形成方法、形成装置以及物品的制造方法与流程

1.本发明涉及在基板上的1个层形成图案的形成方法、形成装置以及物品的制造方法。


背景技术：

2.近年来，特别在液晶显示设备中基板尺寸大型化，需要不浪费地利用基板。因此，提出了一种使用多个装置并由多个装置分担进行向基板上的1个层中的多个区域的图案形成的、被称为所谓mmg(multi model on glass，玻璃混切基板)的技术(参照专利文献1)。
3.在mmg技术中，能够将由多个装置在基板上的1个层形成的多个图案整体中的尺寸和位置用作图案形成精度的评价指标。为了提高这样的图案形成精度，在专利文献1中，由多个装置中的1个装置在基板上形成对准标记，将该对准标记的位置作为基准，利用各装置在基板上形成图案。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：日本特开2005
‑
092137号公报


技术实现要素：

7.发明要解决的课题
8.在mmg技术中，由多个装置分担而高效地进行向基板上的图案形成，所以在吞吐量方面是有利的，但需要进一步提高吞吐量。
9.因此，本发明的目的在于提供一种有利于提高吞吐量的技术。
10.课题的解决手段
11.为了达成上述目的，本发明的一个侧面提供一种形成方法，该形成方法使用第1装置和第2装置在基板上的1个层形成图案，其特征在于，针对每个基板进行包括以下工序的处理：标记形成工序，利用所述第1装置在基板上形成标记；第1形成工序，利用所述第1装置在基板上形成第1图案；以及第2形成工序，利用所述第2装置在基板上形成第2图案，作为所述处理的模式，包括：第1模式，进行利用所述第1装置测量所述标记的位置的测量工序，根据该测量工序的测量结果，控制所述第2图案的形成；以及第2模式，省略所述测量工序，根据上次的测量工序的测量结果，控制所述第2图案的形成。
12.本发明的进一步的目的或者其他侧面通过以下参照附图说明的优选的实施方式将变得清楚。
13.发明的效果
14.根据本发明，例如，能够提供适合于提高吞吐量的技术。
15.本发明的其他特征以及优点通过参照附图的以下的说明将变得更清楚。此外，在附图中，对相同或同样的结构附加相同的参照编号。
附图说明
16.附图包含于说明书，构成其一部分，示出本发明的实施方式，与其描述一起用于说明本发明的原理。
17.图1是示出形成系统的整体结构的概略图。
18.图2是示出第1曝光装置的结构例的图。
19.图3是示出在基板上形成的第1图案p1、第2图案p2以及标记am的配置例的图。
20.图4是示出图案形成处理的流程图。
21.图5是示出形成系统中的处理流程的图。
22.图6a是随时间推移地示出在基板上形成图案的状况的图。
23.图6b是随时间推移地示出在基板上形成图案的状况的图。
24.图6c是随时间推移地示出在基板上形成图案的状况的图。
25.图6d是随时间推移地示出在基板上形成图案的状况的图。
26.图7是示出第1实施方式的图案形成处理的流程图。
27.图8是示出第1实施方式的形成系统中的处理流程的图。
28.图9a是示出第2实施方式的图案形成处理的流程图。
29.图9b是示出第2实施方式的图案形成处理的流程图。
30.图10是示出第2实施方式的形成系统中的处理流程的图。
具体实施方式
31.以下，参照附图详细说明实施方式。此外，权利要求书所涉及的发明不限于以下的实施方式。在实施方式中记载了多个特征，但这些多个特征不一定全部都是发明所必须的，并且多个特征也可以任意地组合。而且，在附图中，对相同或同样的结构附加相同的参照编号，省略重复的说明。
32.[系统结构]
[0033]
