一种存储卡控制电路、存储卡控制方法及存储介质与流程

本发明涉及存储卡技术领域，尤其涉及一种存储卡控制电路、存储卡控制方法及存储介质。

背景技术：

sd/tf卡是一种基于半导体闪存记忆体的数据存储设备，广泛应用于各种电子设备，如ipc摄像机、babymonitor等。目前，sd/tf卡大多都支持热插拔，用户可根据需要在设备正常运作的情况下，将sd/tf卡从物理卡槽中插入拔出。但是在实际应用过程中，发现由于sd/tf卡质量参差不齐，在热插拔的压力和批量测试中，有时会出现识别失败、通信异常、甚至烧卡的问题，热插拔可靠性不高，在插卡启动或通信过程中，有时会出现异常状态，需要手动插拔卡进行恢复，无法软件恢复。

技术实现要素：

为了克服现有技术的缺陷，本发明提供一种存储卡控制电路、存储卡控制方法及存储介质，能够提高存储卡热插拔可靠性和插卡启动可靠性，以及提供软件恢复接口实现异常恢复。

为了解决上述技术问题，第一方面，本发明一实施例提供一种存储卡控制电路，包括卡电源开关电路和卡槽连接电路；

所述卡电源开关电路包括存储卡电源、设备电源、第一磁珠、mos管开关电路；

所述存储卡电源的电源输出端分别与所述第一磁珠的一端、所述mos管开关电路的漏极连接，所述设备电源的电源输出端分别与所述第一磁珠的另一端、所述mos管开关电路的源极连接，所述mos管开关电路的栅极与设备内控制芯片的通用输入输出接口gpio连接；

所述卡槽连接电路包括存储卡卡槽、若干个上拉电阻、第二磁珠；

所述存储卡卡槽的电源接口vdd与所述存储卡电源的电源输出端连接，所述存储卡卡槽的数据接口sdd0、数据接口sdd1、数据接口sdd2、数据接口sdd3、命令接口sdcmd、时钟接口sdclk分别通过一所述上拉电阻与所述存储卡电源的电源输出端连接，所述存储卡卡槽的卡检测接口cd通过一所述上拉电阻与所述设备电源或所述存储卡电源的电源输出端连接，所述存储卡卡槽的接地接口gnd通过所述第二磁珠接地，所述存储卡卡槽的公共连接接口vss接地。

进一步地，在所述存储卡卡槽的卡检测接口cd通过一所述上拉电阻与所述存储卡电源的电源输出端连接时，所述存储卡卡槽的卡检测接口cd还与所述控制芯片的通用输入输出接口gpio连接，且所述控制芯片被设置为芯片内部上拉。

进一步地，所述mos管开关电路包括mos管、第一电阻、第二电阻和第一电容；

所述mos管的源极通过所述第一电阻分别与所述第二电阻、所述第一电容的一端连接，所述mos管的栅极分别与所述第二电阻、所述第一电容的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述控制芯片的通用输入输出接口gpio连接，所述第一电容的另一端接地。

进一步地，所述卡槽连接电路还包括由第三电阻、第二电容、第三电容组成的滤波器；

所述存储卡电源的电源输出端分别与所述第三电阻、所述第二电容、所述第三电容的一端连接，所述第三电阻、所述第二电容、所述第三电容的另一端接地。

进一步地，所述卡槽连接电路还包括若干个双向tvs管；

所述存储卡卡槽的数据接口sdd0、数据接口sdd1、数据接口sdd2、数据接口sdd3、命令接口sdcmd、时钟接口sdclk、卡检测接口cd分别通过一所述双向tvs管接地。

进一步地，所述卡槽连接电路还包括第四电容；

所述存储卡卡槽的时钟接口sdclk通过所述第四电容接地。

进一步地，所述卡槽连接电路还包括若干个第四电阻；

所述存储卡卡槽的数据接口sdd0、数据接口sdd1、数据接口sdd2、数据接口sdd3、命令接口sdcmd、时钟接口sdclk、卡检测接口cd分别通过一所述第四电阻与所述存储卡的对应接口连接。

