一种ALD加工设备的制作方法

一种ald加工设备
技术领域
1.本实用新型涉及半导体纳米薄膜沉积技术领域，特别涉及一种ald加工设备。


背景技术：

2.随着ic复杂程度的不断提高，按照著名的摩尔定律和国际半导体行业协会公布的国际半导体技术发展路线图，硅基半导体集成电路中金属
‑
氧化物
‑
半导体场效应晶体管器件的特征尺寸将达到纳米尺度。原子层沉积(atomic layer deposition，ald)具有优异的三维共形性、大面积的均匀性和精确的亚单层膜厚控制等特点，受到微电子行业和纳米科技领域的青睐。
3.现有技术中，原子层沉积加工的技术方案为：将基体放置在一个密封的反应器中，再通过将气相前驱体源交替地通入反应器，以在基体上化学吸附并反应形成沉积膜。
4.在实现本实用新型的技术方案中，申请人发现现有技术中至少存在以下不足：
5.现有技术中将气相前驱体源交替脉冲地通入反应器的技术方案，难以保证前驱体源对整个基体全面覆盖，容易形成针孔等缺陷，造成前驱体源与基体接触不均匀，导致沉积膜的均匀性差，质量难以保证，同时由于反应不全，前驱体源的大量充入，会造成前驱体源大量残余，成膜效率低，周期长，并且造成前驱体源的浪费。
6.因此，需对现有技术进行改进。


技术实现要素：

7.本实用新型提供一种ald加工设备以及加工方法，解决了或部分解决了现有技术中沉积膜的均匀性差，质量难以保证，且成膜效率低，周期长，造成前驱体源的浪费的技术问题。
8.本实用新型的技术方案为：
9.一方面，本实用新型提供了一种ald加工设备，所述加工设备包括：
10.反应器，所述反应器包括真空腔室以及反应腔室，所述反应腔室内置于所述真空腔室内，所述反应腔室底部开设有进气通道、出气通道以及第一料口，所述进气通道和所述出气通道以所述反应腔室的底部的中心线相对设置，所述第一料口设置在所述进气通道和所述出气通道之间，所述真空腔室的侧面上设置有第二料口；
11.升降装置，所述升降装置设置在所述反应器上，所述升降装置的输出端沿竖向伸缩，所述升降装置的输出端上设置有封盖，所述封盖设置在所述反应腔室的下方，所述封盖可操作地将所述反应腔室的第一料口密封；
12.送料腔室，所述送料腔室设置在所述反应器的侧部，所述送料腔室和所述反应器之间设置有可将所述第二料口开闭的密封门，所述送料腔室内设置有输送装置，所述输送装置可操作地将基体转运至所述封盖上。
13.进一步地，所述进气通道为孔状，所述进气通道设置有多个，多个所述进气通道设置在所述反应腔室的底部的一侧；
14.所述出气通道为孔状，所述出气通道也设置有多个，多个所述出气通道设置在所述反应腔室的底部的另一侧。
15.更进一步地，所述进气通道设置有多组，多组所述进气通道依次设置，每组所述进气通道均呈弧形，每组所述进气通道的各个进气通道的孔径向靠近所述反应腔室的底部的中心线依次减小；
16.所述出气通道设置有多组，多组所述出气通道依次设置，每组所述出气通道均呈弧形，每组所述出气通道的各个进气通道的孔径向靠近所述反应腔室的底部的中心线依次减小。
17.进一步地，所述反应腔室内设置有两个匀气板，两个所述匀气板以所述反应腔室的底部的中心线相对设置，两个所述匀气板设置在所述进气通道及出气通道之间，两个所述匀气板将所述反应腔室分割成进气腔室、反应腔室以及出气腔室，每个所述匀气板上均设置多个通孔。
18.进一步地，所述反应腔室的底部固定设置有中转腔室，所述中转腔室的顶部敞口，所述反应腔室的底部覆盖在所述中转腔室的底部上，所述中转腔室内设置有两个隔板，两个所述隔板将所述中转腔室分割成第一腔室、第二腔室以及第三腔室，所述进气通道和所述第一腔室连通，所述出气通道和所述第三腔室连通，所述第一腔室的底部设置有进气主孔，所述第三腔室的底部设置有出气主孔；
19.所述中转腔室的中部设置有和所述第一料口相一致的第三料口，所述第三料口和所述第一料口相通设置。
20.进一步地，所述加工设备还包括：
21.第一加热器，所述第一加热器设置在所述封盖的底部下方，所述第一加热器的输出端作用在所述封盖上；
