沉积方法与流程

技术特征：
1.一种在谐振器装置的制造中在衬底上溅镀沉积金属层的方法，其中所述金属层由选自钼mo、钨w、钛ti、钽ta、铂pt或钌ru的金属组成，所述方法包括以下步骤：提供包括腔室、安置于所述腔室内的衬底支撑件、由金属材料制成的靶标及等离子体产生装置的磁控溅镀设备，其中所述衬底支撑件与所述靶标分离开10cm或更小的距离；将所述衬底支撑于所述衬底支撑件上；执行dc磁控溅镀步骤，其包括将所述金属材料从所述靶标溅镀到所述衬底上以便在所述衬底上形成金属层，其中在所述dc磁控溅镀步骤期间，所述腔室的惰性气体具有至少6毫托的压力，所述靶标被供应具有至少6w/cm2的功率密度的功率，且所述衬底具有200到600℃范围内的温度。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底是硅衬底。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中供应到所述靶标的所述功率具有至少8w/cm2、任选地至少10w/cm2、任选地至少12w/cm2、任选地至少14w/cm2或任选地至少16w/cm2的功率密度。4.根据权利要求1或2所述的方法，其中供应到所述靶标的所述功率具有小于约24w/cm2、任选地小于约22w/cm2、任选地小于约20w/cm2、任选地小于约18w/cm2或任选地小于约16w/cm2的功率密度。5.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述dc磁控溅镀步骤期间，所述腔室具有至少7毫托、任选地至少8毫托、任选地至少9毫托、任选地至少10毫托的压力。6.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述dc磁控溅镀步骤期间，所述腔室具有约20毫托或更小、任选地约15毫托或更小、任选地约12毫托或更小、任选地约10毫托或更小或任选地约8毫托或更小的压力。7.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述dc磁控溅镀步骤在300到500℃的范围内或任选地约400℃的温度下执行。8.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述dc磁控溅镀步骤期间，将偏压功率供应到所述衬底支撑件。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述偏压功率是rf偏压功率。10.根据权利要求8所述的方法，其中所述偏压功率具有10到600w范围内、任选地50到500w、任选地100到400w或任选地200到300w的功率。11.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述dc磁控溅镀步骤包括使用由所述惰性气体形成的等离子体从所述靶标溅镀所述金属材料，任选地，所述惰性气体是氩气(ar)、氪气(kr)、氙气(xe)或其混合物。12.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述金属层具有约300nm或更小、任选地约250nm或更小、任选地约200nm或更小或任选地约150nm或更小的厚度。13.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述衬底支撑件与所述靶标分离开约75mm或更小的距离。14.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述谐振器装置是声波装置，例如体声波baw装置。15.一种制造谐振器装置的方法，其包括以下步骤：(a)提供衬底；
(b)将第一金属层沉积到所述衬底上；(c)将压电层沉积到所述第一金属层上；及(d)将第二金属层沉积到所述压电层上，其中步骤(b)及(d)中的至少一者使用根据权利要求1到14中任一权利要求所述的方法执行。16.一种衬底，其包括使用根据任一前述权利要求所述的方法沉积的钼层，其中所述钼层具有小于约10μω.cm的电阻率。17.一种谐振器装置，其包括使用根据权利要求1到14中任一权利要求所述的方法沉积的钼层，其中所述钼层具有小于约10μω.cm的电阻率。18.根据权利要求17所述的谐振器装置，其中所述谐振器装置是声波装置，例如体声波baw装置或表面声波saw装置。

技术总结
本申请案涉及一种沉积方法。根据本发明提供一种在谐振器装置的制造中在衬底上溅镀沉积金属层的方法，其中所述金属层由选自钼Mo、钨W、钛Ti、钽Ta、铂Pt或钌Ru的金属组成，所述方法包括以下步骤：提供包括腔室、安置于所述腔室内的衬底支撑件、由金属材料制成的靶标及等离子体产生装置的磁控溅镀设备，其中所述衬底支撑件与所述靶标分离开10cm或更小的距离；将所述衬底支撑于所述衬底支撑件上；执行DC磁控溅镀步骤，其包括将所述金属材料从所述靶标溅镀到所述衬底上以便在所述衬底上形成金属层，其中在所述DC磁控溅镀步骤期间，所述腔室的惰性气体具有至少6毫托的压力，所述靶标被供应具有至少6W/cm2的功率密度的功率，且所述衬底具有200到600℃范围内的温度。具有200到600℃范围内的温度。具有200到600℃范围内的温度。


技术研发人员：S
受保护的技术使用者：SPTS科技有限公司
技术研发日：2021.03.08
技术公布日：2021/10/18