进一步地，所述mos管为pmos管。

第二方面，本发明一实施例提供一种应用如上所述的存储卡控制电路的存储卡控制方法，包括：

检测存储卡当前的插拔状态，并在所述当前的插拔状态与上一次检测的插拔状态不同时，判断所述当前的插拔状态是插卡状态还是拔卡状态；

若是插卡状态，则通过所述存储卡控制电路使能所述存储卡电源，若是拔卡状态，则通过所述存储卡控制电路禁止所述存储卡电源。

第三方面，本发明一实施例提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的计算机程序，其中，在所述计算机程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在设备执行如上所述的存储卡控制方法。

相比于现有技术，本发明的实施例，具有如下有益效果：

通过在硬件上为存储卡和控制芯片设置不同的电源域，并基于存储卡电源和设备电源设计卡电源开关电路，使控制芯片的通用输入输出接口gpio与mos管开关电路的栅极连接，使mos管开关电路的漏极与存储卡电源的电源输出端连接，使mos管开关电路的源极与设备电源的电源输出端连接，同时设计卡槽连接电路，使存储卡卡槽的电源接口vdd与存储卡电源的电源输出端连接，使存储卡卡槽的数据接口sdd0、数据接口sdd1、数据接口sdd2、数据接口sdd3、命令接口sdcmd、时钟接口sdclk分别通过一上拉电阻与存储卡电源的电源输出端连接，使存储卡卡槽的卡检测接口cd通过一上拉电阻与设备电源或存储卡电源的电源输出端连接，能够利用控制芯片根据所检测存储卡的插拔状态使能或禁止存储卡电源，在禁止存储卡电源时配置引脚高阻态，从而提高存储卡热插拔可靠性和插卡启动可靠性，以及提供软件恢复接口实现异常恢复。

附图说明

图1为本发明第一实施例中的一种存储卡控制电路的结构示意图；

图2为本发明第一实施例中的一种存储卡控制电路的另一结构示意图；

图3为本发明第二实施例中的一种存储卡控制方法的流程示意图；

图4为本发明第二实施例中的结合定时器轮询检测的插拔(不带电插卡)的流程示意图；

图5为本发明第二实施例中的结合定时器轮询检测的插拔(不带电插拔卡)的流程示意图；

图6为本发明第二实施例中的结合中断检测的插拔(不带电插卡)的流程示意图；

图7为本发明第二实施例中的结合中断检测的插拔(不带电插拔卡)的流程示意图；

图8为本发明第二实施例中的插卡启动复位卡机制的流程示意图；

图9为本发明第二实施例中的异常恢复机制的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1-2所示，本发明第一实施例提供一种存储卡控制电路，包括卡电源开关电路和卡槽连接电路；卡电源开关电路包括存储卡电源(tf_3v3)、设备电源(vdd_3v3)、第一磁珠(fb1)、mos管开关电路；存储卡电源(tf_3v3)的电源输出端分别与第一磁珠(fb1)的一端、mos管开关电路的漏极连接，设备电源(vdd_3v3)的电源输出端分别与第一磁珠(fb1)的另一端、mos管开关电路的源极连接，mos管开关电路的栅极与设备内控制芯片的通用输入输出接口gpio连接；卡槽连接电路包括存储卡卡槽(con)、若干个上拉电阻(r)、第二磁珠(fb2)；存储卡卡槽(con)的电源接口vdd与存储卡电源(tf_3v3)的电源输出端连接，存储卡卡槽(con)的数据接口sdd0、数据接口sdd1、数据接口sdd2、数据接口sdd3、命令接口sdcmd、时钟接口sdclk分别通过一上拉电阻(r)与存储卡电源(tf_3v3)的电源输出端连接，存储卡卡槽(con)的卡检测接口cd通过一上拉电阻(r)与设备电源(vdd_3v3)或存储卡电源(tf_3v3)的电源输出端连接，存储卡卡槽(con)的接地接口gnd通过第二磁珠(fb2)接地，存储卡卡槽(con)的公共连接接口vss接地。