22.第二加热器，所述第二加热器设置在所述反应腔室的外侧壁和所述真空腔室的内侧壁之间，所述第二加热器的输出端作用在所述反应腔室的侧壁上；
23.第三加热器，所述第三加热器设置在所述反应腔室的顶部和所述真空腔室的顶部之间，所述第三加热器作用在所述反应腔室的顶部上。
24.更进一步地，所述加工设备还包括第一热反射组件、第二热反射组件、第三热反射组件，
25.其中：
26.所述第一热反射组件设置在所述第一加热器和所述真空腔室的底部之间；
27.所述第二热反射组件设置在所述第二加热器和所述真空腔室的侧部之间；
28.所述第三热反射组件设置在所述第三加热器和所述真空腔室的顶部之间。
29.可选地，所述输送装置包括底板以及伸缩机构，所述伸缩机构的固定端固定设置在底板上，所述伸缩机构的伸缩端可沿水平向伸缩，所述伸缩机构的伸缩端的端部设置有电磁铁。
30.可选地，所述输送装置包括底板以及两个相对设置的伸缩机构，每个所述伸缩机构的固定端固定设置在底板上，每个所述伸缩机构的伸缩端可沿水平向伸缩；
31.所述加工设备还包括用于承载基体的框架，所述框架可移动地设置在所述底板上，所述框架的宽度方向的两侧均设置有支撑耳板，所述支撑耳板的底部均对应通过一个
所述伸缩机构的伸缩端支撑。
32.另一方面，本实用新型还提供了一种ald加工方法，所述加工方法是在上述ald加工设备进行的，所述加工方法包括：
33.提供基体，将提供的所述基体放置在所述送料腔室内；
34.依次操作密封门以及输送装置，使所述第二料口打开，使所述基体从所述送料腔室转移至所述封盖上；
35.依次操作所述输送装置以及所述密封门，使所述输送装置回位，所述密封门将所述第二料口封闭；
36.操作升降装置，将封盖盖设在所述反应腔室的第一料口处，基体位于密封的反应腔室内；
37.对反应器抽真空；
38.从反应腔室的进气通道注入前驱体源，前驱体源在反应腔室内对基体吹扫完毕后，从反应腔室的出气通道排出，进行基体的ald加工；
39.操作升降装置，将封盖下移，加工完毕的基体和封盖同步下移；
40.依次操作所述密封门以及所述输送装置，使所述第二料口打开，所述升降装置将加工完毕的基体转移至所述送料腔室内。
41.本实用新型所提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
42.本实用新型中，由于前驱体源是从反应腔室的进气通道注入到反应腔室内的，并从反应腔室的出气通道排出，由于进气通道和出气通道以反应腔室的底部的中心线相对设置，因此，反应腔室内的流体场为层流，且前驱体源的进气和抽气直接与反应腔室连通的，避免了前驱体源在对接处泄露的风险，且前驱体源在反应腔室内流动，不仅可减小反应腔室的体积，还增加了匀气的长度，提高了气流的均匀性，以减少乱气的现象，可保证前驱体源对整个基体全面覆盖，使前驱体源与基体接触均匀，提高沉积膜的均匀性，以保证沉积膜的成型质量和一致性，成膜效率高，周期短，提高前驱体源的利用率，适合批量性生产，具有很好的实用价值。
附图说明
43.为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
44.图1为实施例1所公开的一种ald加工设备的结构示意图；
45.图2为本实施例的真空腔室的结构示意图；
46.图3为本实施例的反应腔室的结构示意图；
47.图4为本实施例的反应腔室的俯视示意图；
48.图5为实施例3的反应腔室的结构示意图；
49.图6为本实施例中的输送装置和装有基体的框架的示意图；
50.图7为本实施例的一种ald加工方法的流程示意图；
51.图8为基体处于反应腔室内的状态示意图。
具体实施方式
52.需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
53.实施例1：
54.本实施例公开了一种ald加工设备。
55.图1为实施例1所公开的一种ald加工设备的结构示意图，结合图1，本实施例的ald加工设备包括反应器a、升降装置b、以及送料腔室c。
