高可靠的非易失存储器的存储单元阵列及非易失存储器的制作方法

[0001]
本发明涉及nor flash技术领域，尤其涉及的是一种高可靠的非易失存储器的存储单元阵列及非易失存储器。


背景技术：

[0002]
如图1所示，常见nor flash存储单元阵列中，一条位线上同时连接有多个存储单元，而同一条位线上有可能因为存在过擦除单元导致相邻地址的存储单元（指与过擦除单元位于同一条位线上的存储单元）内的数据读错，降低了nor flash的存储单元可靠性，尤其是对非常重要的非易失状态寄存器而言，常见的nor flash存储单元阵列不能满足其高可靠性的要求。
[0003]
因此，现有的技术还有待于改进和发展。


技术实现要素：

[0004]
本发明的目的在于提供一种高可靠的非易失存储器的存储单元阵列及非易失存储器，旨在解决现有的nor flash存储单元阵列因过擦除的原因导致不能满足高可靠性要求定位问题。
[0005]
本发明的技术方案如下：一种高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，包括若干条位线和若干条字线，所述字线和位线按照井字形排列分布连接，在每一条字线和每一条位线的相交处设置有一个存储单元，每一条位线只与位于该位线上的一个存储单元相连接。
[0006]
所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，所述字线和位线数量一样多；或者字线数量比位线数量多；或者字线数量比位线数量少。
[0007]
所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，所有的与对应位线相连的存储单元位于同一条字线上。
[0008]
所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，当字线和位线数量一致时，每条字线上设有一个与对应位线相连的存储单元。
[0009]
所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，当字线和位线数量一致时，每条字线上设有一个与对应位线相连的存储单元，全部与对应位线相连的存储单元位于同一条对角线上。
[0010]
所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，当字线和位线数量一致时，某一个存储单元与第n条位线相连接，该存储单元位于第n 1条字线上，与最后一条位线相连接的存储单元位于第一条字线上。
[0011]
所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，当字线数量比位线数量多时，某一个存储单元与第n条位线相连接，该存储单元位于第n 1条字线上。
[0012]
所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，当位线数量比字线数量多时，与对应位线相连接的不同存储单元位于同一条字线上或者位于不同的字线上。
[0013]
一种非易失存储器，其中，包括如上述任一所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列。
[0014]
本发明的有益效果：本发明通过提供一种高可靠的非易失存储器的存储单元阵列及非易失存储器，使每一条位线只与位于该位线上的一个存储单元相连接，这样可能会浪费nor flash内的大部分存储空间，但是对于一些要求芯片存储量小，并且可以接受成本的情况来说，这样的nor flash的可靠性是最好的，每条位线上就连接一个存储单元，那读取这个存储单元的数据时，因为该位线上再没有其他存储单元会对这个与位线连接的存储单元造成过擦除的影响，所以数据读取的可靠性得到保证，由此可以有效地规避了因为过擦除带来的数据读错的风险，提高了存储单元阵列的可靠性。
附图说明
[0015]
图1是现有技术中nor flash存储单元阵列的示意图。
[0016]
图2是本发明中高可靠的非易失存储器的存储单元阵列的示意图。
[0017]
图3是本发明中实施例1的示意图。
[0018]
图4是本发明中实施例2的示意图。
[0019]
图5是本发明中实施例3的示意图。
[0020]
图6是本发明中实施例4的示意图。
[0021]
图7是本发明中实施例5的示意图。
[0022]
图8是本发明中实施例6的示意图。
具体实施方式
[0023]
下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0024]
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0025]
如图1所示，一种高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，包括若干条位线和若干条字线，所述字线和位线按照井字形排列分布连接，在每一条字线和每一条位线的相交处设置有一个存储单元，每一条位线只与位于该位线上的一个存储单元相连接。
[0026]
本技术方案中，使每一条位线只与位于该位线上的一个存储单元相连接，这样可能会浪费nor flash内的大部分存储空间，但是对于一些要求芯片存储量小，并且可以接受成本的情况来说，这样的nor flash的可靠性是最好的，每条位线上就连接一个存储单元，那读取这个存储单元的数据时，因为该位线上再没有其他存储单元会对这个与位线连接的存储单元造成过擦除的影响，所以数据读取的可靠性得到保证，由此可以有效地规避了因为过擦除带来的数据读错的风险，提高了存储单元阵列的可靠性。
[0027]
在某些具体实施例中，所述字线和位线的数量可以按照实际需要设置，如字线和位线数量一样多，或者字线数量比位线数量多，或者字线数量比位线数量少。
[0028]
其中，每一个与对应位线相连的存储单元在字线上的排列可以根据实际需要而设定，只要保证每一条位线只与位于该位线上的一个存储单元相连接即可：实施例1如图3所示，在某些具体实施例中，所有的与对应位线相连的存储单元位于同一条字线上。
[0029]
实施例2如图4所示，在某些具体实施例中，当字线和位线数量一致时，每条字线上设有一个与对应位线相连的存储单元。
[0030]
实施例3如图5所示，在某些具体实施例中，当字线和位线数量一致时，每条字线上设有一个与对应位线相连的存储单元，全部与对应位线相连的存储单元位于同一条对角线上。
[0031]
实施例4如图6所示，在某些具体实施例中，当字线和位线数量一致时，某一个存储单元与第n条位线相连接，该存储单元位于第n 1条字线上，与最后一条位线相连接的存储单元位于第一条字线上。
[0032]
实施例5如图7所示，在某些具体实施例中，当字线数量比位线数量多时，某一个存储单元与第n条位线相连接，该存储单元位于第n 1条字线上。
[0033]
实施例6如图8所示，在某些具体实施例中，当位线数量比字线数量多时，与对应位线相连接的不同存储单元位于同一条字线上或者位于不同的字线上。
[0034]
本技术方案还保护一种非易失存储器，包括如上述所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列。
[0035]
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
[0036]
另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
[0037]
再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
[0038]
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际
的关系或者顺序。
[0039]
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。