半导体器件和MEMS器件的制作方法

本发明的实施例涉及半导体领域，更具体地涉及半导体器件和mems器件。

背景技术：

微机电系统(mems)器件是一种微型器件，其尺寸通常在从小于1微米至几毫米的范围内。mems器件包括感测诸如力、加速度、压力、温度或振动的物理条件的机械元件(静止元件和/或可移动元件)和处理电信号的电子元件。mems器件广泛地用于诸如汽车系统、惯性制导系统、家用电器、各种器件的保护系统、以及许多其他工业、科学、和工程系统的应用中。此外，mems应用延伸至诸如可移动反光镜的光学应用和诸如射频(rf)开关的rf应用。

技术实现要素：

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底；第一结构，位于所述衬底上方，所述第一结构具有第一部分和第二部分；第二结构，位于所述衬底上方，所述第二结构具有从所述第二结构的边缘突出并且朝向所述第一结构的第一部分延伸的第一突起；以及第三结构，位于所述衬底上方并且由所述第二结构支撑，所述第三结构具有从所述第三结构的边缘突出并且朝向所述第一结构的第二部分延伸的第二突起，其中，所述第一突起和所述第一部分之间的第一间隙小于所述第二突起和所述第二部分之间的第二间隙。

本发明的实施例还提供了一种半导体器件，包括：衬底；第一结构，位于所述衬底上方，所述第一结构具有第一部分和第二部分；第二结构，位于所述衬底上方；第三结构，位于所述衬底上方并且由所述第二结构支撑；第一突起，从所述第二结构的边缘突出并且朝向所述第一结构的第一部分延伸；以及第二突起，从所述第一结构的第二部分的边缘突出并且朝向所述第三结构延伸，其中，所述第一突起和所述第一部分之间的第一间隙小于所述第二突起和所述第三结构之间的第二间隙。

本发明的实施例还提供了一种微机电系统(mems)器件，包括：衬底；静止结构，位于所述衬底上方，并且所述静止结构具有第一边缘；回弹结构，位于所述衬底上方，所述回弹结构具有面向所述静止结构的第一边缘并且与所述静止结构的第一边缘间隔开的第二边缘；质量块，位于所述衬底上方并且由所述回弹结构支撑，所述质量块具有面向所述静止结构的第一边缘并且与所述静止结构的第一边缘间隔开的第三边缘，其中，所述回弹结构配置为允许所述质量块在一方向上朝向或远离所述静止结构移动；以及第一凸块和第二凸块，分别介于所述第一边缘和所述第二边缘之间和介于所述第一边缘和所述第三边缘之间，其中，所述第一凸块和所述第二凸块邻近布置，从而当所述微机电系统器件在所述方向上经历力时，在所述第二凸块接触所述第一边缘和所述第三边缘两者之前，所述第一凸块接触所述第一边缘和所述第二边缘两者。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。

图1是器件的一些实施例的示意性顶视图。

图1a是图1中的区域a的一些实施例的放大的示意性顶视图。

图1b是对应于图1a的器件的一些实施例的示意性截面图。

图2是器件经受最大力容限内的力的一些实施例的示意图。

图3是器件经受超过最大力容限的第一力的一些实施例的示意图。

图4是器件经受超过最大力容限的第二力的一些实施例的示意图。

图5是器件的一些实施例的示意性截面图。

图6是器件的一些实施例的示意性截面图。

图7是器件的一些实施例的示意性截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等的空间相对术语，以便于描述如图所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而在此使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。

在本发明中，提供了一种包括悬置的可移动结构和回弹结构(resilientstructure)的器件。可移动结构从例如具有诸如空气间隔的间隔的衬底悬置。回弹结构是柔性/弹性结构，其允许延伸、压缩、变形或摆动至一定程度。回弹结构的端部中的一个固定至例如衬底的物体，同时另一端部以当器件经历力、加速度、减速度、振动、撞击等时，悬置的可移动结构能够移动、摆动或旋转的方式在结构上连接至悬置的可移动结构。

在本发明中，该器件包括，但不限制于，诸如运动传感器器件、加速计器件、或陀螺仪器件的微机电系统(mems)器件。悬置的可移动结构可包括质量块、隔膜、或任何其它可移动结构。回弹结构可包括弹簧、或具有回弹性的任何其它回弹结构。

