曝光系统、曝光装置以及曝光方法与流程

1.本发明涉及曝光系统、曝光装置以及曝光方法。


背景技术：

2.近年来，在半导体元件、集成电路、有机el显示器用器件等微细器件等的制造中，提出了在基板上形成表面特性不同的图案、利用其表面特性的差异来制作微细器件的方法。
3.作为利用基板上的表面特性的差异的图案形成方法，例如有下述方法：在基板上形成亲水区域和疏水区域，在亲水区域涂布功能性材料的水溶液。该方法中，功能性材料的水溶液仅在亲水区域中润湿铺展，因此能够形成功能性材料的图案。
4.作为能够在基板上形成亲水区域和疏水区域的材料，例如专利文献1中记载了一种在光照射前后能够使接触角发生变化的含氟化合物。对这样的化合物进行光照射后，为了将功能性材料良好地涂布于亲水区域，优选能够判断是否对该化合物进行了充分的光照射。
5.现有技术文献
6.专利文献
7.专利文献1：日本专利第4997765号公报


技术实现要素：

8.根据本发明的第1方式，提供一种曝光系统，其是对基板上的包含感光性保护基团的层进行曝光、在层中形成包含亲液区域和疏液区域的亲液/疏液图案的曝光系统，其中，具备：曝光装置，对层进行曝光；检查装置，以非接触方式对被曝光装置曝光的区域进行检查；以及控制装置，基于检查装置的检查结果，对曝光系统中包含的装置中的任意一个以上的装置进行控制。另外，提供一种曝光系统，其是对在基板上形成的包含具有感光性保护基团的化合物的层进行曝光、形成包含亲液区域和疏液区域的亲液/疏液图案的曝光系统，其中，具备：曝光装置，对包含具有感光性保护基团的化合物的层进行曝光；检查装置，在每一测定点获取被曝光装置曝光的区域中的关于感光性保护基团的脱离量的信息；以及控制装置，具有基于被曝光装置曝光的区域中包含的测定点的信息来判断曝光是否良好的判断部。
9.根据本发明的第2方式，提供一种曝光装置，其是对在基板上形成的包含具有感光性保护基团的化合物的层进行曝光、形成包含亲液区域和疏液区域的亲液/疏液图案的曝光装置，其中，具备：曝光部，对包含具有感光性保护基团的化合物的层进行曝光；检查部，在每一测定点获取被曝光部曝光的区域中的关于感光性保护基团的脱离量的信息；以及控制部，具有基于被曝光部曝光的区域中包含的测定点的信息来判断曝光是否良好的判断部。
10.根据本发明的第3方式，提供一种曝光方法，其是对在基板上形成的包含具有感光
性保护基团的化合物的层进行曝光、形成包含亲液区域和疏液区域的亲液/疏液图案的曝光方法，其中，包括：对包含具有感光性保护基团的化合物的层进行曝光；在每一测定点获取被曝光的区域中的关于感光性保护基团的脱离量的信息；以及基于被曝光的区域中包含的测定点的信息来判断曝光是否良好。
附图说明
11.图1是示出第1实施方式的曝光系统的一例的图。
12.图2(a)和图2(b)是示出利用原子力显微镜得到的测定结果的一例的图像。
13.图3(a)和图3(b)是示意性地示出基于脱离量相关信息来判断曝光是否良好的过程的一例的图。
14.图4是示出利用第1实施方式的曝光系统的曝光方法的一例的流程图。
15.图5是示出利用第1实施方式的曝光系统的曝光方法的另一例的流程图。
16.图6是示出利用第1实施方式的曝光系统的曝光方法的另一例的流程图。
17.图7是示出第2实施方式的曝光系统的一例的图。
18.图8示出第2实施方式的曝光系统的另一例，是从上方观察基板而得到的图。
19.图9是示出第2实施方式的曝光系统的另一例的图。
20.图10是示出第3实施方式的曝光系统的一例的图。
21.图11是示出利用第3实施方式的曝光系统的曝光方法的一例的流程图。
22.图12是示出第4实施方式的曝光系统的一例的图。
23.图13是示出利用第4实施方式的曝光系统的曝光方法的一例的流程图。
24.图14(a)和图14(b)是示出第4实施方式的曝光系统中对镀覆装置内的基板的传送路径的长度进行控制的情况的一例的图。
25.图15是示出第5实施方式的曝光系统的一例的图。
26.图16是示出第6实施方式的曝光装置的一例的图。
具体实施方式
27.具有感光性保护基团的化合物的层中，通过曝光，保护基团脱落，该部分变得相对亲液，由此形成亲液/疏液图案。形成亲液/疏液图案后，对亲液部分赋予镀覆催化剂来进行化学镀覆，或者在亲水部分涂布布线形成材料，由此形成布线图案。在这种具有感光性保护基团的化合物的层中，在曝光所致的保护基团的脱离不充分的情况下，亲液化的程度小。在这样的状态下即使进行化学镀覆、或者布线形成材料的涂布，也难以得到良好的布线图案。本实施方式中，提供在对具有感光性保护基团的化合物的层进行曝光而形成亲液/疏液图案之后、在形成布线图案之前能够判断保护基团的脱离是否充分的曝光系统、曝光装置以及曝光方法。