说明本发明所涉及的形成系统100(形成装置)。形成系统100是执行使用多个光刻装置在基板上的1个层(同一层)中的相互不同的位置分别形成图案的所谓mmg(multi model on glass，玻璃混切基板)技术的系统。作为光刻装置，例如可以举出对基板进行曝光而将掩模的图案转印到基板的曝光装置、使用模在基板上形成压印材料的图案的压印装置、使用带电粒子线在基板上形成图案的描绘装置等。
[0034]
另外，应用本发明所涉及的mmg技术的“基板上的1个层”例如能够是在尚未形成图案的裸基板上最初形成的层(所谓第1层)，但不限于此，也可以是第2层以后。在本实施方式中，说明使用具有多个曝光装置的形成系统100在基板上的1个抗蚀剂层(感光剂)形成图案(潜在图案)的例子。在此，作为基板w，例如能够应用玻璃板、半导体晶片等，但在本实施方式中，说明使用玻璃板作为基板w的例子。另外，以下有时将“基板上的1个层”简称为“基板上”。
[0035]
图1是示出形成系统100的整体结构的概略图。形成系统100可以包括第1曝光装置10(第1装置)、第2曝光装置20(第2装置)、搬送部30以及主控制部40。搬送部30将基板w搬送到第1曝光装置10以及第2曝光装置20。主控制部40由例如具有cpu、存储器的计算机构成，可以总体地控制形成系统100的整体，并且可以控制第1曝光装置10与第2曝光装置20之间
的数据、信息的传送。
[0036]
第1曝光装置10例如可以包括图案形成部11(第1形成部)、标记形成部12、标记测量部13(第1测量部)以及控制部14。图案形成部11通过将掩模m的图案转印到基板上而在基板上形成第1图案p1。例如，图案形成部11根据表示应形成第1图案p1的目标位置坐标的第1信息(例如设计数据)，在基板上的第1区域形成第1图案p1。标记形成部12根据表示应形成对准标记的目标位置坐标的信息(例如设计数据)，在基板上形成对准标记。标记测量部13测量由标记形成部12形成的对准标记的位置。控制部14由例如具有cpu、存储器等的计算机构成，依照装置坐标系控制图案形成部11、标记形成部12以及标记测量部13(即，控制由第1曝光装置10进行的各处理)。在图1所示的例子中，控制部14与主控制部40独立地设置，但也可以设置为主控制部40的构成元素。
[0037]
第2曝光装置20例如可以包括图案形成部21(第2形成部)、标记测量部23(第2测量部)以及控制部24。在本实施方式的第2曝光装置20中，未设置标记形成部，但也可以设置标记形成部。图案形成部21通过将掩模m的图案转印到基板上而在基板上形成第2图案p2。例如，图案形成部21根据表示应形成第2图案p2的目标位置坐标的第2信息(例如设计数据)，在与形成有第1图案p1的第1区域不同的基板上的第2区域形成第2图案p2。标记测量部23测量由第1曝光装置10的标记形成部12形成的对准标记的位置。控制部24由例如具有cpu、存储器等的计算机构成，依照装置坐标系控制图案形成部21以及标记测量部23(即，控制由第2曝光装置20进行的各处理)。在图1所示的例子中，控制部24与主控制部40独立地设置，但也可以设置为主控制部40的构成元素。
[0038]
接下来，说明第1曝光装置10的具体的结构例。图2是示出第1曝光装置10的结构例的图。在此，第2曝光装置20与第1曝光装置10相比，不同之处在于未设置标记形成部12，但其以外的结构可以是同样的。即，第2曝光装置20的图案形成部21以及标记测量部23可以与第1曝光装置10的图案形成部11以及标记测量部13分别同样地构成。
[0039]
在第1曝光装置10中，作为图案形成部11，可以包括照明光学系统11b、掩模载置台11c、投影光学系统11d以及基板载置台11e。照明光学系统11b使用来自光源11a的光对掩模m进行照明。掩模载置台11c被构成为能够保持掩模m而移动。投影光学系统11d将形成于掩模m的图案投影到基板w。基板载置台11e被构成为能够保持基板w而移动。在这样构成的第1曝光装置10中，掩模m和基板w分别被配置在隔着投影光学系统11d在光学上共轭的位置(投影光学系统11d的物体面以及像面)，由投影光学系统11d将掩模m的图案投影到基板上。由此，能够在基板上的抗蚀剂层中形成潜在图案。