如本文中使用的，“衬底”指的是在其上形成各种层和结构的基材料。在一些实施例中，衬底包括诸如块状半导体衬底的半导体衬底。举例说明，块状半导体衬底包括：诸如硅或锗的元素半导体；诸如硅锗、碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、或砷化铟的化合物半导体；或它们的组合。在一些实施例中，衬底包括多层衬底，诸如包括底部半导体层、埋氧层(box)和顶部半导体层的绝缘体上硅(soi)衬底。在又一些实施例中，衬底包括诸如玻璃衬底的绝缘衬底、导电衬底、或任何其它合适的衬底。在一些实施例中，衬底是掺杂的半导体衬底。

如本文中使用的，“悬置”指的是在另一结构之上设置的且与另一结构间隔开的结构，从而允许结构能够相对于另一结构在至少一个方向上移动。

如本文中使用的，“可移动结构”指的是在衬底或衬底的部分上方形成的结构，其中，可移动结构的一些部分直接或间接地耦合至回弹结构，并且可移动结构的一些部分悬置在衬底或衬底的一些部分上方，它们之间具有间隔。因此，当经历力、加速度、减速度、振动、撞击等时，可移动结构能够移动或摆动。在一些实施例中，可移动结构是导电的。在一些实施例中，可移动结构覆盖有导电层。在一些实施例中，可移动结构不导电。

如本文中使用的，“回弹结构”指的是在衬底或衬底的部分上方形成的结构，其中，回弹结构的一些部分固定在衬底或其它固定的结构上，并且回弹结构的一些部分直接地或间接地耦合至可移动结构。回弹结构是柔性/弹性结构，其允许延伸、压缩、或变形至一定程度。在一些实施例中，回弹结构具有允许回弹结构延伸或压缩的缠绕(winding)图案。在一些实施例中，可移动结构具有的质量大于回弹结构的质量，并且因此当经历力、加速度、减速度、振动、撞击等时，由于惯性效应，可移动结构能够移动或摆动。在一些实施例中，弹性结构是导电的。在一些实施例中，弹性结构覆盖有导电层。在一些实施例中，回弹结构不导电。

如本文中使用的，“静止结构”或“固定的结构”指的是当经历力、加速度、减速度、振动、撞击等时，相对于可移动结构和回弹结构不动的结构。静止结构或固定的结构可以直接或间接地形成在衬底或衬底的一部分上。在一些实施例中，静止结构是导电的。在一些实施例中，静止结构覆盖有导电层。在一些实施例中，静止结构不导电。

如本文中使用的，“整体地形成”指的是由同一材料形成且同时地形成的两个或多个结构。举例说明，通过相同的光刻形成两个或多个结构。

如本文中使用的，“突起”是从另一结构的周边或边缘突出的结构。突出可以是由与结构相同或不同的材料形成，突起从该结构突出。

如本文中使用的，“凸块”是配置为减小撞击中的损坏且避免不期望的粘合的缓冲件的结构。

图1是器件的一些实施例的示意性顶视图。图1a是图1中的区域a的一些实施例的放大的示意性顶视图。图1b是对应于图1a的器件的一些实施例的示意性截面图。在一些实施例中，器件100是mems器件。举例说明，mems器件包括能够感测运动的运动传感器器件、能够感测加速度或减速度的加速计器件、能够感测角速度的陀螺仪器件、或具有可移动结构的任何其它器件。在一些实施例中，该器件是能够在平面中的一个单一方向(例如，y方向)上感测运动、加速度或角速度的单轴mems器件。在一些其它实施例中，该器件是能够在平面中的两个方向(例如，x、y方向)上感测运动、加速度或角速度的双轴mems器件。在又一其它实施例中，该器件是能够在三个方向(例如，x、y、z方向)上感测运动、加速度或角速度的三轴mems器件。

器件100包括衬底10、第一结构12、第二结构14、第三结构16、第一突起18和第二突起20。第一结构12设置在衬底10上方。在一些实施例中，第一结构12是在衬底10上固定的静止结构。例如，第一结构12可以是器件100的固定框架。在一些实施例中,第一结构12是衬底10的一部分，即，衬底10和第一结构12可以由同一材料形成且整体地形成。在一些可选的实施例中，第一结构12安装在具有诸如绝缘层或粘合层的另一中间结构的衬底10上。第一结构12具有面向第二结构14和第三结构16的第一边缘12e。第一结构12包括第一部分121和第二部分122。在一些实施例中，第一部分121和第二部分122彼此连接。在一些可选实施例中，第一部分121和第二部分122彼此断开。