28.下面参照附图对本发明的各实施方式进行说明。但是，本发明并不限定于以下记载的实施方式。另外，在附图中，为了对实施方式进行说明，将一部分放大或强调显示等适当地变更了比例尺来表现。本实施方式中，举出制造例如作为电子器件的柔性显示器、柔性布线、柔性传感器等的电路基板的情况为例来进行说明。作为柔性显示器，例如有有机el显示器、液晶显示器等。
29.在制造本实施方式的电子器件的情况下，采用所谓的辊对辊(roll to roll)方式，即，从挠性的片状基板(薄片基板)卷成卷状而成的供给辊送出基板，对送出的基板连续地实施各种处理后，利用回收辊卷取各种处理后的基板。基板具有基板的传送方向为长边方向(长尺寸)、宽度方向为短边方向(短尺寸)的带状形状。从供给辊送出的基板依次被施以前处理、曝光处理、后处理等各种处理，并被回收辊卷取。需要说明的是，基板并不限定于以辊对辊方式传送，例如也可以为下述方式：将多张矩形基板沿规定方向连续或断续地传送，在传送途中进行各种处理。
30.<第1实施方式>
31.图1是示出第1实施方式的曝光系统的一例的图。如图1所示，曝光系统100具备涂布装置ct、曝光装置ex、传送装置tr、检查装置dt以及控制装置cont。涂布装置ct、曝光装置ex、检查装置dt例如从传送装置tr对基板fs的传送方向的上游侧向下游侧按该顺序进行配置。涂布装置ct将具有感光性保护基团的化合物的液滴涂布于基板fs上，形成该化合物的层(以下记为化合物层)。涂布装置ct例如使用喷墨型涂布装置、旋涂型涂布装置、辊涂型涂布装置、狭缝涂布型涂布装置等液滴涂布装置。涂布装置ct配置1台或多台。在配置多台涂布装置ct的情况下，例如可以沿着基板fs的传送方向配置，也可以沿着基板fs的宽度方向配置。
32.作为具有感光性保护基团的化合物，例如可以使用下述通式(1)所表示的含氟化合物。
33.[化1]
[0034][0035]
[通式(1)中，x表示卤原子或烷氧基，r1表示氢原子或者碳原子数1～10的直链状、支链状或环状的烷基，r
f1
、r
f2
各自独立地为烷氧基、甲硅烷氧基或氟代烷氧基，n表示0以上的整数。]
[0036]
上述通式(1)中，x为卤原子或烷氧基。x的卤原子可以举出氟原子、氯原子、溴原子或碘原子等。x的烷氧基的碳原子数优选为1～20、更优选为1～10、进一步优选为1～5、特别优选为1～3、最优选为1或2。与x为烷氧基相比，更优选x为卤原子。
[0037]
n表示0以上的整数，从起始原料的获得容易性的方面出发，优选为1～20的整数、更优选为2～15的整数。并且还优选n为3以上、更优选为4以上。
[0038]
上述通式(1)中，r1为氢原子或者碳原子数1～10的直链状、支链状或环状的烷基。作为r1的烷基，优选碳原子数1～5的直链状或支链状的烷基，具体地说，可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、新戊基等。作为环状的烷基，可以举出从单环烷烃、二环烷烃、三环烷烃、四环烷烃等多环烷烃中除去1个以上的氢原子而得到的基团等。本实施方式中，r1优选为氢原子、甲基、乙基、正丙基或异丙基。
[0039]
上述通式(1)中，r
f1
、r
f2
各自独立地为烷氧基、甲硅烷氧基或氟代烷氧基。上述通式(1)中，r
f1
、r
f2
的氟代烷氧基优选碳原子数3以上的烷氧基，可以是部分氟化的烷氧基，也可以是全氟烷氧基。本实施方式中，优选为部分氟化的氟代烷氧基。
[0040]
本实施方式中，作为r
f1
、r
f2
的氟代烷氧基，例如可以举出
‑
o
‑
(ch2)
nf1
‑
(c
nf2
f
2nf2 1
)
所表示的基团。上述n
f1
为0以上的整数，n
f2
为1以上的整数。本实施方式中，n
f1
优选为0～30、更优选为0～15、特别优选为0～5。另外，本实施方式中，n
f2
优选为1～30、更优选为1～15、进一步优选为1～10、特别优选为1～6。
[0041]
以下示出通式(1)所表示的含氟化合物的具体例。
[0042]
[化2]
[0043][0044]