[0040]
另外，在图2所示的第1曝光装置10中，设置了上述标记形成部12(12a、12b)和标记测量部13(13a、13b)。标记形成部12通过将带电粒子线等能量照射到基板上而在基板上形成对准标记。以下，有时将由标记形成部12在基板上形成的对准标记称为“标记am”。标记测量部13通过检测由标记形成部12在基板上形成的标记am来测量标记am的位置。例如，标记测量部13包括具有影像传感器和光学元件的观测器(scope)(离轴观测器，off
‑
axis scope)，能够根据基板w的位置(xy方向)和该观测器的视场内的标记am的位置来测量标记am的位置。在此，在图2所示的例子中，标记形成部12和标记测量部13各设置了2个，但不限于2个，可以是3个以上，也可以是1个。
[0041]
[关于图案形成精度]
[0042]
接下来，说明由形成系统100(第1曝光装置10、第2曝光装置20)进行的向基板上的第1图案p1、第2图案p2以及标记am的形成。图3是示出由形成系统100在基板上形成的第1图案p1、第2图案p2以及标记am的配置例的图。
[0043]
第1图案p1可以由第1曝光装置10的图案形成部11形成于基板上的第1区域。第2图案p2可以由第2曝光装置20的图案形成部21形成于与形成第1图案p1的第1区域不同的基板上的第2区域。在图3所示的例子中，第1图案p1以及第2图案p2以相同的尺寸(大小)在基板上各形成了1个，但不限于此，也可以是相互不同的尺寸、朝向、个数。
[0044]
另外，标记am可以由第1曝光装置10的标记形成部12形成于与形成第1图案p1以及第2图案p2的区域(第1区域、第2区域)不同的区域中的多个部位。在图3所示的例子中，以不配置于同一直线上的方式在基板w的角附近形成了3个标记am1～am3。在这样在基板上形成3个标记am1～am3时，能够根据3个标记am1～am3的位置的测量结果，求出x方向移位、y方向移位、旋转、x方向倍率、y方向倍率。
[0045]
在此，可以根据在基板上形成的图案整体的尺寸和位置来评价基于形成系统100(mmg技术)的图案的形成精度。例如，可以利用表示在基板上形成的图案整体的对角线的长度的第1指标tp(total pitch，总间距)来规定在基板上形成的图案整体的尺寸。在图3所示的例子中，连接由第1曝光装置10在基板上形成的第1图案p1的右下的端点ep1与由第2曝光装置20在基板上形成的第2图案p2的左上的端点ep2的直线的长度被规定为第1指标tp。另一方面，例如，可以利用表示在基板上形成的图案整体的中心点的位置的第2指标cs(center shift，中心移位)来规定在基板上形成的图案整体的位置。在图3所示的例子中，连接端点ep1和端点ep2的直线的中心点被规定为第2指标cs。
[0046]
[以往的图案形成方法]
[0047]
接下来，参照图4～图6d说明使用了采用mmg技术的上述形成系统100的图案形成处理。在此，以下使用图4～图6d说明的图案形成处理是可以成为本发明的前提的技术。
[0048]
图4是示出使用了mmg技术的图案形成处理的流程图。图4所示的流程图的各工序可以在由主控制部40进行的控制下执行。图5是示出形成系统100中的处理流程(数据流程)的图。另外，图6a～6d是随时间推移地示出在图案形成处理中在基板上形成图案的状况的图。在图6a～6d中，图示了基板w和标记测量部13a、13b的位置关系以及由第1曝光装置10和第2曝光装置10在基板上形成的图案。以下，说明由第1曝光装置10在基板上的拍摄区(shot)1～拍摄区3中的各个拍摄区中形成第1图案、由第2曝光装置20在基板上的拍摄区4中形成第2图案的例子。
