技术特征：
1.一种方法，其包括：
确定待存储在存储器装置的存储器单元处的逻辑状态，所述逻辑状态待由存储在所述存储器单元处的阈值电压表示；
确定与所述逻辑状态相关联的验证参考电压，所述验证参考电压限定与所述逻辑状态相关联的所述阈值电压的目标电压电平；
在将热量施加到所述存储器装置之后，使用针对所述存储器单元的所述阈值电压中的预期移位的补偿量来更新所述验证参考电压；以及
在将所述热量施加到所述存储器装置之前，将多组多个编程脉冲施加到所述存储器单元直至符合阈值条件为止，其中所述阈值条件与所述存储器单元的所述阈值电压相对于经更新验证参考电压的相对量值相关联。
2.根据权利要求1所述的方法，其中更新所述验证参考电压包括：
至少基于所述逻辑状态和与所述热量相关联的热分布来确定所述补偿量，所述热分布包括与所述热量相关联的温度和将所述热量施加到所述存储器装置的时间段；以及
通过将所述验证参考电压与所述补偿量组合来更新所述验证参考电压。
3.根据权利要求2所述的方法，其中与较低逻辑状态相关联的所述补偿量小于与较高逻辑状态相关联的所述补偿量。
4.根据权利要求1所述的方法，其中施加所述多组多个编程脉冲包括：
将第一组多个编程脉冲施加到所述存储器单元以确定到所述存储器单元的所述阈值电压；
通过比较所述经更新验证参考电压与所述存储器单元的当前阈值电压来确定是否符合所述阈值条件；以及
响应于确定不符合所述阈值条件，将第二组多个编程脉冲施加到所述存储器单元，所述第二组多个编程脉冲以比所述第一组多个编程脉冲高的电压电平被施加。
5.根据权利要求1所述的方法，其中施加所述多组多个编程脉冲包括：
在相同电压电平下施加一组多个编程脉冲，所述多个编程脉冲中的每一者被连续地施加到所述存储器单元。
6.根据权利要求1所述的方法，其中施加所述多组多个编程脉冲包括：
基于所述逻辑状态确定一组编程脉冲的数量。
7.根据权利要求1所述的方法，其中施加所述多组多个编程脉冲包括：
基于一组多个编程脉冲已施加到所述存储器单元的次数或所述热量待施加到所述存储器装置的次数中的至少一个，确定用于连续两组多个编程脉冲的电压电平的差。
8.一种系统，其包括：
存储器装置；以及
处理装置，其与所述存储器装置以操作方式耦合，所述处理装置被配置成执行包括以下各项的操作：
确定待存储在所述存储器装置的存储器单元处的逻辑状态，所述逻辑状态待由存储在所述存储器单元处的阈值电压表示；
确定与所述逻辑状态相关联的验证参考电压，所述验证参考电压限定与所述逻辑状态相关联的所述阈值电压的目标电压电平；
在将热量施加到所述存储器装置之后，使用针对所述存储器单元的所述阈值电压中的预期移位的补偿量来更新所述验证参考电压；以及
在将所述热量施加到所述存储器装置之前，将多组多个编程脉冲施加到所述存储器单元直至符合阈值条件为止，其中所述阈值条件与所述存储器单元的所述阈值电压相对于经更新验证参考电压的相对量值相关联。
9.根据权利要求8所述的系统，其中更新所述验证参考电压包括：
至少基于所述逻辑状态和与所述热量相关联的热分布来确定所述补偿量，所述热分布包括与所述热量相关联的温度和将所述热量施加到所述存储器装置的时间段；以及
通过将所述验证参考电压与所述补偿量组合来更新所述验证参考电压。
10.根据权利要求9所述的系统，其中与较低逻辑状态相关联的所述补偿量小于与较高逻辑状态相关联的所述补偿量。
11.根据权利要求8所述的系统，其中施加所述多组多个编程脉冲包括：
将第一组多个编程脉冲施加到所述存储器单元以确定到所述存储器单元的所述阈值电压；
通过比较所述经更新验证参考电压与所述存储器单元的当前阈值电压来确定是否符合所述阈值条件；
响应于确定不符合所述阈值条件，将第二组多个编程脉冲施加到所述存储器单元，所述第二组多个编程脉冲以比所述第一组多个编程脉冲高的电压电平被施加；以及
响应于确定符合所述阈值条件，停止将所述多组多个编程脉冲施加到所述存储器单元。
12.根据权利要求8所述的系统，其中施加所述多组多个编程脉冲包括：