第二结构14设置在衬底10上方。在一些实施例中，第二结构14是回弹结构。回弹结构是柔性结构或弹性结构，其允许延伸、压缩或变形至一定程度。举例说明，第二结构14是弹簧。第二结构14具有直接或间接耦合至诸如衬底10的一部分或第一结构12的一部分的固定结构的固定端部。第二结构14具有耦合至第三结构16的可以移动端部。在一些实施例中，第二结构14是衬底10的一部分，即，衬底10和第二结构14可以由同一材料形成且整体地形成。第二结构14具有面向第一结构12的第一边缘12e且与第一结构12的第一边缘12e间隔开的第二边缘14e。具体地，第二边缘14e面向第一部分121的第一边缘12e，且第二边缘14e和第一边缘12e间隔有第一距离d1。

第三结构16设置在衬底10上方。在一些实施例中，第三结构16是具有比第二结构14的质量大的质量的惯性结构。举例说明，第三结构16是质量块。第三结构16由第二结构14支撑。在一些实施例中，第三结构16的一个端部耦合至第二结构14的可移动端部。在一些实施例中，第三结构16的两个或多个端部耦合至相应第二结构14的可移动端部。当器件100经历力、加速度、减速度、振动、撞击等时，由于惯性效应，第三结构16能够移动或摆动。在一些实施例中，第三结构16是衬底10的一部分，即，衬底10和第三结构16可以由同一材料形成且整体地形成。第三结构16具有面向第一结构12的第一边缘12e且与第一结构12的第一边缘12e间隔开的第三边缘16e。具体地，第三边缘16e面向第一结构12的第一边缘12e，且第三边缘16e和第一边缘12e间隔有第二距离d2。

在第一结构12的第一部分121的第一边缘12e和第二结构14的第二边缘14e之间设置第一突起18。第一间隙g1介于第一突起18和第一部分121的第一边缘12e之间。第一突起18又称为第一凸块。在一些实施例中，第一突起18从第二边缘14e突出，并且朝向第一部分121的第一边缘12e延伸。在一些实施例中，第一突起18是第二结构14的一部分且与第二结构14整体地形成。第一突起18具有第一厚度t1。在第一结构12的第二部分122的第一边缘12e和第三结构16的第三边缘16e之间设置第二突起20。第二间隙g2介于第二突起20和第二部分122的第一边缘12e之间。第二突起20又称为第二凸块。在一些实施例中，第二突起20从第三边缘16e突出，并且朝向第二部分122的第一边缘12e延伸。第二突起20是第三结构16的一部分且与第三结构16整体地形成。第二突起20具有第二厚度t2。

在一些实施例中，第一突起18比第二突起20更靠近第一边缘12e，即，第一间隙g1小于第二间隙g2。举例说明，第一距离d1基本上等于第二距离d2，而第一厚度t1大于第二厚度t2。在一些实施例中，第一距离d1的范围是从约2微米至约3微米。第一厚度t1和第二厚度t2之间的差为约0.5微米。结果，第一突起18比第二突起20更靠近第一边缘12e。可基于各种考虑因素修改第一间隙g1和第二间隙g2的比率。

当器件100不经历冲击或力时，第二结构14和第三结构16将在它们原始位置中而没有移动或旋转。当器件100经历冲击或力时，第二结构14和第三结构16将移动或旋转，并且第一突起18和第二突起20配置为阻挡件。在一些实施例中，第一突起18配置为软阻挡件，因为其耦合至是回弹的且可压缩的第二结构14。第二突起20配置为硬阻挡件，因为其耦合至与第二结构14相比回弹较弱且不易压缩的第三结构16。第一突起18和第二突起20以邻近的方式布置，因此，当器件100经历巨大冲击时，在第二突起20触到第一结构12之前，第一突起18触到第一结构12。因此，如果需要，第一突起18用作软阻挡件，而第二突起20用作硬阻挡件。可以基于各种考虑因素修改第一结构12和第二突起20的数量和位置。在下面描述中阐述第一突起18和第二突起的一些示例性操作机制。

