多种的任何介质。术语“机器可读存储介质”应相应地被理解为包含(但不限于)固态存储器、光学介质和磁性介质。
124.已在针对计算机存储器内的数据位的操作的算法和符号表示方面呈现了先前详细描述的一些部分。这些算法描述和表示是数据处理领域的技术人员用以将其工作的主旨最有效地传达给所属领域的其他技术人员的方式。算法在这里并且通常被认为是引起所期望的结果的操作的自洽序列。操作是要求对物理量进行物理操纵的操作。通常(但未必)，这些量采用能够存储、组合、比较以及以其它方式操纵的电或磁信号的形式。已经证实，主要出于常用的原因，将这些信号称为位、值、要素、符号、字符、项、数字等等有时是便利的。
125.然而，应牢记，所有这些和类似术语将与适当物理量相关联，且仅仅是应用于这些量的便利的标签。本公开可涉及将计算机系统的寄存器和存储器内的表示为物理(电子)量的数据操纵和变换为计算机系统存储器或寄存器或其它这类信息存储系统内的类似地表示为物理量的其它数据的计算机系统或类似电子计算装置的动作和过程。
126.本发明还涉及一种用于执行本文中的操作的设备。此设备可以出于既定目的而专门构造，或其可包含由存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。此计算机程序可存储在计算机可读存储介质中，例如(但不限于)任何类型的盘(包含软盘、光盘、cd
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rom和磁性光盘)、只读存储器(rom)、随机存取存储器(ram)、eprom、eeprom、磁卡或光卡，或适合于存储电子指令的任何类型的介质，它们各自耦合到计算机系统总线。
127.本文中呈现的算法和显示在本质上并不与任何特定计算机或其它设备相关。各种通用系统可以与根据本文中的教示的程序一起使用，或可以证明构造用以执行所述方法的更加专用的设备是方便的。将如下文描述中所阐述的那样来呈现各种这些系统的结构。另外，不参考任何特定编程语言来描述本公开。应了解，可使用各种编程语言来实施如本文中所描述的本公开的教示。
128.本公开可以提供为计算机程序产品或软件，其可以包含在其上存储有可以用于编程计算机系统(或其它电子装置)以执行根据本公开的过程的指令的机器可读介质。机器可读介质包含用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机制。在一些实施例中，机器可读(例如，计算机可读)介质包含机器(例如，计算机)可读存储介质，例如只读存储器(“rom”)、随机存取存储器(“ram”)、磁盘存储介质、光学存储介质、快闪存储器组件等。
129.在本说明书中，各种功能和操作被描述为由计算机指令执行或由计算机指令引起以简化描述。然而，所属领域的技术人员将认识到，此类表达的意图在于，所述功能因一或多个控制器或处理器(例如，微处理器)执行计算机指令而产生。替代地或组合地，所述功能和操作可使用具有或不具有软件指令的专用电路系统来实施，例如使用专用集成电路(asic)或现场可编程门阵列(fpga)来实施。可使用无软件指令的硬接线电路系统或结合软件指令来实施实施例。因此，技术不限于硬件电路系统和软件的任何特定组合，也不限于由数据处理系统执行的指令的任何特定来源。
130.在前述说明书中，本公开的实施例已经参照其特定实例实施例进行描述。将显而易见的是，可在不脱离如所附权利要求书中阐述的本公开的实施例的更广精神和范围的情况下对本公开进行各种修改。因此，应在说明性意义上而非限制性意义上看待说明书及图式。