一种NANDFLASH存储器并行测试及坏块回写方法与流程

本发明涉及电子元器件检测技术领域，尤其涉及一种nandflash存储器并行测试及坏块回写方法。

背景技术：

nandflash属于非易失性存储器，具有掉电后数据不丢失的特点。和传统的norflash相比，nandflash具有容量大、性价比高、擦写次数多、存储寿命长等优点，但是nandflash的缺点在于其存储阵列内部具有坏块，并且随着使用频率的增加坏块数量会随之增加。

普通存储器如sram、eprom、norflash的测试逻辑为：将其所有存储阵列按照一定的规则写入数据，等待写入完成之后读出，对比读出的数据与写入的数据是否一致，出现不一致则判定存储器不合格。测试过程不需要进行跳转和多次判断，直接比对数据即可得出测试结论。nandflash实际测试时，整个测试过程中需进行多次判断被测块的质量，每次需根据判断的结果来决定下一步的测试内容；并且，由于存储器的差异，坏块出现的地址不同，决定了测试图形向量的长度和内容并不完全相同，即同一型号不同存储器的测试图形未必相同。

因此不能使用统一的随机图形向量法对nandflash进行测试，现有的测试技术只能单独对一个nandflash进行测试，无法对多个nandflash进行并行测试。但nandfalsh容量一般为若干个gb，写入数据操作和擦除操作都需要等待一定的时间，随着容量的不断增加，单独对1个nandfalsh进行测试的测试成本太高，同时会造成资源的极大浪费。

技术实现要素：

为解决上述问题，本发明提出一种nandflash存储器并行测试及坏块回写方法，解决现有技术中无法对多个nandflash存储器进行并行测试的问题。

本发明采用如下技术方案：

一种nandflash存储器并行测试及坏块回写方法，该方法包括：

读取多个存储器id并将存储器id与预设id进行比较，根据比较结果判断每个存储器是否初步合格；

在存储器为初步合格的情况下，判断初步合格的存储器中每一个逻辑单元的第0块是否为非坏块；

针对每一个逻辑单元的第0块为非坏块的存储器，分别确定每一个存储器中每一个逻辑单元的初始坏块数量；

判断每一个第0块为非坏块的存储器是否为空片；

在每一个第0块为非坏块的存储器为空片的情况下，识别出测试过程中新产生的坏块，分别确定为空片的存储器中每一个逻辑单元的新产生的坏块数量并按照预定规则对新产生的坏块进行回写；

基于为空片的存储器中每一个逻辑单元的初始坏块数量和新产生的坏块数量判断对应存储器是否合格。

优选的，根据比较结果判断每个存储器是否初步合格包括：若存储器id与预设id匹配，则id匹配的存储器判定为初步合格；若存储器id与预设id不匹配，则id不匹配的存储器判定为初步不合格。

优选的，该方法还包括：读取匹配失效管脚的数据；将匹配失效管脚的数据与预设id的数据不一致的存储器定位为初步不合格的存储器。

优选的，判断初步合格的存储器中每一个逻辑单元的第0块是否为非坏块包括：读取初步合格的存储器中每一个逻辑单元的第0块的数据；基于读取的数据验证第0块是否为空；对第0块为空的每一个存储器中每一个逻辑单元的第0块写入数据；读取所述写入数据，并判断写入的数据与读取的数据是否一致，若一致确定第0块为非坏块，否则确定第0块为坏块。

优选的，分别确定每一个存储器中每一个逻辑单元的初始坏块数量包括：读取每一个存储器中每一个逻辑单元中的预先标注的坏块字节；对读取到坏块字节的次数进行累加得到每一个存储器中每一个逻辑单元的坏块数量。

