一种靶材组件的制作方法

1.本实用新型涉及靶材领域，具体涉及一种靶材组件。


背景技术：

2.目前，在半导体器件制造的过程中，磁控溅射是非常重要的一项薄膜形成工艺。其基本机理是在磁控溅射反应器中，以一定能量的粒子(电子、离子、中性粒子)轰击固体表面，其表面的原子通过与高能粒子的碰撞有可能获得足够的能量从表面逃逸，然后在电场力或者磁力的作用下往硅片上迁移。
3.如cn107849689a公开了一种如下的靶材，其是含有合计50原子％以下的选自由w、nb、ta、ni、ti与cr所组成的群组的任意一种或两种以上的元素 m，剩余部分包含mo及不可避免的杂质的靶材，不可避免的杂质之一的k为 0.4ppm
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20.0ppm，且优选为含有10原子％
‑
50原子％的w作为所述元素m。
4.cn107663630a公开了一种旋转靶材，其包含靶材体、背衬管及接合件，所述接合件设置于所述靶材体与所述背衬管之间，且所述接合件包含可压缩结构与导电导热胶，所述可压缩结构为可压缩毯或可压缩片。利用所述接合件接合靶材体和背衬管不仅能有利于简化旋转靶材的工艺，更得以在维持靶材体和背衬管的接合强度的同时，提升旋转靶材的溅镀功率耐受度，进而提升其溅镀效率。
5.cn107735504a公开了一种具有高机械强度的烧结合金和含有该烧结合金而构成的溅射靶材，所提供的烧结合金中，含有如下：mn；由ga、znsn、ge、 al或co中的任意一种或两种以上构成的a群元素；和根据需要，由fe、ni、 cu、ti、v、cr、si、y、zr、nb、mo、ru、rh、pd、ag、in、ta、w、re、ir、pt、au、bi、la、ce、nd、sm、gd、tb、dy或ho中的任意一种或两种以上所构成的b群元素，余量是不可避免的杂质，具有满足规定的条件的第一mn 相
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第六mn相中的任意一种或两种以上。
6.然而靶材在溅射过程中，靶材溅射面边缘及靶材侧面会产生原子反溅射，而原子的反溅射后会在该位置堆积，而堆积的多余离子会脱落，使得晶圆损坏。因此为了解决反溅射物质脱落导致的晶圆毁坏，亟需一种解决反溅射面(靶材溅射面边缘及靶材侧面部分)离子的脱落问题。