图2是器件经受最大力容限内的力的一些实施例的示意图。如图2所描述的，当由于冲击的形成，器件100在平面中的y方向上经历力f时，由于惯性效应，耦合至器件的第二结构14和第三结构16将沿着方向y朝向第一结构12移动或旋转。在一些实施例中，第一结构12、第二结构14或第三结构16中的至少一个是导电的。在一些实施例中，第一结构12是导电的或覆盖有导电层。在一些实施例中，第二结构14是导电的或覆盖有导电层。在一些实施例中，第三结构16是导电的或覆盖有导电层。结果，由于第三结构16和第一结构12之间的电容变化，或第三结构16和另一相应的导电结构(未示出)之间的电容变化，可以感测第三结构16的运动、加速度或角速度。在力f不超过最大力容限的情况下，第二结构14和第三结构16将朝向第一结构12移动或旋转而不接触第一结构12，并且返回至它们的初始位置。

图3是器件经受超过最大力容限的第一力的一些实施例的示意图。如图3所描述的，当由于另一冲击的形成，器件100在平面中的y方向上经历大于最大力容限的第一力f1时，第二结构14将朝向第一结构12移动或旋转。由于第一突起18从第二边缘14e突出，所以第一突起18将接触第一边缘12e和第二边缘14e两者。第一突起18配置为软阻挡件，因为其耦合至回弹的且可压缩的第二结构14。因此，第一突起18配置为垫(cushion)以吸收碰撞动量，从而避免对器件100的损坏。在这种情况下，第一突起18能够防止短时间和高碰撞量冲击的静摩擦。此外，与不存在第一突起18时的第二结构14和第一边缘12e之间的接触面积比较，第一突起18和第一边缘12e之间的接触面积更小。因此，当接触第一边缘12e时，第一突起18更不容易附着于第一边缘12e。由于第一间隙g1小于第二间隙g2，如果第一力f1不够大时，第二突起20可能不接触第一结构12的第二部分122的第一边缘12e，从而防止由于碰撞导致的颗粒的生成。

图4是器件经受超过最大力容限的第二力的一些实施例的示意图。如图4所描述的，当由于又另一冲击的形成，器件100在平面中的y方向上经历大于最大力容限的第二力f2时，第二结构14将朝向第一结构12移动或旋转，并且因此，第一突起18将接触第一结构12的第一部分121的第一边缘12e。第一突起18配置为软阻挡件，因为其耦合至回弹的且可压缩的第二结构14。因此，第一突起18用作吸收碰撞动量的垫，从而避免对器件100的损坏。第一突起18能够防止短时间和高碰撞量冲击的静摩擦。此外，与不存在第一突起18时的第二结构14和第一边缘12e之间的接触面积比较，第一突起18和第一边缘12e之间的接触面积更小。

由于第二突起20从第三边缘16e突出，因此在第二力f2大于第一力f1的情况下，第二突起20可以接触第一边缘12e和第三边缘16e两者。第二突起20配置为硬阻挡件，因为其耦合至与第二结构14相比回弹较弱且不易压缩的第三结构16。因此，第二突起20阻碍耦合至此的第三结构16和第二结构14进一步朝向第一边缘12e移动。因此，与第一突起18相比，第二突起20更不容易附着于第一边缘12e。因此，第二突起20能够防止第一突起18附着于第一边缘12e。第二突起20能够承受较长时间和高碰撞量冲击。

本发明的器件不限制于上述实施例，并且可具有其他不同的实施例。为了简化描述和为了在本发明的实施例中的每个之间方便比较，在下面的实施例的每个中的相同的组件用相同的参考标号标记。为了更容易地比较实施例之间的差异，下面的描述将详述不同实施例之间的差异点并且相同的特征将不再赘述。

图5是器件的一些实施例的示意性截面图。如图5所描述的，器件110的第一突起18从第二边缘14e突出，并且朝向第一部分121的第一边缘12e延伸。器件110的第二突起20从第三边缘16e突出，并且朝向第二部分122的第一边缘12e延伸。在一些实施例中，第一间隙g1小于第二间隙g2，但是以不同于图1、图1a和图1b的方式实现。举例说明，第一距离d1小于第二距离d2，而第一厚度t1基本上等于第二厚度t2。

通过图5中的布置，第一突起18又配置为软阻挡件，且第二突起20又配置为硬阻挡件。当器件110经历巨大冲击时，在第二突起20触到第三结构16之前，第一突起18触到第一结构12。

