偏振装置的制作方法

偏振装置
1.本技术要求于2020年4月3日提交的第63/005199号美国临时申请和于2020年6月11日提交的第16/899574号美国非临时申请的优先权，这些美国申请的公开内容通过引用被完全包含于此。
技术领域
2.这里公开的主题涉及偏振装置。更具体地，这里公开的主题涉及一种具有提供片上同时全斯托克斯偏振参数(线偏振和圆偏振两者)和多/高光谱成像的偏振滤光器和光谱滤光器的偏振装置。


背景技术：

3.偏振是光的一种性质，该性质指光的电磁(em)场的振荡或振动的几何取向。可以使用偏振器或偏振滤光器将em振动引导到特定方向。图1a描绘了穿过水平偏振滤光器101的非偏振光100。穿过水平偏振滤光器101的光102被水平偏振。图1b描绘了图1a的等同表示。图1c描绘了穿过垂直偏振滤光器103的非偏振光100。穿过垂直偏振滤光器103的光104被垂直偏振。图1d描绘了图1c的等同表示。偏振滤光器101和103也可以被称为线偏振器。
4.可选地，偏振滤光器101和103可以在其它方向上取向，在这种情况下，穿过偏振滤光器的光将具有与偏振滤光器的取向对应的取向。光也可以被圆偏振。图1e描绘了其中光105已经被圆偏振的示例。例如，如果圆偏振光105穿过四分之一波片106，那么光变成线偏振光107，然后线偏振光107可以被线偏振器108进一步过滤或者偏振。
5.光的一般偏振可以在水平方向或x方向上，或者在垂直方向或y方向上，并且在x轴与y轴之间具有相位φ。通过确定电场在例如x方向和y方向上的振幅以及在x方向与y方向之间的相对相位，可以确定光的全斯托克斯偏振状态。
6.光的偏振的检测可以用于在差的可见性条件下(例如，在高级驾驶辅助系统(adas)中)对对象进行测距。光的偏振的检测也可以用于检测镜子表面，即，表面上的一个点是否与另一点齐平。在光从镜子表面反射之后，光线被取向成彼此平行并且在相同方向上传播。偏振光的其它应用包括基于对象的反射图像的偏振与对象的实际图像的偏振的不同来拒绝对象的多路径反射。偏振光的工业应用可以包括检测制造的对象的缺陷。
7.光谱学也具有可以被用于各种领域(包括基于空间的成像、遥感、军事目标跟踪、地雷检测、弹道导弹检测、环境监测、医疗保健、法医学、农业以及测控科学与技术)中的感测的重要特性。典型的紧凑型光谱仪可以在体积上大于几立方毫米，并且使用色散元件(即，光栅和棱镜)或者通过仅使用滤光器阵列来使光色散。


技术实现要素：

8.示例实施例提供了一种用于成像装置的偏振装置，所述偏振装置可以包括光偏振装置，所述光偏振装置可以包括线栅和相位调制纳米结构的阵列。光偏振装置可以使入射光偏振到预定线性方向上。相位调制纳米结构的阵列可以形成在线栅上。相位调制纳米结
构的阵列可以将入射光的相位改变预定相变量。在一个实施例中，相位调制纳米结构的阵列可以包括高介电指数纳米结构的阵列。相位调制纳米结构的预定相变量可以基于相位调制纳米结构的第一宽度和第二宽度，其中，第一宽度垂直于第二宽度。
9.示例实施例提供了一种用于成像装置的偏振装置，所述偏振装置可以包括光偏振装置，所述光偏振装置可以包括线栅和相位调制纳米结构的阵列。光偏振装置可以使入射光偏振到预定线性方向上。线栅可以包括至少一条线，所述至少一条线可以包括一系列的金属
‑
绝缘体
‑
金属线结构。相位调制纳米结构的阵列可以形成在线栅上，并且可以将入射光的相位改变预定相变量。在一个实施例中，一系列的金属
‑
绝缘体
‑
金属线结构中的至少一个金属
‑
绝缘体
‑
金属线结构包括多晶硅、氧化铝、二氧化硅和氧化钛中的一种作为绝缘体。在一个实施例中，相位调制纳米结构阵列可以包括高介电指数纳米结构的阵列。
10.示例实施例提供了一种用于成像装置的偏振装置，所述成像装置可以包括光偏振装置，所述光偏振装置可以包括线栅和相位调制纳米结构的阵列。光偏振装置可以使入射光偏振到预定线性方向上。线栅的至少一条线可以包括金属
‑
绝缘体
‑
