掩膜版及掩膜版质量测试方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种掩膜版及掩膜版质量测试方法。


背景技术：

2.光刻工艺是制作半导体器件和集成电路微图形结构的关键性工艺，因此光刻工艺质量直接影响着半导体器件成品率、可靠性、器件性能以及使用寿命等参数指标的稳定和提高。
3.掩膜版是用来将芯片设计的图形定义至晶圆上的装置，掩膜版的质量的好坏直接影响晶圆质量，甚至是最后半导体器件成品的良率。随着微电子加工工艺技术的不断发展，掩模版图形越来越复杂，图形面积越做越大，线条要求越来越细，掩模版性能和精度要求越来越高。但是因工序环境、形成原材料等因素的影响，掩模版图形会产生畸变，也即，掩膜版非常容易出现质量问题，从而需要重新制作掩膜版，造成成本的浪费和光刻进程的延误。


技术实现要素：

4.本发明实施例提供了一种掩膜版及掩膜版质量测试方法，以降低掩膜版容易出现质量问题而需要重新制作的风险。
5.第一方面，本发明实施例提供了一种掩膜版，包括：掩膜曝光区和非掩膜曝光区；
6.所述掩膜曝光区设置有掩膜图形；
7.所述非掩膜曝光区设置有测试区域；所述测试区域包括至少一个测试标记；所述测试标记的设计尺寸和实际尺寸之间的偏差用于测量所述掩膜版的质量。
8.第二方面，本发明实施例还提供了一种掩膜版质量测试方法，适用于本发明任意实施例提供的掩膜版，包括：
9.测量非掩膜曝光区的测试区域的测试标记的实际尺寸；
10.获取所述测试标记的实际尺寸和设计尺寸之间的偏差；
11.若所述偏差大于误差允许阈值，则判定所述掩膜版不合格；若所述偏差小于所述误差允许阈值，则判定所述掩膜版合格。
12.本发明中，掩膜版包括掩膜曝光区和非掩膜曝光区，掩膜曝光区形成有用于在晶圆上形成曝光图形的掩膜图形，非掩膜曝光区中设置有测试区域，用于实现对掩膜版质量的测试，具体的，测试区域设置有至少一个测试标记，并且测试标记不在晶圆上形成曝光图形，仅用于通过测试标记在形成过程中发生的畸变，测试掩膜版因材料、制作工艺等因素造成的质量问题，该畸变程度可通过比较测试标记的实际尺寸和设计尺寸获知，本发明实施例提供的掩膜版以及质量测试方法，能够获知掩膜版的制作品质，例如，是否合格等，从而保证掩膜版的稳定性，进而保证掩膜图形的稳定性，增强掩膜精准性，增强晶圆乃至最终产品的良率，并降低掩膜版重新制作的风险，防止光刻工艺过程中的成本浪费。
附图说明
13.图1是本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图；
14.图2是图1中掩膜版的测试区域a的放大结构示意图；
15.图3是图1中掩膜版的测试区域a的另一种放大结构示意图；
16.图4是图1中掩膜版的测试区域a的另一种放大结构示意图；
17.图5是图1中掩膜版的测试区域a的另一种放大结构示意图；
18.图6是图1中掩膜版的测试区域a的另一种放大结构示意图；
19.图7是图1中掩膜版的测试区域a的另一种放大结构示意图；
20.图8是图1中掩膜版的测试区域a的另一种放大结构示意图；
21.图9是本发明实施例提供的一种掩膜版质量测试方法的流程示意图；
22.图10是本发明实施例提供的另一种掩膜版质量测试方法的流程示意图；
23.图11是本发明实施例提供的另一种掩膜版质量测试方法的流程示意图；
24.图12是本发明实施例提供的另一种掩膜版质量测试方法的流程示意图。
具体实施方式
25.下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
26.在现有技术中，若用于光刻工艺的掩膜版的制作质量不够合格，则容易使得掩膜精度过低，影响最终成品的良率，甚至需要重新制作掩膜版，造成成本的浪费，为解决上述问题，本发明实施例提供了一种掩膜版，包括：掩膜曝光区和非掩膜曝光区；
27.掩膜曝光区设置有掩膜图形；
28.非掩膜曝光区设置有测试区域；测试区域包括至少一个测试标记；测试标记的设计尺寸和实际尺寸之间的偏差用于测量掩膜版的质量。