作为具有感光性保护基团的化合物，例如可以使用下述通式(2)所表示的含氟化合物。
[0045]
[化3]
[0046][0047]
[通式(2)中，r1表示氢原子或碳原子数1～10的直链状、支链状或环状的烷基，r
f1
、r
f2
各自独立地为烷氧基、甲硅烷氧基或氟代烷氧基。]
[0048]
通式(2)中关于r1、r
f1
、r
f2
的说明与上述通式(1)中关于r1、r
f1
、r
f2
的说明相同。
[0049]
<含氟化合物的制造方法>
[0050]
通式(1)所表示的含氟化合物优选以上述通式(2)所表示的含氟化合物作为原料(中间体)来制造。
[0051]
下述工序中，作为所使用的溶剂，例如可以举出乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环己酮、四氢呋喃、二氧杂环己烷、n、n
‑
二甲基甲酰胺、n、n
‑
二甲基乙酰胺、苯、甲苯、乙腈、二氯甲烷、氯仿、二氯乙烷、甲醇、乙醇、1
‑
丙醇、2
‑
丙醇、1
‑
丁醇等。这些溶剂可以单独使用，也可以将2种以上混合使用。
[0052]
通式(2)所表示的含氟化合物例如可以经过以下各工序而得到。
[0053]
[化4]
[0054][0055]
上述式中，r1、r
f1
和r
f2
与上述通式(1)中的r1、r
f1
和r
f2
相同，i
‑
r
f1’、i
‑
r
f2’中的r
f1’、r
f2’分别与上述r
f1
、r
f2
相同。
[0056]
[化5]
[0057][0058]
上述式中，r1、r
f1
和r
f2
与上述通式(1)中的r1、r
f1
和r
f2
相同。
[0059]
[化6]
[0060][0061]
上述式中，r1、r
f1
和r
f2
与上述通式(1)中的r1、r
f1
和r
f2
相同。
[0062]
[化7]
[0063][0064]
上述反应式中，关于r1、r
f1
、r
f2
的说明与上述通式(1)中的关于r1、r
f1
、r
f2
的说明相同。
[0065]
通式(1)所表示的含氟化合物例如可以通过下述工序得到。下述式中，关于x、r1、r
f1
、r
f2
、n的说明与上述通式(1)中的关于x、r1、r
f1
、r
f2
、n的说明相同。
[0066]
[化8]
[0067]
[0068]
需要说明的是，具有感光性保护基团的化合物可以应用国际公开wo2015/029981中记载的化合物。
[0069]
曝光装置ex通过对基板fs照射曝光光sp而将在基板fs上形成的化合物层曝光，形成包含亲液区域和疏液区域的亲液/疏液图案。即，在基板fs上形成的化合物层具有疏液性。通过对该化合物层照射曝光光sp，感光性保护基团脱离，该感光性保护基团脱离的部分(区域)失去疏液性而具有亲液性。通过像这样形成具有疏液性的部分和具有亲液性的部分，形成亲液/疏液图案。曝光装置ex例如可以采用不使用掩模的直描方式的曝光装置、即所谓光栅扫描方式的曝光装置。曝光装置ex可以通过调整包含透镜元件gl的光学系统来调整焦点位置。需要说明的是，关于曝光装置的构成如下文所述。
[0070]
由曝光装置ex照射的曝光光sp例如可以举出紫外线等。曝光光sp优选包含具有包含在200～450nm的范围内的波长的光、更优选包含具有包含在320～450nm的范围内的波长的光。另外，曝光光sp优选为具有365nm的波长的光。具有这些波长的光能够高效地使上述感光性保护基团脱离。作为光源，可以举出低压汞灯、高压汞灯、超高压汞灯、氙灯、钠灯；氮等的气体激光器、有机色素溶液的液体激光器、在无机单晶中含有稀土离子的固体激光器等。
[0071]
另外，作为得到单色光的激光器以外的光源，也可以使用将宽频带的线光谱、连续光谱利用带通滤波器、截止滤波器等光学滤波器取出而得到的特定波长的光。出于能够一次性照射大面积的原因，可以使用高压汞灯或超高压汞灯作为光源。
[0072]
传送装置tr对基板fs进行传送。传送装置tr具有送出辊rl1、卷取辊rl2、以及驱动装置ac。送出辊rl1是将未处理的基板fs卷绕而形成的，配置在基板fs的传送方向的上游侧。卷取辊rl2配置在基板fs的传送方向的下游侧，以卷取从送出辊rl1送出并被处理后的基板fs。驱动装置ac对卷取辊rl2进行旋转驱动。卷取辊rl2旋转地卷取基板fs，由此能够使基板fs沿传送方向移动。需要说明的是，驱动装置ac也可以按照与卷取辊rl2的旋转同步的方式使送出辊rl1旋转。