金属线结构。相位调制纳米结构的阵列可以形成在线栅上。相位调制纳米结构的阵列可以将入射光的相位改变预定相变量。相位调制纳米结构的阵列可以包括高介电指数纳米结构的阵列，其中，相位调制纳米结构的预定相变量可以基于相位调制纳米结构的第一宽度和第二宽度，其中，第一宽度可以垂直于第二宽度。
附图说明
11.在下面的部分中，将参照附图中所示的示例性实施例来描述这里公开的主题的方面，在附图中：
12.图1a描绘了穿过水平偏振滤光器的非偏振光；
13.图1b描绘了图1a的等同表示；
14.图1c描绘了穿过垂直偏振滤光器的非偏振光；
15.图1d描绘了图1c的等同表示；
16.图1e描绘了其中光已经相对于两个正交方向轴被圆偏振的示例；
17.图2描绘了根据这里公开的主题的可以被用于检测六个偏振状态的关于四个像素的四个偏振滤光器的布置的示例实施例；
18.图3a是根据这里公开的主题的作为纳米结构的笛卡尔尺寸的函数的相位的曲线图；
19.图3b是根据这里公开的主题的在像素处的作为包括纳米结构的偏振滤光器的视场角度的函数的归一化强度的曲线图；
20.图4a描绘了根据这里公开的主题的具有抑制来自交叉偏振的反射的mim结构的线栅的剖视图；
21.图4b描绘了具有由金属形成的线的典型线栅的剖视图；
22.图5描绘了根据这里公开的主题的可以被用于检测六个偏振状态的偏振器的示例实施例的俯视图；
23.图6a至图6e描绘了根据这里公开的主题的在光电二极管的阵列上形成不同光谱滤光器的示例顺序的剖视图；
另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、连接到或者结合到另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或者“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。同样的附图标记始终表示同样的元件。如这里使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或更多个的任何和所有组合。
32.如这里使用的术语“第一”、“第二”等被用作它们之后的名词的标签，并且不暗示任何类型的排序(例如，空间、时间、逻辑等)，除非明确地如此定义。此外，可以跨越两个或更多个附图使用相同的附图标记来指代具有相同或相似功能的部件、组件、块、电路、单元或模块。然而，这种用法仅是为了简化说明和便于讨论；这不暗示这种组件或者单元的构造或架构细节在所有实施例中是相同的，或者这种共同引用的部件/模块是实现这里公开的一些示例实施例的唯一方式。
33.除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本主题所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义来解释，除非这里明确地如此定义。
34.这里公开的主题提供了一种片上(多/超)光谱偏振成像装置，片上(多/超)光谱偏振成像装置检测捕获的图像的完整偏振状态和光谱信息，提供一种超快且具有高效率的高光谱分辨率和高视场(fov)，并且可以被用于各种各样的应用(诸如但不限于自动化应用、工业应用和医疗保健应用)。在一个实施例中，这里公开的主题提供了一种全斯托克斯偏振成像装置以及在多光谱图像传感器的每个像素的顶部上不使用微透镜阵列的多光谱图像传感器。光的相位和偏振也可以同时被调制，以改善多光谱传感器/高光谱传感器的角度相关的fov特性。单个图像捕获可以提供同时且超快的线偏振和圆偏振信息以及多光谱成像。
35.图2描绘了根据这里公开的主题的可以被用于检测六个偏振状态的关于四个像素205至208的四个偏振滤光器201至204的布置200的示例实施例。四个偏振滤光器201至204分别与四个像素205至208对应。每个相应的像素205至208包括光电检测器。滤光器201(h)使穿过滤光器201的光水平偏振。滤光器202(v)使光垂直偏振。滤光器203(d)使光对角偏振，滤光器204(l)使光圆偏振。在可选实施例中，可以使用六个偏振滤光器和六个像素。附加的两个偏振滤光器将是反对角偏振滤光器以及将使光在与圆偏振滤光器204相反的圆方向上偏振的圆偏振滤光器。