优选的，判断每一个第0块为非坏块的存储器是否为空片包括：对每一个第0块为非坏块的存储器的所有逻辑单元进行所有块的全片读取，全片读取为对块从第0块遍历到第z块；判断当前遍历的块是否为初始坏块；在当前遍历的块不是初始坏块的情况下，进行数据读取；在当前遍历的块是初始坏块的情况下，不进行数据读取，等待其他存储器完成当前遍历的块的数据读取后，同步进行下一个块的数据读取；若读取到存储器中所有逻辑单元的所有块的数据均为空，则所有块的数据均为空的存储器为空片；若读取到存储器中任意一个逻辑单元的任意一个块的数据为非空，则任意一个块的数据为非空的存储器为非空片。

优选的，识别出测试过程中新产生的坏块，分别确定为空片的存储器中每一个逻辑单元的新产生的坏块数量并按照预定规则对新产生的坏块进行回写包括：判断每一个存储器的每一个逻辑单元的每一块是否为初始坏块；在当前块是初始坏块的情况下，不进行识别操作，等待其他存储器完成当前块的识别操作后，同步进行下一个块的识别操作；对识别出的新产生的坏块的次数进行累加得到为空片的存储器中每一个逻辑单元的新产生的坏块数量；对识别出的新产生的坏块按照预定规则进行回写；其中，识别操作包括：在当前块不是初始坏块的情况下，进行数据写入和读取；判断所述写入数据与所述读取数据是否一致，若一致，则当前块为非坏块，否则当前块为新产生的坏块；对新产生的坏块进行数据擦除。

优选的，写入数据的格式包括全0、棋盘格和反棋盘格，上一种格式的数据写入读取和擦除之后再进行下一种格式的数据的写入读取和擦除。

优选的，该方法还包括：在所述上一种格式的数据写入读取和擦除之后，判断当前块内的数据是否为空，在当前块内的数据为空的情况下，进行下一种格式的数据的写入读取和擦除。

优选的，基于为空片的存储器中每一个逻辑单元的初始坏块数量和新产生的坏块数量判断存储器是否合格包括：若为空片的存储器中每一个逻辑单元的初始坏块的数量与新产生的坏块的数量之和均不超过预定数量，则判定存储器合格；若为空片的存储器中任意一个逻辑单元的初始坏块的数量与新产生的坏块的数量之和超过预定数量，则判定存储器不合格。

本发明提供的nandflash存储器并行测试及坏块回写方法，该方法先读取多个存储器id判断每个存储器是否初步合格，在存储器为初步合格的情况下，判断初步合格的存储器中每一个逻辑单元的第0块是否为非坏块，在存储器第0块为非坏块的情况下，分别确定每一个存储器中每一个逻辑单元的初始坏块数量，在每一个第0块为非坏块的存储器为空片的情况下，识别出测试过程中新产生的坏块，按照预定规则对新产生的坏块进行回写，最后基于为空片的存储器中每一个逻辑单元的初始坏块数量和新产生的坏块数量判断存储器是否合格。本发明的nandflash存储器并行测试及坏块回写方法能够实现多个nandflash存储器的并行测试，能够有效识别出测试过程中新产生的坏块并进行回写，提升了测试效率，同时对预设的原有标志位进行了保护。

附图说明

所包括的附图用来提供对本发明实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本发明的实施例，并与文字描述一起来阐释本发明的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明nandflash存储器并行测试及坏块回写方法的流程示意图。