[0073]
另外，可以在移动的基板fs的下方配置1个或多个传送辊来引导基板fs的移动。例如，传送辊可以配置在涂布装置ct、曝光装置ex、检查装置dt各自的下方，对涂布装置ct与基板fs的间隙、曝光装置ex与基板fs的间隙、检查装置dt与基板fs的间隙进行规定。该传送辊也可以按照可沿基板fs的法线方向移动的方式设置，从而能够调整上述的间隙。
[0074]
基板fs例如使用树脂膜或者由不锈钢等金属或合金构成的箔(foil)等。作为树脂膜的材质，例如可以使用包含聚烯烃树脂、聚有机硅树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酯树脂、乙烯乙烯基共聚物树脂、聚氯乙烯树脂、纤维素树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂以及乙酸乙烯酯树脂中的至少1种以上的材质。另外，关于基板fs的厚度、刚性(杨氏模量)，例如只要是在通过与涂布装置ct对置的移动路径时不会在基板fs上产生因弯曲所致的折痕或不可逆的褶皱的范围、或/和在通过与曝光装置ex对置的移动路径时不会在基板fs上产生因弯曲所致的折痕或不可逆的褶皱的范围即可。作为基板fs的母材，厚度为25μm～200μm左右的pet(聚对苯二甲酸乙二醇酯)或pen(聚萘二甲酸乙二醇酯)等的膜可以作为合适的薄片基板的代表物来使用。
[0075]
基板fs在各工序中有时会受热，因此优选选择热膨胀系数不会明显增大的材质的基板fs。例如，可以通过在树脂膜中混合无机填料来抑制热膨胀系数。无机填料例如可以为
氧化钛、氧化锌、氧化铝或氧化硅等。另外，基板fs可以为利用浮式法等制造的厚度100μm左右的极薄玻璃的单层体，也可以为在该极薄玻璃上贴合上述树脂膜、箔等而成的层积体。
[0076]
基板fs的可挠性(flexibility)是指即使对基板fs施加自重程度的力也不会发生剪切或断裂而能够使该基板fs弯曲的性质。另外，在自重程度的力的作用下弯曲的性质也包含在可挠性中。另外，可挠性的程度根据基板fs的材质、大小、厚度、在基板fs上成膜的层结构、温度、湿度等环境等而变化。只要是在将基板fs正确地卷绕在设置于移动路径中的送出辊rl1、卷取辊rl2、各种传送辊、旋转滚筒等传送方向转换用部件上的情况下不会发生因弯曲所致的折痕或破损(发生破损或破裂)而能够顺利地传送基板fs，便可称为可挠性的范围。
[0077]
检查装置dt在每一测定点获取被曝光装置ex曝光的区域(以下称为曝光区域w)中的关于感光性保护基团的脱离量的信息(以下记为脱离量相关信息)。检查装置dt可以对被曝光装置ex曝光的区域的膜厚、质量、原子力或特定波长的吸收中的任一者以上进行检查。另外，检查装置dt优选以非接触方式对表面状态进行检查。需要说明的是，将未被曝光装置ex曝光的区域称为非曝光区域n。检查装置dt例如可以在基板fs的传送方向和基板fs的宽度方向上设定坐标，在所设定的每个坐标设定测定点。检查装置dt将测量结果发送到控制装置cont。作为检查装置dt，例如可以使用紫外可见分光光度计、红外分光光度计、原子力显微镜(afm：atomic force microscope)、探针式轮廓仪、光学式检查装置、扫描型电子显微镜、接触角测量仪、质谱仪、x射线光电子分光计等各种测定设备。
[0078]
检查装置dt通过由控制装置cont等获取与基板fs的表面中的曝光区域w的位置相关的信息，能够确定该曝光区域w并获取脱离量相关信息。但是，检查装置dt也可以对基板fs的表面中的非曝光区域n进行测量。
[0079]
使用紫外可见分光光度计作为检查装置dt的情况下，可以由曝光区域w中的特定紫外光的吸收度变化来获取脱离量相关信息。由于曝光区域w的感光性保护基团发生了脱离，因此感光性保护基团比非曝光区域n少。因此，可以由感光性保护基团所致的紫外光的吸收度变化来获取脱离量相关信息。使用红外分光光度计作为检查装置dt的情况下，可以由曝光区域w中的来自官能团的特定红外光的吸收变化来获取脱离量相关信息。由于曝光区域w的感光性保护基团发生了脱离，因此感光性保护基团比非曝光区域n少。因此，可以照射能够被感光性保护基团的官能团吸收的特定红外光，由该红外光的吸收量变化来获取脱离量相关信息。
[0080]