需要说明的是，存储卡电源(tf_3v3)用于在控制芯片的控制下开启或关闭，设备电源(vdd_3v3)用于为控制芯片供电。

本实施例通过在硬件上为存储卡和控制芯片设置不同的电源域，并基于存储卡电源(tf_3v3)和设备电源(vdd_3v3)设计卡电源开关电路，使控制芯片的通用输入输出接口gpio与mos管开关电路的栅极连接，使mos管开关电路的漏极与存储卡电源(tf_3v3)的电源输出端连接，使mos管开关电路的源极与设备电源(vdd_3v3)的电源输出端连接，同时设计卡槽连接电路，使存储卡卡槽(con)的电源接口vdd与存储卡电源(tf_3v3)的电源输出端连接，使存储卡卡槽(con)的数据接口sdd0、数据接口sdd1、数据接口sdd2、数据接口sdd3、命令接口sdcmd、时钟接口sdclk分别通过一上拉电阻(r)与存储卡电源(tf_3v3)的电源输出端连接，使存储卡卡槽(con)的卡检测接口cd通过一上拉电阻(r)与设备电源(vdd_3v3)或存储卡电源(tf_3v3)的电源输出端连接，能够利用控制芯片根据所检测存储卡的插拔状态使能或禁止存储卡电源(tf_3v3)，在禁止存储卡电源(tf_3v3)时配置引脚高阻态，从而提高存储卡热插拔可靠性和插卡启动可靠性，以及提供软件恢复接口实现异常恢复。

在本实施例中，在存储卡卡槽(con)的卡检测接口cd通过一上拉电阻(r)与存储卡电源(tf_3v3)的电源输出端连接时，存储卡卡槽(con)的卡检测接口cd还与控制芯片的通用输入输出接口gpio连接，且控制芯片被设置为芯片内部上拉。

实际设计卡槽连接电路时，在存储卡卡槽(con)的数据接口sdd0、数据接口sdd1、数据接口sdd2、数据接口sdd3、命令接口sdcmd、时钟接口sdclk均不通过一上拉电阻(r)与存储卡电源(tf_3v3)的电源输出端连接，存储卡卡槽(con)的卡检测接口cd也不通过一上拉电阻(r)与设备电源(vdd_3v3)或存储卡电源(tf_3v3)的电源输出端连接时，存储卡卡槽(con)的数据接口sdd0、数据接口sdd1、数据接口sdd2、数据接口sdd3、命令接口sdcmd、时钟接口sdclk、卡检测接口cd可以通过控制芯片内部的上拉电阻进行上拉。

在本实施例中，mos管开关电路包括mos管(q)、第一电阻(r1)、第二电阻(r2)和第一电容(c2)；mos管(q)的源极通过第一电阻(r1)分别与第二电阻(r2)、第一电容(c2)的一端连接，mos管(q)的栅极分别与第二电阻(r2)、第一电容(c2)的一端连接，第二电阻(r2)的另一端与控制芯片的通用输入输出接口gpio连接，第一电容(c2)的另一端接地。

在本实施例的一优选实施方式中，mos管(q)为pmos管。

本实施例通过设计mos管开关电路，使控制芯片的通用输入输出接口gpio与mos管开关电路的栅极连接，使mos管开关电路的漏极与存储卡电源(tf_3v3)的电源输出端连接，使mos管开关电路的源极与设备电源(vdd_3v3)的电源输出端连接，以在控制芯片向mos管开关电路的栅极传输低电平时，导通mos管开关电路，实现使能存储卡电源(tf_3v3)，或者在控制芯片向mos管开关电路的栅极传输高电平时，断开mos管开关电路，实现禁止存储卡电源(tf_3v3)。

在本实施例的一优选实施方式中，第一电阻(r1)的阻值为100kω，第二电阻(r2)的阻值为1kω，第一电容(c2)的容值为100nf。

在本实施例中，卡槽连接电路还包括由第三电阻(r3)、第二电容(c2)、第三电容(c3)组成的滤波器；存储卡电源(tf_3v3)的电源输出端分别与第三电阻(r3)、第二电容(c2)、第三电容(c3)的一端连接，第三电阻(r3)、第二电容(c2)、第三电容(c3)的另一端接地。

