液晶介质的制作方法

1.本发明涉及具有正介电各向异性的液晶(lc)介质和包含这些介质的液晶显示器(lcd)，尤其涉及通过有源矩阵寻址的显示器，和尤其涉及tn、ps
‑
tn、stn、tn
‑
tft、ocb、ips、ps
‑
ips、ffs、hb
‑
ffs、xb
‑
ffs、ps
‑
ffs、sa
‑
hb
‑
ffs、sa
‑
xb
‑
ffs、聚合物稳定化的sa
‑
hb
‑
ffs、聚合物稳定化的sa
‑
xb
‑
ffs、正性va或正性ps
‑
va型的lc显示器。


背景技术：

2.在许多领域中，液晶显示器(lcd)用于显示信息。lcd既用于直视显示器又用于投影型显示器。所使用的电光模式是例如扭曲向列(tn)、超扭曲向列(stn)、光学补偿弯曲(ocb)和电控双折射(ecb)模式以及它们的各种变型，以及其它模式。所有这些模式都利用了基本上垂直于基板和液晶层产生的电场。
3.除了这些模式之外，还存在利用基本上平行于基板或液晶层的电场的电光模式。例如，wo91/10936公开了一种液晶显示器，其中电信号以电场具有平行于液晶层的显著分量的方式产生，并且自此已知其为面内切换ips)显示器。操作这种显示器的原理例如由journal of applied physics中的r.a.soref，第45卷，第12号，第5466
‑
5468页(1974)所描述。
4.ips显示器包含在具有平面取向的两个基板之间的液晶层，其中两个电极仅布置在两个基板之一上，并且优选地具有叉指型梳状结构。在向电极施加电压时，在电极之间产生具有平行于液晶层的有效分量的电场。这导致液晶分子在层平面中重配向。
5.例如，ep0588568公开了用于电极设计和ips显示器寻址的各种可能形式。de19824137同样描述了此类ips显示器的各种实施方案。
6.用于该类型的ips显示器的液晶材料描述于例如de19528104中。
7.此外，已报道了所谓的“边缘场切换”(ffs)显示器(参见，特别是，s.h.jung等人，jpn.j.appl.phys.,第43卷，第3号，2004,1028)，其在同一基板上包含两个电极，其中一个以梳状方式构造，另一个是非结构性的。由此产生强的所谓“边缘场”，即，靠近电极边缘的强电场，以及在整个盒中具有强垂直分量又具有强水平分量的电场。ffs显示器具有低的对比度视角依赖性。ffs显示器通常包含具有正介电各向异性的液晶介质和通常为聚酰亚胺的配向层，该配向层为液晶介质的分子提供平面配向。
8.ips和ffs电光模式的液晶显示器特别适用于现代台式监视器、电视机和多媒体应用。根据本发明的液晶介质优选用于这种类型的显示器。通常，具有相当低的介电各向异性值的介电正性液晶介质用于ffs显示器中，但在一些情况下，具有仅约3或甚至更小的介电各向异性的液晶介质也用于ips显示器中。
9.通过hb
‑
ffs模式已经实现了进一步的改进。与传统ffs技术相比，hb
‑
ffs模式的独特特征之一在于其能够实现更高的透射率，这允许以更少的能量消耗操作面板。
10.最近开发的另一种模式是xb
‑
ffs模式，其中液晶介质另外包含具有低介电各向异性的极性液晶化合物。
11.适用于lcd，尤其是ffs和ips显示器的液晶组合物是现有技术中已知的，例如，可从jp07
‑
181 439(a)、ep 0 667 555、ep 0 673 986、de 195 09 410、de 195 28 106、de 195 28 107、wo 96/23 851和wo 96/28 521中获知。然而，这些组合物具有某些缺点。除去其它缺陷之外，它们中的大多数导致不利的长寻址时间、具有不足的电阻率值和/或需要过高的工作电压。在本文中，不仅需要改进操作性能而且需要改进保存期限。
12.ffs和ips显示器可以作为有源矩阵显示器(amd)或无源矩阵显示器(pmd)来操作。在有源矩阵显示器的情况下，通常通过集成的、非线性的有源元件例如薄膜晶体管(tft)，来寻址各个像素，而在无源矩阵显示器的情况下，通常通过现有技术中已知的多路传输方法来寻址各个像素。
13.优选地，根据本发明的显示器通过有源矩阵寻址，优选地通过tft矩阵寻址。然而，根据本发明的液晶也可有利地用于具有其它已知寻址方式的显示器中。
14.面内切换(ips)和边缘场切换(ffs)技术的典型应用是监视器、笔记本电脑、电视、移动电话、平板pc等。
15.ips和ffs技术都具有优于其它lcd技术的某些优点，比如，例如，垂直配向(va)技术，例如，对比度的宽视角依赖性。
16.其它液晶介质的提供及其在具有高透射率、良好的黑色态和高对比度的显示器中的用途是现代ffs和ips应用的核心挑战。此外，现代应用还需要良好的低温稳定性和快速的寻址时间。


技术实现要素：

17.本发明的目的是提供液晶介质，尤其用于ffs和ips显示器，也用于tn、正性va或stn显示器，和尤其用于有源矩阵显示器如由tft寻址的那些，其不显示以上指出的缺点或仅在较小程度上显示，和优选具有高电阻率、低阈值电压、高介电各向异性、良好的低温稳定性(lts)、快速响应时间和低旋转粘度，和能够实现高亮度。
18.这通过提供如下文所述和要求保护的液晶介质来实现。
19.在ffs显示器的情况下，需要进一步优化响应时间、对比度、亮度和可靠性。然而，发现现有技术的液晶材料经常不能同时实现所有这些要求。
20.现已令人惊讶地发现，包含式i和z化合物的组合的根据本发明的液晶介质显示出一些改进，特别是用于ffs模式显示器时，例如良好的溶解度和低的γ1/k1比，以及能够实现快速响应时间。
21.根据本发明的液晶介质尤其适用于基于介电正性液晶的ffs、hb
‑
ffs、xb
‑
ffs和ips模式的液晶显示器及其聚合物稳定化的变体。
22.本发明涉及液晶介质，其特征在于其具有正介电各向异性并且包含一种或多种式i化合物
[0023][0024]
其中各个基团在每次出现时相同或不同地并且各自彼此独立地具有以下含义：
[0025]
r0表示未取代或优选被f或cl卤代的具有1至15个c原子的直链、支链或环状烷基或烷氧基基团，其中这些基团中的一个或多个ch2基团可以各自彼此独立地被基团可以各自彼此独立地被
‑
c≡c
‑
、
‑
cf2o
‑
、
‑
ocf2‑
、
‑
ch＝ch
‑
、
‑
o
‑
、
‑
co
‑
o
‑
或
‑
o
‑
co
‑
以使得o原子不彼此直接连接的方式替代，
[0026]
y1，y2表示h、f或cl，优选h或f，非常优选f，其中y1和y2中的至少一个不同于h，
[0027]
y5表示h或ch3，优选h。
[0028]
本发明还涉及如上下文所述的液晶介质用于电光学目的的用途，尤其是用于液晶显示器、快门眼镜、lc窗、3d应用，优选用于tn、ps
‑
tn、stn、tn
‑
tft、ocb、ips、ps
‑
ips、ffs、hb
‑
ffs、xb
‑
ffs、ps
‑
hb
‑
ffs、ps
‑
xb
‑
ffs、sa
‑
hb
‑
ffs、sa
‑
xb
‑
ffs、聚合物稳定化的sa
‑
hb
‑
ffs、聚合物稳定化的sa
‑
xb
‑
ffs、正性va和正性ps
‑
va显示器，非常优选地用于ffs、hb
‑
ffs、ips、ps
‑
hb
‑
ffs和ps
‑
ips显示器。
[0029]
本发明还涉及包含如上下文所述的液晶介质的电光液晶显示器，特别是tn、ps
‑
tn、stn、tn
‑
tft、ocb、ips、ps
‑
ips、ffs、hb
‑
ffs、xb
‑
ffs、ps
‑
hb
‑
ffs、ps
‑
xb
‑
ffs、sa
‑
hb
‑
ffs、sa
‑
xb
‑
ffs、聚合物稳定化的sa
‑
hb
‑
ffs、聚合物稳定化的sa
‑
xb
‑
ffs、正性va或正性ps
‑
va显示器，优选ffs、hb
‑
ffs、ips、ps
‑
hb
‑
ffs或ps
‑
ips显示器。
[0030]
在本技术中，所有原子还包括它们的同位素。在优选的实施方案中，一个或多个氢原子(h)被氘(d)替代；高度的氘化使得能够进行或简化化合物的分析测定，特别是在低浓度的情况下。
[0031]
在上下文的式中，如果r0、r1或r2表示烷基和/或烷氧基，则其可以是直链或支链的。它优选是直链的，具有2、3、4、5、6或7个c原子，因此优选地表示乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基或庚氧基，进一步优选甲基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、甲氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十三烷氧基或十四烷氧基。r0优选表示具有2
‑
6个c原子的直链烷基。
[0032]
氧杂烷基优选地表示直链2
‑
氧杂丙基(＝甲氧基甲基)、2(＝乙氧基甲基)或3
‑
氧杂丁基(＝2
‑
甲氧基乙基)、2
‑
氧杂戊基、3
‑
氧杂戊基或4
‑
氧杂戊基、2
‑
氧杂己基、3
‑
氧杂己基、4
‑
氧杂己基或5
‑
氧杂己基，或2
‑
氧杂庚基、3
‑
氧杂庚基、4
‑
氧杂庚基、5
‑
氧杂庚基或6
‑
氧杂庚基，或2
‑
氧杂辛基、3
‑
氧杂辛基，4
‑
氧杂辛基，5
‑
氧杂辛基，6
‑
氧杂辛基或7
‑
氧杂辛基，2
‑
氧杂壬基、3
‑
氧杂壬基、4
‑
氧杂壬基、5
‑
氧杂壬基、6
‑
氧杂壬基、7
‑
氧杂壬基或8
‑
氧杂壬基，2
‑
氧杂癸基、3
‑
氧杂癸基、4
‑
氧杂癸基、5
‑
氧杂癸基、6
‑
氧杂癸基、7
‑
氧杂癸基、8
‑
氧杂癸基或9
‑
氧杂癸基。
[0033]
如果r0、r1或r2表示烷氧基或氧杂烷基，则其还可以包含一个或多个另外的氧原子，条件是氧原子彼此不直接连接。
[0034]
在另一个优选的实施方案中，r0、r1和r2中的一个或多个选自由
‑
s1‑
f、
‑
o
‑
s1‑
f、
‑
o
‑
s1‑
o
‑
s2组成的组，其中s1为c1‑
12
‑
亚烷基或c2‑
12
‑
亚烯基，并且s2为h、c1‑
12
‑
烷基或c2‑
12
‑
烯基，并且非常优选地，r0、r1和r2中的一个或多个选自由中的一个或多个选自由中的一个或多个选自由
‑
och2och3、
‑
o(ch2)2och3、
‑
o(ch2)3och3、
‑
o(ch2)4och3、
‑
o(ch2)2f、
‑
o(ch2)3f、
‑
o(ch2)4f组成的组。
[0035]
如果r0、r1或r2表示其中一个ch2基团已被
‑
ch＝ch
‑
替代的烷基，其可以是直链或支链的。它优选为直链的并具有2至10个c原子。因此，它尤其表示乙烯基、丙
‑1‑
烯基或丙
‑2‑
烯基、丁
‑1‑
烯基、丁
‑2‑
烯基或丁
‑3‑
烯基、戊
‑1‑
烯基、戊
‑2‑
烯基、戊
‑3‑
烯基或戊
‑4‑
烯基，己
‑1‑
烯基、己
‑2‑
烯基、己
‑3‑
烯基、己
‑4‑
烯基或己
‑5‑
烯基，庚
‑1‑
烯基、庚
‑2‑
烯基、庚
‑3‑
烯基、庚
‑4‑
烯基、庚
‑5‑
烯基或庚
‑6‑
烯基，辛
‑1‑
烯基、辛
‑2‑
烯基、辛
‑3‑
烯基、辛
‑4‑
烯基、辛
‑5‑
烯基、辛
‑6‑
烯基或辛
‑7‑
烯基，壬
‑1‑
烯基、壬
‑2‑
烯基、壬
‑3‑
烯基、壬
‑4‑
烯基、壬
‑5‑
烯基、壬
‑6‑
烯基、壬
‑7‑
烯基或壬
‑8‑
烯基，癸
‑1‑
烯基、癸
‑2‑
烯基、癸
‑3‑
烯基、癸
‑4‑
烯基、癸
‑5‑
烯基、癸
‑6‑
烯基、癸
‑7‑
烯基、癸
‑8‑
烯基或癸
‑9‑
烯基。
[0036]
如果r0、r1或r2表示被卤素至少单取代的烷基或烯基基团，则该基团优选为直链的，并且卤素优选为f或cl。在多取代的情况下，卤素优选为f。所得的基团还包括全氟代基团。在单取代的情况下，氟或氯取代基可以在任何所需位置，但优选在ω位置。
[0037]