29.本发明实施例中，掩膜版包括掩膜曝光区和非掩膜曝光区，掩膜曝光区形成有用于在晶圆上形成曝光图形的掩膜图形，非掩膜曝光区中设置有测试区域，用于实现对掩膜版质量的测试，具体的，测试区域设置有至少一个测试标记，并且测试标记不在晶圆上形成曝光图形，仅用于通过测试标记在形成过程中发生的畸变，测试掩膜版因材料、制作工艺等因素造成的质量问题，该畸变程度可通过比较测试标记的实际尺寸和设计尺寸获知，本发明实施例提供的掩膜版以及质量测试方法，能够获知掩膜版的制作品质，例如，是否合格等，从而保证掩膜版的稳定性，进而保证掩膜图形的稳定性，增强掩膜精准性，增强晶圆乃至最终产品的良率，并降低掩膜版重新制作的风险，防止光刻工艺过程中的成本浪费。
30.以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
31.图1是本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图，如图1所示，掩膜版包括掩膜曝光区12和非掩膜曝光区11，掩膜曝光区12设置有掩膜图形121，掩膜图形121由掩膜本体设置镂空图案形成，在通过掩膜版对晶圆进行曝光和刻蚀工艺后，掩膜图形121形成在晶圆上，完成图形转移过程。此外，掩膜曝光区11还可以设置有对位标记122，对位标记122用
于形成在晶圆或光刻胶上已完成对位任务，示例性的，对位标记122可以包括曝光对位标记和薄膜对位标记等，其中，曝光对位标记进行光刻机与掩膜版的对位，而薄膜对位标记可完成晶圆上形成的各膜层之间的对位，从而保证晶圆的制作精度，提高成品良率。
32.本实施例中，为了避免因掩膜版质量的因素影响掩膜精度，在非掩膜曝光区11设置测试区域a，该测试区域a设置有测试标记111，该测试标记111不同于上述掩膜图形121和对位标记122，测试标记111不会形成曝光图形，则测试标记111不会对掩膜图形121产生影响，不会在晶圆上产生图形缺陷。也即，测试标记111测试的是因掩膜版本身材料或制作工艺造成的掩膜质量的问题，所以在进行曝光前，甚至在掩膜版制作形成掩膜图形121之前，通过测试标记111首先对掩膜版质量进行把控，从而避免掩膜精度低，甚至是掩膜图形121重新制作的问题，具体的，可通过测试标记111的实际尺寸和设计尺寸之间的差值，衡量在掩膜版图案形成过程中的畸变情况，从而对掩膜图形的畸变情况进行预测，进而判断该掩膜版是否合格。可选的，可以设置多个判断档位和标准，将掩膜版的质量等级分为不合格、合格、良好、优秀等几个等级，以进一步对掩膜版的质量进行把控，满足不同的掩膜精度的需求。
33.图2是图1中掩膜版的测试区域a的放大结构示意图，可选的，测试区域a可以包括沿第一方向x依次排布的多个第一测试标记111a；每相邻两个第一测试标记111a的中线之间的间距d1相等，中线沿第二方向y延伸，第二方向y垂直于第一方向x；沿第一方向x上，第一测试标记111a沿第一方向x上的宽度d2逐渐增大或逐渐减小。
34.本实施例可设置多个第一测试标记111a，为了便于对掩膜版稳定性进行测量，可沿任一方向依次设置上述第一测试标记111a，以便于对该方向上的稳定性进行测量，本实施例可选取第一方向x作为第一测试标记111a的排布方向，可设置每相邻两个第一测试标记111a之间的间距相等，也即，每相邻两个第一测试标记111a的直线之间的间距d1相等，中心为经过第一测试标记111a的中点的直线，如图2所示，中线的延伸方向为第二方向y，第二方向y垂直于第一方向x，沿第一方向x的排布方向上，第一测试标记111a沿第一方向上的尺寸d2逐渐增大或逐渐减小，便于对掩膜版在多种图形设置情况下的畸变情况进行测量，从而获取掩膜版的质量等级情况。
35.图3是图1中掩膜版的测试区域a的另一种放大结构示意图，可选的，测试区域a可以包括沿第一方向x依次排布的多个第一测试标记111a；每个第一测试标记111a沿第一方向x上的宽度d2相同；沿第一方向x上，每相邻两个第一测试标记111a的中线之间的间距d1逐渐增大或逐渐减小，中线沿第二方向y延伸，所述第二方向y垂直于所述第一方向x。