图2是本发明具体实施例中步骤一的流程示意图。

图3是本发明具体实施例中步骤二的流程示意图。

图4是本发明具体实施例中步骤三的流程示意图。

图5是本发明具体实施例中步骤四的流程示意图。

图6是本发明具体实施例中步骤五的流程示意图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

图1是本发明nandflash存储器并行测试及坏块回写方法的流程示意图。参照图1，本发明提出一种nandflash存储器并行测试及坏块回写方法，该方法包括：步骤一、读取多个存储器id并将存储器id与预设id进行比较，根据比较结果判断每个存储器是否初步合格；步骤二、在存储器为初步合格的情况下，判断初步合格的存储器中每一个逻辑单元(lun)的第0块是否为非坏块；步骤三、针对每一个lun的第0块为非坏块的存储器，分别确定每一个存储器中每一个lun的初始坏块数量；步骤四、判断每一个第0块为非坏块的存储器是否为空片；在每一个第0块为非坏块的存储器为空片的情况下，识别出测试过程中新产生的坏块，分别确定为空片的存储器中每一个lun的新产生的坏块数量并按照预定规则对新产生的坏块进行回写；步骤六、基于为空片的存储器中每一个lun的初始坏块数量和新产生的坏块数量判断对应存储器是否合格。

本发明步骤一中若存储器id与预设id匹配，则与预设id匹配的存储器判定为初步合格；若存储器id与预设id不匹配，则与预设id不匹配的存储器判定为初步不合格。通过读取匹配失效管脚的数据，然后将匹配失效管脚的数据与预设id的数据不一致的存储器定位为初步不合格的存储器。

本发明步骤二中判断初步合格的存储器中每一个lun的第0块是否为非坏块包括如下步骤：读取初步合格的存储器中每一个lun的第0块的数据；基于读取的数据验证第0块是否为空；对第0块为空的每一个存储器中每一个lun的第0块写入数据；读取所述写入数据，并判断写入的数据与读取的数据是否一致，若一致确定第0块为非坏块，否则确定第0块为坏块。

本发明步骤三中分别确定每一个存储器中每一个lun的初始坏块数量包括如下步骤：读取每一个存储器中每一个lun中的预先标注的坏块字节；对读取到坏块字节的次数进行累加得到每一个存储器中每一个lun的坏块数量。

本发明步骤四中判断每一个第0块为非坏块的存储器是否为空片包括如下步骤：对每一个第0块为非坏块的存储器的所有lun进行所有块的全片读取，全片读取为对块从第0块遍历到第z块；判断当前遍历的块是否为初始坏块；在当前遍历的块不是初始坏块的情况下，进行数据读取；在当前遍历的块是初始坏块的情况下，不进行数据读取，等待其他存储器完成当前遍历的块的数据读取后，同步进行下一个块的数据读取；若读取到存储器中所有lun的所有块的数据均为空，则所有块的数据均为空的存储器为空片；若读取到存储器中任意一个lun的任意一个块的数据为非空，则任意一个块的数据为非空的存储器为非空片。

本发明步骤五中识别出测试过程中新产生的坏块，分别确定为空片的存储器中每一个lun的新产生的坏块数量并按照预定规则对新产生的坏块进行回写包括：判断每一个存储器的每一个lun的每一块是否为初始坏块；在当前块是初始坏块的情况下，不进行识别操作，等待其他存储器完成当前块的识别操作后，同步进行下一个块的识别操作；对识别出的新产生的坏块的次数进行累加得到为空片的存储器中每一个lun的新产生的坏块数量；对识别出的新产生的坏块按照预定规则进行回写；其中，识别操作包括：在当前块不是初始坏块的情况下，进行数据写入和读取；判断所述写入数据与所述读取数据是否一致，若一致，则当前块为非坏块，否则当前块为新产生的坏块；对新产生的坏块进行数据擦除。

本发明步骤六中基于为空片的存储器中每一个lun的初始坏块数量和新产生的坏块数量判断存储器是否合格包括如下步骤：若为空片的存储器中每一个lun的初始坏块的数量与新产生的坏块的数量之和均不超过预定数量，则判定存储器合格；若为空片的存储器中任意一个lun的初始坏块的数量与新产生的坏块的数量之和超过预定数量，则判定存储器不合格。

本发明上述步骤中的写入数据的格式包括全0、棋盘格和反棋盘格，上一种格式的数据写入读取和擦除之后再进行下一种格式的数据的写入读取和擦除。在所述上一种格式的数据写入读取和擦除之后，判断当前块内的数据是否为空，在当前块内的数据为空的情况下，进行下一种格式的数据的写入读取和擦除。