36.在201a处描绘偏振滤光器201的附加细节，201a描绘了偏振滤光器201的俯视图。偏振滤光器201包括线栅210和一个或更多个相位调制纳米结构或超表面211，仅指示了线栅中的一条线，仅指示了一个或更多个相位调制纳米结构中的一个纳米结构。线栅的线可以包括抑制来自交叉偏振的反射的金属
‑
绝缘体
‑
金属(mim)线结构。纳米结构211可以由高介电指数材料(诸如硅(a
‑
si、c
‑
si、p
‑
si)、氮化硅(si3n4)、二氧化钛(tio2)、氮化镓(gan)、氧化锌(zno)、硅酸铪、硅酸锆、二氧化铪和二氧化锆)形成。纳米结构211也可以减少入射光的反向散射，并且还可以帮助检测圆偏振。
37.线栅210使穿过偏振滤光器的光水平偏振，纳米结构211改变或者调制穿过偏振滤光器的光的相位。在212处描绘通过偏振滤光器201生成且聚焦在像素205处的光的图案。其它偏振滤光器202至204也包括具有一系列的金属
‑
绝缘体
‑
金属(mim)结构的线栅(未示出)
和一个或更多个纳米结构(也未示出)。圆偏振滤光器204的纳米结构提供90度相移，使得圆偏振滤光器作为四分之一波片操作。
38.四个偏振滤光器201至204和四个像素205至208的布置200可以被用于生成入射光的以下六个偏振状态。
39.i
h
＝i
h
ꢀꢀꢀ
(1)
40.i
v
＝i
v
ꢀꢀꢀ
(2)
41.i
d
＝i
d
ꢀꢀꢀ
(3)
42.i
a
＝i
h
i
v
‑
i
d
ꢀꢀꢀ
(4)
43.i
r
＝i
h
i
v
‑
i
l
ꢀꢀꢀ
(5)
44.i
l
＝i
l
ꢀꢀꢀ
(6)
45.其中，i
h
是在像素205处测量的水平偏振光(h)的光强度参数，i
v
是在像素206处测量的垂直偏振光(v)的光强度参数，i
d
是在像素207处测量的对角偏振光(d)的光强度参数，i
a
是反对角偏振光的强度参数，i
r
是右旋圆偏振光的强度参数，i
l
是在像素208处测量的左旋圆偏振光(l)的光强度参数。
46.使用等式1至等式6的强度参数，可以如下计算斯托克斯参数s0、s1、s2和s3。
47.s0＝i
h
i
v
ꢀꢀꢀ
(7)
48.s1＝i
h
‑
i
v
ꢀꢀꢀ
(8)
49.s2＝2*i
d
‑
s0ꢀꢀꢀ
(9)
50.s3＝2*i
l
‑
s0ꢀꢀꢀ
(10)
[0051][0052][0053]
其中，s0是光束的总强度，dolp是线偏振的程度，aolp是线偏振的角度，e
0x
是光在x方向上的电场的大小，e
0y
是光在y方向上的电场的大小，δ是光的电场相对于x轴的倾斜角。
[0054]
图3a是根据这里公开的主题的作为纳米结构211的笛卡尔尺寸的函数的相位的曲线图300。曲线图300的横坐标是以nm为单位的纳米结构的尺寸。绘制了水平尺寸和垂直尺寸两者。曲线图300的纵坐标是任意单位(a.u.)的相位。通过改变纳米结构的尺寸，可以获得全2冗相移，以调制光的波前，用于聚焦目的，并且可以增加偏振滤光器的角度无关的性质，从而获得图像传感器的像素的更高效率。
[0055]
图3b是根据这里公开的主题的在像素处的作为包括纳米结构的偏振滤光器的视场(fov)角度的函数的归一化强度的曲线图350。曲线图350的横坐标是以角度为单位的fov角度，纵坐标是归一化强度。曲线351表示在像素(诸如像素205)处的作为偏振滤光器(诸如偏振滤光器201)的视场(fov)角度的函数的归一化强度，偏振滤光器201包括改变或者调制光的相位以将光聚焦在像素处的纳米结构211。如可以看出的，对于归一化强度1，曲线351具有
±
15度的fov(即，30度的fov)；而作为比较，曲线352表示由不包括相位调制纳米结构211的典型偏振滤光器提供的在像素处的归一化强度。
[0056]
图4a描绘了根据这里公开的主题的具有抑制来自交叉偏振的反射的金属
‑
绝缘
体
‑