另外，使用原子力显微镜作为检查装置dt的情况下，可以通过曝光区域w中的附着力来获取脱离量相关信息。形成于基板fs上的化合物层被曝光而使保护基团发生了脱离的情况下，附着力增大。因此，在使用原子力显微镜的情况下，可以由曝光区域w中的悬臂附着力的变化来获取脱离量相关信息。需要说明的是，原子力显微镜的悬臂例如可以使用与曝光区域w接触的部分为球体(sphere)型(球型、曲面型)的形态，以防止(抑制)曝光区域w被损伤。
[0081]
图2(a)和图2(b)是示出利用原子力显微镜得到的测定结果的一例的图像。需要说明的是，图2(a)和图2(b)分别是将所得到的4个图像接合在一起以1个图像来表示的图像。图2(a)中示出了将球体型的悬臂的附着力为2000mj/cm2的情况下的测定结果可视化而得到的图像。图2(b)中示出了将悬臂的附着力为500mj/cm2的情况下的测定结果可视化而得
到的图像。在形成于基板fs上的化合物层被曝光而使感光性保护基团脱离的情况下，曝光区域w的附着力大于非曝光区域n的附着力。
[0082]
其结果，如图2(a)和图2(b)所示，与非曝光区域n不同，曝光区域w表现为以与感光性保护基团的脱离量相对应的方式可视化的图像。在图2(a)和图2(b)所示的示例中，与非曝光区域n相比，曝光区域w表现得更发白，确认到在曝光区域w内包含白度不同的部分。因此，通过基于该图像进行图像处理(例如亮度、颜色与阈值的比较处理)，能够区分出曝光区域w和非曝光区域n，并且获取曝光区域w中的感光性保护基团的脱离量(即脱离量相关信息)。需要说明的是，在使用原子力显微镜作为检查装置dt的情况下，可以通过曝光区域w的膜厚来获取曝光区域w中的脱离量相关信息。另外，在使用原子力显微镜的情况下，也可以由通过使悬臂与曝光区域w接触而获取的膜厚变化来获取曝光区域w中的脱离量相关信息。
[0083]
在使用探针式轮廓仪作为检查装置dt的情况下，由通过触头与曝光区域w接触而获取的膜厚变化来获取脱离量相关信息。由于曝光区域w中感光性保护基团发生了脱离，因此膜厚略微减少。因此，通过检测曝光区域w中的膜厚变化，能够获取脱离量相关信息。在使用光学式检查装置作为检查装置dt的情况下，由通过对曝光区域w照射特定波长的光而得到的膜厚变化来获取脱离量相关信息。如上所述，曝光区域w中的膜厚略微减少，因此通过照射特定波长的光来检测曝光区域w的膜厚，能够获取脱离量相关信息。
[0084]
在使用扫描型电子显微镜(sem)作为检查装置dt的情况下，由通过对曝光区域w照射电子射线而产生的二次电子或反射电子的变化来获取脱离量相关信息。通过电子射线的照射产生的二次电子或反射电子根据曝光区域w中的感光性保护基团的脱离量而不同。因此，通过检测曝光区域w中的二次电子或反射电子的变化，能够获取脱离量相关信息。在使用接触角测量仪作为检查装置dt的情况下，通过曝光区域w中的接触角或表面张力来获取脱离量相关信息。特定液体(试剂)的接触角(静态接触角、动态接触角、润湿性)根据曝光区域w中的感光性保护基团的脱离量而不同。因此，通过检测曝光区域w中的接触角的变化，能够获取脱离量相关信息。
[0085]
在使用质谱仪作为检查装置dt的情况下，由曝光区域w中的感光性保护基团的质量检测强度的变化来获取脱离量相关信息。由于在曝光区域w中感光性保护基团发生了脱离，因此感光性保护基团的质量检测强度发生变化。因此，通过检测曝光区域w中的质量检测强度的变化，能够获取脱离量相关信息。在使用x射线光电子分光计作为检查装置dt的情况下，由曝光区域w中的来自感光性保护基团的特定元素的检测强度的变化来获取脱离量相关信息。由于在曝光区域w中感光性保护基团发生了脱离，因此来自感光性保护基团的特定元素的检测强度发生变化。因此，通过检测曝光区域w中的特定元素的强度，能够获取脱离量相关信息。
[0086]
控制装置cont基于由检查装置dt得到的检查结果，对曝光系统中包含的装置中的任意一个以上的装置进行控制。例如，总体地控制涂布装置ct、曝光装置ex、传送装置tr以及检查装置dt。控制装置cont具有涂布控制部61、曝光控制部62、传送控制部63以及判断部64。涂布控制部61控制涂布装置ct的工作。曝光控制部62控制曝光装置ex的工作。传送控制部63控制传送装置tr的工作。判断部64基于检查装置dt的测量结果来判断曝光是否良好。判断部64基于被曝光装置ex曝光的区域(曝光区域w)中的特定区域中包含的测定点的信息(例如脱离量相关信息)来判断曝光是否良好。判断部64例如基于化合物层中的每单位面积