在上下文的式中，x0优选为f、cl或具有1、2或3个c原子的单氟代或多氟代烷基或烷氧基，或具有2或3个c原子的单氟代或多氟代烯基，x0特别优选为f、cl、cf3、chf2、ocf3、ochf2、ocfhcf3、ocfhchf2、ocfhchf2、ocf2ch3、ocf2chf2、ocf2chf2、ocf2cf2chf2、ocf2cf2chf2、ocfhcf2cf3、ocfhcf2chf2、ocf2cf2cf3、ocf2cf2cclf2、occlfcf2cf3、och＝cf2或ch＝cf2，非常特别优选为f或ocf3，以及cf3、ocf＝cf2、ochf2或och＝cf2。
[0038]
在根据本发明的lc介质中，式i化合物与式z1至z3或其子式化合物的一起使用能够实现增加的ε
⊥
值，同时降低旋转粘度和γ1/k2和γ1/k1的比率，并且因此实现快的响应时间。
[0039]
在式i及其子式的化合物中，r0优选表示具有1至6个c原子的直链烷基或烷氧基，非常优选甲基、乙基或丙基，最优选正丙基。
[0040]
优选的式i化合物是其中y1和y2表示f或cl，非常优选f的那些。
[0041]
非常优选的式i化合物是选自以下子式的那些：
[0042]
[0043][0044]
其中y5为h或ch3，优选为h。
[0045]
非常优选的是式i1，i2，i3和i4的化合物，最优选的是式i2的化合物。
[0046]
介质中式i或其子式化合物的比例优选为2至35重量％，非常优选为3至30重量％，最优选为4至20重量％。
[0047]
优选地，介质包含1、2或3种式i或其子式的化合物。
[0048]
优选地，除了式i化合物外，介质还包含一种或多种选自下式的化合物：
[0049][0050][0051]
其中“alkyl”为c1‑6烷基，并且优选表示丙基、丁基或戊基，非常优选丙基或丁基。非常优选的是式z1化合物。
[0052]
优选的式z1，z2和z3化合物是选自以下子式的那些
[0053][0054][0055]
非常优选的是式z1
‑
1和z2
‑
1的化合物。
[0056]
在另一个优选的实施方案中，介质包含一种或多种式z1或其优选的子式的化合物和一种或多种选自式z2和z3或其优选的子式的化合物。
[0057]
优选地，介质中式z1，z2和z3或其子式的化合物的总比例为10至65重量％，非常优
选为15至60重量％，最优选为20至55重量％。
[0058]
优选地，介质包含1、2或3种选自式z1，z2和z3或其子式的化合物。
[0059]
在根据本发明的第一优选实施方案中，除了式i化合物外，lc介质还包含一种或多种选自式y和b的化合物。
[0060][0061]
其中各个基团在每次出现时相同或不同地并且各自彼此独立地具有以下含义：
[0062]
表示
[0063][0064]
表示
[0065][0066]
表示
[0067]
r1，r2具有式i中对于r0的含义之一，
[0068]
r3具有对于r1或x1的含义之一，
[0069]
x1表示具有1、2或3个c原子的氟代烷基或烷氧基，优选cf3或ocf3，
[0070]
z
x
，z
y
表示
‑
ch2ch2‑
、
‑
ch＝ch
‑
、
‑
cf2o
‑
、
‑
ocf2‑
、
‑
ch2o
‑
、
‑
och2‑
、
‑
co
‑
o
‑
、
‑
o
‑
co
‑
、
‑
c2f4‑
、
‑
cf＝cf
‑
、
‑
ch＝ch
‑
ch2o
‑
或单键，优选单键，
[0071]
z
z
表示ch2o或单键，
[0072]
y1表示o或s，
[0073]
l1‑4表示h、f或cl，优选h或f，非常优选f，
[0074]
x，y表示0、1或2，其中x y≤3，
[0075]
z表示0或1，
[0076]
其中在式b中，二苯并呋喃基或二苯并噻吩基还可以被甲基或甲氧基进一步取代，和
[0077]
其中式y化合物包含至少一个为f或cl，优选为f的取代基l1‑4。
[0078]
优选地，根据该第一优选实施方案的lc介质包含一种或多种式i化合物，一种或多种选自式z1，z2和z3的化合物以及一种或多种选自式y和b的化合物。
[0079]
根据该第一优选实施方案的lc介质尤其适合用于hb
‑
ffs或ps
‑
hb
‑
ffs模式的lc显示器。
[0080]
在根据本发明的第二优选实施方案中，lc介质不含有式y或b的化合物。
[0081]
在式y及其子式的化合物中，r1和r2优选地表示具有1至6个c原子的直链烷基或烷氧基，还有具有2至6个c原子的烯基，尤其是乙烯基、1e
‑
丙烯基、1e
‑
丁烯基、3
‑
丁烯基、1e
‑
戊烯基、3e
‑
戊烯基或4
‑
戊烯基。
[0082]
在式y及其子式的化合物中，优选l1和l2基团都表示f。在本发明的另一个优选的实施方案中，在式y及其子式的化合物中，l1和l2基团中的一个表示f，另一个表示cl。
[0083]
在本发明的一个优选的实施方案中，介质包含一种或多种选自以下子式的式y化合物，
[0084][0085]
其中l1、l2、r1、r2、z
x
、z
y
、x和y具有式y中给出的含义或上下文中给出的优选的含义之一，
[0086]
a表示1或2，
[0087]
b表示0或1，
[0088]
表示
[0089]
l3、l4表示f或cl，优选f。
[0090]
优选地，在式y1和y2化合物中，l1和l2都表示f，或l1和l2中的一个表示f，和另一个表示cl，或l3和l4都表示f，或l3和l4中的一个表示f，和另一个表示cl。
[0091]
优选地，介质包含一种或多种选自以下子式的式y1化合物
[0092]
[0093]
[0094]
[0095]
[0096][0097]
其中a表示1或2，“alkyl”和“alkyl*”各自彼此独立地表示具有1
‑
6个c原子的直链烷基，“alkenyl”表示具有2
‑
6个c原子的直链烯基，和(o)表示氧原子或单键。“alkenyl”优
选地表示ch2＝ch
‑
、ch2＝chch2ch2‑
、ch3‑
ch＝ch
‑
、ch3‑
ch2‑
ch＝ch
‑
、ch3‑
(ch2)2‑
ch＝ch
‑
、ch3‑
(ch2)3‑
ch＝ch
‑
或ch3‑
ch＝ch
‑
(ch2)2‑
。
[0098]
非常优选地，介质包含一种或多种选自式y1
‑
2和y1
‑
10的式y1化合物。
[0099]
进一步优选地，介质包含一种或多种选自以下子式的式y2化合物：
[0100]
[0101]
[0102][0103]
其中“alkyl”和“alkyl*”各自彼此独立地表示具有1
‑
6个c原子的直链烷基，“alkenyl”表示具有2
‑
6个c原子的直链烯基，和(o)表示氧原子或单键。“alkenyl”优选地表示ch2＝ch
‑
、ch2＝chch2ch2‑
、ch3‑
ch＝ch
‑
、ch3‑
ch2‑
ch＝ch
‑
、ch3‑
(ch2)2‑
ch＝ch
‑
、ch3‑
(ch2)3‑
ch＝ch
‑
或ch3‑
ch＝ch
‑
(ch2)2‑
。
[0104]
非常优选地，介质包含一种或多种选自式y2
‑
2和y2
‑
10的式y2化合物。
[0105]
式y1或其子式的化合物在介质中的比例优选为1
‑
10wt％。
[0106]
式y2或其子式的化合物在介质中的比例优选为1
‑
10wt％。
[0107]
式y1和y2化合物或其子式在介质中的总比例优选为1
‑
20wt％，非常优选为2
‑
15wt％。
[0108]
优选地，介质包含1、2或3种式y1和y2或其子式的化合物，非常优选地选自式y1
‑
2、y1
‑
10、y1
‑
40、y1
‑
42、y2
‑
2和y2
‑
10。
[0109]
在本发明的另一个优选的实施方案中，介质包含一种或多种选自以下子式的式y化合物，
[0110][0111]
其中l1、l2、r1和r2具有式y中给出的含义之一或如上下文给出的优选的含义之一。
[0112]
优选的式y3化合物选自以下的子式
[0113]
[0114][0115]
其中，“alkyl”和“alkyl*”各自彼此独立地表示具有1至6个c原子的直链烷基，“alkoxy”表示具有1至6个c原子的直链烷氧基，“alkenyl”和“alkenyl*”各自彼此独立地表示具有2至6个c原子的直链烯基，和o表示氧原子或单键。“alkenyl”和“alkenyl*”优选地表示ch2＝ch、ch2＝chch2ch2‑
、ch3‑
ch＝ch
‑
、ch3‑
ch2‑
ch＝ch
‑
、ch3‑
(ch2)2‑
ch＝ch
‑
、ch3‑
(ch2)3‑
ch＝ch
‑
或ch3‑
ch＝ch
‑
(ch2)2‑
。
[0116]
特别优选的式y3化合物选自以下子式：
[0117][0118]
其中，“alkoxy”优选地表示具有3、4或5个c原子的直链烷氧基。
[0119]
优选地，在式y3及其子式化合物中，l1和l2表示f。进一步优选地在式y3化合物中，基团l1和l2中的一个表示f，和另一个表示cl。
[0120]
式y3化合物或其子式在介质中的比例优选为1
‑
10wt％，非常优选为1
‑
6wt％。
[0121]
优选地，介质包含1、2或3种式y3或其子式的化合物，优选式y3
‑
6化合物，非常优选式y3
‑
6a化合物。
[0122]
在本发明的另一个优选的实施方案中，介质包含一种或多种选自子式y4的式y化合物，
[0123][0124]
其中r1和r2各自彼此独立地具有以上所示含义之一，和
[0125][0126]
各自彼此独立地表示
[0127][0128]
其中l5表示f或cl，优选f，和l6表示f、cl、ocf3、cf3、ch3、ch2f或chf2，优选f，和优选地环g、i和k中的至少一个不同于未取代的苯。
[0129]
优选的式y4化合物选自以下的子式：
[0130]
[0131]
[0132][0133]
其中r表示具有1至7个c原子的直链烷基或烷氧基，r*表示具有2至7个c原子的直链烯基，(o)表示氧原子或单键，m表示1至6的整数。r*优选地表示ch2＝ch
‑
、ch2＝chch2ch2‑
、ch3‑
ch＝ch
‑
、ch3‑
ch2‑
ch＝ch、ch3‑
(ch2)2‑
ch＝ch
‑
、ch3‑
(ch2)3‑
ch＝ch
‑
或ch3‑
ch＝ch
‑
(ch2)2‑
。
[0134]
r优选地表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基或戊氧基。
[0135]
式y4化合物或其子式在介质中的比例优选为1
‑
10wt％，非常优选为1
‑
6wt％。
[0136]
优选地，介质包含1、2或3种式y4或其子式的化合物，优选式y4
‑
1、y4
‑
2、y4
‑
3或y4
‑
21化合物，其中r优选地表示各自具有1至5个c原子的烷基以及烷氧基。
[0137]
在本发明的另一个优选的实施方案中，介质包含一种或多种选自以下子式的式y
化合物，
[0138][0139][0140]
其中r5具有以上对于r1所示的含义之一，“alkyl”表示具有1
‑
6个c原子的直链烷基，l
x
表示h或f，x表示f、cl、ocf3、ochf2或och＝cf2，d表示0或1，且z和m各自彼此独立地表示1
‑
6的整数。
[0141]
这些化合物中的r5特别优选为c1‑6‑
烷基或烷氧基或c2‑6‑
烯基，d优选是1。这些化合物中的x特别优选是f。根据本发明的lc介质优选地包含≥5wt％的一种或多种上述式的化合物。
[0142]
在式b及其子式的化合物中，r1和r2优选地表示具有1至6个c原子的直链烷基或烷氧基，特别是甲氧基、乙氧基、丙氧基或丁氧基，以及具有2至6个c原子的烯基，特别是乙烯
基、1e
‑
丙烯基、1e
‑
丁烯基、3
‑
丁烯基、1e
‑
戊烯基、3e
‑
戊烯基或4
‑
戊烯基。
[0143]
在发明的一个优选的实施方案中，介质包含一种或多种选自以下子式的式b化合物，
[0144][0145]
其中l1，l2，r1，r3，y1和x1具有式b中给出的含义或上下文中给出的优选含义之一。
[0146]
优选的式b1化合物选自以下子式：
[0147][0148]
其中“alkyl”表示具有1至6个碳原子的直链烷基，和(o)表示氧原子或单键。非常优选的是式b1