本实施例通过在存储卡电源(tf_3v3)处设计滤波器，能够利用滤波器稳定电源输出。

在本实施例的一优选实施方式中，上拉电阻(r)的阻值为10kω。

在本实施例的一优选实施方式中，第三电阻(r3)的阻值为10kω，第二电容(c2)的容值为100nf，第三电容(c3)的容值为10uf。

在本实施例中，卡槽连接电路还包括若干个双向tvs管(d)；存储卡卡槽(con)的数据接口sdd0、数据接口sdd1、数据接口sdd2、数据接口sdd3、命令接口sdcmd、时钟接口sdclk、卡检测接口cd分别通过一双向tvs管(d)接地。

tvs(transientvoltagesuppressor)或称瞬变电压抑制二极管是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品，其电路符号和普通稳压二极管相同,外形也与普通二极管无异，当tvs管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度(最高达1*10^-12秒)使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。

本实施例通过在卡槽连接电路中设计双向tvs管(d)，使存储卡卡槽(con)的数据接口sdd0、数据接口sdd1、数据接口sdd2、数据接口sdd3、命令接口sdcmd、时钟接口sdclk、卡检测接口cd分别通过一双向tvs管(d)接地，有利于避免电流冲击，保护卡槽连接电路。

在本实施例中，卡槽连接电路还包括第四电容(c4)；存储卡卡槽(con)的时钟接口sdclk通过第四电容(c4)接地。

在本实施例的一优选实施方式中，第四电容(c4)的容值为100nf。

在本实施例中，卡槽连接电路还包括若干个第四电阻(r4)；存储卡卡槽(con)的数据接口sdd0、数据接口sdd1、数据接口sdd2、数据接口sdd3、命令接口sdcmd、时钟接口sdclk、卡检测接口cd分别通过一第四电阻(r4)与存储卡的对应接口连接。

可以理解的是，存储卡卡槽(con)的数据接口sdd0通过一第四电阻(r4)与存储卡的数据接口d0连接，存储卡卡槽(con)的数据接口sdd1通过一第四电阻(r4)与存储卡的数据接口d1连接，存储卡卡槽(con)的数据接口sdd2通过一第四电阻(r4)与存储卡的数据接口d2连接，存储卡卡槽(con)的数据接口sdd3通过一第四电阻(r4)与存储卡的数据接口d3连接，存储卡卡槽(con)的命令接口sdcmd通过一第四电阻(r4)与存储卡的命令接口cmd连接，存储卡卡槽(con)的时钟接口sdclk通过一第四电阻(r4)与存储卡的时钟接口clk连接、存储卡卡槽(con)的卡检测接口cd通过一第四电阻(r4)与控制芯片的通用输入输出接口gpio连接。

如图3所示，第二实施例提供一种应用如第一实施例所述的存储卡控制电路的存储卡控制方法，包括步骤s1～s2：

s1、检测存储卡当前的插拔状态，并在当前的插拔状态与上一次检测的插拔状态不同时，判断当前的插拔状态是插卡状态还是拔卡状态；

s2、若是插卡状态，则通过存储卡控制电路使能存储卡电源(tf_3v3)，若是拔卡状态，则通过存储卡控制电路禁止存储卡电源(tf_3v3)。

可以理解的是，通过根据存储卡当前的插拔状态使能/禁止存储卡电源(tf_3v3)，实现不带电插拔机制。当禁止存储卡电源(tf_3v3)时，可配置控制芯片连接到存储卡的引脚为高阻态，实现插卡启动复位卡机制和异常恢复机制。

本实施例通过应用存储卡控制电路，能够利用控制芯片根据所检测存储卡的插拔状态使能或禁止存储卡电源(tf_3v3)，在禁止存储卡电源(tf_3v3)时配置引脚高阻态，从而提高存储卡热插拔可靠性和插卡启动可靠性，以及提供软件恢复接口实现异常恢复。