[0049]
在s101中，由搬送部30将基板w搬送到第1曝光装置10(图5的处理(1))。在s102中，根据表示应形成标记am的目标位置的信息(例如设计数据)，由第1曝光装置10的标记形成部12a、12b在基板上形成多个标记am(图5的处理(2))。可以在第1曝光装置10的坐标系下控制由标记形成部12a、12b进行的标记am的形成。由此，如图6a所示，在基板w的角附近形成3个标记am1～am3。
[0050]
在s103中，在第1曝光装置10的坐标系下，由第1曝光装置10的标记测量部13a、13b测量在s102的工序中在基板上形成的多个标记am的位置(图5的处理(3))。例如，如图6b所示，一边使标记测量部13a、13b和基板w在xy方向上相对地移动，一边由标记测量部13a、13b测量基板上的多个标记am的位置。通过这样由标记测量部13测量多个标记am的位置，能够
根据多个标记am的位置关系求出第1曝光装置10内的基板w的x方向移位、y方向移位、旋转(θ方向)、x方向倍率以及y方向倍率。另外，在s103中测量到的多个标记am的位置信息被通知给第2曝光装置20(图5的处理(4))。多个标记am的位置信息如后所述被用于计算校正由装置内的温度(例如投影光学系统的温度)等第1曝光装置10和第2曝光装置20中的装置内环境的差所引起的基板w的倍率差的校正值。
[0051]
在s104中，根据表示应形成第1图案p1的目标尺寸以及目标位置的第1信息(例如设计数据)，由第1曝光装置10的图案形成部11在基板上形成第1图案p1(图5的处理(5))。目标位置是指例如相对于标记am的目标相对位置。另外，可以在第1曝光装置10的坐标系下由图案形成部11进行第1图案p1的形成。例如，在s104的工序中，根据在s103的工序中测量到的多个标记am的位置信息，以在第1信息中示出的目标位置形成第1图案p1的方式，由基板载置台11e进行基板w的定位(xy方向)。然后，如图6c所示，依照在第1信息中示出的目标尺寸，在基板上的拍摄区1～拍摄区3中的各个拍摄区中形成第1图案p1。
[0052]
在s105中，由搬送部30将基板w从第1曝光装置10搬送到第2曝光装置(图5的处理(6)～(7))。在s105的工序中，例如，以使利用第2曝光装置在基板上要形成的第2图案的朝向与利用第1曝光装置10在基板上已形成的第1图案的朝向不同的方式，将基板w搬送到第2曝光装置20。具体而言，由搬送部30将从第1曝光装置10搬出的基板w旋转90度而搬送到第2曝光装置20。
[0053]
在s106中，在第2曝光装置20的坐标系下，由第2曝光装置20的标记测量部23测量在s102的工序中在基板上形成的多个标记am的位置(图5的处理(8))。例如，如图6d所示，一边使标记测量部23和基板w在xy方向上相对地移动，一边由标记测量部23测量基板上的多个标记am的位置。通过这样由标记测量部23测量多个标记am的位置，能够根据多个标记am的位置关系求出第2曝光装置20内的基板w的x方向移位、y方向移位、旋转(θ方向)、x方向倍率以及y方向倍率。
[0054]
在s107中，求出第1曝光装置10和第2曝光装置20中的基板w的倍率差，决定用于校正该倍率差的校正值(图5的处理(9))。例如，主控制部40根据在s103中测量到的多个标记am的位置关系求出第1曝光装置10中的基板w的倍率，根据在s106中测量到的多个标记am的位置关系求出第2曝光装置20中的基板w的倍率。由此，能够求出装置之间的基板w的倍率差，决定用于校正该倍率差的校正值。
[0055]