在相同电压电平下施加一组多个编程脉冲，所述多个编程脉冲中的每一者被连续地施加到所述存储器单元。
13.根据权利要求8所述的系统，其中施加所述多组多个编程脉冲包括：
基于所述逻辑状态确定包括一组的编程脉冲数量。
14.根据权利要求8所述的系统，其中施加所述多组多个编程脉冲包括：
基于一组多个编程脉冲已施加到所述存储器单元的次数或所述热量待施加到所述存储器装置的次数中的至少一个，确定用于连续两组多个编程脉冲的电压电平的差。
15.一种方法，其包括：
确定待存储在存储器装置的存储器单元处的逻辑状态，所述逻辑状态待由存储在所述存储器单元处的阈值电压表示；
确定与所述逻辑状态相关联的验证参考电压，所述验证参考电压限定与所述逻辑状态相关联的所述阈值电压的目标电压电平；
在将热量施加到所述存储器装置之后，至少基于与所述热量相关联使用的热分布，确定针对所述存储器单元的所述阈值电压中的预期移位的补偿量；
使用所述补偿量更新所述验证参考电压；以及
基于经更新验证参考电压确定是否继续将编程脉冲施加到所述存储器单元，其中在将所述热量施加到所述存储器装置之前，将所述编程脉冲施加到所述存储器单元。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述热分布包括与所述热量相关联的温度和将所述热量施加到所述存储器装置的时间段。
17.根据权利要求16所述的方法，其中与所述热量相关联的所述温度对应于峰值温度，且所述时间段对应于所述热量在施加到所述存储器装置时达到所述峰值温度的持续时间。
18.根据权利要求15所述的方法，其中确定是否继续将所述编程脉冲施加到所述存储器单元包括：
比较所述存储器单元的当前阈值电压与所述经更新验证参考电压；
响应于确定所述存储器单元的所述阈值电压尚未达到所述经更新验证参考电压，确定继续将所述编程脉冲施加到所述存储器单元；以及
响应于确定所述存储器单元的所述阈值电压已达到所述经更新验证参考电压，确定不继续将所述编程脉冲施加到所述存储器单元。
19.根据权利要求15所述的方法，其中确定所述补偿量进一步是基于所述逻辑状态或将所述热量施加到所述存储器装置的次数中的至少一个。
20.一种设备，其包括：
多个存储器单元；以及
处理装置，其被配置成执行包括以下各项的操作：
确定待存储在所述多个存储器单元的存储器单元处的逻辑状态，所述逻辑状态待由存储在所述存储器单元处的阈值电压表示；
确定与所述逻辑状态相关联的验证参考电压，所述验证参考电压限定与所述逻辑状态相关联的所述阈值电压的目标电压电平；
在将热量施加到所述设备之后，使用针对所述存储器单元的所述阈值电压中的预期移位的补偿量来更新所述验证参考电压；以及
在将所述热量施加到所述设备之前，将多组多个编程脉冲施加到所述存储器单元直至符合阈值条件为止，其中所述阈值条件与所述存储器单元的所述阈值电压相对于经更新验证参考电压的相对量值相关联。
技术总结
本申请涉及管理用于回流工艺的存储器装置的预编程。确定待存储在存储器装置的存储器单元处的逻辑状态，其中所述逻辑状态待由存储在所述存储器单元处的阈值电压表示。确定与所述逻辑状态相关联的验证参考电压。所述验证参考电压限定与所述逻辑状态相关联的所述阈值电压的目标电压电平。在将热量施加到所述存储器装置之后，使用针对所述存储器单元的所述阈值电压中的预期移位的补偿量来更新所述验证参考电压。在将所述热量施加到所述存储器装置之前，将多组多个编程脉冲施加到所述存储器单元直至符合阈值条件为止。所述阈值条件与所述存储器单元的所述阈值电压相对于经更新验证参考电压的相对量值相关联。
技术研发人员：J-H·申;F·S·库山;T·伊瓦萨基;J·纳亚尔
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2020.12.14
技术公布日：2021.06.18
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