电流基准电路、芯片及电子设备的制作方法

技术特征：
1.一种电流基准电路，其特征在于，所述电流基准电路至少包括：电流源模块，电流镜像模块及基准电流产生模块；所述电流源模块用于产生预设的电流源；所述电流镜像模块连接所述电流源模块，包括n个并联连接的共源共栅单元，各共源共栅单元串联在电源电压端与所述电流源模块之间，输出第一基准电压及第二基准电压；各共源共栅单元包括第一电阻、第一pmos管及第二pmos管；所述第一电阻的一端连接所述电源电压端，另一端连接所述第一pmos管的源极；所述第一pmos管的栅极和漏极连接所述第二pmos管的源极并输出所述第一基准电压；所述第二pmos管的栅极和漏极接收所述电流源并输出所述第二基准电压；其中，所述第一电阻的阻值为n*r，n为大于等于1的自然数，r为预设阻值；所述基准电流产生模块连接所述电流镜像模块，接收所述第一基准电压及所述第二基准电压，并基于所述第一基准电压及所述第二基准电压调整流经所述基准电流产生模块的电流；所述基准电流产生模块包括第二电阻、第三pmos管及第四pmos管；所述第二电阻的一端连接所述电源电压，另一端连接所述第三pmos管的源极；所述第三pmos管的栅极连接所述第一基准电压，漏极连接所述第四pmos管的源极；所述第四pmos管的栅极连接所述第二基准电压，漏极输出第一基准电流；其中，所述第一pmos管pm1、所述第二pmos管pm2、所述第三pmos管pm3及所述第四pmos管pm4构成的电流镜结构的镜像比例为1:m，所述第二电阻与所述第一电阻的阻值比为m:1，m为大于等于1的自然数。2.根据权利要求1所述的电流基准电路，其特征在于：所述电流源模块包括功率开关管、采样单元及运算放大器；所述功率开关管的一端连接所述电流镜像模块，另一端经由所述采样单元接地；所述运算放大器接收所述采样单元输出的采样电压及一参考电压，并将两者的差值放大后输出至所述功率开关管的控制端。3.根据权利要求2所述的电流基准电路，其特征在于：所述功率开关管为nmos管。4.根据权利要求2或3所述的电流基准电路，其特征在于：所述功率开关管工作在饱和区。5.根据权利要求1所述的电流基准电路，其特征在于：所述第一pmos管工作在饱和区。6.根据权利要求1所述的电流基准电路，其特征在于：所述基准电流产生模块还包括第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管及第四nmos管；所述第一nmos管的漏极和栅极连接所述第四pmos管的漏极，源极连接所述第二nmos管的漏极和栅极；所述第二nmos管的源极接地；所述第三nmos管的源极接地，栅极连接所述第二nmos管的栅极，漏极连接所述第四nmos管的源极；所述第四nmos管的栅极连接所述第一nmos管的栅极，漏极输出第二基准电流。7.根据权利要求6所述的电流基准电路，其特征在于：所述第一nmos管、所述第二nmos管、所述第三nmos管及所述第四nmos管构成的电流镜结构的镜像比例为1:n。8.一种芯片，其特征在于，所述芯片至少包括：如权利要求1
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7任意一项所述的电流基准电路。9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备至少包括：如权利要求1
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7任意一项所述的电流基准电路。

技术总结
本发明提供一种电流基准电路、芯片及电子设备，包括：电流源模块，电流镜像模块及基准电流产生模块；所述电流源模块用于产生预设的电流源；所述电流镜像模块连接所述电流源模块，基于共源共栅结构镜像所述电流源；所述基准电流产生模块连接所述电流镜像模块，基于共源共栅结构输出基准电流，所述基准电流与所述电流源具有预设比例。本发明的电流基准电路、芯片及电子设备采用共源共栅结构提高电源电压抑制比；并通过并联结构提高单路串联电阻的阻值，进而提高电流镜匹配性；大大提高基准电流的准确性。的准确性。的准确性。


技术研发人员：朱志鹏 杨超 张聪
受保护的技术使用者：上海艾为微电子技术有限公司
技术研发日：2021.09.06
技术公布日：2021/10/15