在s108中，根据表示应形成第2图案p2的目标尺寸以及目标位置的第2信息(例如设计数据)，由第2曝光装置20的图案形成部21在基板上形成第2图案p2(图5的处理(10))。目标位置是指例如相对于标记am的目标相对位置。另外，在第2曝光装置20的坐标系下由图案形成部21进行第2图案p2的形成。例如，在s108的工序中，根据在s106的工序中测量到的多个标记am的位置信息，以在第2信息中示出的目标位置形成第2图案p2的方式，由基板载置台进行基板w的定位(xy方向)。然后，根据在s107中决定的校正值，校正在第2信息中示出的目标尺寸，依照校正后的目标尺寸，在基板上的拍摄区4中形成第2图案p2。
[0056]
在s109中，由搬送部30从第2曝光装置10搬出基板w。在s110中，判定是否有接下来进行图案形成处理的基板w(接下来的基板w)。在有接下来的基板w的情况下返回到s101，在没有接下来的基板w的情况下结束。
[0057]
在上述图案形成处理中，由第1曝光装置10在基板上形成多个标记am，利用第1曝
光装置10以及第2曝光装置20中的各个曝光装置测量该多个标记am的位置。然后，根据其测量结果决定用于校正第1曝光装置10和第2曝光装置20中的基板w的倍率差的校正值，依照利用该校正值校正后的目标尺寸在基板上形成图案。由此，即使在第1曝光装置10和第2曝光装置20中产生装置内环境的差的情况下，也能够使第1指标tp以及第2指标cp收敛于期望的精度范围，提高图案的形成精度。另一方面，在使用了mmg技术的形成系统100中，由多个装置分担而高效地进行向基板上的图案形成，所以在吞吐量方面是有利的，但越是包括在基板上形成标记am的工序，吞吐量越可能降低。因此，在形成系统100中，需要进一步提高吞吐量。
[0058]
因此，本发明所涉及的形成系统100连续地进行向多个基板w的图案形成处理，在由标记形成部12在基板上形成的多个标记am的位置稳定的情况下，省略第1曝光装置10中的该多个标记am的位置的测量。由此，能够提高吞吐量。
[0059]
具体而言，作为针对每个基板进行的图案形成处理的模式，可以包括第1模式和第2模式。第1模式是进行利用第1曝光装置10测量多个标记am的位置的测量工序并根据该测量工序中的测量结果控制第2曝光装置20中的第2图案p2的形成的模式。另一方面，第2模式是省略第1曝光装置10中的测量工序而根据上次的测量工序的测量结果控制第2曝光装置20中的第2图案p2的形成的模式。在第1模式下的过去多次的图案形成处理中的测量工序的测量结果的变动收敛于容许范围的情况下，将图案形成处理的模式从第1模式转移到第2模式。
[0060]
例如，在曝光装置中，在针对多个基板w连续地进行曝光时，与其相伴地，装置内的温度(例如投影光学系统的温度)上升，并且搬送到该装置内的基板w的温度也上升而引起热膨胀。一般，装置内的温度在上升至预定的温度时饱和而稳定，所以与其相伴地，基板w的热膨胀饱和而稳定，由标记形成部12在基板上形成的多个标记am的位置也能够稳定。即，在基板w的热膨胀饱和之后，能够针对多个基板w在大致相同的基板上的位置形成多个标记am。因此，在向1个基板w的图案形成处理时测量到的多个标记am的位置信息能够在向后续的基板w的图案形成处理时利用。
[0061]
<第1实施方式>
[0062]
参照图7～图8说明使用采用mmg技术的上述形成系统100的第1实施方式的图案形成处理。图7是示出使用了mmg技术的图案形成处理的流程图。图7所示的流程图的各工序可以在由主控制部40进行的控制下执行。图8是示出形成系统100中的处理流程(数据流程)的图。
[0063]
在s201中，由搬送部30将基板w搬送到第1曝光装置10(图8的处理(1))。在s202中，由第1曝光装置10的标记形成部12在基板上形成多个标记am(图8的处理(2))。s201～s202的工序与图4所示的流程图的s101～s102的工序相同，所以在此省略详细的说明。
[0064]