技术实现要素：

7.鉴于现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种靶材组件，本实用新型提供的靶材组件通过对反溅射面设置新的花纹，进一步增强反溅射区域对粒子的附着力，有效延长产品使用寿命，避免反溅射区域附着物脱落，导致损坏晶圆。
8.为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：
9.本实用新型提供了一种靶材组件，所述靶材组件中靶材的溅射端面设置有花纹环；
10.所述花纹环中的花纹为网状花纹；
11.所述花纹环的外径等于所述靶材的外径。
12.本实用新型提供的靶材组件通过对靶材的反溅射面设置新的花纹，进一步增强反溅射区域对粒子的附着力，有效延长产品使用寿命，避免反溅射区域附着物脱落，导致损坏晶圆。
13.作为本实用新型优选的技术方案，所述花纹环的环宽为12.5
‑
15mm，例如可以是12.5mm、13mm、13.5mm、14mm、14.5mm或15mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
14.作为本实用新型优选的技术方案，所述花纹环中花纹的深度为0.15
‑
0.2mm，例如可以是0.15mm、0.16mm、0.17mm、0.18mm、0.19mm或0.2mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
15.作为本实用新型优选的技术方案，所述花纹环中花纹的大小为50tpi。
16.作为本实用新型优选的技术方案，所述靶材组件中靶材的侧面设置有花纹段。
17.所述花纹段中的花纹为网状花纹。
18.作为本实用新型优选的技术方案，所述花纹段中花纹段的垂直宽度为 3
‑
3.5mm，例如可以是3mm、3.1mm、3.2mm、3.3mm、3.4mm或3.5mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
19.所述花纹段与所述花纹环相连接。
20.作为本实用新型优选的技术方案，所述花纹段中花纹的深度为0.15
‑
0.2mm，例如可以是0.15mm、0.16mm、0.17mm、0.18mm、0.19mm或0.2mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
21.作为本实用新型优选的技术方案，所述花纹段中花纹的大小为50tpi。
22.作为本实用新型优选的技术方案，所述靶材组件中的靶材包括钛靶材、铜靶材、钨靶材或钼靶材中的任意一种。
23.作为本实用新型优选的技术方案，所述靶材组件中的背板包括铜背板或铝背板。
24.与现有技术方案相比，本实用新型至少具有以下有益效果：
25.本实用新型提供的靶材组件通过对反溅射面设置新的花纹，进一步增强反溅射区域对粒子的附着力，有效延长产品使用寿命，避免反溅射区域附着物脱落，导致损坏晶圆。
附图说明
26.图1是本实用新型实施例1提供的靶材示意图；
27.图2是本实用新型实施例6提供的靶材示意图。
28.下面对本实用新型进一步详细说明。但下述的实例仅仅是本实用新型的简易例子，并不代表或限制本实用新型的权利保护范围，本实用新型的保护范围以权利要求书为准。
具体实施方式
29.为更好地说明本实用新型，便于理解本实用新型的技术方案，本实用新型的典型但非限制性的实施例如下：
30.实施例1
31.本实施例提供一种靶材组件，如图1所示，所述靶材组件中靶材的溅射端面设置有花纹环；
32.所述花纹环中的花纹为网状花纹；
33.所述花纹环的外径等于所述靶材的外径。
34.所述花纹环的环宽为13mm。
35.所述花纹环中花纹的深度为0.15mm。
36.所述花纹环中花纹的大小为50tpi。
37.所述靶材组件中的靶材为钛靶材。
38.所述靶材组件中的背板为铜背板。
39.实施例2
40.本实施例提供一种靶材组件，所述靶材组件中靶材的溅射端面设置有花纹环；
41.所述花纹环中的花纹为网状花纹；
42.所述花纹环的外径等于所述靶材的外径。
43.所述花纹环的环宽为12.5mm。
44.所述花纹环中花纹的深度为0.2mm。
45.所述花纹环中花纹的大小为50tpi。
46.所述靶材组件中的靶材为铜靶材。
47.所述靶材组件中的背板为铜背板。
48.实施例3
49.本实施例提供一种靶材组件，所述靶材组件中靶材的溅射端面设置有花纹环；
50.所述花纹环中的花纹为网状花纹；
51.所述花纹环的外径等于所述靶材的外径。
52.所述花纹环的环宽为15mm。
53.所述花纹环中花纹的深度为0.16mm。
54.所述花纹环中花纹的大小为50tpi。
55.所述靶材组件中的靶材为钨靶材。
56.所述靶材组件中的背板为铝背板。
57.实施例4
58.本实施例提供一种靶材组件，所述靶材组件中靶材的溅射端面设置有花纹环；
59.所述花纹环中的花纹为网状花纹；
60.所述花纹环的外径等于所述靶材的外径。
61.所述花纹环的环宽为14mm。
62.所述花纹环中花纹的深度为0.17mm。
63.所述花纹环中花纹的大小为50tpi。
64.所述靶材组件中的靶材为钼靶材。
