一种黑色矩阵的制备方法与流程

技术特征：
1.一种黑色矩阵的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)在第一基底上依次沉积第二基底和光刻胶；(2)将光刻胶划分为曝光区和非曝光区，将曝光区的光刻胶进行曝光和显影；(3)再以非曝光区的光刻胶为掩蔽层，对曝光区的第二基底进行刻蚀，刻蚀完成后，去除非曝光区的残余光刻胶；(4)然后在第二基底表面涂覆黑色光刻胶；(5)对步骤(4)所述样品进行刻蚀，使样品表面暴露出非曝光区的第二基底；(6)再用溶剂溶解非曝光区的第二基底，得到所述黑色矩阵。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述第二基底的厚度为0.5
‑
20μm。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第二基底的材料包括氧化硅和/或氮化硅；优选地，所述第一基底的材料包括石英；优选地，步骤(1)中所述光刻胶的厚度至少为500nm。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述曝光区和非曝光区的宽度各自独立地为2
‑
5μm。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述刻蚀包括等离子体刻蚀。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀中的刻蚀气体包括三氟甲烷、四氟化碳、六氟化硫、氧气或氢气中的任意一种或至少两种的组合。7.根据权利要求1
‑
6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述涂覆包括旋涂；优选地，所述涂覆具体包括：在样品表面旋涂黑色光刻胶并曝光，重复此过程至少两次，直至黑色光刻胶的厚度大于第二基底的厚度。8.根据权利要求1
‑
7任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)中所述刻蚀包括等离子体刻蚀；优选地，所述等离子体刻蚀中的刻蚀气体包括氧气。9.根据权利要求1
‑
8任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(6)中所述溶剂包括缓冲氧化物刻蚀液。10.根据权利要求1
‑
9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)在第一基底石英上依次沉积0.5
‑
20μm的第二基底氧化硅和/或氮化硅和至少500nm的光刻胶；(2)将光刻胶划分为曝光区和非曝光区，将曝光区的光刻胶进行曝光和显影；(3)再以非曝光区的光刻胶为掩蔽层，对曝光区的氧化硅和/或氮化硅进行等离子体刻蚀，刻蚀完成后，去除非曝光区的残余光刻胶；(4)然后在样品表面旋涂黑色光刻胶并曝光，重复此过程至少两次，直至黑色光刻胶的厚度大于第二基底的厚度；(5)对步骤(4)所述样品进行刻蚀气体包括氧气的等离子体刻蚀，使样品表面暴露出非
曝光区的氧化硅和/或氮化硅；(6)再用缓冲氧化物刻蚀液溶解非曝光区的氧化硅和/或氮化硅，得到所述黑色矩阵。

技术总结
本发明涉及一种黑色矩阵的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)在第一基底上依次沉积第二基底和光刻胶；(2)将光刻胶划分为曝光区和非曝光区，将曝光区的光刻胶进行曝光和显影；(3)再以非曝光区的光刻胶为掩蔽层，对曝光区的第二基底进行刻蚀，刻蚀完成后，去除非曝光区的残余光刻胶；(4)然后在第二基底表面涂覆黑色光刻胶；(5)对上述样品进行刻蚀，使样品表面暴露出非曝光区的第二基底；(6)再用溶剂溶解非曝光区的第二基底，得到所述黑色矩阵。本发明所述制备方法工艺简单，理论上可制备任意深宽比、微米级线宽的黑色矩阵。微米级线宽的黑色矩阵。微米级线宽的黑色矩阵。


技术研发人员：刘召军 蒋府龙 林永红 刘亚莹
受保护的技术使用者：南方科技大学
技术研发日：2021.06.23
技术公布日：2021/9/24