的脱离量相关信息来判断曝光是否良好。图3(a)和图3(b)是示意性地示出基于脱离量相关信息来判断曝光是否良好的过程的一例的图。图3(a)和图3(b)中示出了使基板fs上的化合物层的一部分曝光而形成曝光区域w和非曝光区域n的情况。
[0087]
判断部64例如通过对图2(a)和图2(b)所示的图像进行图像处理等来选定化合物层中的曝光区域w和非曝光区域n。接着，如图3(a)所示，判断部64将检测出的曝光区域w划分成特定的单位区域wa。本实施方式中，单位区域wa为正方形，但并不限于该形态，例如也可以为长方形，也可以为三角形等其他多边形，还可以为圆形、椭圆形、长圆形等其他形状。在图3(a)所示的示例中，判断部64按照各单位区域的面积相等的方式设定单位区域wa，但也不一定需要使全部单位区域wa的面积相等。
[0088]
各单位区域wa中包含检查装置dt中检测出的多个测定点的测定结果。判断部64将曝光区域w划分成面积相等的单位区域wa后，对每一单位区域wa基于多个测定点的测定结果(例如，若是紫外可见分光光度计则为吸光度，若是原子力显微镜则为附着力)计算出脱离量相关信息。判断部64例如可以基于多个测定点的测定结果的平均值计算出脱离量相关信息。图3(b)中，作为脱离量相关信息，示出了将每一单位区域wa的测定结果的合计以1～5的5个等级来表示的示例。“1”表示测量结果的合计最少，“5”表示测量结果的合计最多。
[0089]
判断部64将计算出的脱离量(以5个等级表示的1～5的数值)与例如按检查装置dt的每个测定设备设定的阈值进行比较。判断部64基于比较结果判断感光性保护基团是否充分脱离、即判断曝光是否良好。例如，在使用紫外可见分光光度计作为检查装置dt的情况下，若某一单位区域wa的吸光度为阈值以上，则判断部64将该单位区域wa判断为曝光不良。另外，在使用原子力显微镜作为检查装置dt的情况下，若某一单位区域wa的附着力为阈值以下，则判断部64将该单位区域wa判断为曝光不良。
[0090]
接着，判断部64基于每一单位区域wa的评价来判断曝光区域w中的曝光是否良好。例如，在判断为曝光不良的单位区域wa的数目超过曝光区域w中的特定比例(例如20％、40％等)的情况下，判断部64可以将该曝光区域w判断为曝光不良，即使判断为曝光不良的单位区域wa为1个，也可以将该曝光区域w判断为曝光不良。需要说明的是，判断曝光区域w的曝光是否良好的具体方法并不限定于上述方法。另外，判断部64可以对每一单位区域wa判断曝光是否良好，将其结果作为曝光区域w的曝光相关的判断结果。
[0091]
接着对如上所述构成的曝光系统100的工作进行说明。图4是示出利用曝光系统100的曝光方法的一例的流程图。曝光系统100中，一边利用传送装置tr将基板fs沿传送方向传送，一边利用涂布装置ct在基板fs上涂布用于形成化合物层、即具有感光性保护基团的化合物的层的液体，在基板fs上形成化合物层。需要说明的是，也可以配置在利用涂布装置ct在基板fs上涂布液体后用于使基板fs上干燥的干燥装置、或者用于进行加热的加热装置、以及用于进行清洗的清洗装置。
[0092]
形成于基板fs上的化合物层随着传送装置tr对基板fs的移动而到达传送方向下游侧的曝光装置ex。如图4所示，曝光装置ex对涂布有化合物层的基板fs照射曝光光sp，将化合物层的特定区域曝光(步骤s01)。步骤s01中，一边利用传送装置tr将基板fs沿传送方向传送，一边利用曝光装置ex使曝光光sp(特定直径的点光)沿基板fs的宽度方向进行扫描。由此，使曝光光sp照射至基板fs的传送方向和宽度方向上的特定区域，形成曝光区域w。需要说明的是，也可以通过调整曝光光sp的扫描速度、或者曝光光sp每一次扫描时的基板
fs的传送速度，使曝光光sp的照射区域的一部分重叠。
[0093]
需要说明的是，曝光装置ex也可以为向特定区域统一照射曝光光sp的构成来代替使曝光光sp进行扫描的构成。另外，并不限于一边将基板fs沿着传送方向传送一边照射曝光光sp的方式，也可以为使基板fs步进移动的方式，即，在使基板fs的移动停止的状态下由曝光装置ex照射曝光光sp，并使下一曝光区域移动至曝光装置ex。
[0094]