56.结合图1，本实施例的反应器a包括真空腔室1以及反应腔室2，反应腔室2内置于真空腔室1内，图2为本实施例的真空腔室的结构示意图，图3为本实施例的反应腔室的结构示意图，结合图1
‑
图3，本实施例的反应腔室2底部设置有第一料口28，真空腔室1的侧面上设置有第二料口3。
57.结合图1，本实施例的升降装置b设置在反应器a上，升降装置b的输出端沿竖向伸缩，升降装置b的输出端上设置有封盖4，封盖4可操作地将反应腔室2底部的第一料口28密封，以使反应腔室2形成一个密封腔体。
58.结合图1，本实施例的送料腔室c设置在反应器a的侧部，送料腔室c和反应器a之间设置有可将第二料口3开闭的密封门5，送料腔室c内设置有输送装置6，通过操作输送装置6，可将集体转运至封盖4上。
59.本实施例在实施时，先将基体放置在送料腔室c内，然后操作输送装置6，将基体转运至封盖4上，随后操作密封门以及升降装置b，分别将第二料口以及反应腔室2密封，再将反应器抽真空处置，即可进行基体的ald加工，操作方便，自动化程度高。
60.实施例2：
61.本实施例提供了一种反应腔室，适用于实施例1所示的ald加工设备。
62.图4为本实施例的反应腔室的结构示意图，结合图3以及图4，本实施例的反应腔室2的底部开设有进气通道8及出气通道9，进气通道8和出气通道9以反应腔室2的底部的中心线相对设置。
63.本实施例中，前驱体源是从反应腔室2的进气通道8注入到反应腔室2内的，并从反应腔室2的出气通道9排出，由于进气通道8和出气通道9以反应腔室2的底部的中心线相对设置，因此，反应腔室2内的流体场为层流，且前驱体源的进气和抽气直接与反应腔室连通的，避免了前驱体源在对接处泄露的风险，另外，前驱体源在反应腔室2内的流动方向，不仅可减小反应腔室的体积，还增加了匀气的长度，提高了气流的均匀性，以减少乱气的现象，可保证前驱体源对整个基体全面覆盖，使前驱体源与基体接触均匀，提高沉积膜的均匀性，以保证沉积膜的成型质量和一致性，成膜效率高，周期短，提高前驱体源的利用率，适合批量性生产，具有很好的实用价值。
64.结合图4，本实施例中的进气通道8为孔状，进气通道8设置有多个，多个进气通道8设置在反应腔室2的底部的一侧，相应地，出气通道9也为孔状，出气通道9也设置有多个，多个出气通道9设置在反应腔室2的底部的另一侧。
65.进一步地，结合图4，本实施例的进气通道8设置有多组，多组进气通道8依次设置，每组进气通道8均呈弧形，每组进气通道8的各个进气通道8的孔径向靠近反应腔室2的底部的中心线的方向依次减小，相应地，出气通道9设置有多组，多组出气通道9依次设置，每组
出气通道9均呈弧形，每组出气通道9的各个进气通道4的孔径向靠近反应腔室2的底部的中心线的方向依次减小，这样可进一步提高前驱体源对基体吹扫的均匀性，提高沉积膜的成型质量。
66.当然，本实施例中的进气通道8和出气通道9也可以为其他形状，例如条状以及方形等，在条状的前提下，进气通道8设置有多个，多个进气通道8设置在反应腔室2的底部的一侧，出气通道9也设置有多个，多个出气通道9设置在反应腔室2的底部的另一侧，而为了保证吹扫的均匀性，本实施例的进气通道8的尺寸向靠近反应腔室2的底部的中心线的方向依次减小，出气通道9的尺寸向靠近反应腔室2的底部的中心线的方向依次减小。
67.结合图4，本实施例中，第一料口28开设在进气通道8和出气通道9之间。
68.实施例3：
69.本实施例提供了一种反应腔室，适用于实施例1或2所示的ald加工设备。
70.图5为实施例3的反应腔室的结构示意图，本实施例所示的反应腔室和实施例2所示的反应腔室的区别在于：该反应腔室2内设置有两个匀气板10，两个匀气板10以反应腔室2的底部的中心线相对设置，两个匀气板10设置在进气通道8及出气通道9之间，两个匀气板10将反应腔室分割成进气腔室、反应腔室以及出气腔室，每个匀气板10上均设置多个通孔。
