壳体制作方法、壳体及电子设备与流程

技术特征：
1.一种壳体制作方法，其特征在于，包括：获取含有铝的基壳；通过阳极氧化处理，在所述含有铝的基壳表面形成阳极氧化层；其中，所述阳极氧化层具有微孔，所述微孔的内壁含有非晶体态的铝氧化物；将所述非晶体态的铝氧化物，转变为晶体态的铝氧化物；在所述晶体态的铝氧化物表面，沉积形成与所述晶体态的铝氧化物折射率不同的覆盖膜。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述晶体态的铝氧化物表面，沉积形成与所述晶体态的铝氧化物折射率不同的覆盖膜，包括：在第一反应环境中，通过射频磁控溅射处理，向所述微孔内所述晶体态的铝氧化物表面沉积所述覆盖膜；其中，所述覆盖膜覆盖所述微孔的至少部分内壁。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一反应环境中，第一氩气的流量为：10标准毫升/分钟～500标准毫升/分钟；其中，所述第一氩气用于轰击提供所述覆盖膜的组成材料的靶材；和/或，所述第一反应环境的真空度为：0.001帕斯卡～0.1帕斯卡；和/或，所述射频磁控溅射处理中射频电源的功率为：3千瓦～100千瓦；和/或，所述覆盖膜的厚度为：10纳米～100纳米；和/或，所述覆盖膜包括以下至少之一：晶体态的铬的氧化物；晶体态的铁的氧化物；晶体态的钛的氧化物；金；银。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述第一反应环境中，通过氩离子和氧离子碰撞所述覆盖膜的组成粒子，促进所述覆盖膜的组成粒子向所述晶体态的铝氧化物所在位置扩散。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，提供所述氩离子的第二氩气的流量为：10标准毫升/分钟～100标准毫升/分钟；和/或，提供所述氧离子的第一氧气的流量为：10标准毫升/分钟～30标准毫升/分钟。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在第二反应环境中，在内壁形成有所述覆盖膜的微孔中沉积封孔膜；其中，所述封孔膜填充具有所述覆盖膜的微孔；在所述第二反应环境中，通过氩离子和氧离子碰撞所述封孔膜的组成粒子，促进所述封孔膜的组成粒子向所述覆盖膜所在位置扩散。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述封孔膜包括氧化铝；和/或，所述封孔膜的厚度为：10纳米～1000纳米；和/或，所述第二反应环境中，提供所述氩离子的第三氩气的流量为：10标准毫升/分钟～100标准毫升/分钟；和/或，所述第二反应环境中，提供所述氧离子的第二氧气的流量为：10标准毫升/分钟～30标准毫升/分钟；和/或，所述第二反应环境的真空度为：0.001帕斯卡～0.1帕斯卡。8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述封孔膜表面形成保护层；其中，所述保护层的厚度为8微米～30微米。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取含有铝的基壳，包括：在基壳表面沉积含有铝的膜层；或者，通过加热相互接触的铝金属和基壳，促进所述铝金属的铝原子向基壳表面扩散，形成所述含有铝的基壳。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阳极氧化处理的处理电压为：10伏特～14伏特；和/或，所述阳极氧化处理的处理时间为：30分钟～60分钟；和/或，所述阳极氧化处理的处理温度为：10摄氏度～14摄氏度；和/或，所述阳极氧化处理的电解液包括：草酸和硫酸；和/或，所述微孔的直径为：50纳米～80纳米。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述电解液中，草酸的含量大于硫酸的含量。12.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述电解液中草酸的浓度为：220克/升～330克/升；所述电解液中硫酸的浓度为：150克/升～220克/升。13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：去除在所述阳极氧化处理过程中附着在所述基壳上的杂质。14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述非晶体态的铝氧化物，转变为晶体态的铝氧化物，包括：将所述非晶体态的铝氧化物在100摄氏度～160摄氏度的温度范围内烘干30分钟～60分钟，以去除所述非晶体态的铝氧化物中包括的水分子，形成所述晶体态的铝氧化物。15.一种壳体，其特征在于，所述壳体包括：基壳；晶体态的铝氧化物，覆盖于所述基壳表面；覆盖膜，沉积于所述晶体态的铝氧化物表面；其中，所述覆盖膜的折射率与所述晶体态的铝氧化物的折射率不同。16.根据权利要求15所述的壳体，其特征在于，所述覆盖膜的厚度为：10纳米～100纳米；和/或，所述覆盖膜包括以下至少之一：晶体态的铬氧化物；晶体态的铁氧化物；晶体态的钛氧化物；金；银。17.根据权利要求15所述的壳体，其特征在于，所述壳体还包括：封孔膜，沉积于所述覆盖膜的表面；其中，所述晶体态的铝氧化物形成微孔的内壁，所述覆盖膜沉积于所述微孔内，所述封孔膜用于填充具有所述覆盖膜的微孔。18.一种电子设备，其特征在于，包括：如权利要求15至17任一项所述的壳体；功能组件，位于所述壳体内，所述功能组件用于执行所述电子设备的预设功能。

技术总结
本公开是关于一种壳体制作方法、壳体及电子设备，所述方法包括：获取含有铝的基壳；通过阳极氧化处理，在所述含有铝的基壳表面形成阳极氧化层；其中，所述阳极氧化层具有微孔，所述微孔的内壁含有非晶体态的铝氧化物；将所述非晶体态的铝氧化物，转变为晶体态的铝氧化物；在所述晶体态的铝氧化物表面，沉积形成与所述晶体态的铝氧化物折射率不同的覆盖膜。晶体态的铝氧化物折射率不同的覆盖膜。晶体态的铝氧化物折射率不同的覆盖膜。


技术研发人员：刘兵
受保护的技术使用者：北京小米移动软件有限公司
技术研发日：2020.04.22
技术公布日：2021/10/22