存储器存储单元特性分析电路的制作方法

[0001]
本发明涉及半导体电路测试技术，特别涉及一种存储器存储单元特性分析电路。


背景技术：

[0002]
传统的测量存储器的存储单元特性的方法是在测试模式下，要从低到高或从高到低扫描栅电压，再通过敏感放大器与参考电流进行比较，将结果最终转换为输出的逻辑电平，直到输出结果从“1”变为“0,”或从“0”变为“1”,来判断存储单元的特性。同理，也可通过扫描参考电流观察结果的转变来判断存储单元的特性。这两种方式都只能在一个完整的读周期内输出一个逻辑数值，并且要对一个存储单元扫描多次才能找到变化的临界值，读出的结果是存储单元电流与参考电流相对变化的结果，并不能快速直观的获得存储单元特性，也不利于在短时间内获得大量参考数据。


技术实现要素：

[0003]
本发明要解决的技术问题是提供一种存储器存储单元特性分析电路，能准确、快速、高效、直观地获得大量存储单元特性分析电流数据，直接可根据单元测试电流判断存储单元特性，大幅度提高了存储器存储单元特性分析效率。
[0004]
为解决上述技术问题，本发明提供的存储器存储单元特性分析电路，其包括逻辑电路模块、字线驱动器及位线驱动器；
[0005]
所述逻辑电路模块，输入端接外部时钟信号padclk,输出地址信号到字线驱动器及位线驱动器；每经过一个外部时钟周期，所述逻辑电路模块输出的地址加1；
[0006]
存储器的不同存储单元对应所述逻辑电路模块输出的不同地址；
[0007]
字线驱动器根据所述逻辑电路模块输出的地址接通相应存储单元的字线端到字线电压vg；
[0008]
位线驱动器根据所述逻辑电路模块输出的地址接通相应存储单元的位线端到位线电压vdd；
[0009]
所述位线驱动器的电流输出引脚pad2外接位线电压vdd，并输出单元测试电流。
[0010]
较佳的，存储器存储单元特性分析电路还包括字线电压产生电路模块；
[0011]
所述字线电压产生电路模块，用于产生字线电压vg并输出到所述字线驱动器的字线电压输入端。
[0012]
较佳的，所述字线驱动器的字线电压输入端通过字线电压焊垫pad1外接预设的字线电压vg。
[0013]
较佳的，所述外部时钟信号padclk的频率为5mhz到20mhz。
[0014]
较佳的，所述外部时钟信号padclk的频率为20mhz。
[0015]
较佳的，所述逻辑电路模块输出的地址默认初始值为0，地址位数为8到128。
[0016]
本发明的存储器存储单元特性分析电路，逻辑电路模块根据外部时钟信号padclk控制地址自动连续进位，使相应地址的存储单元依次接通，通过位线驱动器(bl driver)的
电流输出引脚pad2输出连续地址的存储单元电流，各个存储单元电流的输出时间由外部时钟信号padclk所控制，每一个外部时钟周期内，可通过位线驱动器的电流输出引脚pad2输出一个相应地址的存储单元的电流；同时，字线驱动器(wl driver)可以通过配合施加不同存储器字线电压，测量不同字线电压的存储单元电流。该存储器存储单元特性分析电路，在要测量的存储单元上直接加需要的电压，同时通过位线驱动器(bl driver)的电流输出引脚pad2输出单元测试电流，单元测试电流的输出时长能通过外部时钟信号padclk灵活调整，能准确、快速、高效、直观地获得大量存储单元特性分析电流数据，直接可根据单元测试电流判断存储单元特性，不需要对一个存储单元进行多次扫描和敏感放大器比较，大幅度提高了存储器存储单元特性分析效率。
附图说明
[0017]
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面对本发明所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]
图1是本发明的存储器存储单元特性分析电路一实施例示意图。
具体实施方式
[0019]
下面将结合附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0020]
实施例一
[0021]
如图1所示，存储器存储单元特性分析电路包括逻辑电路模块、字线驱动器及位线驱动器；
[0022]
所述逻辑电路模块，输入端接外部时钟信号padclk,输出地址信号到字线驱动器及位线驱动器；每经过一个外部时钟周期，所述逻辑电路模块输出的地址加1；
[0023]
存储器的不同存储单元对应所述逻辑电路模块输出的不同地址；
[0024]
字线驱动器根据所述逻辑电路模块输出的地址接通相应存储单元的字线端到字线电压vg；
[0025]
位线驱动器根据所述逻辑电路模块输出的地址接通相应存储单元的位线端到位线电压vdd；
[0026]
所述位线驱动器的电流输出引脚pad2外接位线电压vdd，并输出单元测试电流。
[0027]
实施例一的存储器存储单元特性分析电路，逻辑电路模块根据外部时钟信号padclk控制地址自动连续进位，使相应地址的存储单元依次接通，通过位线驱动器(bl driver)的电流输出引脚pad2输出连续地址的存储单元电流，各个存储单元电流的输出时间由外部时钟信号padclk所控制，每一个外部时钟周期内，可通过位线驱动器的电流输出引脚pad2输出一个相应地址的存储单元的电流；同时，字线驱动器(wl driver)可以通过配合施加不同存储器字线电压，测量不同字线电压的存储单元电流。该存储器存储单元特性分析电路，在要测量的存储单元上直接加需要的电压，同时通过位线驱动器(bl driver)的
电流输出引脚pad2输出单元测试电流，单元测试电流的输出时长能通过外部时钟信号padclk灵活调整，能准确、快速、高效、直观地获得大量存储单元特性分析电流数据，直接可根据单元测试电流判断存储单元特性，不需要对一个存储单元进行多次扫描和敏感放大器比较，大幅度提高了存储器存储单元特性分析效率。
[0028]
实施例二
[0029]
基于实施例一，所述存储器存储单元特性分析电路还包括字线电压产生电路模块；
[0030]
所述字线电压产生电路模块，用于产生字线电压vg并输出到所述字线驱动器的字线电压输入端。
[0031]
实施例二的存储器存储单元特性分析电路，存储单元栅控制电压(字线端电压)是由字线电压产生电路模块产生，可通过字线电压产生电路模块产生不同字线电压vg实现存储单元在不同字线电压下输出不同的电流。
[0032]
实施例三
[0033]
基于实施例一的存储器存储单元特性分析电路，所述字线驱动器的字线电压输入端通过字线电压焊垫pad1外接预设的字线电压vg。
[0034]
较佳的，所述外部时钟信号padclk的频率为5mhz到20mhz，例如可以为20mhz。
[0035]
较佳的，逻辑电路的输出地址默认初始值为0，地址位数为8到128。
[0036]
实施例三的存储器存储单元特性分析电路，通过字线电压焊垫pad1将预设的字线电压通过字线驱动器(wl driver)加到要测试的存储单元字线端上。可通过字线电压焊垫pad1外接预设的不同字线电压vg，实现存储单元在不同字线电压下输出不同的电流。
[0037]
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。