金属(mim)结构的线栅400的剖视图。图4b描绘了不包括mim结构且不抑制反射的典型线栅450的剖视图。图4a的线栅400的mim结构包括第一金属线层401、介电层402和第二金属线层403。示出了形成在线栅400上的相位调制纳米结构404。尽管在图4a中仅描绘了单个mim结构，但可以在可选实施例中使用彼此堆叠的多个mim结构。例如，如果要将两个mim结构彼此堆叠，那么所得结构将是mimmim结构。两个中间的m层可以由相同的金属材料或不同的金属材料形成。
[0057]
第一金属线层401和第二金属线层403可以由任何金属或掺杂半导体形成，诸如但不限于铝(al)、金(au)、银(ag)、钛(ti)、钨(w)、铜(cu)、钯(pd)、钽(ta)、氮化钽(tan)、铌(nb)和p掺杂硅(p
‑
si)。介电层402可以由如氧化物的任何介电材料(诸如但不限于氧化铝(al2o3)、二氧化硅(sio2)、氮化硅(si3n4)、二氧化钛(tio2)、氧化锌(zno)、硅酸铪(hfsio4)、硅酸锆(zrsio4)、二氧化铪(hfo2)和二氧化锆(zro2))和/或半导体(如硅(a
‑
si、p
‑
si))形成。在一个实施例中，介电层402的厚度可以在约几纳米至约几百纳米的范围内。图4b描绘了具有由诸如铝的金属形成的线451的典型线栅450的剖视图。
[0058]
下面的表1和表2分别阐述了图4a中的线栅400和图4b中的典型线栅450在800nm的波长下的透射(t)、反射(r)和吸收(a)特性。在表1和表2中，线栅400和典型线栅450两者被取向为用于水平偏振。针对被取向为用于垂直偏振或对角偏振的线栅可以获得类似的特性。
[0059]
表1.
[0060]
偏振t(％)r(％)a(％)x～96～1～3.5y～0.5～4～95.5
[0061]
表2.
[0062]
偏振t(％)r(％)a(％)x～96～4～0y～1～90～9
[0063]
表1和表2两者示出了水平偏振光(即，在x方向上)的透射百分比为约96％，而垂直偏振光(即，在y方向上)的透射百分比小(即，约0.5％和约1％)。针对线栅400，水平偏振光的反射百分比为约1％，针对典型线栅450，水平偏振光的反射百分比为约4％。针对具有mim结构的线栅400，垂直偏振光的反射百分比为约4％，而针对典型线栅450，垂直偏振光的反射百分比为约90％。因此，与典型线栅相比，mim结构显著减少了反射的量。此外，针对具有mim结构的线栅400的光的吸收百分比在x方向上为约3.5％且在y方向上为约95.5％。相反，典型线栅450表现出在x方向上几乎不吸收光，在y方向上光的吸收仅约9％。通过mim结构提供的反射的显著减少以及吸收的增加可以显著减少捕获图像中的重影。
[0064]
图5描绘了根据这里公开的主题的可以被用于检测六个偏振状态的偏振器500的示例实施例的俯视图。偏振器500包括四个偏振滤光器501至504，每个偏振滤光器与图像传感器(未示出)的像素(未示出)对应。偏振滤光器501使穿过偏振滤光器501的光水平偏振。偏振滤光器502使光垂直偏振。偏振滤光器503使光对角偏振，偏振滤光器504使光圆偏振。
[0065]
尽管仅针对偏振滤光器501指示了线栅和相位调制纳米结构，但是偏振滤光器501
‑
504中的每个包括具有mim结构的线栅510和一个或更多个相位调制纳米结构511。相位
调制纳米结构511的水平尺寸和垂直尺寸可以基于图3a中的曲线图300而变化，以实现期望的聚焦。例如，针对偏振滤光器501至503，相位调制纳米结构511被描绘为大致正方形，但是根据纳米结构在偏振滤光器上的位置而具有不同的水平尺寸和垂直尺寸。根据纳米结构在偏振滤光器上的位置，圆偏振滤光器504的相位调制纳米结构可以是大致正方形或矩形。例如，相位调制纳米结构511的水平尺寸和垂直尺寸可以分别为第一宽度和垂直于第一宽度的第二宽度。相位调制纳米结构511的阵列基于相位调制纳米结构511的第一宽度和第二宽度来将入射光的相位改变预定相变量。
[0066]