‑
1和b1
‑
2化合物，其中两个基团(o)都表示氧原子，且“alkyl”是甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基，它们优选是直链的。非常优选地，一个“alkyl”是乙基，和另一个“alkyl”是正戊基。
[0149]
非常优选的是式b1
‑
2化合物。
[0150]
介质中式b1或其子式的化合物的比例优选为1
‑
20wt％，非常优选为1
‑
15wt％。
[0151]
优选地，介质包含1、2或3种式b1或其子式的化合物。
[0152]
优选的式b2化合物选自以下子式：
[0153][0154]
介质中式b2或其子式的化合物的比例优选为1
‑
20wt％，非常优选为1
‑
15wt％。
[0155]
优选地，lc介质包含1、2或3种式b2或其子式的化合物。
[0156]
优选的式b3化合物选自以下子式：
[0157][0158]
其中r1具有式b3中给出的含义之一，并优选表示具有1
‑
6个c原子的直链烷基，非常优选甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基，更优选乙基或丙基，最优选丙基，和x1具有式b3中给出的含义之一，并且优选表示cf3或ocf3。
[0159]
优选的式b3化合物选自以下子式：
[0160][0161]
其中r1具有式b3中给出的含义之一，并优选表示具有1
‑
6个c原子的直链烷基，非常优选甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基，更优选乙基或丙基，最优选丙基。
[0162]
最优选的是式b3
‑1‑
1和b3
‑2‑
2的化合物。
[0163]
在一个优选的实施方案中，介质包含一种或多种式b或其子式b1，b2，b3，b1
‑
1，b1
‑
2，b2
‑
1，b2
‑
2，b2
‑
3，b3
‑
1，b3
‑
2，b3
‑1‑
1，b3
‑1‑
2，b3
‑2‑
1和b3
‑2‑
2的化合物，其中二苯并呋喃基或二苯并噻吩基被甲基或甲氧基取代，优选被甲基取代，优选在取代基l1或l2的对位，非常优选在取代基l2的对位(即在末端基团r2或x1的间位)。
[0164]
lc介质中式b3或其子式的化合物的比例优选为1
‑
20wt％，非常优选为1
‑
10wt％。
[0165]
优选地，介质包含1、2或3种式b3或其子式的化合物。
[0166]
优选地，介质中式y和b或其子式的化合物的总比例为2
‑
25wt％，非常优选3
‑
20wt％。
[0167]
其他优选的实施方案如下所示：
[0168]
‑
介质包含一种或多种选自以下子式的式y化合物
[0169][0170]
其中r1、r2、l1、l2、x、x和z
x
具有式y中给出的含义，并且其中环x中的至少一个是亚环己烯基。
[0171]
优选地，基团l1和l2都表示f。进一步优选地，基团l1和l2中的一个表示f并且另一个表示cl。
[0172]
式ly化合物优选地选自以下子式：
[0173][0174][0175]
其中r1具有以上所述的含义，(o)表示氧原子或单键，和v表示1
‑
6的整数。r1优选地表示具有1至6个c原子的直链烷基或具有2至6个c原子的直链烯基，特别是ch3、c2h5、n
‑
c3h7、n
‑
c4h9、n
‑
c5h
11
、ch2＝ch
‑
、ch2＝chch2ch2‑
、ch3‑
ch＝ch
‑
、ch3‑
ch2‑
ch＝ch
‑
、ch3‑
(ch2)2‑
ch＝ch
‑
、ch3‑
(ch2)3‑
ch＝ch
‑
或ch3‑
ch＝ch
‑
(ch2)2‑
。
[0176]
非常优选的是式ly4化合物。
[0177]
优选地，介质包含1、2或3种式ly化合物，非常优选式ly4化合物。
[0178]
介质中式ly或其子式化合物的比例优选为1
‑
10wt％。
[0179]
‑
介质包含一种或多种选自以下子式的式y化合物
[0180][0181]
其中r1、r2、l1、l2、y、y和z
y
具有式y中给出的含义，并且其中环y的至少一个是四氢吡喃。
[0182]
式ay化合物优选地选自以下的子式：
[0183]
[0184][0185]
其中r1具有以上所述含义，“alkyl”表示具有1
‑
6个c原子的直链烷基，(o)表示氧原子或单键，和v表示1
‑
6的整数。r1优选地表示具有1至6个c原子的直链烷基或具有2至6个c原子的直链烯基，特别是ch3、c2h5、n
‑
c3h7、n
‑
c4h9、n
‑
c5h
11
、ch2＝ch
‑
、ch2＝chch2ch2‑
、ch3‑
ch＝ch
‑
、ch3‑
ch2‑
ch＝ch
‑
、ch3‑
(ch2)2‑
ch＝ch
‑
、ch3‑
(ch2)3‑
ch＝ch
‑
或ch3‑
ch＝ch
‑
(ch2)2‑
。
[0186]
‑
介质不包含式y、b、ly或ay的化合物。
[0187]
‑
介质不包含具有在2
‑
和3
‑
位被f或cl取代的1，4
‑
亚苯基的化合物。
[0188]
‑
介质另外包含一种或多种选自下式的化合物：
[0189][0190]
其中各个基团彼此独立地并且在每次出现时相同或不同地具有以下含义：
[0191]
表示
[0192][0193][0194]
表示
[0195][0196]
r0具有式i中给出的含义之一或上下文中给出的优选含义之一，
[0197]
x0表示f，cl，cn，sf5，scn，ncs，具有至多6个c原子的卤代烷基，卤代烯基，卤代烷氧基或卤代烯氧基，和
[0198]
y1‑6表示h或f，
[0199]
y0表示h或ch3。
[0200]
优选的式ii和iii的化合物是其中y0为h的那些。
[0201]
进一步优选的式ii和iii的化合物是其中r0表示具有1
‑
6个c原子的烷基，非常优选乙基或丙基并且x0表示f或ocf3，非常优选f的那些。
[0202]
‑
介质含有一种或多种选自以下子式的式ii化合物：
[0203]
[0204][0205]
其中r0和x0具有式ii中给出的含义或上下文给出的优选含义之一。
[0206]
优选的化合物是式ii1、ii2和ii3的那些，非常优选式ii1和ii2的那些。
[0207]
在式ii1至ii7的化合物中，r0优选表示具有1至6个c原子的烷基，非常优选乙基或丙基，并且x0优选表示f或ocf3，非常优选f。
[0208]
‑
介质包含一种或多种上下文所述的式ii或其子式的化合物，其中y0为ch3，非常优选地，根据此优选实施方案的介质包含一种或多种选自以下子式的式ii化合物：
[0209]
[0210][0211]
其中r0和x0具有式ii中给出的含义或上下文给出的优选含义之一。
[0212]
优选的化合物是式iia1，iia2和iia3的那些，非常优选式iia1和iia2的那些。
[0213]
在式iia1至iia7的化合物中，r0优选表示具有1至6个c原子的烷基，非常优选乙基或丙基，并且x0优选表示f或ocf3，非常优选f。
[0214]
‑
介质包含一种或多种选自以下子式的式iii化合物：
[0215]
[0216]
[0217][0218]
其中r0和x0具有式ii中给出的含义或上下文给出的优选含义之一。
[0219]
优选的化合物是式iii1，iii4，iii6，iii16，iii19和iii20的那些。
[0220]
在式iii1至iii21的化合物中，r0优选表示具有1至6个c原子的烷基，非常优选乙基或丙基，x0优选表示f或ocf3，非常优选f，并且y2优选表示f。
[0221]
‑
介质包含一种或多种上下文所述的式iii或其子式的化合物，其中y0为ch3。非常优选地，根据此优选实施方案的介质包含一种或多种选自以下子式的式iii化合物：
[0222]
[0223]
[0224]
[0225][0226]
其中r0和x0具有式iii中给出的含义或上下文给出的优选含义之一。
[0227]
优选的化合物是式iiia1，iiia4，iiia6，iiia16，iiia19和iiia20的那些。
[0228]
在式iiia1至iiia21的化合物中，r0优选表示具有1至6个c原子的烷基，非常优选乙基或丙基，x0优选表示f或ocf3，非常优选f，并且y2优选表示f。
[0229]
‑
介质另外包含一种或多种选自下式的化合物：
[0230]
[0231][0232]
其中
[0233]
r0，x0和y1‑5具有上述含义，并且
[0234]
z0表示
‑
c2h4‑
、
‑
(ch2)4‑
、
‑
ch＝ch
‑
、
‑
cf＝cf
‑
、
‑
c2f4‑
、
‑
ch2cf2‑
、
‑
cf2ch2‑
、
‑
ch2o
‑
、
‑
och2‑
、
‑
coo
‑
或
‑
ocf2‑
，在式v和vi中也表示单键，在式v和viii中也表示
‑
cf2o
‑
，
[0235]
r表示0或1，和
[0236]
s表示0或1；
[0237]
‑
式iv的化合物优选选自下式：
[0238][0239]
其中r0和x0具有上述含义。
[0240]
r0优选表示具有1至6个碳原子的烷基。x0优选表示f或ocf3，还有ocf＝cf2或cl；
[0241]
‑
式iva的化合物优选选自以下子式：
[0242][0243]
其中r0具有上述含义，并且优选为丙基或戊基。
[0244]
‑
式ivc的化合物优选选自以下子式：
[0245][0246]
其中r0具有上述含义，并且优选为丙基或戊基。
[0247]
一种或多种式ivc，特别是式ivc1的化合物优选以1
‑
20wt％，特别优选2
‑
15wt％的量用于根据本发明的混合物中。
[0248]
‑
式v的化合物优选选自以下子式：
[0249]
[0250][0251]
其中r0和x0具有上述含义。
[0252]
r0优选表示具有1至6个碳原子的烷基。x0优选表示f和ocf3，还有ochf2，cf3，ocf＝cf2和och＝cf2；
[0253]
‑
式vi化合物优选选自以下子式：
[0254]
[0255][0256]
其中r0和x0具有上述含义。
[0257]
r0优选表示具有1至6个碳原子的烷基。x0优选表示f，还有ocf3，cf3，cf＝cf2，ochf2和och＝cf2；
[0258]
‑
式vii化合物优选选自以下子式：
[0259][0260]
其中r0和x0具有上述含义。
[0261]
r0优选表示具有1至6个碳原子的烷基。x0优选表示f，还有ocf3，ochf2和och＝cf2。
[0262]
‑
介质另外包含一种或多种选自以下子式的化合物：
[0263]
[0264][0265]
其中x0具有上述含义，并且
[0266]
l表示h或f，
[0267]“alkyl”表示c1‑6烷基，
[0268]
r'表示甲基，c4‑6‑
烷基或c1‑6‑
烷氧基，其中，如果r'不同于c1‑6烷氧基，则式ix中的“alkyl”不是乙基或丙基，
[0269]
r”表示c1‑6‑
烷基，c1‑6‑
烷氧基或c2‑6‑
烯基，和
[0270]“alkenyl”和“alkenyl*”各自彼此独立地表示c2‑6‑
烯基，并且在式x中，“alkenyl”表示c3‑6烯基。
[0271]
‑
式ix
‑
xiii的化合物优选选自以下子式：
[0272]
[0273][0274]
其中“alkyl”具有式ix中给出的含义，“alkyl*”是甲基、丁基、戊基或己基，并且“alkyl**”是丁基、戊基或己基。
[0275]
特别优选式ixa，xb，xc，xia，xib，xiia和xiiia的化合物。在式ixb和ix中，“alkyl”优选彼此独立地表示n
‑
c3h7、n
‑
c4h9或n
‑
c5h
11
，特别是n
‑
c3h7。
[0276]
‑
优选的化合物选自以下组
[0277]
[0278][0279]
非常优选的是式xb2的化合物；
[0280]
‑
介质另外包含一种或多种选自下式的化合物：
[0281][0282]