本发明的上述方法中数据读取操作通过块读取模块执行，数据写入操作通过块编程模块执行，数据擦除操作通过块擦除模块执行，坏块字节的读取通过字节随机读取模块执行，坏块的回写通过字节随机写入模块执行；确定初始坏块数量通过初始坏块累加模块执行；确定新产生的坏块数量通过新坏块累加模块执行；对坏块存储器片选信号的拉高操作通过坏块处理模块执行。

为方便说明，给出两个nandflash存储器并行测试及坏块回写的具体实施例。图2是本发明具体实施例中步骤一的流程示意图。步骤一、读取多个存储器id并判断每个存储器是否初步合格。参照图2，读取多个存储器id，若存储器id与预设id不匹配，则与预设id不匹配的存储器判定为初步不合格。通过读取匹配失效管脚的数据，将匹配失效管脚的数据与预设id的数据不一致的存储器定位为初步不合格的存储器。

图3是本发明具体实施例中步骤二的流程示意图。假设上述两个存储器均为初步合格，进行步骤二，判断两个初步合格的存储器中每一个lun的第0块是否为非坏块。参照图3，通过块读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第0块第0页第0个地址，读取第0块的所有数据，若第0块的所有数据全为全高(ffh)，则判定第0块为空，继续测试，若第0块的所有数据不全为ffh，则判定第0块为非空，终止测试。

其中，对于第一个lun的第0块为空的存储器，通过块编程模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第0块第0页第0个地址，为第0块所有写入格式为全0的数据；通过块读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第0块第0页第0个地址，读取第0块的所有数据，若第0块的所有数据为全0，则通过块擦除模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第0块第0页第0个地址，擦除第0块的所有数据；然后再通过块读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中每一个存储器的第一个lun的第0块第0页第0个地址，读取第0块的所有数据，若第0块的所有数据全为ffh，则判定第0块为空，然后采用上述方式分别写入格式为棋盘格的数据和格式为反棋盘格的数据。然后对两个存储器中每一个存储器进行下一个lun的第0块的测试。图3只示出了两个存储器中每一个存储器的第一个lun的测试过程，其他lun的测试过程与第一个lun的测试过程相同。若测试过程中任意一种格式的数据的写入和读取不一致，则判定对应存储器的第0块为坏块，该坏块所属的存储器终止测试。通过读取失效管脚的数据，定位出失效存储器是第一存储器还是第二存储器，并终止失效存储器的测试。

本发明中的写入数据的格式包括全0、棋盘格和反棋盘格，上一种格式的数据写入读取和擦除之后再进行下一种格式的数据的写入读取和擦除，这三种写入数据的格式顺序不作限定，可以互换。其中，数据的格式为全0即写入的数据都是0。在所述上一种格式的数据写入读取和擦除之后，判断当前块内的数据是否为空，在当前块内的数据为空的情况下，进行下一种格式的数据的写入读取和擦除。对存储器测试的故障覆盖率取决于写入数据的格式，使用全0，棋盘格，反棋盘格三种格式的数据分别进行遍历，可以覆盖固0，固1，地址译码故障，短路、开路等常见的存储器故障，在测试时间允许的范围最大程度的增加了测试故障覆盖率。

图4是本发明具体实施例中步骤三的流程示意图。参照图4，假设上述两个存储器每一个lun的第0块均为非坏块，进行步骤三，确定这两个存储器中每一个lun的初始坏块数量。由于nandflash存储器内含有初始坏块，出厂时厂家会在每一块的标志位即该块的第0页第0个冗余字节标注出该块是否为坏块，以方便后续使用和测试；若该块标志位的数据为ffh，则为非初始坏块，若该块标志位的数据为00h，则为初始坏块。