形成于化合物层上的曝光区域随着传送装置tr对基板fs的移动而到达传送方向下游侧的检查装置dt。检查装置dt在每一测定点获取被曝光装置ex曝光的曝光区域w中的感光性保护基团的脱离量相关信息(步骤s02)。在步骤s02中，一边利用传送装置tr将基板fs沿传送方向传送，一边使检查装置dt获取曝光区域中的脱离量相关信息。检查装置dt将测量结果发送到控制装置cont。需要说明的是，在使基板fs步进移动来对曝光区域w照射曝光光sp的情况下，可以在基板fs停止的时刻利用检查装置dt进行脱离量相关信息的获取。
[0095]
控制装置cont基于来自检查装置dt的测量结果来判断对基板fs的曝光是否良好(步骤s03)。步骤s03中，控制装置cont首先计算出被曝光装置ex曝光的区域(曝光区域w)中的特定区域中包含的测定点的信息(例如脱离量相关信息)。控制装置cont例如计算出每单位面积的脱离量相关信息。然后，控制装置cont的判断部64基于所计算出的脱离量相关信息来判断曝光是否良好。控制装置cont可以将基于判断部64的判断结果输出到未图示的显示装置等中，也可以输出到外部的管理装置等中。用户通过在显示装置等上查看基于判断部64的判断结果，能够容易地确认曝光区域w中的曝光是否良好。
[0096]
图5是示出利用曝光系统100的曝光方法的另一例的流程图。图5所示的示例中，曝光系统100与上述同样地进行步骤s01到步骤s03的处理。之后，控制装置cont检测在判断部64中是否判断为曝光不良(步骤s04)。
[0097]
步骤s04的检测的结果，在判断部64中判断为曝光不良的情况下(步骤s04的“是”)，曝光控制部62基于所算出的脱离量相关信息对曝光装置ex进行控制(步骤s05)。在步骤s05中，曝光控制部62例如变更曝光装置ex中的曝光条件。这种情况下，作为曝光条件，例如包括变更曝光装置ex在曝光时的曝光光sp的强度、变更曝光光sp的焦点位置、变更曝光光sp的照射时间、以及变更曝光光sp的重叠量中的至少一者。关于曝光光的照射时间，例如可以通过变更曝光光sp的扫描速度来变更曝光光的照射时间。
[0098]
曝光控制部62例如根据曝光区域w中被认为曝光不良的部位和曝光不良的程度(例如曝光量不足的程度)来控制曝光光的强度、焦点位置、照射时间、重叠量等，以使该部位达到适当的曝光量。其结果，曝光装置ex中的曝光得到改善，能够消除曝光区域w的曝光不良。需要说明的是，步骤s04的检测的结果，在判断部64中未判断为曝光不良的情况下(步骤s04的“否”)，控制装置cont(曝光控制部62)也可以不进行曝光装置ex的控制。
[0099]
图6是示出利用曝光系统100的曝光方法的另一例的流程图。图6所示的示例中，曝光系统100与上述同样地进行步骤s01至步骤s03的处理，检测在判断部64中是否判断为曝光不良(步骤s04)。步骤s04的检测的结果，在判断部64中判断为曝光不良的情况下(步骤s04的“是”)，传送控制部63基于所算出的脱离量相关信息来控制传送装置tr对基板fs的传送速度(步骤s06)。步骤s06中，例如为了延长曝光装置ex中的曝光光sp的照射时间，传送控制部63可以减慢基板fs的传送速度。需要说明的是，步骤s04的检测的结果，在判断部64中未判断为曝光不良的情况下(步骤s04的“否”)，控制装置cont(传送控制部63)也可以不进
行传送装置tr的控制。
[0100]
另外，在图4和图5所示的流程图中，在步骤s04中判断为曝光不良的情况下，控制装置cont可以由检查装置dt获取确定被判断为曝光不良的曝光区域w的信息(例如在基板fs中的位置等)。由于被判断为曝光不良的曝光区域w直接被卷取辊rl2卷取，因此之后难以确定哪一部分为曝光不良。通过如上所述获取确定曝光区域w的信息，对于该部分可以进行省略后续工序等应对，能够提高处理效率。
[0101]
根据本实施方式，即使在难以由曝光区域w的图像等进行曝光不良的判断的情况下，也可根据检查装置dt的测量结果通过判断部64的判断来判断曝光不良，因此用户通过确认判断部64的判断，能够容易地确认曝光不良。
[0102]
<第2实施方式>
[0103]
图7是示出第2实施方式的曝光系统200的一例的图。图7所示的曝光系统200具有涂布装置ct、曝光装置ex以及传送装置tr，这一点与第1实施方式的曝光系统100相同，但其设有多个检查装置dt，这一点与上述实施方式不同。需要说明的是，对于与上述实施方式相同的构成付以相同的符号，并省略或简化其说明。图7所示的曝光系统200中，多个检查装置dt在基板fs的传送方向上配置在曝光装置ex的下游侧。需要说明的是，图7中示出了配置2台检查装置dt的构成，但并不限定于该方式，也可以配置3台以上。多个检查装置dt可以使用相同的检查装置dt，也可以使用不同的检查装置dt。