36.图2中示出了等间距d1不等宽度d2的情况，当然，还可以将依次排布的第一测试标记111a设置为等宽度d2而不等间距d1的情况，具体的，设置每条第一测试标记111a沿第一方向x上的宽度d2相同，沿第一方向x上，相邻两个第一测试标记111a的中线之间的间距d1逐渐增大或逐渐减小，同样能够对掩膜版在多种图形设置情况下的畸变情况进行测量，从而获取掩膜版的稳定性，判断掩膜版是否合格。
37.需要注意的是，无论是等间距d1不等宽度d2的第一测试标记111a的设置，还是等宽度d2而不等间距d1的第一测试标记111a的设置，均能够根据不同设置状态下每个第一测试标记111a的实际尺寸与设计尺寸的偏差获取掩膜版的畸变情况，并在畸变程度较大时判断该掩膜版不合格，以防止出现掩膜精度低的问题。本实施例中，测试区域a可以包括图2所
示的等间距d1不等宽度d2的第一测试标记111a，或者可以包括图3所示的等宽度d2而不等间距d1的第一测试标记111a，或者还可以同时包括等间距d1不等宽度d2的第一测试标记111a和等宽度d2而不等间距d1的第一测试标记111a，从而进一步增强测试标记111的测试精度，便于对掩膜版质量进行精准分析。
38.可选的，测试区域a包括多组沿第一方向x依次排布的多个第一测试标记111a；每组第一测试标记111a中，每相邻两个第一测试标记111a的中线之间的间距d1相等，每个第一测试标记111a沿第一方向x上的宽度d2相同，中线沿第二方向y延伸，第二方向y垂直于第一方向x；不同组的第一测试标记111a之间，相邻两个第一测试标记111a的中线之间的间距不相等，和/或第一测试标记111a沿第一方向x上的宽度不相同。
39.图4是图1中掩膜版的测试区域a的另一种放大结构示意图，图4示出了多组第一测试标记111a，每组第一测试标记111a中的第一测试标记111a沿第一方向x依次排布，并且相邻两个第一测试标记111a的中线之间的间距d1相等,且每个第一测试标记111a沿第一方向x上的宽度d2相同。而不同组之间的第一测试标记111a，相邻组之间的第一测试标记111a的宽度d2不同，和/或，相邻组之间的两个第一测试标记111a的中线之间的间距d1不同。图4同时示出了上述两种情况。示例性的，如图4所示，在垂直于第一方向x的第二方向y上，可依次设置多组第一测试标记111a，以同时测量不同间距和不同宽度的长条形图形阵列对掩膜版质量的影响。可一次设置多组测试标记为第一组测试标记1111，第二组测试标记1112，第三组测试标记1113等。可设置第一组测试标记1111的第一测试标记111a的线宽d2为80nm，间距d1为80nm；第二组测试标记1112的第一测试标记111a的线宽d2为100nm，间距d1为100nm；第三组测试标记1113的第一测试标记111a的线宽d2为120nm，间距d1为120nm，依次类推，可设置多组测试标记，以进一步完善对掩膜版的稳定性的侦测。
40.可选的，第一测试标记111a的形状可以为长条形、梯形、l型中的至少一种。图2和图3仅示出了长条形的第一测试标记111a，本实施例中第一测试标记111a的形状还可以为梯形、l型等其他规则或不规则的图形，本实施例对此不进行限定。
41.可选的，继续参考图2，第一测试标记111a的形状可以为长条形；长条形沿第二方向y的长度d3大于长条形沿第一方向x的宽度d2；第一测试标记111a的长度范围为3μm～5μm；第一测试标记111a沿第一方向x上的宽度范围为80nm～1200nm；相邻两个第一测试标记111a的中线之间的距离范围为80nm～1200nm。
42.如图2和图3所示，第一测试标记111a的形状可以为长条形，本实施例中，为了防止第一测试标记111a对曝光工艺产生影响，避免形成曝光图形，需要将第一测试标记111a的尺寸控制在一定范围内。本实施例中，长条形沿第二方向y的方向上延伸，宽度方向即为第一方向x，长度d3范围为3μm～5μm，宽度范围为80nm～1200nm，相邻两个长条形的第一测试标记111a的中线之间的间距d1范围为80nm～1200nm。此外，在沿第二方向y上，本示例还可以包括多行沿第一方向x排布的第一测试标记111a，例如，7行或8行等。进一步增强质量测量精确性。如图4所示，在沿第二方向y上，本示例包括多行沿第一方向x排布的第一测试标记111a可具有不同的宽度d2和/或中线之间的间距d1。示例性的，可设置14行第一测试标记111a，在沿第二方向y上的任一行从上至下沿第一方向x排布的第一测试标记111a的宽度d2和中线之间的间距d1可相同，且各行第一测试标记111a的宽度d2以及中线分别为80nm，100nm，120nm，160nm，200nm，240nm，280nm，320nm，400nm，520nm，640nm，800nm，1000nm，