通过字节随机读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第0块第0页第0个冗余地址，读取第0块第0页第0个冗余字节的数据，若数据为ffh，则继续通过字节随机读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第1块第0页第0个冗余地址，读取第1块第0页第0个冗余字节的数据，数据为ffh，然后按照上述方法依次进行第一个lun的第2块至第x-1块的测试，直至通过字节随机读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第x块第0页第0个冗余地址，读取第x块第0页第0个冗余字节的数据，若数据为00h，则通过初始坏块累加模块，判断初始坏块标注的来源，若初始坏块来自于第一存储器，则第一存储器的初始坏块数量寄存器加1，即m1 ，若初始坏块来自于第二存储器，则第二存储器的初始坏块数量寄存器加1，即m2 ，然后按照上述方法依次进行第一个lun的第x 1块至第z-1块的测试，直至通过字节随机读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第z块第0页第0个冗余地址，读取第z块第0页第0个冗余字节的数据，数据为ffh，至此，完成了两个存储器第一个lun的所有块的测试。然后再按上述方法确定下一个lun的初始坏块数量。图4只示出了两个存储器中每一个存储器的第一个lun的测试过程，其他lun的测试过程与第一个lun的测试过程相同。通过读取失效管脚的数据，定位出失效存储器是第一存储器还是第二存储器，并终止失效存储器的测试。其中，m1代表第一存储器的初始坏块数量；m1 代表第一存储器的初始坏块数量寄存器加1；m2代表第二存储器的初始坏块数量；m2 代表第二存储器的初始坏块数量寄存器加1；第z块代表最后一个块。

图5是本发明具体实施例中步骤四的流程示意图。参照图5，步骤四中判断每一个第0块为非坏块的存储器是否为空片包括：通过字节随机读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第0块第0页第0个冗余地址，读取第0块第0页第0个冗余字节的数据，若数据为ffh，则通过块读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第0块第0页第0个地址，读取第0块的所有数据，判断第0块的所有数据全为ffh，然后通过字节随机读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第1块第0页第0个冗余地址，读取第1块第0页第0个冗余字节的数据，若数据为ffh，则通过块读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第1块第0页第0个地址，读取第1块的所有数据，判断第1块的所有数据全为ffh，然后按照上述方法依次进行第一个lun的第2块至第x-1块的测试，直至通过字节随机读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第x块第0页第0个冗余地址，读取第x块第0页第0个冗余字节的数据，若数据为00h，则通过坏块处理模块，判断坏块标注的来源，若坏块来自于第一存储器，将第一存储器的片选信号ce1拉高，直至检测到x 1块时对控制信号赋值；若坏块来自于第二存储器，将第二存储器的片选信号ce2拉高，直至检测到x 1块时对控制信号赋值；然后按照上述方法依次进行第一个lun的第x 1块至第y-1块的测试，直至通过字节随机读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第y块第0页第0个冗余地址，读取第y块第0页第0个冗余字节的数据，若数据为ffh，则通过块读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第y块第0页第0个地址，读取第y块的所有数据，判断第y块的所有数据不全为ffh，则包含所有数据不全为ffh的第y块的存储器为非空片，终止测试，另一个存储器继续测试；按照上述方法依次进行第一个lun的第y 1块至第z-1块的测试，直至通过字节随机读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第z块第0页第0个冗余地址，读取第z块第0页第0个冗余字节的数据，若数据为ffh，则通过块读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第z块第0页第0个地址，读取第z块的所有数据，判断第z块的所有数据全为ffh，至此，完成了两个存储器第一个lun所有块的测试。然后按上述方法测试下一个lun的每一个块是否为空。图5只示出了两个存储器中每一个存储器的第一个lun的测试过程，其他lun的测试过程与第一个lun的测试过程相同。通过读取失效管脚的数据，定位出失效存储器是第一存储器还是第二存储器，并终止失效存储器的测试。