其中l1和l2具有上述含义，并且r1和r2各自彼此独立地表示具有至多6个c原子的正烷基，烷氧基，氧杂烷基，氟代烷基或烯基，并且优选各自彼此独立地表示具有1至6个c原子的烷基，并且式xiv的化合物与式p的化合物不同；在式xiv的化合物中，基团r1和r2中的至少一个优选表示具有2至6个c原子的烯基。
[0283]
‑
介质包含一种或多种式xiv的化合物，其中基团r1和r2中的至少一个表示具有2至6个c原子的烯基，优选选自以下子式的那些：
[0284]
[0285][0286]
其中“alkyl”具有上述含义，并优选表示甲基、乙基或丙基；
[0287]
‑
式xiv的化合物优选选自以下子式：
[0288][0289]
非常优选的是式xivd1的化合物；
[0290]
‑
介质包含一种或多种式xvi的化合物，
[0291][0292]
其中r1和r2具有上述含义，并且优选各自彼此独立地表示具有1至6个c原子的烷基。l表示h或f。
[0293]
特别优选的式xvi的化合物是以下子式的那些
[0294]
[0295][0296]
其中
[0297]
alkyl和alkyl*各自彼此独立地表示具有1
‑
6个c原子的直链烷基，特别是乙基、丙基或戊基，
[0298]
alkenyl和alkenyl*各自彼此独立地表示具有2个6个c原子的直链烯基，特别是ch2＝chc2h4、ch3ch＝chc2h4、ch2＝ch和ch3ch＝ch。
[0299]
特别优选式xvib、xvic和xvig的化合物。非常特别优选以下子式的化合物
[0300]
[0301][0302]
非常优选的是式xvic2、xvig1和xvig2的化合物。
[0303]
‑
介质包含一种或多种下式的化合物：
[0304]
[0305][0306]
其中r1和r2具有上述含义，并且优选各自彼此独立地表示具有1至6个c原子的烷基。l表示h或f。非常优选其中l为h的式xviia化合物。非常优选其中l为f的式xviib化合物。
[0307]
‑
介质还包含一种或多种选自下式的化合物：
[0308]
[0309][0310]
其中r0和x0各自彼此独立地具有上述含义之一，并且y1‑4各自彼此独立地表示h或f，并且y5表示h或ch3，优选h。x0优选为f、cl、cf3、ocf3或ochf2。r0优选表示各自具有至多6个c原子的烷基、烷氧基、氧杂烷基、氟代烷基或烯基。
[0311]
非常优选地，根据本发明的介质包含一种或多种式xxa的化合物，
[0312][0313]
其中r0具有上述含义。r0优选表示直链烷基，特别是乙基、正丙基、正丁基或正戊基，并且非常特别优选正丙基。
[0314]
一种或多种式xx，特别是式xxa的化合物优选以1
‑
15wt％，特别优选2
‑
10wt％的量用于根据本发明的混合物中。
[0315]
非常优选地，根据本发明的介质包含一种或多种式xxia的化合物，
[0316][0317]
其中r0具有上述含义。r0优选表示直链烷基，特别是乙基、正丙基、正丁基或正戊基，并且非常特别优选正丙基。
[0318]
一种或多种式xxi，特别是式xxia的化合物优选以1
‑
15wt％，特别优选2
‑
10wt％的
量用于根据本发明的混合物中。
[0319]
进一步优选地，根据本发明的介质包含一种或多种式xxiiia的化合物，
[0320][0321]
其中r0具有上述含义。r0优选表示直链烷基，特别是乙基、正丙基、正丁基或正戊基，并且非常特别优选正丙基。
[0322]
一种或多种式xxiii，特别是式xxiiia的化合物优选以0.5
‑
5wt％，特别优选0.5
‑
2wt％的量用于根据本发明的混合物中。
[0323]
‑
介质另外包含一种或多种式xxiv的化合物，
[0324][0325]
其中r0、x0和y1‑6具有式i所示的含义，s表示0或1，并且
[0326]
表示
[0327]
在式xxiv中，x0也可以表示具有1
‑
6个c原子的烷基或具有1
‑
6个c原子的烷氧基。所述烷基或烷氧基优选是直链的。
[0328]
r0优选表示具有1至6个碳原子的烷基。x0优选表示f；
[0329]
‑
式xxiv的化合物优选选自以下子式：
[0330]
[0331][0332]
其中r0，x0和y1具有上述含义。r0优选表示具有1至6个c原子的烷基。x0优选表示f，y1优选为f；
[0333]
s优pre选fe为ra
[0334][0335]
‑
r0是具有2至6个c原子的直链烷基或烯基；
[0336]
‑
介质包含一种或多种下式的化合物：
[0337][0338]
其中r1和x0具有上述含义。r1优选表示具有1至6个c原子的烷基。x0优选表示f或cl。在式xxiv中，x0非常特别优选表示cl。
[0339]
‑
介质包含一种或多种下式的化合物：
[0340][0341]
其中r1和x0具有上述含义。r1优选表示具有1至6个c原子的烷基。x0优选表示f。根据本发明的介质特别优选包含一种或多种式xxix的化合物，其中x0优选表示f。
[0342]
一种或多种式xxvi
‑
xxix的化合物优选以1
‑
20wt％，特别优选1
‑
15wt％的量用于根据本发明的混合物中。特别优选的混合物包含至少一种式xxix的化合物。
[0343]
非常优选地，根据本发明的介质包含一种或多种式xxixa的化合物，
[0344][0345]
其中r1具有上述含义，并优选表示直链烷基，特别是乙基、正丙基、正丁基或正戊基，非常特别优选正丙基。
[0346]
一种或多种式xxixa的化合物优选以1
‑
15wt％，特别优选2
‑
10wt％的量用于根据本发明的混合物中。
[0347]
‑
介质包含一种或多种下式的嘧啶或吡啶化合物
[0348][0349]
其中r1和x0具有上述含义。r1优选表示具有1至6个c原子的烷基。x0优选表示f。根据本发明的介质特别优选包含一种或多种式xxx1的化合物，其中x0优选表示f。一种或多种式xxx1至xxx3的化合物优选以1
‑
20wt％，特别优选1
‑
15wt％的量用于根据本发明的混合物中。
[0350]
‑
介质另外包含一种或多种下式的化合物：
[0351][0352]
其中r0和x0和y1‑4具有上述含义，其中x0不同于f，
[0353]
x0优选为cl，cf3，ocf3或ochf2。y1‑4各自彼此独立地优选表示h或f。r0优选表示各自具有至多6个c原子的烷基、烷氧基、氧杂烷基、氟代烷基或烯基。
[0354]
非常优选地，根据本发明的介质包含一种或多种式xxxa的化合物，
[0355][0356]
其中r0具有上述含义。r0优选表示直链烷基，特别是乙基、正丙基、正丁基或正戊基，并且非常特别优选正丙基。
[0357]
一种或多种式xxx，特别是式xxxa的化合物优选以1
‑
15wt％，特别优选2
‑
10wt％的量用于根据本发明的混合物中。
[0358]
‑
介质另外包含一种或多种下式的化合物
[0359][0360]
其中l，r1和r2具有上述含义。r1和r2优选表示各自具有至多6个c原子的烷基、烷氧基、氧杂烷基、氟代烷基或烯基。
[0361]
非常优选地，根据本发明的介质包含一种或多种式xxxiva的化合物，
[0362][0363]
其中“alkyl”表示具有1
‑
6个c原子的直链烷基，特别是乙基、丙基或戊基。
[0364]
一种或多种式xxxiv，特别是式xxxiva的化合物优选以0.5
‑
10wt％，特别优选1
‑
5wt％的量用于根据本发明的混合物中。
[0365]
进一步优选的lc介质选自以下优选实施方案，包括其任何组合：
[0366]
‑
介质包含一种或多种式i或其子式的化合物以及一种或多种选自式z1，z2，z3，y，b，ly，ay，ii，iii，iv，v，vi，vii，viii，ix，x，xi，xii，xiii，xiv，xv，xvi，xviia，xviib，xviic，xviii，xix，xx，xxi，xii，xxiii，xxiv，xxv，xxvi，xxvii，xxviii，xxix，xxx，xxx1，xxx2，xxx3，xxxi，xxxii，xxxiii和xxxiv及其子式的化合物。
[0367]
‑
介质包含一种或多种式i或其子式的化合物以及一种或多种选自式z1,z2,z3,y,b,ii,iii,iv,vi,ix,x,xiv,xvi,xviia,xviib,xviic,xx,xii,xxiii,xxix,xxxi和xxxiv及其子式的化合物。
[0368]
‑
介质不包含式y，b，ay或ly的化合物。
[0369]
‑
介质包含一种或多种式ii的化合物，所述式ii的化合物优选选自式ii1，ii2和ii3，非常优选式ii1和ii2。这些化合物各自的单独浓度优选为2至15wt％。这些化合物的总浓度优选为5至25wt％。
[0370]
‑
介质包含一种或多种式iii的化合物，所述式iii的化合物优选选自式iii1，iii4，iii6，iii16，iii19和iii20，非常优选地选自式iii1，iii6，iii16和iii20。这些化合物各自的单独浓度优选为2至15wt％。这些化合物的总浓度优选为5至30wt％。
[0371]
‑
介质包含一种或多种式iv的化合物，所述式iv的化合物优选选自式iva或ivc，非常优选地选自式iva1或ivc1，最优选式ivc1。这些化合物各自的单独浓度优选为2至15wt％。这些化合物的总浓度优选为5至20wt％。
[0372]
‑
介质包含一种或多种式vi的化合物，所述式vi的化合物优选选自式vib。这些化合物各自的单独浓度优选为1至20wt％。这些化合物的总浓度优选为5至20wt％。
[0373]
‑
介质包含一种或多种式ix的化合物，所述式ix的化合物优选选自式ixa。这些化合物的总浓度优选为1至25wt％。
[0374]
‑
介质包含一种或多种式x的化合物，所述式x的化合物优选选自式xb和xc，非常优选地选自式xb2和xc1。这些化合物的总浓度优选为2至35wt％，非常优选为3至25wt％。
[0375]
‑
介质包含5至20wt％的式xb，优选为式xb2的化合物。
[0376]
‑
介质包含5至20wt％的式xc，优选为式xc1的化合物。
[0377]
‑
介质包含10至65wt％，非常优选20至60wt％的式xib的化合物。
[0378]
‑
介质包含一种或多种式xii，优选式xiia或xiib，非常优选式xiia，最优选式xiia1的化合物。这些化合物的浓度优选为2至15wt％。
[0379]
‑
介质包含1至15wt％的式xiib的化合物。
[0380]
‑
介质包含一种或多种式xiv，优选式xivd，非常优选式xivd1的化合物。这些化合物的浓度优选为2至10wt％。
[0381]
‑
介质包含一种或多种式xvib，优选式xvib1、xvib2和/或xvib3的化合物。这些化合物的浓度优选为2至15wt％。
[0382]
‑
介质包含一种或多种式xvic，优选式xvic1、xvic2和/或xvic3的化合物。这些化合物的浓度优选为2至20wt％。
[0383]
‑
介质包含一种或多种式xvig，优选式xvig1和/或xvig2的化合物。这些化合物的总浓度优选为5至25wt％。
[0384]
‑
介质包含一种或多种选自其中l为h的式xviia，xviib和xviic，非常优选式xviia的化合物和其中l为f的式xviib的化合物。这些化合物的总浓度优选为0.5至5wt％。
[0385]
‑
介质包含一种或多种式xx，优选式xxa的化合物。这些化合物的浓度优选为2至10wt％。
[0386]
‑
介质包含一种或多种式xxi，优选式xxia的化合物。这些化合物的浓度优选为2至10wt％。
[0387]
‑
介质包含一种或多种式xxiii，优选式xxiiia的化合物。这些化合物的浓度优选为0.5至5wt％。
[0388]
‑
介质包含一种或多种式xxix，优选式xxixa的化合物。这些化合物的浓度优选为2至10wt％。
[0389]
‑
介质包含一种或多种式xxx，优选式xxxa的化合物。这些化合物的浓度优选为2至10wt％。
[0390]
‑
介质包含一种或多种式xxxi的化合物。这些化合物的浓度优选为2至10wt％。