在s203中，判断由标记形成部12在基板上形成的多个标记am的位置是否稳定(即，在基板上形成的标记am的位置的稳定性)。该判断例如可以由主控制部40进行。在判断为在基板上形成的多个标记am的位置不稳定的情况下，进入到s204，执行测量多个标记am的位置的第1模式下的图案形成处理。另一方面，在判断为多个标记am的位置稳定的情况下，进入到s205，执行省略多个标记am的位置的测量的第2模式下的图案形成处理。
[0065]
在此，说明判断标记am的位置的稳定性的一个例子。例如，主控制部40针对过去进
行了标记am的测量工序的多张基板w中的各张基板w，取得标记am的位置的测量结果。然后，在过去多次中的测量工序的测量结果的变动收敛于容许范围的情况下，判断为由标记形成部12在基板上形成的多个标记的位置稳定。
[0066]
以下示出具体的标记am的位置的测量结果(dx、dy、dθ)和测量结果的变动的容许范围(tx、ty、tθ)。在以下的例子中，作为标记am的位置的过去的测量结果，示出最后进行图案形成处理的基板w(最后的基板w)中的测量结果和在其之前进行图案形成处理的基板w中的测量结果。另外，作为测量结果，采用由标记测量部13测量到的标记am的位置和应形成标记am的目标位置(基准)的偏移量。而且，在与最后的基板w中的测量结果的比较中使用的测量结果的数量(即，在最后的基板w之前进行图案形成处理的基板w的张数)被设定为3张。因此，在以下的例子中，示出最后的基板w之前的第1张～最后的基板w之前的第3张基板w中的测量结果。在以下的例子的情况下，最后的基板w中的测量结果与其之前的第1张～其之前的第3张基板w中的测量结果之差全部收敛于容许范围内，所以能够判断为由标记形成部12在基板上形成的多个标记的位置稳定。
[0067]
■
测量结果的变动的容许范围
[0068]
x方向的容许范围tx：2μm
[0069]
y方向的容许范围ty：2μm
[0070]
θ方向的容许范围tθ：2度
[0071]
设为比较对象的过去的基板的张数：3张
[0072]
■
最后的基板中的测量结果
[0073]
x方向的偏移量dx：1μm
[0074]
y方向的偏移量dy：1μm
[0075]
θ方向的偏移量dθ：1度
[0076]
■
1张前的基板中的测量结果
[0077]
x方向的偏移量dx：1μm
[0078]
y方向的偏移量dy：1μm
[0079]
θ方向的偏移量dθ：1度
[0080]
■
2张前的基板中的测量结果
[0081]
x方向的偏移量dx：1.5μm
[0082]
y方向的偏移量dy：1.5μm
[0083]
θ方向的偏移量dθ：1.5度
[0084]
■
3张前的基板中的测量结果
[0085]
x方向的偏移量dx：2μm
[0086]
y方向的偏移量dy：2μm
[0087]
θ方向的偏移量dθ：2度
[0088]
在上述例子中，进行最后的基板w中的测量结果与其之前的基板w中的测量结果的比较，但不限于此。例如，也可以在包括最后的基板w的过去的多个基板w中的测量结果的平均收敛于容许范围的情况下，判断为多个标记的位置稳定。另外，也可以始终积累第1曝光装置10中的多个标记am的测量结果、装置内环境的状态、标记测量时的装置设定等，根据对测量结果的倾向进行分析得到的结果，判断为多个标记的位置稳定。作为测量结果的倾向
的分析手段，例如也可以使用过去的基板w中的测量结果的近似数据，或者使用积累多个曝光装置的测量结果、装置内环境的数据并通过机器学习进行分析得到的结果。而且，也可以在针对预定的张数的基板进行测量结果后，比较最近的几张量的基板w的测量结果彼此，在其差收敛于容许范围的情况下，判断为多个标记的位置稳定。
[0089]