1200nm。在沿第二方向y上的一行沿第一方向x排布的第一测试标记111a还可包含多组第一测试标记111a。示例性的，可设置一行沿第一方向x排布的第一测试标记111a包括2组第一测试标记111a，且两组第一测试标记111a可具有不同的宽度d2和/或中线之间的间距d1，则7行第一测试标记111a可包含14种不同的宽度d2和/或中线之间的间距d1。
43.图5是图1中掩膜版的测试区域a的另一种放大结构示意图，可选的，多个第一测试标记111a包括沿第二方向y的长度为第一长度d31的第一测试标记111a，和沿第二方向y的长度为第二长度d32的第一测试标记111a，第二长度d32大于第一长度d31；相邻两个第二长度d32的第一测试标记111a之间包括预设个数的第一长度d31的第一测试标记111a。本实施例可每隔预设个数的第一长度d31的第一测试标记111a，设置一个第二长度d32的第一测试标记111a，示例性的，可每隔3个第一长度d31的第一测试标记111a设置一个第二长度d32的第一测试标记111a。不同长度的第一测试标记111a可便于计算间距d1的平均值。例如，参考图5，可测量相邻两个第二长度d32的第一测试标记111a的中线之间的总间距，其一共包括4个间距d1，可通过总间距除以4，获取平均间距d1，则可不必逐个测量间距d1，测量过程简单，加快测量进度。
44.图6是图1中掩膜版的测试区域a的另一种放大结构示意图，可选的，测试区域a可以包括阵列排布的多个第二测试标记111b；每相邻两个第二测试标记111b的中心之间的间距d4相等。
45.本实施例中可以设置阵列排布的第二测试标记111b，第二测试标记111b均匀排布，即，在该阵列的行方向和列方向上，第二测试标记111b的中心与其他第二测试标记111b的中心之间的间距d4相等，第二测试标记111b与周围各第二测试标记111b之间的距离相等，本实施例中，可以设置一种尺寸的第二测试标记111b，可以设置多种尺寸的第二测试标记111b，从而对掩膜版精度进行测量。
46.可选的，第二测试标记111b可以为圆形、正方形、正五边形、正六边形中的至少一种。如图6所示，图6中示出了第二测试标记111b为正方形的情况，图7是图1中掩膜版的测试区域a的另一种放大结构示意图，如图7所示，图7示出了第二测试标记111b为圆形的情况，此外，上述第二测试标记111b还可以为正五边形、正六边形等，本实施例对此不进行限定。可选的，第二测试标记111b为接近于孔洞的形状，便于测量掩膜版设置孔洞图案时，掩膜版的畸变率，从而对掩膜版的准确率进行测量。可选的，第二测试标记111b的径向尺寸d4的范围为100nm～1000nm，从而防止第二测试标记111b形成曝光图形。
47.如图8所示，图8是图1中掩膜版的测试区域a的另一种放大结构示意图，可选的，测试区域a包括多组阵列排布的多个第二测试标记111b；每组第二测试标记111b中，每相邻两个第二测试标记111b的中心之间的间距d5相等且径向尺寸d4相同；不同组的第二测试标记111b之间，相邻两个第二测试标记111b的中心之间的间距d5不相等，和/或第二测试标记111b径向尺寸d4不相同。图8同时示出了，相邻组之间第二测试标记111b径向尺寸d4不相同，以及相邻组之间两个第二测试标记111b的中心之间的间距d5不相等的情况。示例性的，如图8所示，在垂直于第一方向x的第二方向y上，可依次设置多组第二测试标记111b，以同时测量不同间距和不同宽度的长条形图形阵列对掩膜版质量的影响。可一次设置多组测试标记为第一组测试标记1111，第二组测试标记1112，第三组测试标记1113等。可设置第一组测试标记1111的第二测试标记111b的径向尺寸d4为100nm；第二组测试标记1112的第二测