71.前驱体源可通过进气通道8进入到进气腔室中，再通过和进气腔室同一侧的匀气板10进入到反应腔室中，对基体进行吹扫，随后通过和出气腔室同一侧的匀气板10排至出气腔室中，并通过出气通道9排出，设置的两个匀气板10可进一步提高前驱体源流动的均匀性。
72.另外，本实施例中，两个匀气板10上的通孔的中心轴可倾斜设置，可形成对称的八字形，这样吹扫效果会更好。
73.实施例4：
74.本实施例提供了一种反应腔室，适用于实施例1
‑
3的ald加工设备。
75.结合图1，本实施例中，反应腔室2的底部固定设置有中转腔室11，中转腔室11的顶部敞口，反应腔室2的底部覆盖在中转腔室11的顶部上，以使中转腔室11形成一个密封腔体，中转腔室11内设置有两个隔板12，两个隔板12将中转腔室11分割成第一腔室、第二腔室以及第三腔室，进气通道8和第一腔室连通，出气通道9和第三腔室连通，第一腔室的底部设置有进气主孔13，第三腔室的底部设置有出气主孔14。
76.在具体实施时，进气装置可通过进气主孔13将前驱体源注入到第一腔室内，再通过第一腔室中转输入到反应腔室2内，前驱体源在反应腔室2内吹扫后，进入到第三腔室内中转至出气主孔14，并通过抽气装置引出，这样可增加前驱体源的匀气时间，提高吹扫效率。
77.本实施例中，第一腔室和第三腔室的截面可以呈扇形，当然，其也可以为其他形状，例如方形、椭圆形等，本实施例对此不作限制，而第二料口可开设在第二腔室中。
78.进一步地，结合图1，本实施例中，两个隔板12设置在进气通道8及出气通道9之间，进气主孔13设置在进气通道8和同侧的隔板12之间，出气主孔14设置在出气通道9和同侧的隔板12之间，进气主孔13和出气主孔14以反应腔室2的顶部的中心线相对设置，即本实施例的进气主孔13和出气主孔14之间的距离小于进气通道8及出气通道9之间的距离，这样可进一步增加前驱体源的匀气时间，提高吹扫效率。
79.结合图1，本实施例中，可以在反应腔室2的顶部设置有抽真空孔，真孔管27可以设置在反应腔室2的顶部和真空腔室1的顶部之间，真空管27的一端和抽真空孔连通，真空管27的另一端穿过真空腔室1的顶部，真孔管27的周面设设置有多个气孔，真空管27的另一端和抽真空装置连，以用于抽取真空腔室1以及反应腔室2的空气，使反应器a处于真空环境。这种布置方式可使抽真空装置设置在反应器a的顶部，能降低加工设备的高度，优化空间布局。
80.当然，本实施例的真空管27也可以设置在反应器的侧部，本实施例对此不作限制。
81.实施例5：
82.本实施例可适用于实施例1
‑
4的ald加工设备。
83.结合图1，本实施例的加工设备还包括第一加热器15、第二加热器16以及第三加热器17，第一加热器15设置在封盖5的底部上，第一加热器15的输出端作用在封盖5上，第二加热器16设置在反应腔室2的外侧壁和真空腔室1的内侧壁之间，第二加热器16的输出端作用在反应腔室2的侧壁上，第三加热器17设置在反应腔室2的顶部和真空腔室1的顶部之间，第三加热器17作用在反应腔室2的顶部上。
84.本实施例中，由于第一加热器15的输出端作用在封盖5上，第二加热器16的输出端作用在反应腔室2的侧壁上，第三加热器17作用在反应腔室2的顶部上，因此，可实现反应腔室2的顶部、侧部及底部三个区域独立辐射加热和控温，在大空间内形成均匀温度场，以使前驱体源的加热温度快速升温至需求温度，加热效率高。
85.结合图1，本实施例中，封盖5的底部固定设置有第一安装板18，第一加热器15包括多个第一加热丝，多个第一加热丝呈同心波纹设置，多个第一加热丝均固定在第一安装板18的顶面上。
86.进一步地，结合图1，本实施例中，第一安装板18的外沿向上折弯，形成第一限位挡边，第一限位挡边可对第一加热器15的加热方向进行一定限制，以进一步提高第一加热器15的加热效率。
87.结合图1，本实施例中的加工设备还包括设置在第一加热组件15和真空腔室1的底部之间的第一热反射组件19，第一热反射组件19可固定设置在第一安装板18的底面上，第一热反射组件19用于将第一加热器15工作时的热量反射至封盖5上，以进一步提高前驱体源的加热速率。