作为其他的稳定性判断的方法，也可以使用根据设置于第1曝光装置10的多个标记形成部12a、12b的物理上的相对位置进行稳定性判断的方法。在本实施方式的情况下，多个标记形成部12a、12b安装于投影光学系统11d，投影光学系统11d的形状由于投影光学系统11d的温度变化而发生变化，与其相伴地，多个标记形成部12a、12b的相对位置发生变化。因此，也可以设置测量多个标记形成部12a、12b的相对位置的测量机构，根据该测量机构的测量结果，在该相对位置的变动收敛于容许范围的情况下，判断为多个标记的位置稳定。另外，也可以设置测量投影光学系统11d的热变形量的测量机构，根据其测量结果，判断为多个标记的位置稳定。
[0090]
s204是在第1模式的图案形成处理中进行的工序，是与图4所示的流程图的s103同样的工序。在s204中，由第1曝光装置10的标记测量部13测量在s202的工序中在基板上形成的多个标记am的位置(图8的处理(3
‑
2))，将测量到的多个标记am的位置信息通知给第2曝光装置20(图8的处理(4))。
[0091]
s205是在第2模式的图案形成处理中进行的处理。在s205中，省略由标记测量部13进行的标记am的位置的测量(图8的处理(3
‑
1))，将在上次的测量工序中得到的测量结果(多个标记am的位置信息)通知给第2曝光装置20(图8的处理(4))。
[0092]
s206～s208是与图4所示的流程图的s104～s106同样的工序，所以省略该工序的说明。此外，s206～s208的工序与图8的处理(5)～(8)对应。
[0093]
在s209中，求出第1曝光装置10和第2曝光装置20中的基板w的倍率差，决定用于校正该倍率差的校正值(图8的处理(9))。例如，主控制部40根据在s204或s205中从第1曝光装置10通知的多个标记am的位置信息，求出第1曝光装置10中的基板w的倍率。另外，根据在s208中测量的多个标记am的位置信息，求出第2曝光装置20中的基板w的倍率。由此，能够求出装置之间的基板w的倍率差，决定用于校正该倍率差的校正值。
[0094]
s210是与图4所示的流程图的s108同样的工序，与图8的处理(10)对应。在s210中，根据在s209中决定的校正值，校正在第2信息中示出的目标尺寸，依照校正后的目标尺寸，在基板上形成第2图案p2。在s211中，由搬送部30从第2曝光装置10搬出基板w。在s212中，判定是否有接下来进行图案形成处理的基板w(接下来的基板w)。在有接下来的基板w的情况下返回到s201，在没有接下来的基板w的情况下结束。在此，在s203中，判断为由标记形成部12在基板上形成的多个标记的位置稳定的情况下，在接下来的基板w中也可以选择第2模式。
[0095]
如上所述，在本实施方式中，判断由标记形成部12在基板上形成的多个标记am的位置是否稳定，在判断为多个标记am的位置稳定的情况下，省略由标记测量部13进行的标记am的测量。由此，能够削减由标记测量部13进行的标记am的测量所需的时间，能够提高吞吐量。
[0096]
<第2实施方式>
[0097]
参照图9a～图10说明使用了采用mmg技术的上述形成系统100的第2实施方式的图
案形成处理。在第2实施方式中，在第2模式中，针对事先设定的多张基板中的每张基板，利用第1曝光装置10(标记测量部13)进行标记am的测量工序。然后，在以第2模式进行的测量工序的测量结果的变动未收敛于容许范围的情况下，将图案形成处理的模式从第2模式转移到第1模式。
[0098]
图9a～9b是示出使用了mmg技术的图案形成处理的流程图。图9a～9b所示的流程图的各工序可以在由主控制部40进行的控制下执行。图10是示出形成系统100中的处理流程(数据流程)的图。在此，图9a～9b所示的流程图相对于图7所示的流程图，s201～s212是同样的工序，但新追加有s213～s217。s213～s217是判断是否从第2模式向第1模式转移的工序，与图10的处理(4)对应。以下，说明与图7所示的流程图的不同之处。
[0099]