试标记111b的径向尺寸d4为150nm；第三组测试标记1113的第二测试标记111b的径向尺寸d4为200nm，依次类推，可设置多组测试标记，以进一步完善对掩膜版的稳定性的侦测。可选的，相邻组之间两个第二测试标记111b的中心之间的间距d5的范围为320nm～840nm。
48.在上述实施例的基础上，提供一个掩膜版的具体结构示例，继续参考图8，该掩膜区域a中同时设置有第一测试标记111a和第二测试标记111b，如图8所示，在垂直于第一方向x上，可依次设置多组测试标记，以同时测量长条形图形和孔洞形图形对掩膜版质量的影响。可一次设置多组测试标记为第一组测试标记1111，第二组测试标记1112，第三组测试标记1113等。可设置第一组测试标记1111的第一测试标记111a的线宽d2为80nm，间距d1为80nm，第二测试标记111b的径向尺寸d4为100nm；第二组测试标记1112的第一测试标记111a的线宽d2为100nm，间距d1为100nm，第二测试标记111b的径向尺寸d4为150nm；第三组测试标记1113的第一测试标记111a的线宽d2为120nm，间距d1为120nm，第二测试标记111b的径向尺寸d4为200nm，依次类推，可设置多组测试标记，以进一步完善对掩膜版的稳定性的侦测。
49.可选的，测试标记为透光图形或不透光图形。本实施例中，无论是第一测试标记还是第二测试标记均可设置为透光图形或者不透光图形，整个测试区域a形成镂空图案即能够进行质量测评，本实施例对测试标记的具体形式不进行限定。
50.基于同一构思，本发明实施例还提供一种掩膜版质量测试方法，适用于本发明实施例提供的任意掩膜版，图9是本发明实施例提供的一种掩膜版质量测试方法的流程示意图，如图9所示，本实施例的方法包括如下步骤：
51.步骤s110、测量非掩膜曝光区的测试区域的测试标记的实际尺寸。
52.步骤s120、获取测试标记的实际尺寸和设计尺寸之间的偏差。
53.步骤s130、若偏差大于误差允许阈值，则判定掩膜版不合格；若偏差小于误差允许阈值，则判定掩膜版合格。
54.误差允许阈值是掩膜版不会影响掩膜精度时，测试标记的实际尺寸和设计尺寸之间的最大允许范围，当偏差大于该误差允许阈值，掩膜图形会出现较大畸变，影响掩膜精度，则通过偏差与误差允许阈值之间的比较，可判断掩膜版的质量是否合格。
55.本发明实施例中，掩膜版包括掩膜曝光区和非掩膜曝光区，掩膜曝光区形成有用于在晶圆上形成曝光图形的掩膜图形，非掩膜曝光区中设置有测试区域，用于实现对掩膜版质量的测试，具体的，测试区域设置有至少一个测试标记，并且测试标记不在晶圆上形成曝光图形，仅用于通过测试标记在形成过程中发生的畸变，测试掩膜版因材料、制作工艺等因素造成的质量问题，该畸变程度可通过比较测试标记的实际尺寸和设计尺寸获知，本发明实施例提供的掩膜版以及质量测试方法，能够获知掩膜版的制作品质，例如，是否合格等，从而保证掩膜版的稳定性，进而保证掩膜图形的稳定性，增强掩膜精准性，增强晶圆乃至最终产品的良率，并降低掩膜版重新制作的风险，防止光刻工艺过程中的成本浪费。
56.可选的，测试区域可以包括多个沿第一方向依次排布的第一测试标记；如图10所示，图10是本发明实施例提供的另一种掩膜版质量测试方法的流程示意图，本实施例的方法包括如下步骤：
57.步骤s210、获取每个第一测试标记沿第一方向上的实际宽度。
58.本实施例中，当测试区域包括依次设置的第一测试标记时，测量非掩膜曝光区的
测试区域的测试标记的实际尺寸具体包括：获取每个第一测试标记沿第一方向上的实际宽度。
59.可选的，每相邻两个第一测试标记的中线之间的间距相等，中线沿第二方向延伸，第二方向垂直于第一方向；沿第一方向上，第一测试标记沿第一方向上的宽度逐渐增大或逐渐减小；或者，
60.每个第一测试标记沿第一方向上的宽度相同；沿第一方向上，每相邻两个第一测试标记的中线之间的间距逐渐增大或逐渐减小，中线沿第二方向延伸，第二方向垂直于第一方向。