[0391]
‑
介质包含一种或多种式xxxi的化合物。这些化合物的浓度优选为2至10wt％。
[0392]
‑
介质包含一种或多种式xxxiv，优选式xxxiva的化合物。这些化合物的浓度优选为1至5wt％。
[0393]
‑
介质包含一种或多种式i，优选式i1的化合物，一种或多种选自式z1，z2和z3或其子式的化合物，一种或多种选自式ix，x和xiv或其子式的化合物，一种或多种选自式ii，iii，iv，vi，xx，xxiii和xxix或其子式的化合物，以及一种或多种选自式xii，xvi，xviia，xviib，xviic，xxxi和xxxiv或其子式的化合物。
[0394]
‑
介质包含一种或多种式i，优选式i1的化合物，一种或多种选自式z1，z2和z3或其子式的化合物，一种或多种选自式ixa，xb，xib和xivd或其子式的化合物，一种或多种选自式ii，iii，ivc，vib，xxa，xxiiia和xxixa或其子式的化合物，以及一种或多种选自式xiib，xvib，xvic，xviia，xviib，xviic，xxxi和xxxiva或其子式的化合物。
[0395]
‑
介质包含一种或多种式i，优选式i1的化合物，一种或多种选自式z1，z2和z3或其子式的化合物，一种或多种式y，优选地选自式y1和y2的化合物，一种或多种选自式ix，x和xiv或其子式的化合物，一种或多种选自式ii，iii，iv，vi，xx，xxiii和xxix或其子式的化合物，以及一种或多种选自式xii，xvi，xviia，xviib，xviic，xxxi和xxxiv或其子式的化合物。
[0396]
‑
介质包含一种或多种式i，优选式i1的化合物，一种或多种选自式z1，z2和z3或其子式的化合物，一种或多种式b，优选地选自式b1，b2和b3的化合物，一种或多种选自式ixa，xb，xib和xivd或其子式的化合物，一种或多种选自式ii，iii，ivc，vib，xxa，xxiiia和xxixa或其子式的化合物，以及一种或多种选自式xiib，xvib，xvic，xviia，xviib，xviic，xxxi和xxxiva或其子式的化合物。
[0397]
‑
除式i化合物外，介质还包含选自式z1，z2，z3，y，b，iv，ix，x，xii，xiv，xvi，xviia，xviib，xviic，xxi，xxiii，xxix，xxx，xxxi和xxiv或其子式的其他化合物。
[0398]
‑
除式i化合物外，介质还包含选自式z1,z2,z3,iv,ix,x,xii,xiv,xvi,xviia,xviib,xviic,xxi,xxiii,xxix,xxx,xxxi和xxiv或其子式的其他化合物。
[0399]
‑
介质中式i或其子式化合物的比例为1至30wt％，非常优选为2至25wt％，最优选为2至20wt％。
[0400]
‑
式z1，z2和z3或其子式的化合物在整个在混合物中的比例为10至65％，非常优选为20至60％。
[0401]
‑
式y或其子式的化合物在整个在混合物中的比例为1至20％，非常优选为2至15％。
[0402]
‑
式b或其子式的化合物在整个在混合物中的比例为1至20％，非常优选为2至18％。
[0403]
‑
式ii，iii，iv
‑
viii，xviii
‑
xxiii和xxvii
‑
xxx的化合物在整个在混合物中的比例为30至60wt％。
[0404]
‑
式ix
‑
xv的化合物在整个在混合物中的比例为40至70wt％。
[0405]
‑
式xiv，xviia
‑
c和xxxi
‑
xxxiv的化合物在整个在混合物中的比例为0.5至15wt％。
[0406]
在本技术中，术语“alkyl”或“alkyl*”包括具有1至6个c原子的直链和支链烷基，特别是直链基团甲基、乙基、丙基、丁基、戊基和己基。通常优选具有2至5个c原子的基团。
[0407]
术语“alkenyl”或“alkenyl*”包括具有2至6个c原子的直链和支链烯基，特别是直链基团。优选的烯基是c2‑
c7‑
1e
‑
烯基、c4‑
c6‑
3e
‑
烯基，特别是c2‑
c6‑
1e
‑
烯基。特别优选的烯基的例子是乙烯基、1e
‑
丙烯基、1e
‑
丁烯基、1e
‑
戊烯基、1e
‑
己烯基、3
‑
丁烯基、3e
‑
戊烯基、
3e
‑
己烯基、4
‑
戊烯基、4z
‑
己烯基、4e
‑
己烯基和5
‑
己烯基。通常优选的是具有最多5个c原子的基团，特别是ch2＝ch，ch3ch＝ch。
[0408]
术语“氟烷基”优选包括具有末端氟的直链基团，即氟甲基、2
‑
氟乙基、3
‑
氟丙基、4
‑
氟丁基、5
‑
氟戊基、6
‑
氟己基和7
‑
氟庚基。然而，不排除氟的其他位置。
[0409]
术语“氧杂烷基”或“烷氧基”优选地包括式c
n
h
2n 1
‑
o
‑
(ch2)
m
的直链基团，其中n和m各自彼此独立地表示1至6。m也可以表示0。优选地，n＝1和m＝1
‑
6或m＝0和n＝1
‑
3。进一步优选地，烷氧基或氧杂烷基也可以包含一个或多个其他o原子，使得氧原子不彼此直接连接。
[0410]
通过适当地选择r0和x0的含义，可以以期望的方式修改寻址时间、阈值电压、传输特性线的陡度等。例如，与烷基和烷氧基相比，1e
‑
烯基、3e
‑
烯基、2e
‑
烯氧基等通常导致更短的寻址时间、改进的向列趋势和弹性常数k
33
(弯曲)和k
11
(展曲)之间的更高比率。4
‑
烯基、3
‑
烯基等通常得到与烷基和烷氧基相比更低的阈值电压和更低的k
33
/k
11
值。根据本发明的混合物的特征尤其在于高δε值，因此具有比现有技术的混合物显著更快的响应时间。
[0411]
上述式的化合物的最佳混合比基本上取决于所需的性质、上述式的组分的选择和可能存在的任何其它组分的选择。
[0412]
在上述范围内的适宜的混合比可以容易地根据情况来确定。
[0413]
在根据本发明的液晶介质中，上述式的化合物的总量不是关键的。因此，为了优化各种性能的目的，所述混合物可以包含一种或多种其它组分。然而，上述式的化合物的总浓度越高，所观察到的对介质的性能的期望的改进的效果通常越大。
[0414]
在特别优选的实施方案中，根据本发明的液晶介质包含式iv至viii(优选iv和v)的化合物，其中x0表示f、ocf3、ochf2、och＝cf2、ocf＝cf2或ocf2‑
cf2h。与式i、ii和iii的化合物的有利的协同作用导致特别有利的性质。特别地，包含式i、ii和iii的化合物的混合物的特征在于其低阈值电压。
[0415]
可用于根据本发明的液晶介质中的上述式及其子式的单独化合物是已知的或可类似于已知化合物来制备。
[0416]
本发明还涉及通过将一种或多种式i化合物与一种或多种式y1、y2或y3的化合物，一种或多种式b的化合物，以及一种或多种选自式ii，iii，iv，vi，ix，x，xiv，xii，xvi，xviia，xviib，xviic，xx，xxiii，xxix，xxxi和xxxiv混合来制备上下文所述的液晶介质的方法。
[0417]
在本发明的另一个优选的实施方案中，液晶介质还包含一种或多种可聚合化合物。可聚合化合物优选地选自式m
[0418]
r
a
‑
b1‑
(z
b
‑
b2)
m
‑
r
b
ꢀꢀꢀ
m
[0419]
其中各个基团在每次出现时相同或不同地并且各自彼此独立地具有以下含义：
[0420]
r
a
和r
b
是p、p
‑
sp
‑
、h、f、cl、br、i、
‑
cn、
‑
no2、
‑
nco、
‑
ncs、
‑
ocn、
‑
scn、sf5或具有1至25个c原子的直链或支链烷基，其中，此外，一个或多个不相邻的ch2基团可以各自彼此独立地被
‑
c(r0)＝c(r
00
)
‑
、
‑
c≡c
‑
、
‑
n(r
00
)
‑
、
‑
o
‑
、
‑
s
‑
、
‑
co
‑
、
‑
co
‑
o
‑
、
‑
o
‑
co
‑
、
‑
o
‑
co
‑
o
‑
以使得o和/或s原子不直接相互连接的方式替代，并且，其中，此外，一个或多个h原子可以被f、cl、br、i、cn、p或p
‑
sp
‑
替代，其中，如果b1和/或b2包含饱和的c原子，则r
a
和/或r
b
也可以表示螺连接到该饱和的c原子的基团，
[0421]
其中基团r
a
和r
b
中的至少一个表示或包含基团p或p
‑
sp
‑
，
[0422]
p是可聚合的基团，
[0423]
sp是间隔基团或单键，
[0424]
b1和b2是优选具有4至25个环原子的芳族、杂芳族、脂环族或杂环基团，其也可以包含稠环，并且其是未取代的，或被l单取代或多取代的，
[0425]
z
b
是
‑
o
‑
、
‑
s
‑
、
‑
co
‑
、
‑
co
‑
o
‑
、
‑
oco
‑
、
‑
o
‑
co
‑
o
‑
、
‑
och2‑
、
‑
ch2o
‑
、
‑
sch2‑
、
‑
ch2s
‑
、
‑
cf2o
‑
、
‑
ocf2‑
、
‑
cf2s
‑
、
‑
scf2‑
、
‑
(ch2)
n1
‑
、
‑
cf2ch2‑
、
‑
ch2cf2‑
、
‑
(cf2)
n1
‑
、
‑
ch＝ch
‑
、
‑
cf＝cf
‑
、
‑
c≡c
‑
、
‑
ch＝ch
‑
coo
‑
、
‑
oco
‑
ch＝ch
‑
、cr0r
00
或单键，
[0426]
r0和r
00
各自彼此独立地表示h或具有1至12个c原子的烷基，
[0427]
m表示0、1、2、3或4，
[0428]
n1表示1、2、3或4，
[0429]
l是p、p
‑
sp
‑
、oh、ch2oh、f、cl、br、i、
‑
cn、
‑
no2、
‑
nco、
‑
ncs、
‑
ocn、
‑
scn、
‑
c(＝o)n(r
x
)2、
‑
c(＝o)y1、
‑
c(＝o)r
x
、
‑
n(r
x
)2，任选取代的甲硅烷基，任选取代的具有6至20个c原子的芳基、或直链或支链的具有1至25个c原子的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，其中，此外，一个或多个h原子可以被f、cl、p或p
‑
sp
‑
替代，
[0430]
p和sp具有以上所述的含义，
[0431]
y1表示卤素，
[0432]
r
x
表示p、p
‑
sp
‑
、h、卤素，具有1至25个c原子的直链、支链或环状烷基，其中，此外，一个或多个不相邻的ch2基团可以被
‑
o
‑
、
‑
s
‑
、
‑
co
‑
、
‑
co
‑
o
‑
、
‑
o
‑
co
‑
、
‑
o
‑
co
‑
o
‑
以使得o和/或s原子不直接相互连接的方式替代，并且其中，此外，一个或多个h原子可以被f，cl，p或p
‑
sp
‑
替代，具有6至40个c原子的任选取代的芳基或芳氧基，或具有2至40个c原子的任选取代的杂芳基或杂芳氧基。
[0433]
特别优选的式i化合物是这样的那些，其中b1和b2各自彼此独立地表示1,4
‑
亚苯基、1,3
‑
亚苯基、萘
‑
1,4
‑
二基、萘
‑
2,6
‑
二基、菲
‑
2,7
‑
二基、9,10
‑
二氢
‑
菲
‑
2,7
‑
二基、蒽
‑
2,7
‑
二基、芴
‑
2,7
‑
二基、香豆素、黄酮，其中，此外，这些基团中的一个或多个ch基团可以被n替代，环己烷
‑
1,4
‑
二基，其中，此外，一个或多个不相邻的ch2基团可以被o和/或s替代，1,4
‑
亚环己烯基、二环[1.1.1]戊烷
‑
1,3
‑
二基、二环[2.2.2]辛烷
‑
1,4
‑
二基、螺[3.3]庚烷
‑
2,6
‑
二基、哌啶
‑
1,4
‑
二基、十氢萘
‑
2,6
‑
二基、1,2,3,4
‑
四氢萘
‑
2,6
‑
二基、茚满
‑
2,5
‑
二基或八氢
‑
4,7
‑
桥亚甲基茚满
‑
2,5
‑
二基，其中所有这些基团可以是未取代的或被如上定义的l单取代或多取代。
[0434]
特别优选的式m化合物是其中b1和b2各自彼此独立地表示1,4
‑
亚苯基、1,3
‑
亚苯基、萘
‑
1,4
‑
二基或萘
‑
2,6
‑
二基的那些。
[0435]
