半导体结构加工设备的制作方法

技术特征：
1.一种半导体结构加工设备，其特征在于，包括：容腔；托盘，位于所述容腔内；所述设备还包括：承载台，位于所述容腔内，用于承载所述托盘；第一轴盘和至少两个第二轴盘，位于所述承载台上，且在以所述托盘的中心为圆心的同一圆周上均匀分布；其中，所述第二轴盘和所述第一轴盘的阻抗比值在设定范围内；和/或，喷头，位于所述容腔内，且位于所述托盘上方，包括：扩散腔、以及与所述扩散腔连通的出气孔；所述扩散腔，用于容纳气体；其中，所述气体通过所述出气孔进入所述容腔内；测温组件和至少两个阻挡组件，分别贯穿所述扩散腔，且所述测温组件的一端位于所述容腔；其中，所述至少两个阻挡组件与所述测温组件在以所述扩散腔的中心为圆心的同一圆周上均匀分布。2.根据权利要求1所述的半导体结构加工设备，其特征在于，在所述设备包括所述第一轴盘和所述第二轴盘时，所述设备包括偶数个所述托盘；所述承载台相对靠近所述托盘的表面呈中心对称；所述偶数个所述托盘的对称中心，与所述承载台相对靠近所述托盘的表面的对称中心重合；所述第一轴盘，位于所述承载台相对靠近所述托盘的表面的中心，且与每个所述托盘相邻；所述至少两个第二轴盘，位于所述承载台相对靠近所述托盘的表面的边缘。3.根据权利要求2所述的半导体结构加工设备，其特征在于，所述设备还包括：支撑件，与所述第一轴盘固定连接，沿平行于所述托盘所在的平面延伸；第一控制器，与所述第一轴盘电连接，用于控制所述第一轴盘旋转，以带动所述支撑件相对所述托盘旋转。4.根据权利要求1所述的半导体结构加工设备，其特征在于，所述设定范围为：0.75至1.25。5.根据权利要求1所述的半导体结构加工设备，其特征在于，在所述容腔内，所述阻挡组件与所述测温组件具有相同形状。6.根据权利要求1所述的半导体结构加工设备，其特征在于，在所述设备包括所述测温组件和所述阻挡组件时，所述设备还包括：进气孔，贯穿所述扩散腔腔体的第一表面，用于安装进气管；其中，所述进气孔的中心与所述扩散腔的中心所在的直线垂直于第一表面；所述出气孔，贯穿所述扩散腔腔体的第二表面；其中，所述扩散腔腔体的第二表面与所述扩散腔腔体的第一表面为相对设置的两个表面，所述扩散腔腔体的第二表面相对靠近所述托盘。7.根据权利要求6所述的半导体结构加工设备，特征在于，所述设备还包括：第二控制器，与所述测温组件电连接，用于控制所述测温组件开启或关断；所述测温组件，用于在处于开启状态时，检测所述容腔内的温度，获得检测结果。
8.根据权利要求7所述的半导体结构加工设备，其特征在于，所述喷头，包括：面板和连接结构；其中，所述扩散腔位于所述面板中，所述出气孔贯穿所述面板相对靠近所述托盘的表面；所述连接结构的一端活动连接所述面板，所述连接结构的另一端固定连接所述容腔腔体的顶表面；所述第二控制器，与所述面板电连接，用于调整所述面板所在平面与所述托盘所在平面的夹角。9.根据权利要求8所述的半导体结构加工设备，其特征在于，所述面板相对靠近所述托盘的表面包括：相邻设置的第一部分和第二部分；所述第二控制器，分别与所述第一部分以及所述第二部分电连接，用于调整所述第一部分所在平面与所述托盘所在平面的第一夹角，还用于调整所述第二部分所在平面与所述托盘所在平面的第二夹角；其中，所述第一夹角不同于所述第二夹角。10.根据权利要求7所述的半导体结构加工设备，其特征在于，所述设备还包括：加热组件，位于所述托盘相对远离所述测温组件的表面，用于加热所述托盘；所述第二控制器，与所述加热组件电连接，用于在所述检测结果大于预设温度范围时，减小所述加热组件的加热功率；所述第二控制器，还用于在所述检测结果小于所述预设温度范围时，增大所述加热组件的加热功率。11.根据权利要求1所述的半导体结构加工设备，其特征在于，所述设备还包括：暂存腔室，用于暂存半导体结构；移动组件，位于所述暂存腔室中，用于在所述暂存腔室和所述容腔之间移动所述半导体结构；第三控制器，与所述移动组件电连接，用于根据所述移动组件的端部在所述容腔中位置和所述半导体结构在所述容腔中的位置，控制所述移动组件在所述暂存腔室和所述容腔之间移动。12.根据权利要求1所述的半导体结构加工设备，其特征在于，在所述设备包括所述喷头时，所述气体包括：产生氮化硅的第一气体；和/或，产生正硅酸乙酯的第二气体。

技术总结
本公开实施例公开了一种半导体结构加工设备，其特征在于，包括：容腔；托盘，位于容腔内；所述设备还包括：承载台，位于容腔内，用于承载托盘；第一轴盘和至少两个第二轴盘，位于承载台上，且在以托盘的中心为圆心的同一圆周上均匀分布；其中，第二轴盘和第一轴盘的阻抗比值在设定范围内；和/或，喷头，位于容腔内，且位于托盘上方，包括：扩散腔、以及与扩散腔连通的出气孔；扩散腔，用于容纳气体；其中，气体通过出气孔进入容腔内；测温组件和至少两个阻挡组件，分别贯穿扩散腔，且测温组件的一端位于容腔；其中，至少两个阻挡组件与测温组件在以扩散腔的中心为圆心的同一圆周上均匀分布。扩散腔的中心为圆心的同一圆周上均匀分布。扩散腔的中心为圆心的同一圆周上均匀分布。


技术研发人员：彭静 张晓芳
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2021.06.08
技术公布日：2021/10/8