61.步骤s220、获取每个第一测试标记沿第一方向上的实际宽度与设计宽度之间的偏差。
62.本实施例中，获取测试标记的实际尺寸和设计尺寸之间的偏差，具体包括：获取每个第一测试标记沿第一方向上的实际宽度与设计宽度之间的偏差。
63.步骤s230、若偏差大于误差允许阈值，则判定掩膜版不合格；若偏差小于误差允许阈值，则判定掩膜版合格。
64.本实施例提供了当测试标记包括第一测试标记时，对测量标记沿第一方向上的实际尺寸进行获取，并通过实际宽度与设计宽度之间的偏差判断掩膜版稳定性，提高掩膜版质量的精准测量。
65.可选的，测试区域可以包括多个沿第一方向依次排布的第一测试标记；如图11所示，图11是本发明实施例提供的另一种掩膜版质量测试方法的流程示意图，本实施例的方法包括如下步骤：
66.步骤s310、获取每相邻两个第一测试标记的中线之间的实际间距。
67.可选的，每相邻两个第一测试标记的中线之间的间距相等，中线沿第二方向延伸，第二方向垂直于第一方向；沿第一方向上，第一测试标记沿第一方向上的宽度逐渐增大或逐渐减小；或者，
68.每个第一测试标记沿第一方向上的宽度相同；沿第一方向上，每相邻两个第一测试标记的中线之间的间距逐渐增大或逐渐减小，中线沿第二方向延伸，第二方向垂直于第一方向。
69.在上述实施例的基础上，多个第一测试标记包括沿第二方向的长度为第一长度的第一测试标记，和沿第二方向的长度为第二长度的第一测试标记，第二长度大于第一长度；相邻两个第二长度的第一测试标记之间包括预设个数的第一长度的第一测试标记；获取每相邻两个第一测试标记的中线之间的实际间距，包括：获取相邻两个第二长度的第一测试标记的中线之间的总间距；基于预设个数和总间距计算平均值，作为每相邻两个第一测试标记的中线之间的实际间距。
70.本实施例可每隔预设个数的第一长度的第一测试标记，设置一个第二长度的第一测试标记。不同长度的第一测试标记可便于计算间距的平均值。例如，可测量相邻两个第二长度的第一测试标记的中线之间的总间距，其中间包括预设个数第一测试标记，可通过总间距除以预设个数，获取总间距计算平均值，作为每相邻两个第一测试标记的中线之间的实际间距，则可不必逐个上述实际间距，测量过程简单，加快测量进度。
71.步骤s320、获取每相邻第一测试标记的实际间距与设计间距之间的偏差。
72.本实施例中，测量非掩膜曝光区的测试区域的测试标记的实际尺寸，获取测试标记的实际尺寸和设计尺寸之间的偏差，具体包括上述步骤s310和步骤s320。
73.步骤s330、若偏差大于误差允许阈值，则判定掩膜版不合格；若偏差小于误差允许阈值，则判定掩膜版合格。
74.本实施例提供了另一种测试标记的质量测量的实现方式，对每相邻两个测量标记的中线之间的实际间距进行测量，并通过实际间距与设计间距之间的偏差判断掩膜版稳定性，提高掩膜版质量的精准测量。
75.可选的，测试区域包括阵列排布的第二测试标记，如图12所示，图12是本发明实施例提供的另一种掩膜版质量测试方法的流程示意图，本实施例的方法包括如下步骤：
76.步骤s410、获取每个第二测试标记的实际径向尺寸。
77.本实施例中，当测试区域包括阵列排布的第二测试标记时，测量非掩膜曝光区的测试区域的测试标记的实际尺寸具体包括：获取每个第二测试标记的实际径向尺寸。
78.可选的，每相邻两个第二测试标记的中线之间的间距相等；第二测试标记为圆形、正方形、正五边形、正六边形中的至少一种。
79.步骤s420、获取每个第二测试标记的实际径向尺寸与设计径向尺寸之间的偏差。
80.本实施例中，获取测试标记的实际尺寸和设计尺寸之间的偏差，具体包括：获取每个第二测试标记的实际径向尺寸与设计径向尺寸之间的偏差。
81.步骤s430、若偏差大于误差允许阈值，则判定掩膜版不合格；若偏差小于误差允许阈值，则判定掩膜版合格。
82.本实施例提供了当测试标记包括第二测试标记时，孔洞形图形的径向尺寸进行获取，并通过实际径向尺寸与设计径向尺寸之间的偏差判断掩膜版稳定性，提高掩膜版质量的精准测量。
83.注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。