88.结合图1，本实施例中，反应腔室2的外侧壁和真空腔室1的内侧壁之间设置有第二安装板20，第二安装板20周面两端为闭环，第二安装板20固定设置在真空腔室1的底部的顶面上，第二加热器16包括多个第二加热丝，每个第二加热丝均呈同轴的环状设置，每个第二加热丝沿竖向固定设置在第二安装板20的内侧壁上，每个第二加热丝均套装在反应腔室2的外侧壁上，以对反应腔室2的侧壁进行加热。
89.进一步地，结合图1，本实施例中，第二安装板20的两端均向内侧翻边，形成第二限位挡边，第二限位挡边可对第二加热器16的加热方向进行一定限制，以进一步提高第二加热器16的加热效率。
90.结合图1，本实施例的加工设备还包括第二热反射组件21，第二热反射组件21设置在第二加热器16以及真空腔室1的内壁之间，第二热反射组件21可以固定设置在第二安装板20的外侧面上，第二热反射组件21用于将第二加热器16工作时的热量反射至反应腔室2
的侧壁上，以进一步提高前驱体源的加热速率。
91.结合图1，本实施例中，反应腔室2的顶部和真空腔室1的顶部之间设置有第三安装板22，第三加热器17包括多个第三加热丝，多个第三加热丝呈同心波纹设置，多个第三加热丝均固定在第三安装板22的低面上。
92.进一步地，结合图1，本实施例中，第三安装板22的外沿向下折弯，形成第三限位挡边，第三限位挡边可对第三加热器17的加热方向进行一定限制，以进一步提高第三加热器17的加热效率。
93.进一步地，结合图1，本实施例中的加工设备还包括第三热反射组件23，第三热反射组件23设置在反应腔室2的顶部和真空腔室1的顶部之间，进一步地，第三热发射组件23可固定设置在第三安装板22的顶面上，第三热反射组件23用于将第三加热器17工作时的热量反射至反应腔室2的底部上，以进一步提高前驱体源的加热速率。
94.本实施例中，第一热反射组件19、第二热反射组件21以第三热反射组件23均可以包括若干依次设置的热反射板，相邻的两个热反射板的接触形式为多点接触，具有热反射效率高，节约能源，提高温度场的均匀性的特点。
95.进一步地，本实施例的各个热反射板的厚度可以为0.04
‑
1mm，每两个相邻的所述热反射板之间的间距为0.05
‑
0.1mm，以减小空间尺寸。
96.本实施例利用各个热反射组件可限制对应的加热器的加热方向，这样只对反应腔室2进行加热，而真空腔室1的温度可保持常温，不需要采用水冷等降温设施对真空腔室1进行降温，以精简结构，具有很好的实用性。
97.实施例6：
98.本实施例可适用于实施例1
‑
5的ald加工设备。
99.结合图1，本实施例中，封盖5的顶部的边缘可设置有止口，而反应腔室2的第一料口28处设置有凸台，当封盖5将反应腔室2的第一料口28处密封时，凸台可嵌入到该止口内，以提高反应腔室2的密封效果。
100.本实施例中，升降装置b可以为伸缩气缸，伸缩气缸的缸体可固定设置在真空腔室1的底部上，而伸缩气缸的伸缩端和封盖固定连接，通过操作伸缩气缸，即可带动封盖升降，进而实现反应腔室2的打开或封闭。
101.本实施例中，伸缩气缸可设置只有多个，多个伸缩气缸同步工作，使封盖5的移动受力更加均衡，封盖5的升降更加稳定。
102.实施例7：
103.本实施例公开了一种输送装置，适用于实施例1
‑
6的ald加工设备。
104.结合图1，本实施例的伸缩装置包括底板7以及伸缩机构24，伸缩机构24的固定端固定设置在底板7上，伸缩机构24的伸缩端可沿水平向伸缩，伸缩机构24的伸缩端的端部设置有电磁铁。
105.在实际实施时，基体可预先布置在一个框架上，将框架放置在底板7上，需要将基体从送料腔室转移至反应器a中时，可以将伸缩机构24的伸缩端的电磁铁通电，伸缩机构24的伸缩端和框架磁性连接，操作伸缩机构24，即可带动装有基体的框架在底板7上滑动，进而使基体从送料腔室转移至反应器a中，随后，电磁铁断电，伸缩机构24的伸缩端和框架的磁性连接消失，操作输送机构24，即可将伸缩机构24的伸缩端回位。当基体加工完毕后，先