非常优选的式m化合物选自下式：
[0436]
[0437]
[0438]
[0439]
[0440]
[0441][0442]
其中各个基团在每次出现时相同或不同地并且各自彼此独立地具有以下的含义：
[0443]
p1、p2、p3是可聚合的基团，优选地选自乙烯氧基、丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、氟丙烯酸酯基、氯丙酸酯基、氧杂环丁基或环氧基，
[0444]
sp1、sp2和sp3是单键或间隔基团，其中，此外，基团p1‑
sp1‑
、p2‑
sp2‑
和p3‑
sp3‑
中的一个或多个也可以表示r
aa
，条件是存在的基团p1‑
sp1‑
、p2‑
sp2和p3‑
sp3‑
中的至少一个不同于r
aa
，优选为
‑
(ch2)
p1
‑
、
‑
(ch2)
p1
‑
o
‑
、
‑
(ch2)
p1
‑
co
‑
o
‑
或
‑
(ch2)
p1
‑
o
‑
co
‑
o
‑
，其中p1是1至12的整数。
[0445]
r
aa
表示h、f、cl、cn或具有1至25个c原子的直链或支链烷基，其中，此外，一个或多个不相邻的ch2基团可以彼此独立地被
‑
c(r0)＝c(r
00
)
‑
、
‑
c≡c
‑
、
‑
n(r0)
‑
、
‑
o
‑
、
‑
s
‑
、
‑
co
‑
、
‑
co
‑
o
‑
、
‑
o
‑
co
‑
、
‑
o
‑
co
‑
o
‑
以使得o和/或s原子不直接相互连接的方式替代，并且，其中，此外，一个或多个h原子可以被f，cl，cn或p1‑
sp1‑
替代，特别优选具有1至12个c原子的直链或支链的任选单氟代或多氟代的烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基(其中烯基和炔基基团具有至少两个c原子，且支链基团具有至少三个c原子)，
[0446]
r0，r
00
是h或具有1至12个c原子的烷基，
[0447]
r
y
和r
z
是h、f、ch3或cf3，
[0448]
x1、x2、x3是
‑
co
‑
o
‑
、
‑
o
‑
co
‑
或单键，
[0449]
z
m1
是
‑
o
‑
、
‑
co
‑
、
‑
c(r
y
r
z
)
‑
或
‑
cf2cf2‑
，
[0450]
z
m2
、z
m3
是
‑
co
‑
o
‑
、
‑
o
‑
co
‑
、
‑
ch2o
‑
、
‑
och2‑
、
‑
cf2o
‑
、
‑
ocf2‑
或
‑
(ch2)
n
‑
，其中n是2、3或4，
[0451]
l是f、cl、cn或具有1至12个c原子的直链或支链的，任选单氟代或多氟代的烷基，烷氧基，烯基，炔基，烷基羰基，烷氧基羰基，烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，
[0452]
l’、l”是h、f或cl，
[0453]
r是0、1、2、3或4，
[0454]
s是0、1、2或3，
[0455]
t是0、1或2，
[0456]
x是0或1。
[0457]
特别优选的是式m2和m13化合物。
[0458]
进一步优选的是三反应性化合物m15至m31，特别是m17，m18，m19，m22，m23，m24，m25，m30和m31。
[0459]
在式m1至m31化合物中，基团
[0460]
优选为
[0461][0462]
其中l在每次出现时相同或不同地具有上下文中给出的含义之一，并且优选为f、cl、cn、no2、ch3、c2h5、c(ch3)3、ch(ch3)2、ch2ch(ch3)c2h5、och3、oc2h5、coch3、coc2h5、cooch3、cooc2h5、cf3、ocf3、ochf2、oc2f5或p
‑
sp
‑
，非常优选f、cl、cn、ch3、c2h5、och3、coch3、ocf3或p
‑
sp
‑
，更优选f、cl、ch3、och3、coch3或ocf3，尤其是f或ch3。
[0463]
优选的式m1至m31化合物是其中p1、p2和p3表示丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、氧杂环丁基或环氧基的那些化合物，非常优选丙烯酸酯基或甲基丙烯酸酯基。
[0464]
进一步优选的式m1至m31的化合物是其中sp1、sp2和sp3是单键的那些化合物。
[0465]
进一步优选的式m1至m31的化合物是其中sp1、sp2和sp3中的一个是单键且sp1、sp2和sp3中的另一个不同于单键的那些化合物。
[0466]
进一步优选的式m1至m31化合物是其中不同于单键的那些基团sp1、sp2和sp3表示
‑
(ch2)
s1
‑
x"
‑
的那些化合物，其中s1是1
‑
6的整数，优选2、3、4或5，且x"是与苯环的连接基，并且是
‑
o
‑
、
‑
o
‑
co
‑
、
‑
co
‑
o
‑
、
‑
o
‑
co
‑
o
‑
或单键。
[0467]
特别优选的是包含一种、两种或三种式m的可聚合化合物的液晶介质，优选地选自式m1至m31。
[0468]
进一步优选地，根据本发明的液晶介质包含一种或多种选自以下表e的可聚合化合物。
[0469]
优选地，可聚合化合物在液晶介质中的比例为0.01
‑
5％，非常优选0.05
‑
1％，最优
选0.1
‑
0.5％，所述可聚合化合物优选地选自式m和表e。
[0470]
观察到，向液晶介质中加入一种或多种可聚合化合物，如选自式m和表e的那些化合物，导致有利的性能如快速响应时间。此类液晶介质特别适用于psa显示器，其中其显示出低的图像粘滞、快速和完全聚合、在uv曝光后稳定的低预倾角的快速产生、高可靠性、在uv曝光后的高vhr值和高双折射率。通过适当选择可聚合化合物，可以增加液晶介质在较长uv波长下的吸收，使得可以使用这种较长uv波长用于聚合，这对于显示器制造方法是有利的。
[0471]
可聚合基团p是适合于聚合反应，例如自由基或离子链式聚合、加聚或缩聚，或适于类似聚合物的反应，例如，在聚合物主链上加成或缩合。特别优选的是用于链式聚合的基团，特别是含有c＝c双键或
‑
c≡c
‑
三键的那些，和适于开环聚合的基团，例如，氧杂环丁基或环氧基。
[0472]
优选的p基团选自下组：ch2＝cw1‑
co
‑
o
‑
、ch2＝cw1‑
co
‑
、ch2＝cw2‑
(o)
k3
‑
、cw1＝ch
‑
co
‑
(o)
k3
‑
、cw1＝ch
‑
co
‑
nh
‑
、ch2＝cw1‑
co
‑
nh
‑
、ch3‑
ch＝ch
‑
o
‑
、(ch2＝ch)2ch
‑
oco
‑
、(ch2＝ch
‑
ch2)2ch
‑
oco
‑
、(ch2＝ch)2ch
‑
o
‑
、(ch2＝ch
‑
ch2)2n
‑
、(ch2＝ch
‑
ch2)2n
‑
co
‑
、ho
‑
cw2w3‑
、hs
‑
cw2w3‑
、hw2n
‑
、ho
‑
cw2w3‑
nh
‑
、ch2＝cw1‑
co
‑
nh
‑
、ch2＝ch
‑
(coo)
k1
‑
phe
‑
(o)
k2
‑
、ch2＝ch
‑
(co)
k1
‑
phe
‑
(o)
k2
‑
、phe
‑
ch＝ch
‑
、hooc
‑
、ocn
‑
和w4w5w6si
‑
，其中w1表示h、f、cl、cn、cf3、苯基或具有1至5个c原子的烷基，尤其是h、f、cl或ch3，w2和w3各自彼此独立地表示h或具有1
‑
5个碳原子的烷基，特别是h、甲基、乙基或正丙基，w4、w5和w6各自彼此独立地表示cl、具有1至5个c原子的氧杂烷基或氧杂羰基烷基，w7和w8各自彼此独立地表示h、cl或具有1至5个c原子的烷基，phe表示1,4
‑
亚苯基，其任选地被一个或多个以上定义的基团l取代，所述基团l不是p
‑
sp
‑
，k1、k2和k3各自彼此独立地表示0或1，k3优选地表示1，和k4表示1
‑
10的整数。
[0473]
非常优选的p基团选自下组：ch2＝cw1‑
co
‑
o
‑
、ch2＝cw1‑
co
‑
、ch2＝cw2‑
o
‑
、ch2＝cw2‑
、cw1＝ch
‑
co
‑
(o)
k3
‑
、cw1＝ch
‑
co
‑
nh
‑
、ch2＝cw1‑
co
‑
nh
‑
、(ch2＝ch)2ch
‑
oco
‑
、(ch2＝ch
‑
ch2)2ch
‑
oco
‑
、(ch2＝ch)2ch
‑
o
‑
、(ch2＝ch
‑
ch2)2n
‑
、(ch2＝ch
‑
ch2)2n
‑
co
‑
、ch2＝cw1‑
co
‑
nh
‑
、ch2＝ch
‑
(coo)
k1
‑
phe
‑
(o)
k2
‑
、ch2＝ch
‑
(co)
k1
‑
phe
‑
(o)
k2
‑
、phe
‑
ch＝ch
‑
和w4w5w6si
‑
，其中w1表示h、f、cl、cn、cf3、苯基或具有1至5个c原子的烷基，特别是h、f、cl或ch3，w2和w3各自彼此独立地表示h或具有1至5个c原子的烷基，特别是h、甲基、乙基或正丙基，w4、w5和w6各自彼此独立地表示cl、具有1至5个c原子的氧杂烷基或氧杂羰基烷基，w7和w8各自彼此独立地表示h、cl或具有1至5个c原子的烷基，phe表示1,4
‑
亚苯基，k1、k2和k3各自彼此独立地表示0或1，k3优选地表示1，和k4表示1
‑
10的整数。
[0474]
非常特别优选的p基团选自下组：ch2＝cw1‑
co
‑
o
‑
，特别是ch2＝ch
‑
co
‑
o
‑
、ch2＝c(ch3)
‑
co
‑
o
‑
和ch2＝cf
‑
co
‑
o
‑
，以及ch2＝ch
‑
o
‑
、(ch2＝ch)2ch
‑
o
‑
co
‑
、(ch2＝ch)2ch
‑
o
‑
，
[0475]
进一步优选的可聚合基团p选自下组：乙烯氧基、丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、氟丙烯酸酯基、氯丙烯酸酯基、氧杂环丁基和环氧基，最优选选自丙烯酸酯基和甲基丙烯酸酯基。
[0476]
如果sp不同于单键，则其优选为式sp"
‑
x"，从而相应的基团p
‑
sp
‑
符合式p
‑
sp"
‑
x"，其中，
[0477]
sp"表示具有1至20个c原子，优选1至12个c原子的亚烷基，其任选地被f、cl、br、i或cn单取代或多取代，和其中，此外，一个或多个不相邻的ch2基团可以各自彼此独立地被
‑
o
‑
，
‑
s
‑
，
‑
nh
‑
，
‑
n(r0)
‑
，
‑
si(r0r
00
)
‑
，
‑
co
‑
，
‑
co
‑
o
‑
，
‑
o
‑
co
‑
，
‑
o
‑
co
‑
o
‑
，
‑
s
‑
co
‑
，
‑
co
‑
s
‑
，
‑
n(r
00
)
‑
co
‑
o
‑
，
‑
o
‑
co
‑
n(r0)
‑
，
‑
n(r0)
‑
co
‑
n(r
00
)
‑
，
‑
ch＝ch
‑
或
‑
c≡c
‑
以使得o和/或s原子不直接相互连接的方式替代，
[0478]
x"表示
‑
o
‑
，
‑
s
‑
，
‑
co
‑
，
‑
co
‑
o
‑
，
‑
o
‑
co
‑
，
‑
o
‑
co
‑
o
‑
，
‑
co
‑
n(r0)
‑
，
‑
n(r0)
‑
co
‑
，
‑
n(r0)
‑
co
‑
n(r
00
)
‑
，
‑
och2‑
，
‑
ch2o
‑
，
‑
sch2‑
，
‑
ch2s
‑
，
‑
cf2o
‑
，
‑
ocf2‑
，
‑
cf2s
‑
，
‑
scf2‑
，
‑
cf2ch2‑
，
‑
ch2cf2‑
，
‑
cf2cf2‑
，
‑
ch＝n
‑
，
‑
n＝ch
‑
，
‑
n＝n
‑
，
‑
ch＝cr0‑
，
‑
cy2＝cy3‑
，
‑
c≡c
‑
，
‑
ch＝ch
‑
co
‑
o
‑
，
‑
o
‑
co
‑
ch＝ch
‑
或单键，
[0479]
r0和r
00
各自彼此独立地表示h或具有1至20个c原子的烷基，和
[0480]
y2和y3各自彼此独立地表示h、f、cl或cn。
[0481]
x"优选为
‑
o
‑
、
‑
