具有热控制系统的光刻设备和方法与流程

技术特征：
1.一种装置，所述装置包括隔室，所述隔室包括被配置成将半导体晶片保持在夹具上的晶片平台，其中所述晶片平台被配置成在操作使用中在所述隔室内遵循一路线，所述装置包括：
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第一部件，所述第一部件具有面向所述路线的第一部分的第一表面；
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第二部件，所述第二部件具有面向所述路线的第二部分的第二表面；
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热控制系统，所述热控制系统能够操作以将所述第一表面的第一温度和所述第二表面的第二温度维持处于公共设定点量值。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述热控制系统能够操作以将所述夹具的第三温度维持处于所述公共设定点量值。3.根据权利要求1或权利要求2所述的装置，还包括定位在投影光学器件下方的冷却装置，辐射的经图案化的辐射束穿过所述投影光学器件而被投影到所述半导体晶片的目标部分上，所述冷却装置被配置成从所述目标部分提取经由对所述辐射的吸收而产生的热，其中基于所述夹具的冷却的测量结果来控制所述冷却装置的热提取。4.根据权利要求3所述的装置，其中所述夹具的冷却的所述测量结果包括冷却水温度梯度和质量流率的测量结果。5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中部件包括被布置成将所述冷却装置的至少一部分与所述晶片平台屏蔽的器件冷却装置热屏蔽件。6.根据权利要求1至5中任一项所述的装置，其中部件包括热屏蔽件。7.根据权利要求1至6中任一项所述的装置，其中部件包括量测框架。8.一种光刻设备，包括根据权利要求1至7中任一项所述的装置。9.根据权利要求8所述的光刻设备，其中所述光刻设备能够操作以使用基于所述冷却装置的所述热提取的模型来控制所述投影光学器件以调整所述经图案化的辐射束来补偿衬底变形。10.根据权利要求8至9中任一项所述的光刻设备，还包括晶片预对准器，所述晶片预对准器能够操作以在所述晶片转移至所述夹具之前定向和热调节所述晶片，并且其中所述热控制系统能够操作以将所述晶片预对准器的第四温度维持处于所述公共设定点量值。11.根据权利要求8至10中任一项所述的光刻设备，其中在所述光刻设备的操作使用中，在所述隔室中维持真空。12.一种光刻方法，包括：
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经由投影光学器件将辐射的经图案化的辐射束投影至被保持在光刻设备的隔室中的晶片平台处的夹具上的半导体晶片的目标部分上，其中所述光刻设备包括：
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第一部件，所述第一部件具有面向所述隔室内的路线的第一部分的第一表面；和
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第二部件，所述第二部件具有面向所述隔室内的所述路线的第二部分的第二表面；
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沿所述隔室内的所述路线输送所述晶片平台；以及
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操作热控制系统以将所述第一表面的第一温度和所述第二表面的第二温度维持处于公共设定点量值。13.根据权利要求12所述的光刻方法，还包括：操作所述热控制系统以将所述夹具的第三温度维持处于所述公共设定点量值。14.根据权利要求12或权利要求13所述的光刻方法，还包括：操作定位在所述投影光学
器件下方的冷却装置以从所述目标部分提取经由对所述辐射的吸收而产生的热，其中基于所述夹具的冷却的测量结果来控制所述冷却装置的热提取。15.根据权利要求14所述的光刻方法，其中所述夹具的冷却的测量结果包括冷却水温度梯度和质量流率的测量结果。16.根据权利要求14或权利要求15所述的光刻方法，包括：使用基于所述冷却装置的所述热提取的模型来控制所述投影系统以调整所述经图案化的辐射束来补偿衬底变形。17.根据权利要求12至16中任一项所述的光刻方法，还包括：使用晶片预对准器在所述晶片转移至所述夹具之前定向和热调节所述晶片，以及操作所述热控制系统以将所述晶片预对准器的第四温度维持处于所述公共设定点量值。18.根据权利要求12至17中任一项所述的光刻方法，还包括：在所述隔室中维持真空。19.根据权利要求12至18中任一项所述的光刻方法，其中部件包括被布置成将所述冷却装置的至少一部分与所述晶片平台屏蔽的器件冷却装置热屏蔽件。20.根据权利要求12至19中任一项所述的光刻方法，其中部件包括热屏蔽件。21.根据权利要求12至20中任一项所述的光刻方法，其中部件包括量测框架。

技术总结
一种装置，所述装置包括隔室，所述隔室包括被配置成将半导体晶片保持在夹具上的晶片平台，其中所述晶片平台被配置成在操作使用中遵循所述隔室内的路线，所述装置包括：第一部件，具有面向所述路线的第一部分的第一表面；第二部件，具有面向所述路线的第二部分的第二表面；热控制系统，所述热控制系统能够操作以将所述第一表面的第一温度和所述第二表面的第二温度维持处于公共设定点量值。第二温度维持处于公共设定点量值。第二温度维持处于公共设定点量值。


技术研发人员：约斯特
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：2020.01.21
技术公布日：2021/10/8