作为示例性地，应用存储卡控制电路的存储卡控制方法，可以结合定时器轮询检测、中断检测等卡检测方法实现不带电插拔机制。

如图4所示，结合定时器轮询检测的插拔(不带电插卡)的流程步骤具体如下：

1、用户实施插拔卡动作；

2、软件定时器的轮询，获取卡的状态；

3、与上次记录的卡状态对比，如果获取的卡状态与上次记录的卡状态相等则执行步骤6，如果不等则执行步骤4；

4、判断当前卡的状态，如果当前卡的状态为拔出则禁止sd/tf卡电路的电源，如果为插入则使能sd/tf卡电路的电源；

5、触发linux内核的mmc框架枚举sd/tf卡；

linux内核的mmc框架会调用mmc_rescan，后者按照mmc/sd协议发送命令，进行卡的初始化和识别流程，并在mmc框架中注册抽象描述sd/tf卡的软件实体；

6、重新设置软件定时器轮询。

如图5所示，结合定时器轮询检测的插拔(不带电插拔卡)的流程步骤具体如下：

1、插卡可以直接实施拔卡操作；若拔卡则需要先通过软件接口禁止sd/tf卡电路的电源；

2、用户实施插拔卡动作；

3、软件定时器的轮询，获取卡的状态；

4、与上次记录的卡状态对比，如果获取的卡状态与上次记录的卡状态相等则执行步骤7，如果不等则执行步骤5；

5、判断当前卡的状态，如果当前卡的状态为拔出则禁止sd/tf卡电路的电源，如果为插入则使能sd/tf卡电路的电源。

6、触发linux内核的mmc框架枚举sd/tf卡；

7、重新设置软件定时器轮询。

如图6所示，结合中断检测的插拔(不带电插卡)的流程步骤具体如下：

1、用户实施插拔卡动作；

2、触发中断，进入中断处理函数，关中断，清中断状态位；

3、获取卡的状态，并记录下来；

4、防抖处理：延迟一段时间后，再次获取卡状态；

5、与上次记录的卡状态对比，如果获取的卡状态与上次记录的卡状态相等则执行步骤8，如果不等则执行步骤6；

6、判断当前卡的状态，如果当前卡的状态为拔出则禁止sd/tf卡电路的电源，如果为插入则使能sd/tf卡电路的电源；

7、触发linux内核的mmc框架枚举sd/tf卡；

8、重新设置中断配置。

如图7所示，结合中断检测的插拔(不带电插拔卡)的流程步骤具体如下：

1、插卡可以直接实施拔卡操作，若拔卡则需要先通过软件接口禁止sd/tf卡电路的电源；

2、用户实施插拔卡动作；

3、触发中断，进入中断处理函数，关中断，清中断状态位；

4、获取卡的状态，并记录下来；

5、防抖处理：延迟一段时间后，再次获取卡状态；

6、与上次记录的卡状态对比，如果获取的卡状态与上次记录的卡状态相等则执行步骤9，如果不等则执行步骤7；

7、判断当前卡的状态，如果当前卡的状态为拔出则禁止sd/tf卡电路的电源，如果为插入则使能sd/tf卡电路的电源；

8、触发linux内核的mmc框架枚举sd/tf卡；

9、重新设置中断配置。

由图4、图6可知，存储卡电源(tf_3v3)在插卡过程中处于禁止状态。不带电插卡能够避免带电插卡概率性出现的识别失败、通信异常、甚至烧卡等问题，从而提高热插拔可靠性。