偏振滤光器501至504的布置(其中，水平偏振滤光器501在偏振器500的左上角，垂直偏振滤光器502在右下角，对角偏振滤光器503在左下角，圆偏振滤光器504在右上角)是示例布置，并且其它布置也是可行的。在可选示例实施例中，偏振器500中可以包括两个附加的偏振滤光器，诸如反对角偏振滤光器以及将使光在与圆偏振滤光器504相反的圆方向上偏振的圆偏振滤光器。这种可选实施例也将使用两个附加的像素。
[0067]
不同光谱滤光器可以定位为与例如一个或更多个偏振器500对准，使得可以针对不同光谱范围的光来确定斯托克斯参数。图6a至图6e描绘了根据这里公开的主题的在光电二极管的阵列上形成不同光谱滤光器的示例顺序的剖视图。偏振器500未在图6a至图6e中示出；然而，偏振器500可以放置在光路中的光谱滤光器的任一侧上。在图6a中，在包括光电二极管的阵列(未示出)的基底601上形成底部分布式布拉格反射器(dbr)602。在一个实施例中，底部dbr 602可以由sio2和tio2的交替层形成。在图6b至6d中，可以使用光刻和图案化掩模603来形成具有不同高度或者厚度的层和/或腔604，层和/或腔604相应地反射不同波长的光以形成如图6e中描绘的光谱滤光器605a
‑
n。每个相应的光谱滤光器可以被布置为与偏振器500和光电检测器对准。应理解的是，图6e中的光谱滤光器605a
‑
n的描绘仅在一个方向或尺寸上。另一正交方向上的剖视图可以描绘各自覆盖不同光谱范围的一个或更多个附加的光谱滤光器。
[0068]
图7描绘了根据这里公开的主题的可以与图像传感器一起使用以提供片上同时全斯托克斯偏振参数和多光谱/高光谱成像的偏振滤光器的阵列70和不同光谱滤光器的示例实施例的俯视图。偏振滤光器的阵列可以包括偏振器500的示例实施例。不同的光谱滤光器可以布置为与不同的偏振器500光学对准。例如，第一滤光器701可以与偏振器500光学对准等。
[0069]
图8描绘了根据这里公开的主题的可以包括提供片上同时全斯托克斯偏振参数(线偏振和圆偏振两者)和多/高光谱成像的偏振滤光器和光谱滤光器的成像系统800。成像系统800可以包括具有图像传感器(未示出)的相机801。图像传感器可以包括偏振和光谱滤光器802，如这里公开的。由图像传感器捕获的图像可以被处理为灰度图像803，并且被去马赛克。此外，可以处理捕获的图像，以生成与穿过偏振和光谱滤光器802的多光谱线偏振光和圆偏振光对应的图像。例如，根据使用的特定偏振和光谱滤光器802，捕获的图像可以生成多光谱水平偏振图像804、多光谱垂直偏振图像805、对角(45度)偏振图像806、反对角偏振图像807、右旋圆偏振图像808和左旋圆偏振图像809。从线偏振图像804和圆偏振图像809确定的参数可以被用于生成针对图像的光的全斯托克斯参数。
[0070]
此外，可以处理捕获的图像，以生成非偏振多光谱图像810和/或红色(r)、绿色(g)和蓝色(b)图像811。如果多光谱滤光器包括用于红外(ir)的滤光器，那么可以由成像系统
800生成多光谱ir图像812。可以生成指示线偏振(dolp)的程度的图像813，并且也可以生成指示圆偏振(docp)的程度的图像814。
[0071]
图9描绘了根据这里公开的主题的包括具有偏振滤光器和光谱滤光器的图像传感器的电子装置900。电子装置900可以被用于(但不限于)计算装置、个人数字助理(pda)、膝上型计算机、移动计算机、网络平板电脑、无线电话、蜂窝电话、智能电话、数字音乐播放器或者有线或无线电子装置中。电子装置900也可以是但不限于adas、移动装置成像系统、工业成像系统、机器人等的部分。电子装置900可以包括通过总线970彼此结合的控制器910、输入/输出装置920(诸如但不限于小键盘、键盘、显示器、触摸屏显示器、相机和/或图像传感器)、存储器装置930、接口940、图形处理单元(gpu)950和图像处理单元960。控制器910可以包括例如至少一个微处理器、至少一个数字信号处理器、至少一个微控制器等。存储器装置930可以被配置为存储将由控制器910使用的命令代码或用户数据。
[0072]