在s203中，在判断为在基板上形成的多个标记am的位置不稳定的情况下进入到s204，执行第1模式下的图案形成处理。另一方面，在判断为多个标记am的位置稳定的情况下进入到s213，执行第2模式下的图案形成处理。
[0100]
在s213中，判断是否是由标记测量部13进行标记am的位置的测量(测量工序)的基板w。如上所述，在第2模式中，针对事先设定的多张基板中的每张基板进行标记测量部13中的标记am的测量工序。在不是进行测量工序的基板w的情况下进入到s205，在是进行测量工序的基板w的情况下进入到s214。
[0101]
在s214中，由第1曝光装置10的标记测量部13测量在s202的工序中在基板上形成的多个标记am的位置，将测量到的多个标记am的位置信息通知给第2曝光装置20。在s215中，判断在第2模式下进行的测量工序的测量结果的变动是否收敛于容许范围。具体而言，判断在第2模式下本次进行的测量工序的测量结果与上次进行的测量工序的测量结果之差是否收敛于容许范围。在测量结果的变动收敛于容许范围的情况下进入到s216，在决定在第2模式下进行针对接下来的基板w的图案形成处理之后进入到s206。另一方面，在测量结果的变动未收敛于容许范围的情况下进入到s217，在决定在第1模式下进行针对接下来的基板w的图案形成处理之后进入到s206。
[0102]
在此，在上述例子中，根据在第2模式下进行的测量工序的测量结果的变动判断是否向第1模式转移，但不限于此。例如，也可以设置测量基板的温度或者装置内的温度的机构，在基板的温度变动或者装置内的温度变动未收敛于容许范围的情况下，从第2模式向第1模式转移。另外，也可以设置测量投影光学系统11d的调焦特性的机构，在调焦特性的变动未收敛于容许范围的情况下，从第2模式向第1模式转移。而且，也可以在多个标记形成部12a、12b的相对位置的变动未收敛于容许范围的情况下，从第2模式转移到第1模式。
[0103]
如上所述，在本实施方式中，判断在第2模式下进行的测量工序的测量结果的变动是否收敛于容许范围。然后，在测量结果的变动收敛于容许范围的情况下使第2模式继续，在测量结果的变动未收敛于容许范围的情况下转移到第1模式。由此，即使在转移到第2模式之后，在由标记形成部12在基板上形成的多个标记am的位置不稳定的情况下转移到第1模式，能够提高向基板上的图案形成精度。
[0104]
<物品的制造方法的实施方式>
[0105]
本发明的实施方式所涉及的物品的制造方法例如适合于制造半导体设备等微型设备、具有微细结构的元件等物品。本实施方式的物品的制造方法包括：使用上述曝光装置在涂敷于基板的感光剂中形成潜像图案的工序(对基板进行曝光的工序)；以及对在上述工
序中形成潜像图案后的基板进行显影(加工)的工序。而且，上述制造方法包括其他公知的工序(氧化、成膜、蒸镀、掺杂、平坦化、蚀刻、抗蚀剂剥离、切割、粘合、封装等)。本实施方式的物品的制造方法与以往的方法相比，在物品的性能、质量、生产率、生产成本中的至少1个方面更有利。
[0106]
<其他实施例>
[0107]
本发明也能够通过将实现上述实施方式的1个以上的功能的程序经由网络或存储介质供给到系统或装置并由该系统或装置的计算机中的1个以上的处理器读出并执行程序的处理来实现。另外，也能够利用实现1个以上的功能的电路(例如asic)来实现。
[0108]
发明不限制于上述实施方式，能够不脱离发明的精神以及范围而进行各种变更以及变形。因此，为了公开发明的范围而添附权利要求。
[0109]
本技术以于2019年2月18日提出的日本专利申请特愿2019
‑
026671为基础主张优先权，在此援用其记载的全部内容。
[0110]
符号说明
[0111]
10：第1曝光装置；11：图案形成部；12：标记形成部；13：标记测量部；20：第2曝光装置；21：图案形成部；23：标记测量部；30：搬送部；40：主控制部；100：形成系统。