一种掩膜刻蚀制备亚波长周期性阵列的方法与流程

技术特征：

1.一种掩膜刻蚀制备亚波长周期性阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将硅酸盐玻璃原片分别用丙酮、乙醇、去离子水、乙醇清洗、烘干；

(2)用匀胶机选取乙醇乙二醇分散好的二氧化硅分散液，其中二氧化硅小球直径在300-500nm；

(3)待分散液中溶剂挥发完成；

(4)在等离子体刻蚀仓中进行刻蚀，刻蚀气体chf3、cf4任意一种或二者的组合，流量为45-80sccm，刻蚀功率为75-90w；

(5)清洗、烘干。

2.根据权利要求1所述的掩膜刻蚀制备亚波长周期性阵列的方法，其特征在于，步骤(1)中丙酮、乙醇、去离子水超声均为5min-10min，并且选用溶液纯度均大于99％。

3.根据权利要求1所述的掩膜刻蚀制备亚波长周期性阵列的方法，其特征在于，步骤(3)中分散液质量比为二氧化硅粉末：乙醇：乙二醇＝30：35：35。

4.根据权利要求l所述的掩膜刻蚀制备亚波长周期性阵列的方法，其特征在于，步骤(1)中选用的玻璃原片包括熔石英、k9玻璃或者普通玻璃中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的掩膜刻蚀制备亚波长周期性阵列的方法，其特征在于，步骤(4)刻蚀前对刻蚀腔内进行清洗和预刻蚀。

6.根据权利要求1所述的掩膜刻蚀制备亚波长周期性阵列的方法，其特征在于，步骤(2)中的二氧化硅小球直径在350nm。

7.根据权利要求1所述的掩膜刻蚀制备亚波长周期性阵列的方法，其特征在于，二氧化硅小球直径为500nm，刻蚀气体为chf345sccm和cf415sccm，刻蚀功率75w，刻蚀时间6min。

8.根据权利要求1所述的掩膜刻蚀制备亚波长周期性阵列的方法，其特征在于，二氧化硅小球直径为350nm，刻蚀气体为刻蚀气体chf345sccm，刻蚀功率75w，刻蚀时间4.5min。

技术总结
本发明属于微纳米材料光学领域，具体涉及一种玻璃表面修饰掩膜进行刻蚀亚波长周期性阵列的方法。一种掩膜刻蚀制备亚波长周期性阵列的方法，包括以下步骤：将硅酸盐玻璃原片分别用丙酮、乙醇、去离子水、乙醇清洗、烘干；用匀胶机选取乙醇乙二醇分散好的二氧化硅分散液，其中二氧化硅小球直径在200‑500nm；待分散液中溶剂挥发完成；在等离子体刻蚀仓中进行刻蚀，刻蚀气体CHF3、CF4任意一种或二者的组合，流量为45‑80sccm，刻蚀功率为75‑90W；清洗、烘干。本发明的优点在于：工艺简单；可以在不同种类的玻璃表面制备均匀亚波长微结构；减低反射效果好，单面空气‑玻璃反射从5.5％有效降低到3.2％以下，利于实现光学元件的集成。

技术研发人员：朱嘉;陈鑫杰;朱鹏臣
受保护的技术使用者：南京大学
技术研发日：2021.01.05
技术公布日：2021.05.07