65.所述靶材组件中的背板为铝背板。
66.实施例5
67.本实施例提供一种靶材组件，所述靶材组件中靶材的溅射端面设置有花纹环；
68.所述花纹环中的花纹为网状花纹；
69.所述花纹环的外径等于所述靶材的外径。
70.所述花纹环的环宽为12.7mm。
71.所述花纹环中花纹的深度为0.18mm。
72.所述花纹环中花纹的大小为50tpi。
73.所述靶材组件中的靶材为钼靶材。
74.所述靶材组件中的背板为铜背板。
75.实施例6
76.本实施例提供一种靶材组件，如图2所示，所述靶材组件中靶材的溅射端面设置有花纹环；
77.所述花纹环中的花纹为网状花纹；
78.所述花纹环的外径等于所述靶材的外径。
79.所述花纹环的环宽为12.6mm。
80.所述花纹环中花纹的深度为0.15mm。
81.所述花纹环中花纹的大小为50tpi。
82.所述靶材组件中靶材的侧面还设置有花纹段；
83.所述花纹段中的花纹为网状花纹。
84.所述花纹段中花纹段的垂直宽度为3mm；
85.所述花纹段与所述花纹环相连接。
86.所述花纹段中花纹的深度为0.2mm。
87.所述花纹段中花纹的大小为50tpi。
88.所述靶材组件中的靶材为铜靶材。
89.所述靶材组件中的背板为铜背板。
90.实施例7
91.本实施例提供一种靶材组件，所述靶材组件中靶材的溅射端面设置有花纹环；
92.所述花纹环中的花纹为网状花纹；
93.所述花纹环的外径等于所述靶材的外径。
94.所述花纹环的环宽为15mm。
95.所述花纹环中花纹的深度为0.17mm。
96.所述花纹环中花纹的大小为50tpi。
97.所述靶材组件中靶材的侧面还设置有花纹段；
98.所述花纹段中的花纹为网状花纹。
99.所述花纹段中花纹段的垂直宽度为3.3mm；
100.所述花纹段与所述花纹环相连接。
101.所述花纹段中花纹的深度为0.19mm。
102.所述花纹段中花纹的大小为50tpi。
103.所述靶材组件中的靶材为钛靶材。
104.所述靶材组件中的背板为铜背板。
105.实施例8
106.本实施例提供一种靶材组件，所述靶材组件中靶材的溅射端面设置有花纹环；
107.所述花纹环中的花纹为网状花纹；
108.所述花纹环的外径等于所述靶材的外径。
109.所述花纹环的环宽为14.4mm。
110.所述花纹环中花纹的深度为0.19mm。
111.所述花纹环中花纹的大小为50tpi。
112.所述靶材组件中靶材的侧面还设置有花纹段；
113.所述花纹段中的花纹为网状花纹。
114.所述花纹段中花纹段的垂直宽度为3.3mm；
115.所述花纹段与所述花纹环相连接。
116.所述花纹段中花纹的深度为0.15mm。
117.所述花纹段中花纹的大小为50tpi。
118.所述靶材组件中的靶材为铜靶材。
119.所述靶材组件中的背板为铜背板。
120.实施例9
121.本实施例提供一种靶材组件，所述靶材组件中靶材的溅射端面设置有花纹环；
122.所述花纹环中的花纹为网状花纹；
123.所述花纹环的外径等于所述靶材的外径。
124.所述花纹环的环宽为13.6mm。
125.所述花纹环中花纹的深度为0.2mm。
126.所述花纹环中花纹的大小为50tpi。
127.所述靶材组件中靶材的侧面还设置有花纹段；
128.所述花纹段中的花纹为网状花纹。
129.所述花纹段中花纹段的垂直宽度为3.2mm；
130.所述花纹段与所述花纹环相连接。
131.所述花纹段中花纹的深度为0.2mm。
132.所述花纹段中花纹的大小为50tpi。
133.所述靶材组件中的靶材为铜靶材。
134.所述靶材组件中的背板为铜背板。
135.上述实施例提供的靶材组件通过对反溅射面设置新的花纹，进一步增强反溅射区域对粒子的附着力，有效延长产品使用寿命，避免反溅射区域附着物脱落，导致损坏晶圆。
136.申请人声明，本实用新型通过上述实施例来说明本实用新型的详细结构特征，但本实用新型并不局限于上述详细结构特征，即不意味着本实用新型必须依赖上述详细结构特征才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本实用新型的任何改进，对本实用新型所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等，均落在本实用新型的保护范围和公开范围之内。
137.以上详细描述了本实用新型的优选实施方式，但是，本实用新型并不限于上述实施方式中的具体细节，在本实用新型的技术构思范围内，可以对本实用新型的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本实用新型的保护范围。
138.另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛
盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本实用新型对各种可能的组合方式不再另行说明。
139.此外，本实用新型的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本实用新型的思想，其同样应当视为本实用新型所公开的内容。