操作伸缩机构24的伸缩端进入到反应器a中，再将伸缩机构24的伸缩端的电磁铁通电，伸缩机构24的伸缩端和框架磁性连接，操作伸缩机构24，伸缩机构24的伸缩端回位，带动加工完毕的基体回位至送料腔室内。
106.本实施的伸缩机构24可以设置有多个，可以为气缸、电机等直线运动机构，本实施例对此不作限制。
107.本实施例可一次性完成多个基体的输送工作，适合产品的批量性生产加工。
108.实施例8：
109.本实施例公开了一种输送装置，适用于实施例1
‑
6的ald加工设备。
110.图6为本实施例中的输送装置和装有基体的框架的示意图，结合图6，本实施例的伸缩装置也包括底板7以及伸缩机构24，伸缩机构24的固定端固定设置在底板7上，伸缩机构24的伸缩端可沿水平向伸缩。本实施例和实施例7的区别在于，本实施例的伸缩机构24相对设置有两个，两个伸缩机构24同步动作。
111.结合图6，本实施例中，用于承载基体的框架25可移动地设置在底板7上，框架25的宽度方向的两侧均设置有支撑耳板26，支撑耳板26的底部均对应通过一个伸缩机构24的伸缩端支撑。
112.在实际实施时，先将框架25放置在两个伸缩机构24的伸缩端上，需要将基体从送料腔室转移至反应器a中时，操作伸缩机构24，伸缩机构24的伸缩端托着框架25从送料腔室中转移至反应器a的封盖5上，随后，操作升降装置b上升，封盖5将框架25托起，框架25和伸缩机构24的伸缩端分离，操作伸缩机构24，伸缩机构24回位后，框架25完全由封盖5托起；基体加工完毕后，先操作升降装置b，使框架25下降到合适高度，伸缩机构24的伸缩端位于两个支撑耳板26下方后，继续操作升降装置b，使框架25完全由两个伸缩机构24的伸缩端支撑，再操作升降装置b回位，即可带动装有加工完毕的基体从反应器a转运至送料腔室内。
113.本实施的伸缩机构24也可以为气缸、电机等直线运动机构，本实施例对此不作限制。
114.本实施例可一次性完成多个基体的输送工作，适合产品的批量性生产加工。
115.实施例9：
116.本实施例公开了一种ald加工方法，该加工方法是在基于实施例1
‑
8的ald加工设备进行的。
117.图7为本实施例的一种ald加工方法的流程示意图，结合图7，该加工方法包括：
118.s1：提供基体，将提供的基体放置在送料腔室c内；
119.s2：依次操作密封门5以及输送装置6，使第二料口打开，使基体从送料腔室c转移至封盖5上；
120.s3：依次操作输送装置6以及密封门5，使输送装置6回位，密封门5将第二料口封闭，反应器a处于一个密封环境；
121.s4：操作升降装置b，将封盖5盖设在反应腔室2的第一料口28处，基体位于密封的反应腔室2内，加工设备形成图8所示的状态；
122.s5：对反应器a抽真空；
123.s6：从反应腔室2的进气通道8注入前驱体源，前驱体源在反应腔室2内对基体吹扫完毕后，从反应腔室2的出气通道9排出，进行基体的ald加工；
124.s7：操作升降装置b，将封盖5下移，加工完毕的基体和封盖5同步下移；
125.s8：依次操作密封门5以及输送装置6，使第二料口3打开，升降装置6将加工完毕的基体转移至送料腔室c内。
126.本实施例中，s6还包括对反应腔室2进行加热，加热温度可根据加工需求进行设定，本实施例对此不作限制。
127.本实施例的s6具体包括：
128.依次交替脉冲从反应腔室2的进气通道向反应腔室2内注入前驱体源，前驱体源在反应腔室2内在基体表面依次交替发生化学吸附反应，多余前驱体源及反应副产物经吹扫完毕后，从反应腔室2的出气通道排出，重复上述依次脉冲通入前驱体源完成表面自限制化学吸附反应，通过控制重复次数得到精确厚度的膜层，即完成基体的ald加工。
129.最后所应说明的是，以上具体实施方式仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，尽管参照实例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。