阵列基板、阵列基板的制造方法以及显示装置与流程

技术特征：
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括指纹识别区，所述阵列基板包括：基板；金属电极层，位于所述基板的一面上，所述金属电极层包括第一电极；第一钝化层，覆盖于所述金属电极层远离所述基板的一面上，所述第一钝化层中开设有第一开口，所述第一开口位于所述指纹识别区，所述第一开口用于暴露所述第一电极；感光半导体层，设置于所述第一钝化层远离所述金属电极层的表面，所述感光半导体层覆盖所述第一开口，且与所述第一电极电连接；第一电极层，设置于所述第一钝化层远离所述金属电极层的表面；第二钝化层，覆盖于所述感光半导体层和所述第一电极层远离所述第一钝化层的一面上，所述第二钝化层中开设有第二开口，所述第二开口用于暴露所述感光半导体层；第二电极层，设置于所述第二钝化层远离所述基板的一面上，所述第二电极层包括第二电极，所述第二电极延伸入所述第二开口中与所述感光半导体层电连接。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层中开设有第一通孔，所述第一通孔用于暴露所述金属电极层，所述第一电极层包括第一桥接电极，所述第一桥接电极延伸入所述第一通孔中与所述金属电极层电连接，所述第二钝化层中开设有第二通孔，所述第二通孔对应于所述第一通孔设置，所述第二通孔用于暴露所述第一桥接电极，所述第二电极层延伸入所述第二通孔中与所述第一桥接电极电连接，并经由所述第一桥接电极与所述金属电极层电连接。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述金属电极层包括指纹识别公共电极，所述指纹识别公共电极位于所述指纹识别区，且与所述第一电极间隔设置；所述第一通孔包括第一子通孔，所述第一子通孔用于暴露所述指纹识别公共电极；所述第一桥接电极包括第一子桥接电极，所述第一子桥接电极延伸入所述第一子通孔中与所述指纹识别公共电极电连接；所述第二通孔包括第二子通孔，所述第二子通孔对应于所述第一子通孔设置，所述第二子通孔用于暴露所述第一子桥接电极，所述第二电极延伸入所述第二子通孔中与所述第一子桥接电极电连接，并经由所述第一子桥接电极与所述指纹识别公共电极电连接。4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括主显示区，所述主显示区与所述指纹识别区相邻设置；所述阵列基板还包括晶体管层，所述晶体管层设置于所述基板与所述金属电极层之间；所述金属电极层包括第二桥接电极，所述第二桥接电极位于所述主显示区，所述第二桥接电极电连接于所述晶体管层；所述第一通孔包括第三子通孔，所述第三子通孔位于所述主显示区，所述第三子通孔用于暴露所述第二桥接电极；所述第一桥接电极包括第二子桥接电极，所述第二子桥接电极延伸入所述第三子通孔中与所述第二桥接电极电连接；所述第二电极层包括像素电极，所述像素电极位于所述主显示区；所述第二通孔包括第四子通孔，所述第四子通孔与所述第三子通孔对应设置，所述像
素电极延伸入所述第四子通孔中与所述第二子桥接电极电连接，并经由所述第二子桥接电极和所述第二桥接电极与所述晶体管层电连接。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层与所述第二钝化层中开设有第三通孔，所述第三通孔贯穿所述第一钝化层与所述第二钝化层，所述第三通孔用于暴露所述金属电极层，所述第二电极层延伸入所述第三通孔中与所述金属电极层电连接。6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层还包括中间电极，所述中间电极位于所述第一开口中，且电连接于所述第一电极与所述感光半导体层之间，所述感光半导体层在所述中间电极所在平面上的正投影与所述中间电极重叠。7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括主显示区，所述主显示区与所述指纹识别区相邻设置，所述第一电极层包括显示公共电极，所述显示公共电极设置于所述第一钝化层远离所述金属电极层的表面，所述显示公共电极位于所述主显示区，所述第二电极层包括像素电极，所述像素电极位于所述主显示区，且与所述显示公共电极相对设置。8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括晶体管层，所述晶体管层设置于所述基板与所述金属电极层之间，所述晶体管层包括第一晶体管，所述第一晶体管位于所述指纹识别区，所述第一晶体管与所述第一电极电连接，所述第一电极、所述感光半导体以及所述第二电极对应于所述第一晶体管设置。9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层包括指纹识别电容极板，所述指纹识别电容极板位于所述指纹识别区，所述第二电极还与所述指纹识别电容极板相对。10.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的制造方法包括以下步骤：提供基板，所述基板包括第一区域；在所述基板的一面上形成金属电极层，其中，所述金属电极层包括第一电极；在所述金属电极层远离所述基板的一面上形成第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述金属电极层；在所述第一钝化层中开设第一开口，所述第一开口位于所述第一区域，所述第一开口用于暴露所述第一电极；在所述第一钝化层远离所述金属电极层的表面形成第一电极层和感光半导体层，其中，所述感光半导体层覆盖所述第一开口，且与所述第一电极电连接；在所述感光半导体层和所述第一电极层远离所述第一钝化层的一面上形成第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述感光半导体层和所述第一电极层；在所述第二钝化层中开设第二开口，所述第二开口用于暴露所述感光半导体层；在所述第二钝化层远离所述基板的一面上形成第二电极层，其中，所述第二电极层包括第二电极，所述第二电极延伸入所述第二开口中与所述感光半导体层电连接。11.如权利要求10所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述第一钝化层中开设第一开口的步骤包括：在所述第一钝化层中开设第一通孔，其中，所述第一通孔用于暴露所述金属电极层；在所述第一钝化层远离所述金属电极层的表面形成第一电极层和感光半导体层的步骤包括：形成第一桥接电极，其中，所述第一桥接电极延伸入所述第一通孔中与所述金属电
极层电连接；所述在所述第二钝化层中开设第二开口的步骤包括：在所述第二钝化层中开设第二通孔，其中，所述第二通孔对应于所述第一通孔设置，所述第二通孔用于暴露所述第一桥接电极，所述第二电极层延伸入所述第二通孔中与所述第一桥接电极电连接，并经由所述第一桥接电极与所述金属电极层电连接。12.如权利要求10所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，利用灰阶掩模或者半色调掩模经过一道掩模制程完成所述在所述第一钝化层远离所述金属电极层的表面形成第一电极层和感光半导体层的步骤，其中，所述第一电极层还包括中间电极，所述中间电极位于所述第一开口中，且电连接于所述第一电极与所述感光半导体层之间，所述感光半导体层在所述中间电极所在平面上的正投影与所述中间电极重叠。13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的阵列基板。

技术总结
本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制造方法以及显示装置。阵列基板包括：基板、金属电极层、第一钝化层、第一电极层、感光半导体层、第二钝化层以及第二电极层。第一电极层和感光半导体层均设置于第一钝化层远离金属电极层的表面上。本申请通过将第一电极层与感光半导体层二者设置于第一钝化层远离金属电极层的表面，能够省略现有技术中第一电极层与感光半导体层之间的钝化层，从而简化了结构和制程。从而简化了结构和制程。从而简化了结构和制程。


技术研发人员：宋德伟 艾飞 宋继越
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
技术研发日：2021.06.07
技术公布日：2021/9/24