由图5、图7可知，存储卡电源(tf_3v3)在插卡和拔卡过程中处于禁止状态，进一步提高热插拔可靠性。

作为示例性地，应用存储卡控制电路的存储卡控制方法，可以在禁止存储卡电源(tf_3v3)时配置控制芯片引脚高阻态实现插卡启动复位卡机制。

如图8所示，插卡启动复位卡机制的流程步骤具体如下：

1、系统启动，加载驱动；

2、配置控制芯片连接到sd/tf卡的引脚为高阻态：引脚为gpio功能，禁止上拉和下拉，配置为输入模式；

3、禁止sd/tf卡电路的电源；

4、延迟一段时间(例如500毫秒)；

5、使能sd/tf卡电路的电源；

6、配置控制芯片连接到sd/tf卡的引脚为sd总线引脚，使能芯片内部上拉；

7、触发linux内核的mmc框架枚举sd/tf卡。

其中，有效复位的关键在于禁止存储卡电源(tf_3v3)的同时，将控制芯片连接到存储卡的引脚配置为高阻态。

根据图1-2，存储卡卡槽(con)的数据接口sdd0、数据接口sdd1、数据接口sdd2、数据接口sdd3、命令接口sdcmd、时钟接口sdclk等引脚通过上拉电阻(r)，上拉至存储卡电源(tf_3v3)，将这些引脚设置为高阻态，可以避免这些引脚的电流通过“上拉电阻(r)-->存储卡电源(tf_3v3)->存储卡卡槽(con)的电源接口vdd”的路径倒灌进入存储卡导致存储卡无法有效地复位。

作为示例性地，应用存储卡控制电路的存储卡控制方法，可以在禁止存储卡电源(tf_3v3)时配置控制芯片引脚高阻态实现异常恢复机制。

如图9所示，异常恢复机制的流程步骤具体如下：

1、用户通过异常恢复的软件接口，触发异常恢复流程；

2、配置控制芯片连接到sd/tf卡的引脚为高阻态：引脚为gpio功能，禁止上拉和下拉，配置为输入模式；

3、禁止sd/tf卡电路的电源；

4、触发linux内核的mmc框架枚举sd/tf卡；

5、延迟一段时间(例如1秒)；

6、使能sd/tf卡电路的电源；

7、配置控制芯片连接到sd/tf卡的引脚为sd总线引脚，使能芯片内部上拉；

8、触发linux内核的mmc框架枚举sd/tf。

其中，异常恢复的关键在于禁止存储卡电源(tf_3v3)的同时，将控制芯片连接到存储卡的引脚配置为高阻态。

根据图1-2，存储卡卡槽(con)的数据接口sdd0、数据接口sdd1、数据接口sdd2、数据接口sdd3、命令接口sdcmd、时钟接口sdclk等引脚通过上拉电阻(r)，上拉至存储卡电源(tf_3v3)，将这些引脚设置为高阻态，可以避免这些引脚的电流通过“上拉电阻(r)-->存储卡电源(tf_3v3)->存储卡卡槽(con)的电源接口vdd”的路径倒灌进入存储卡导致存储卡无法有效地恢复。

第三实施例提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质包括存储的计算机程序，其中，在计算机程序运行时控制计算机可读存储介质所在设备执行如第二实施例所述的存储卡控制方法，且能达到与之相同的有益效果。

综上所述，本发明的实施例，具有如下有益效果：

通过在硬件上为存储卡和控制芯片设置不同的电源域，并基于存储卡电源(tf_3v3)和设备电源(vdd_3v3)设计卡电源开关电路，使控制芯片的通用输入输出接口gpio与mos管开关电路的栅极连接，使mos管开关电路的漏极与存储卡电源(tf_3v3)的电源输出端连接，使mos管开关电路的源极与设备电源(vdd_3v3)的电源输出端连接，同时设计卡槽连接电路，使存储卡卡槽(con)的电源接口vdd与存储卡电源(tf_3v3)的电源输出端连接，使存储卡卡槽(con)的数据接口sdd0、数据接口sdd1、数据接口sdd2、数据接口sdd3、命令接口sdcmd、时钟接口sdclk分别通过一上拉电阻(r)与存储卡电源(tf_3v3)的电源输出端连接，使存储卡卡槽(con)的卡检测接口cd通过一上拉电阻(r)与设备电源(vdd_3v3)或存储卡电源(tf_3v3)的电源输出端连接，能够利用控制芯片根据所检测存储卡的插拔状态使能或禁止存储卡电源(tf_3v3)，在禁止存储卡电源(tf_3v3)时配置引脚高阻态，从而提高存储卡热插拔可靠性和插卡启动可靠性，以及提供软件恢复接口实现异常恢复。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各实施例的流程。其中，所述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(read-onlymemory，rom)或随机存储记忆体(randomaccessmemory，ram)等。