图6是器件的一些实施例的示意性截面图。器件200包括衬底10、第一结构12、第二结构14、第三结构16、第一突起18和第二突起20。如图6所描述的，器件200和器件100之间的一个差异在于器件200的第二突起20从第一结构12的第二部分122的第一边缘12e突出且朝向第三结构16延伸。第二突起20和第三结构16的第三边缘16e具有第二间隙g2。第一突起18从第二结构14的第二边缘14e突出，且朝向第一结构12的第一部分121延伸。即，第一突起18和第二突起20设置在第一结构12和第二结构14/第三结构16之间的间隔的相对两侧上。在一些实施例中，第一距离d1基本上等于第二距离d2，第一厚度t1大于第二厚度t2，以及第一间隙g1小于第二间隙g2。

在一些可选实施例中，第一突起18从第一部分121的第一边缘12e突出且朝向第二结构14延伸，并且第二突起20从第二部分122的第一边缘12e突出且朝向第三结构16延伸。

通过图6中的布置，第一突起18又配置为软阻挡件，且第二突起20又配置为硬阻挡件。当器件200经历巨大冲击时，在第二突起20触到第三结构16之前，第一突起18触到第一结构12。

图7是器件的一些实施例的示意性截面图。如图7所描述的，器件210的第一突起18从第二边缘14e突出，并且朝向第一部分121的第一边缘12e延伸。器件210的第二突起20从第一结构12的第二部分122的第一边缘12e突出且朝向第三结构16延伸。在一些实施例中，第一间隙g1小于第二间隙g2，但是以不同于图6的方式实现。举例说明，第一距离d1小于第二距离d2，而第一厚度t1基本上等于第二厚度t2。

通过图7中的布置，第一突起18又配置为软阻挡件，且第二突起20又配置为硬阻挡件。当器件110经历巨大冲击时，在第二突起20触到第三结构16之前，第一突起18触到第一结构12。

在本发明中，器件包括回弹结构和静止结构之间的第一突起以及质量块和静止结构之间的第二突起。第一突起比第二突起更靠近静止结构。因此，当器件经历冲击时，在第二突起接触静止结构之前，第一突起接触静止结构。第一突起耦合至具有柔性性能的回弹结构，并且因此能够在碰撞中减小对器件的损坏。第二突起耦合至柔性较小的质量块或静止结构，并且因此能够减小静摩擦问题。

在一些实施例中，提供了一种器件。该器件包括衬底、第一结构、第二结构和第三结构。第一结构在衬底上方，且第一结构具有第一部分和第二部分。第二结构在衬底上方。第二结构具有从第二结构的边缘突出的且朝向第一结构的第一部分延伸的第一突起。第三结构在衬底上方且由第二结构支撑。第三结构具有从第三结构的边缘突出的且朝向第一结构的第二部分延伸的第二突起。第一突起和第一部分之间的第一间隙小于第二突起和第二部分之间的第二间隙。

在一些实施例中，提供了一种器件。该器件包括衬底、第一结构、第二结构、第三结构、第一突起和第二突起。第一结构在衬底上方，且第一结构具有第一部分和第二部分。第二结构在衬底上方。第三结构在衬底上方且由第二结构支撑。第一突起从第二结构的边缘突出，且朝向第一结构的第一部分延伸。第二突起从第一结构的第二部分的边缘突出且朝向第三结构延伸。第一突起和第一部分之间的第一间隙小于第二突起和第三结构之间的第二间隙。

在一些实施例中，提供了一种mems器件。该mems器件包括衬底、静止结构、回弹结构、质量块、第一凸块和第二凸块。静止结构在衬底上方，且静止结构具有第一边缘。回弹结构在衬底上方。回弹结构具有面向静止结构的第一边缘且与静止结构的第一边缘间隔开的第二边缘。质量块在衬底上方且由回弹结构支撑。质量块具有面向静止结构的第一边缘且与静止结构的第一边缘间隔开的第三边缘。回弹结构配置为允许质量块在一方向上朝向或远离静止结构移动。第一凸块和第二凸块分别介于第一边缘和第二边缘、和介于第一边缘和第三边缘之间。第一凸块和第二凸块以邻近的方式布置，从而当mems器件在该方向上经历力时，在第二凸块接触第一边缘和第三边缘两者之前，第一凸块接触第一边缘和第二边缘两者。

