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一种超表面成像装置的制作方法

2021-10-08 22:23:00 来源:中国专利 TAG:成像 装置 表面 申请 发明

技术特征:
1.一种超表面成像装置,其特征在于,所述超表面成像装置包括:光阑,用于对入射的光束进行限制;至少一个超表面镜片,与所述光阑对准并具有多个相位补偿结构,以对经所述光阑限制的光束进行偏折处理以对其进行相位补偿;以及成像传感器,将经所述相位补偿后的光转换为与所述光的信号成比例的电信号;其中,每个所述超表面镜片包括:第一部分,所述第一部分位于所述超表面镜片的中央,包含第一多个相位补偿结构;以及第二部分,所述第二部分包围所述第一部分,包含第二多个相位补偿结构,其中,经所述第一多个相位补偿结构和所述第二多个相位补偿结构进行所述相位补偿的光束分别入射在所述成像传感器上的、不相重叠的第一干涉相长位置和第二干涉相长位置处。2.根据权利要求1所述的超表面成像装置,其特征在于,所述光阑的中心与所述超表面镜片的中心在光轴方向上对准。3.根据权利要求2所述的超表面成像装置,其特征在于,在所述第一部分中,所述第一多个相位补偿结构在靠近和远离所述超表面镜片的中心的方向上所引入的相移变化对称。4.根据权利要求2所述的超表面成像装置,其特征在于,在所述第二部分中,所述第二多个相位补偿结构在靠近和远离所述超表面镜片的中心的方向上所引入的相移变化不对称。5.根据权利要求1至4中任一项所述的超表面成像装置,其特征在于,所述超表面镜片还包括透明衬底,其中,所述相位补偿结构在所述透明衬底上通过电介质材料形成。6.根据权利要求5所述的超表面成像装置,其特征在于,形成所述相位补偿结构的所述电介质材料为无机电介质材料,所述无机电介质材料的折射率与形成所述透明衬底的材料的折射率不同。7.根据权利要求6所述的超表面成像装置,其特征在于,所述无机电介质材料的折射率大于形成所述透明衬底的材料的折射率。8.根据权利要求6所述的超表面成像装置,其特征在于,所述无机电介质材料包括硫化锌、氟化镁、二氧化钛、氧化锆、氢化硅、晶体硅、氮化硅、非晶硅、氮化镓、磷化镓、砷化镓中的至少一种。9.根据权利要求6所述的超表面成像装置,其特征在于,形成所述透明衬底的材料是无机材料,所述无机材料包括导电玻璃ito、氧化铝、氧化锌、氟化镁、二氧化硅中的一种。10.根据权利要求6所述的超表面成像装置,其特征在于,形成所述透明衬底的材料是树脂类有机透明材料。

技术总结
本申请提供了一种超表面成像装置。该超表面成像装置包括:光阑,用于对入射的光束进行限制;至少一个超表面镜片,与光阑对准并具有多个相位补偿结构,以对经光阑限制的光束进行偏折处理以对其进行相位补偿;以及成像传感器,将经相位补偿后的光转换为与光的信号成比例的电信号;其中,每个超表面镜片包括:第一部分,第一部分位于超表面镜片的中央,包含第一多个相位补偿结构;以及第二部分,第二部分包围第一部分,包含第二多个相位补偿结构,其中,经第一多个相位补偿结构和第二多个相位补偿结构进行相位补偿的光束分别入射在成像传感器上的、不相重叠的第一干涉相长位置和第二干涉相长位置处。涉相长位置处。涉相长位置处。


技术研发人员:杨萌 戴付建 赵烈烽
受保护的技术使用者:浙江舜宇光学有限公司
技术研发日:2020.04.24
技术公布日:2021/10/7
再多了解一些

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