电子装置900和电子装置900的各种系统组件可以包括图像处理单元960，图像处理单元960包括具有根据这里公开的主题的偏振滤光器和光谱滤光器的图像传感器。接口940可以被配置为包括无线接口，无线接口被配置为使用rf信号向无线通信网络发送数据或者从无线通信网络接收数据。无线接口940可以包括例如天线、无线收发器等。电子系统900还可以被用在通信系统的通信接口协议中，诸如但不限于，码分多址(cdma)、全球移动通信系统(gsm)、北美数字通信(nadc)、扩展时分多址(etdma)、宽带cdma(wcdma)、cdma2000、wifi、城市wifi(muni wifi)、蓝牙、数字增强无绳电信(dect)、无线通用串行总线(无线usb)、具有无缝切换的快速低延迟接入正交频分复用(flash
‑
ofdm)、ieee 802.20、通用分组无线服务(gprs)、iburst、无线宽带(wibro)、wimax、高级wimax、通用移动电信服务
‑
时分双工(umts
‑
tdd)、高速分组接入(hspa)、演进数据优化(evdo)、长期高级演进(高级lte)、多信道多点分发服务(mmds)等。
[0073]
本说明书中描述的主题和操作的实施例可以在包括本说明书中公开的结构及其结构等同物或者它们中的一个或更多个的组合的数字电子电路或者计算机软件、固件或硬件中实现。本说明书中描述的主题的实施例可以被实现为如在计算机存储介质上编码的一个或更多个计算机程序(即，计算机程序指令的一个或更多个模块)，用于由数据处理设备执行或者控制数据处理设备的操作。可选地或附加地，程序指令可以被编码在人工生成的传播信号(例如，机器生成的电信号、光信号或电磁信号)上，其被生成以对信息进行编码以传输到合适的接收器设备，用于供数据处理设备执行。计算机存储介质可以是计算机可读存储装置、计算机可读存储基底、随机或串行存取存储器阵列或者装置或其组合，或者被包括在计算机可读存储装置、计算机可读存储基底、随机或串行存取存储器阵列或者装置或其组合中。此外，虽然计算机存储介质不是传播信号，但是计算机存储介质可以是在人工生成的传播信号中编码的计算机程序指令的源或目的地。计算机存储介质也可以是一个或更多个单独的物理组件或介质(例如，多个cd、磁盘或其它存储装置)，或者被包括在一个或更多个单独的物理组件或介质(例如，多个cd、磁盘或其它存储装置)中。此外，本说明书中描述的操作可以被实现为由数据处理设备对存储在一个或更多个计算机可读存储装置上或从其它源接收的数据执行的操作。
[0074]
虽然本说明书可以包含许多具体的实施细节，但是这些实施细节不应被解释为对任何所要求保护的主题的范围进行限制，而是应被解释为对特定实施例的具体特征的描
述。在本说明书中的各个实施例的上下文中描述的一些特征也可以在单个实施例中组合地实现。相反，在单个实施例的上下文中描述的各种特征也可以单独地或以任何合适的子组合在多个实施例中实现。此外，尽管上面可以将特征描述为以某些组合起作用并且甚至最初如此要求保护，但是在一些情况下也可以从组合中删除来自所要求保护的组合的一个或更多个特征，并且所要求保护的组合可以指子组合或子组合的变化。
[0075]
类似地，虽然在附图中以特定顺序描绘了操作，但是这不应被理解为要求以所示的特定顺序或按相继顺序执行这些操作，或者执行所有示出的操作，以实现期望的结果。在一些情况下，多任务和并行处理可以是有利的。此外，上述实施例中的各种系统组件的分离不应被理解为在所有实施例中都需要这种分离，并且应理解的是，所描述的程序组件和系统通常可以一起集成在单个软件产品中或者封装到多个软件产品中。
[0076]
因此，这里已经描述了主题的特定实施例。其它实施例在权利要求书的范围内。在一些情况下，可以以不同的顺序执行权利要求中阐述的动作，并且仍实现期望的结果。此外，附图中描绘的过程不一定需要所示的特定顺序或相继顺序来实现期望的结果。在一些实施方式中，多任务和并行处理可以是有利的。
[0077]
如本领域技术人员将认识到的，这里描述的创新构思可以在宽范围的应用上进行修改和变化。因此，所要求保护的主题的范围不应限于上面讨论的任何特定示例性教导，而是由权利要求限定。