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底；第一结构，位于所述衬底上方，所述第一结构具有第一部分和第二部分；第二结构，位于所述衬底上方，所述第二结构具有从所述第二结构的边缘突出并且朝向所述第一结构的第一部分延伸的第一突起；以及第三结构，位于所述衬底上方并且由所述第二结构支撑，所述第三结构具有从所述第三结构的边缘突出并且朝向所述第一结构的第二部分延伸的第二突起，其中，所述第一突起和所述第一部分之间的第一间隙小于所述第二突起和所述第二部分之间的第二间隙。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一结构的第一部分和所述第二结构的边缘之间的第一距离等于所述第一结构的第二部分和所述第三结构的边缘之间的第二距离。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一突起具有第一厚度，所述第二突起具有第二厚度，并且所述第一厚度大于所述第二厚度。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一结构的第一部分和所述第二结构的边缘之间的第一距离小于所述第一结构的第二部分和所述第三结构的边缘之间的第二距离。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一突起具有第一厚度，所述第二突起具有第二厚度，并且所述第一厚度等于所述第二厚度。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一突起和所述第二结构整体地形成，并且所述第二突起和所述第三结构整体地形成。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一结构是静止结构，所述第二结构是回弹结构，所述第三结构是耦合至所述回弹结构的质量块，并且所述回弹结构配置为允许所述质量块朝向或远离所述静止结构移动。

本发明的实施例还提供了一种半导体器件，包括：衬底；第一结构，位于所述衬底上方，所述第一结构具有第一部分和第二部分；第二结构，位于所述衬底上方；第三结构，位于所述衬底上方并且由所述第二结构支撑；第一突起，从所述第二结构的边缘突出并且朝向所述第一结构的第一部分延伸；以及第二突起，从所述第一结构的第二部分的边缘突出并且朝向所述第三结构延伸，其中，所述第一突起和所述第一部分之间的第一间隙小于所述第二突起和所述第三结构之间的第二间隙。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一结构的第一部分和所述第二结构的边缘之间的第一距离等于所述第一结构的第二部分的边缘和所述第三结构之间的第二距离。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一突起具有第一厚度，所述第二突起具有第二厚度，并且所述第一厚度大于所述第二厚度。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一结构的第一部分和所述第二结构的边缘之间的第一距离小于所述第一结构的第二部分的边缘和所述第三结构之间的第二距离。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一突起具有第一厚度，所述第二突起具有第二厚度，并且所述第一厚度等于所述第二厚度。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一突起和所述第二结构整体地形成，并且所述第二突起和所述第一结构整体地形成。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一结构是静止结构，所述第二结构是回弹结构，所述第三结构是耦合至所述回弹结构的质量块，并且所述回弹结构配置为允许所述质量块在一方向上朝向或远离所述静止结构移动。

本发明的实施例还提供了一种微机电系统(mems)器件，包括：衬底；静止结构，位于所述衬底上方，并且所述静止结构具有第一边缘；回弹结构，位于所述衬底上方，所述回弹结构具有面向所述静止结构的第一边缘并且与所述静止结构的第一边缘间隔开的第二边缘；质量块，位于所述衬底上方并且由所述回弹结构支撑，所述质量块具有面向所述静止结构的第一边缘并且与所述静止结构的第一边缘间隔开的第三边缘，其中，所述回弹结构配置为允许所述质量块在一方向上朝向或远离所述静止结构移动；以及第一凸块和第二凸块，分别介于所述第一边缘和所述第二边缘之间和介于所述第一边缘和所述第三边缘之间，其中，所述第一凸块和所述第二凸块邻近布置，从而当所述微机电系统器件在所述方向上经历力时，在所述第二凸块接触所述第一边缘和所述第三边缘两者之前，所述第一凸块接触所述第一边缘和所述第二边缘两者。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一凸块具有第一厚度，所述第二凸块具有第二厚度，并且所述第一厚度大于所述第二厚度。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一边缘和所述第二边缘之间的第一距离小于所述第一边缘和所述第三边缘之间的第二距离。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第一凸块设置在所述回弹结构的第二边缘上。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第二凸块设置在所述质量块的第三边缘上。

根据本发明的一个实施例，其中，所述第二凸块设置在所述静止结构的第一边缘上。

上面概述了若干实施例的部件、使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的实施例。本领域技术人员应该理解，他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实现与在此所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其他工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这种等同构造并不背离本发明的精神和范围、并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，在此他们可以做出多种变化、替换以及改变。