s
‑
、
‑
co
‑
、
‑
coo
‑
、
‑
oco
‑
、
‑
o
‑
coo
‑
、
‑
co
‑
nr0‑
、
‑
nr0‑
co
‑
、
‑
nr0‑
co
‑
nr
00
‑
或单键。
[0482]
典型的间隔基sp和
‑
sp"
‑
x"是，例如
‑
(ch2)
p1
‑
、
‑
(ch2ch2o)
q1
‑
ch2ch2‑
、
‑
ch2ch2‑
s
‑
ch2ch2‑
、
‑
ch2ch2‑
nh
‑
ch2ch2‑
或
‑
(sir0r
00
‑
o)
p1
‑
，其中p1是1
‑
12的整数，q1是1
‑
3的整数，r0和r
00
具有上述含义。
[0483]
特别优选的基团sp和
‑
sp"
‑
x"是
‑
(ch2)
p1
‑
，
‑
(ch2)
p1
‑
o
‑
，
‑
(ch2)
p1
‑
o
‑
co
‑
，
‑
(ch2)
p1
‑
co
‑
o
‑
，
‑
(ch2)
p1
‑
o
‑
co
‑
o
‑
，其中p1和q1具有上述含义。
[0484]
特别优选的基团sp"在每种情况下是直链的亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚戊基、亚己基、亚庚基、亚辛基、亚壬基、亚癸基、亚十一烷基、亚十二烷基、亚十八烷基、亚乙基氧亚乙基、亚甲基氧亚丁基、亚乙基硫亚乙基、亚乙基
‑
n
‑
甲基亚氨基
‑
亚乙基、1
‑
甲基亚烷基、亚乙烯基、亚丙烯基和亚丁烯基。
[0485]
为了生产psa显示器，包含在液晶介质中的可聚合化合物在lc显示器的基板之间的液晶介质中通过原位聚合进行聚合或交联(如果一种化合物包含两个或更多个可聚合基团)，任选地同时将电压施加到电极上。
[0486]
根据本发明的psa显示器的结构对应于psa显示器通常的几何形状，如在开头时引用的现有技术中描述的。不含凸起的几何形状是优选的，特别是其中另外在彩色滤光片侧上的电极未结构化和仅在tft侧的电极具有槽的那些。ps
‑
va显示器特别合适和优选的电极结构描述于例如us 2006/0066793 a1中。
[0487]
上述优选的实施方案的化合物与上述聚合的化合物的组合在根据本发明的液晶介质中产生低阈值电压、低旋转粘度和非常好的低温稳定性，同时产生恒定的高清亮点和高vhr值。
[0488]
使用含有可聚合化合物的液晶介质在psa显示器中快速建立特别低的预倾角。特别地，与现有技术的介质相比较，在psa显示器中，lc介质表现出显著缩短的响应时间，特别是对于灰阶响应时间而言。
[0489]
通常优选具有向列型液晶相，优选不具有手性液晶相的液晶介质。
[0490]
本发明还涉及如上下文所述的根据本发明的液晶介质用于电光学目的的用途，尤其是用于快门眼镜，用于3d应用，用于tn、ps
‑
tn、stn、tn
‑
tft、ocb、ips、ps
‑
ips、ffs、hb
‑
ffs、xb
‑
ffs、ps
‑
ffs、正性va和正性ps
‑
va显示器，和涉及电光学显示器，尤其是前述类型的显示器，其包含如上下文所述的根据本发明的液晶介质，尤其是tn、ps
‑
tn、stn、tn
‑
tft、ocb、ips、ps
‑
ips、ffs、hb
‑
ffs、xb
‑
ffs、ps
‑
ffs、正性va(垂直配向)或正性ps
‑
va显示器。
[0491]
本发明还涉及电光显示器，例如stn或mlc显示器，其具有两个平面平行的外板，其与框架一起形成盒，用于切换外板上的单个像素的集成非线性元件，和位于盒中的具有正介电各向异性和高电阻率的向列型液晶介质，其中所述向列型液晶介质是如上下文所述的根据本发明的液晶介质。
[0492]
根据本发明的液晶介质能够使可用参数范围显著变宽。清亮点、低温粘度、热和uv稳定性和高光学各向异性的可实现的组合远远优于现有技术的先前材料。
[0493]
特别地，式i化合物与式y和/或b化合物的组合，以及另外与选自式ii
‑
xxxiv或其子式的化合物的组合，导致液晶介质显示出适度的正介电各向异性以及同时显示出增加的垂直于液晶分子纵轴的介电常数ε
⊥
，同时保持了低的旋转粘度和低的比值γ1/k1。这使得液晶显示器，特别是ffs，hb
‑
ffs，xb
‑
ffs和ips模式的液晶显示器具有高亮度和透射率以及低响应时间。
[0494]
根据本发明的液晶介质适用于移动应用和tft应用，例如移动电话和pda。此外，根据本发明的液晶介质特别适合用于基于介电正性液晶的ffs，hb
‑
ffs，xb
‑
ffs和ips显示器中。
[0495]
根据本发明的液晶介质，在保持向列相低至
‑
20℃，优选低至
‑
30℃，特别优选低至
‑
40℃，和清亮点≥75℃，优选≥80℃的同时，允许获得旋转粘度γ1≤110mpa
·
s，特别优选≤100mpa
·
s，使得能够获得具有快速响应时间的优异的mlc显示器。旋转粘度在20℃下测定。
[0496]
根据本发明的液晶介质在20℃和1khz下的介电各向异性δε优选为≥ 1.5，非常优选为 2至 3。
[0497]
根据本发明的液晶介质在20℃下的双折射率δn优选为0.08至0.12，非常优选0.09至0.11。
[0498]
根据本发明的液晶介质的旋转粘度γ1优选为≤80mpa
·
s，更优选≤70mpa
·
s，非常优选≤60mpa
·
s。
[0499]
根据本发明的液晶介质的比率γ1/k1(其中γ1是旋转粘度γ1，和k1是展曲变形的弹性常数)优选为≤4.6mpa
·
s/pn，非常优选≤4.2mpa
·
s/pn，最优选≤4.0mpa
·
s/pn。
[0500]
根据本发明的液晶介质的向列相范围优选具有至少90℃，更优选至少100℃，尤其
是至少110℃的宽度。该范围优选地从
‑
25℃延伸到 80℃。
[0501]
不言而喻，通过适当地选择根据本发明的液晶介质的组分，还可以在较高的阈值电压下实现较高的清亮点(例如，高于100℃)，或者在较低的阈值电压下实现较低的清亮点，同时保持其它有利的性能。在粘度相应地仅略微增加时，同样可以获得具有较高δε和从而低阈值的液晶介质。根据本发明的mlc显示器优选地在第一gooch和tarry传输最小值下操作，[c.h.gooch and h.a.tarry,electron.lett.10,2
‑
4,1974；c.h.gooch and h.a.tarry,appl.phys.,1575
‑
1584,1975]，其中，除了特别有利的电光性质，例如，所述特征线的高陡度和所述对比度的低角度相关性(德国专利30 22 818)，在与第二最小值处的类似的显示器中相同的阈值电压下，较低的介电各向异性是足够的。这使得与包含氰基化合物的液晶介质的情况相比，使用根据本发明的混合物能够在第一最小值下实现显著更高的电阻率值。通过适当地选择单个组分及其按重量计的比例，本领域技术人员能够使用简单的常规方法设定mlc显示器的预定层厚度所需的双折射率。
[0502]
电压保持率(hr)的测量[s.matsumoto等人,liquid crystals 5,1320(1989)；k.niwa等人,proc.sid conference,san francisco,1984年6月,304页(1984)；g.weber等人,liquid crystals 5,1381(1989)]已经显示，与包含式的氰基苯基环己烷或式的酯而不是式i、st
‑
1、st
‑
2、rv、ia和ib化合物的类似的混合物相比，包含式st
‑
1、st
‑
2、rv、ia和ib化合物的根据本发明的液晶介质在uv暴露时显示出显著更小的hr降低。
[0503]
根据本发明的液晶介质的光稳定性和uv稳定性显著更好，即，它们在暴露于光、热或uv时hr的降低显著更小。
[0504]
根据本发明的mlc显示器的构造由偏振片、电极基板和表面处理的电极构成，其对应于该类型的显示器的通常设计。术语通常设计在本文中被广义地描绘，并且还包括mlc显示器的所有衍生形式和修改形式，特别包括基于多晶硅tft或mim的矩阵显示器元件。
[0505]
然而，根据本发明的显示器与迄今为止基于扭曲向列盒的常规显示器之间的显著差异在于液晶层的液晶参数的选择。
[0506]
可用于根据本发明的液晶介质以本身常规的方式制备，例如通过将一种或多种权利要求1的化合物与一种或多种式ii
‑
xxxiv化合物或与其它液晶化合物和/或添加剂混合。通常，有利地在升高的温度下，将以较少量使用的所需量的组分溶解在构成主要成分的组分中。还可以将组分的溶液在有机溶剂如丙酮、氯仿或甲醇中混合，并在充分混合后再次去除溶剂，例如通过蒸馏。
[0507]
lc介质也可包含本领域技术人员已知的和文献中描述的其它添加剂，例如聚合引发剂、抑制剂、表面活性物质、光稳定剂、抗氧化剂，例如bht、tempol、微粒、自由基清除剂、纳米颗粒等。例如，可以添加0
‑
15％的多色性染料或手性掺杂剂或引发剂例如或适宜的稳定剂和掺杂剂在以下表c和d中提到。
[0508]
在本发明的一个优选的实施方案中，lc介质包含一种或多种另外的稳定剂，优选地选自下式，
[0509][0510]
其中各个基团彼此独立并且在每次出现时相同或不同地具有以下含义：
[0511]
r
a
‑
d
表示具有1至10个，优选1至6个，非常优选1至4个c原子的直链或支链烷基，最优选甲基，
[0512]
x
s
表示h,ch3,oh或o
●
，
[0513]
a
s
表示任选取代的具有1至20个c原子的直链、支链或环状亚烷基，
[0514]
n表示1至6的整数，优选3。
[0515]
优选的式s3的稳定剂选自式s3a
[0516][0517]
其中n2是1至12的整数，并且其中基团(ch2)
n2
中的一个或多个h原子任选地被甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基替代。
[0518]
非常优选的稳定剂选自下式：
[0519]
[0520]
[0521][0522]
在一个优选的实施方案中，lc介质包含一种或多种选自式s1
‑
1，s2
‑
1，s3
‑
1，s3
‑
1和s3
‑
3的稳定剂。
[0523]
在一个优选的实施方案中，lc介质包含一种或多种选自表d的稳定剂。
[0524]
优选地，lc介质中例如式s1
‑
s3的那些稳定剂的比例为10
‑
2000ppm，非常优选30
‑
1000ppm。
[0525]
在另一个优选的实施方案中，根据本发明的液晶介质包含自配向(sa)添加剂，优选浓度为0.1
‑
2.5％。根据该优选的实施方案的液晶介质特别适用于聚合物稳定化的sa
‑
ffs、sa
‑
hb
‑
ffs或sa
‑
xb
‑
ffs显示器。
[0526]
在一个优选的实施方案中，根据本发明的sa
‑
ffs、sa
‑
hb
‑
ffs或sa
‑
xb
‑
ffs显示器不包含聚酰亚胺配向层。在另一个优选的实施方案中，根据优选的实施方案的sa
‑
ffs、sa
‑
hb
‑
ffs或sa
‑
xb
‑
ffs显示器包含聚酰亚胺配向层。
[0527]
用于该优选的实施方案的优选的sa添加剂选自包含介晶基团和直链或支链烷基侧链的化合物，所述烷基侧链用一个或多个选自羟基、羧基、氨基或硫醇基的极性锚固基团封端。
[0528]
进一步优选的sa添加剂包含一个或多个可聚合基团，其任选地通过间隔基团连接到介晶基团上。这些可聚合的sa添加剂可以在与psa方法中对于rm所用的类似条件下在液晶介质中聚合。
[0529]
例如在us 2013/0182202 a1、us 2014/0838581 a1、us 2015/0166890 a1和us 2015/0252265 a1中公开了用于诱导垂面配向，尤其是用于sa
‑
va模式显示器中的适宜的sa
添加剂。
[0530]
在另一个优选的实施方案中，根据本发明的lc介质或聚合物稳定化的sa
‑
ffs、sa
‑
hb
‑
ffs或sa
‑
xb
‑
ffs显示器包含一种或多种选自以下表f的自配向添加剂。
[0531]
此外，可以向液晶介质添加例如0
‑
15wt％的多色性染料以及纳米颗粒、导电性盐优选4