图6是本发明具体实施例中步骤五的流程示意图。参照图6，假设上述两个第0块为非坏块的存储器都为空片，进行步骤五，识别出测试过程中新产生的坏块，分别确定两个存储器中每一个lun的新产生的坏块数量并按照预定规则对新产生的坏块进行回写。通过字节随机读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第0块第0页第0个冗余地址，读取第0块第0页第0个冗余字节的数据，若数据为ffh，则通过块编程模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第0块第0页第0个地址，为第0块所有写入格式为全0的数据；通过块读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第0块第0页第0个地址，读取第0块的所有数据，若第0块的所有数据为全0，则通过块擦除模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第0块第0页第0个地址，擦除第0块的所有数据；然后再通过块读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第0块第0页第0个地址，读取第0块的所有数据，若第0块的所有数据全为ffh，则判定第0块为空，接着采用上述方式分别写入格式为棋盘格的数据和格式为反棋盘格的数据；然后按照上述方法依次进行第一个lun的第1块至第x-1块的测试，直至通过字节随机读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第x块第0页第0个冗余地址，读取第x块第0页第0个冗余字节的数据，若数据为00h，则通过坏块处理模块，判断坏块标注的来源，若坏块来自于第一存储器，将第一存储器的片选信号ce1拉高，直至检测到x 1块时对控制信号赋值；若坏块来自于第二存储器，将第二存储器的片选信号ce2拉高，直至检测到x 1块时对控制信号赋值；然后按照上述方法依次进行第一个lun的第x 1块至第y-1块的测试，直至通过字节随机读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第y块第0页第0个冗余地址，读取第y块第0页第0个冗余字节的数据，若数据为ffh，则通过块编程模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第y块第0页第0个地址，为第y块所有写入格式为全0的数据；通过块读取模块，五个字节入口地址寻址到两个存储器中第一个lun的第y块第0页第0个地址，读取第y块的所有数据，若第y块的所有数据不为全0，则通过新坏块数量累加模块，判断新产生的坏块标注的来源，若新产生的坏块来自于第一存储器，则第一存储器的新产生的坏块数量寄存器加1，即n1 ，若新产生的坏块来自于第二存储器，则第二存储器的新产生的坏块数量寄存器加1，即n2 ；然后通过块擦除模块对失效的存储器的新产生的坏块进行擦除，再通过字节随机写入模块将此块的标志位回写成00h，最后将此块的片选信号ce拉高，直至检测到y 1块时对控制信号赋值；然后按照上述方法依次进行第一个lun的第y 1块至第z块的测试，至此，完成了两个存储器第一个lun的所有块的测试。然后按上述方法进行下一个lun测试。图6只示出了两个存储器中每一个存储器的第一个lun的测试过程，其他lun的测试过程与第一个lun的测试过程相同。

步骤六中基于为空片的存储器中每一个lun的初始坏块数量和新产生的坏块数量判断对应存储器是否合格包括：若为空片的存储器中每一个lun的m1 n1的和均不超过预定数量，则判定第一存储器合格；若为空片的存储器中任意一个lun的初始坏块的数量m1与新产生的坏块的数量n1之和超过预定数量，则判定第一存储器不合格。若为空片的存储器中每一个lun的m2 n2的和均不超过预定数量，则判定第二存储器合格；若为空片的存储器中任意一个lun的初始坏块的数量m2与新产生的坏块的数量n2之和超过预定数量，则判定第二存储器不合格。

虽然上述实施例中描述了对两个存储器进行并行测试回写，但其仅仅是示例性的，并非用于限定本发明。具体地，上述方法同样适用于三个或者三个以上的存储器并行测试及坏块回写。

从上述实施例可以看出，本发明上述的nandflash存储器并行测试及坏块回写方法能够实现多个nandflash存储器的并行测试，能够有效识别出测试过程中新产生的坏块并进行回写，提升了测试效率，同时对预设的原有标志位进行了保护。

此外，需要说明的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本发明保护范围的限制。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本领域的技术人员在本发明所揭露的技术范围内，可不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。