‑
己氧基苯甲酸乙基二甲基十二烷基铵、四苯基硼酸四丁基铵或冠醚的络合物盐(例如，参考，haller等人，mol.cryst.liq.cryst.24,249
‑
258(1973))以用于改进导电性，或改变介电各向异性、粘度和/或向列相的配向的物质。这种类型的物质描述于例如de
‑
a 22 09 127、22 40 864、23 21 632、23 38 281、24 50 088、26 37 430和28 53 728中。
[0532]
在本技术和下面的实施例中，液晶化合物的结构用首字母缩写词表示，按照表a转化成化学式。所有基团c
n
h
2n 1
和c
m
h
2m 1
是分别具有n和m个c原子的直链烷基基团；n，m和k是整数，并且优选地表示0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12。表b中的编码是不言而喻的。在表a中，仅指示母结构的首字母缩写词。在个别情况下，母结构的首字母缩写后面是用短划线分隔的取代基r
1*
，r
2*
，l
1*
和l
2*
的代码：
[0533][0534][0535]
优选的混合物组分示于表a和b中。
[0536]
表a
[0537]
[0538]
[0539][0540]
表b
[0541]
在下式中，n和m各自彼此独立地表示0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12，特别是2、3、5，此外0、4、6。
[0542]
[0543]
[0544]
[0545]
[0546]
[0547]
[0548]
[0549]
[0550]
[0551][0552]
特别优选除了式ia，iia，ib和iib的化合物外，还包含表b中的至少一种，两种，三种，四种或更多种化合物的液晶介质。
[0553]
表c
[0554]
表c显示了通常添加到根据本发明的液晶介质中的可能的掺杂剂。液晶介质优选包含0
‑
10wt％，特别是0.01
‑
5wt％，并且特别优选0.01
‑
3wt％的掺杂剂。
[0555]
[0556][0557]
表d
[0558]
下面提及稳定剂，其可以例如以0
‑
10wt％的量另外添加到根据本发明的液晶介质中。
[0559]
[0560]
[0561]
[0562]
[0563][0564]
表e
[0565]
表e显示了可用于根据本发明的液晶介质中的说明性的反应性介晶化合物(rm)。
[0566]
[0567]
[0568]
[0569]
[0570]
[0571]
[0572]
[0573]
[0574]
[0575]
[0576]
[0577]
[0578]
[0579]
[0580]
[0581]
[0582]
[0583]
[0584]
[0585]
[0586][0587]
在一个优选的实施方案中，根据本发明的液晶介质包含一种或多种可聚合化合物，优选地选自式rm
‑
1至rm
‑
143的可聚合化合物。其中，特别优选化合物rm
‑
1、rm
‑
4、rm
‑
8、rm
‑
17、rm
‑
19、rm
‑
35、rm
‑
37、rm
‑
39、rm
‑
40、rm
‑
41、rm
‑
48、rm
‑
52、rm
‑
54、rm
‑
57、rm
‑
64、rm
‑
74、rm
‑
76、rm
‑
88、rm
‑
102、rm
‑
103、rm
‑
109、rm
‑
117、rm
‑
120、rm
‑
121和rm
‑
122。
[0588]
表e
[0589]
表e显示了用于垂直配向的自配向添加剂，其可以任选地与式i可聚合化合物一起用于根据本发明的sa
‑
ffs、sa
‑
hb
‑
ffs和sa
‑
xb
‑
ffs显示器的lc介质中：
[0590]
[0591]
[0592]
[0593]
[0594]
[0595]
[0596][0597][0598]
在一个优选的实施方案中，根据本发明的lc介质、sa
‑
ffs、sa
‑
hb
‑
ffs和sa
‑
xb
‑
ffs
显示器包含一种或多种选自式sa
‑
1至sa
‑
34，优选式sa
‑
14至sa
‑
34，非常优选式sa
‑
20至sa
‑
28，最优选式sa
‑
20的sa添加剂，其与一种或多种式i的rm组合。特别优选的是，以下实施例1的可聚合化合物1、2或3，非常优选实施例1的可聚合化合物3，与式sa
‑
20至sa
‑
28的sa添加剂，非常优选式sa
‑
20的sa添加剂组合。
[0599]
以下混合物实施例旨在解释本发明而非限制本发明。
[0600]
上文和下文的百分比数据表示重量百分比。所有的温度以摄氏度表示。m.p.表示熔点，cl.p.＝清亮点。此外，c＝晶态，n＝向列相，s＝近晶相和i＝各向同性相。这些符号之间的数据表示转变温度。此外，使用以下符号，
[0601]
v0ꢀꢀ
20℃下的freedericks阈值电压，电容性[v],
[0602]
v
10
ꢀꢀ
对于10％透射率的电压[v],
[0603]
n
e
ꢀꢀ
表示20℃和589nm下的非寻常折射率,
[0604]
n
o
ꢀꢀ
表示20℃和589nm下的寻常折射率,
[0605]
δn
ꢀꢀ
表示20℃和589nm下的光学各向异性,
[0606]
ε
⊥
ꢀꢀ
在20℃和1khz下，垂直于分子纵轴的电介质极化率(或“介电常数”)，
[0607]
ε||
ꢀꢀ
在20℃和1khz下，平行于分子纵轴的电介质极化率(或“介电常数”),
[0608]
δε
ꢀꢀ
20℃和1khz下的介电各向异性，
[0609]
cl.p.或t(n,i)清亮点[℃],
[0610]
ν
ꢀꢀ
在20℃下测量的流动粘度[mm2·
s
‑1],
[0611]
γ1ꢀꢀ
在20℃下测量的旋转粘度[mpa
·
s],
[0612]
k1ꢀꢀ
弹性常数，20℃下的“展曲”变形[pn]，
[0613]
k2ꢀꢀ
弹性常数，20℃下的“扭曲”变形[pn]，
[0614]
k3ꢀꢀ
弹性常数，20℃下的“弯曲”变形[pn]，和
[0615]
lts
ꢀꢀ
表示在块样品中确定的相的低温稳定性，
[0616]
vhr
ꢀꢀ
电压保持率。
[0617]
除非另外明确指出，所有物理性质根据“merck liquids crystal，physical properties of liquid crystals”，status nov.1997，merck kgaa，germany确定，并且适用于20℃的温度。
具体实施方式
[0618]
比较例1
[0619]
配制以下液晶介质：
[0620][0621]
介质不含有式i化合物。
[0622]
比较例2
[0623]
配制以下液晶介质：
[0624][0625][0626]
介质不含有式i化合物。
[0627]
实施例1
[0628]
配制以下液晶介质：
[0629][0630]
介质含有式i化合物clu
‑3‑
f并显示比比较例1或2低的γ1/k1值。
[0631]
实施例2
[0632]
配制以下液晶介质：
[0633][0634]
实施例3
[0635]
配制以下液晶介质：
[0636][0637]
实施例4
[0638]
配制以下液晶介质：
[0639][0640]
实施例5
[0641]
配制以下液晶介质：
[0642]
[0643][0644]
实施例6
[0645]
配制以下液晶介质：
[0646][0647]
实施例7
[0648]
配制以下液晶介质：
[0649][0650]
实施例8
[0651]
配制以下液晶介质：
[0652][0653]
比较例3
[0654]
配制以下液晶介质：
[0655][0656]
介质不含有式i化合物。
[0657]
实施例9
[0658]
配制以下液晶介质：
[0659]
[0660][0661]
介质含有式i化合物clu
‑3‑
f并显示出比比较例3低的γ1/k1值和高的lts。
[0662]
实施例10
[0663]
配制以下液晶介质：
[0664][0665]
实施例11
[0666]
配制以下液晶介质：
[0667]
[0668][0669]
实施例12
[0670]
配制以下液晶介质：
[0671][0672]
实施例13
[0673]
配制以下液晶介质：
[0674][0675]
实施例14
[0676]
配制以下液晶介质：
[0677]
[0678][0679]
实施例15
[0680]
配制以下液晶介质：
[0681][0682]
实施例16
[0683]
配制以下液晶介质：
[0684][0685]
实施例17
[0686]
配制以下液晶介质：
[0687][0688]
实施例18
[0689]
配制以下液晶介质：
[0690][0691]
实施例19
[0692]
配制以下液晶介质：
[0693]
[0694][0695]
实施例20
[0696]
配制以下液晶介质：
[0697][0698]
实施例21
[0699]
配制以下液晶介质：
[0700][0701][0702]
实施例22
[0703]
配制以下液晶介质：
[0704][0705]
实施例23
[0706]
配制以下液晶介质：
[0707][0708]
实施例24
[0709]
配制以下液晶介质：
[0710]
[0711][0712]
实施例25
[0713]
配制以下液晶介质：
[0714][0715]
实施例26
[0716]
配制以下液晶介质：
[0717][0718][0719]
实施例27
[0720]
配制以下液晶介质：
[0721][0722]
实施例28
[0723]
配制以下液晶介质：
[0724][0725]
实施例29
[0726]
配制以下液晶介质：
[0727][0728]
[0729]
实施例30
[0730]
配制以下液晶介质：
[0731][0732]
实施例31
[0733]
配制以下液晶介质：
[0734][0735]
实施例32
[0736]
配制以下液晶介质：
[0737][0738]
实施例33
[0739]
配制以下液晶介质：
[0740][0741]
实施例34
[0742]
配制以下液晶介质：
[0743]
[0744][0745]
实施例35
[0746]
配制以下液晶介质：
[0747][0748]
实施例36
[0749]
配制以下液晶介质：
[0750][0751]
实施例37
[0752]
配制以下液晶介质：
[0753][0754]
实施例38
[0755]
配制以下液晶介质：
[0756][0757]
实施例39
[0758]
配制以下液晶介质：
[0759]
[0760][0761]
实施例40
[0762]
配制以下液晶介质：
[0763][0764]
实施例41
[0765]
配制以下液晶介质：
[0766][0767]
实施例42
[0768]
配制以下液晶介质：
[0769][0770]
实施例43
[0771]
配制以下液晶介质：
[0772][0773]
实施例44
[0774]
配制以下液晶介质：
[0775]
[0776][0777]
实施例45
[0778]
配制以下液晶介质：
[0779][0780]
实施例46
[0781]
配制以下液晶介质：
[0782]
[0783][0784]
实施例47
[0785]
配制以下液晶介质：
[0786][0787]
实施例48
[0788]
配制以下液晶介质：
[0789][0790]
实施例49
[0791]
配制以下液晶介质：
[0792][0793]
实施例50
[0794]
配制以下液晶介质：
[0795][0796]
实施例51
[0797]
配制以下液晶介质：
[0798]
[0799][0800]
实施例52
[0801]
配制以下液晶介质：
[0802][0803]
实施例53
[0804]
配制以下液晶介质：
[0805]
[0806][0807]
实施例54
[0808]
配制以下液晶介质：
[0809][0810]
实施例55
[0811]
配制以下液晶介质：
[0812][0813]
实施例56
[0814]
配制以下液晶介质：
[0815]
[0816]