[0104]
多个检查装置dt例如沿基板fs的传送方向排列配置。这种情况下，可以将配置在基板fs的传送方向的上游侧的检查装置dta用作主装置，将配置在下游侧的检查装置dtb用作副装置或备用装置，也可以利用上游侧的检查装置dta测量待检查的曝光区域w的一部分，利用下游侧的检查装置dtb测量曝光区域w的余下的部分。
[0105]
图8是示出第2实施方式的曝光系统的另一例的图。图8示出了从上方观察曝光系统200a中的基板fs的状态。图8所示的曝光系统200a中，2个检查装置dt沿基板fs的宽度方向(与传送方向正交的方向)排列配置。一个检查装置dta对从基板fs的宽度方向的中央到一个端边的区域进行测量。另一检查装置dtb对从基板fs的宽度方向的中央到另一端边的区域进行测量。检查装置dta、dtb将测量结果发送到控制装置cont。控制装置cont基于检查装置dta、dtb的测量结果计算出脱离量相关信息，判断曝光是否良好。
[0106]
图9是示出第2实施方式的曝光系统的另一例的图。图9示出了从上方观察曝光系统200b中的基板fs的状态。图9所示的曝光系统200b中，曝光装置ex和检查装置dt分别设置相同台数、例如分别设置3台，曝光装置ex和检查装置dt相对应地进行配置。需要说明的是，图9的曝光系统200b中省略了控制装置cont的记载。
[0107]
例如，1台曝光装置exa被配置在基板fs的宽度方向的中央。另外，在相对于该曝光装置exa的基板fs的传送方向的上游侧，余下的2台曝光装置exb、exc被分别配置在基板fs的宽度方向的两端。曝光装置exa对基板fs的宽度方向的中央区域照射曝光光sp。曝光装置exb、exc分别对基板fs的宽度方向的两端的区域照射曝光光sp。因此，对于基板fs的宽度方向的中央和两端的各区域，利用3台曝光装置exa～exc向曝光区域w分担照射曝光光sp。
[0108]
另外，在相对于3台曝光装置exa～exc的基板fs的传送方向的下游侧，在基板fs的宽度方向的中央配置1台检查装置dta。另外，在相对于该检查装置dta的基板fs的传送方向的上游侧，在基板fs的宽度方向的两端配置余下的2台检查装置dtb、dtc。即，3台检查装置
dta～dtc的配置与3台曝光装置exa～exc的配置相同。检查装置dta对曝光区域w中的基板fs的宽度方向的中央的区域进行测量。检查装置dtb、dtc分别对曝光区域w中的基板fs的宽度方向的两端的区域进行测量。因此，对于基板fs的宽度方向的中央和两端的各区域，利用3台检查装置dta～dtc分担进行曝光区域w的测量。
[0109]
3台检查装置dta～dtc分别将测量结果发送到控制装置cont。控制装置cont基于检查装置dta～dtc的测量结果计算出脱离量相关信息，判断曝光是否良好。通过该构成，控制装置cont对于由3台检查装置dta～dtc测量的基板fs的宽度方向的中央的区域和两端的区域这3个区域分别单独判断曝光是否良好。
[0110]
在3个区域中的任一区域被判断为曝光不良的情况下，控制装置cont可以基于脱离量相关信息对配置在该区域的曝光装置exa～exc进行控制。例如，控制装置cont可以基于检查装置dta的测量结果进行曝光装置exa的控制，基于检查装置dtb的测量结果进行曝光装置exb的控制，基于检查装置dtc的测量结果进行曝光装置exc的控制。另外，在3台检查装置dta～dtc中的任一台判断为曝光不良的情况下，控制装置cont可以进行全部曝光装置exa～exc的控制，也可以进行配置在未被判断为曝光不良的区域的曝光装置exa～exc的控制。
[0111]
根据本实施方式，利用多个检查装置dt将曝光区域w分割进行测量，因此能够减轻1台检查装置dt的处理负担。其结果，能够加快基板fs的移动速度，能够提高基板fs的处理效率。
[0112]
<第3实施方式>
[0113]
图10是示出第3实施方式的曝光系统300的一例的图。图10所示的曝光系统300具有涂布装置ct、传送装置tr以及检查装置dt，这一点与上述实施方式的曝光系统100、200相同，但在基板fs的传送方向上的检查装置dt的上游侧和下游侧设有多个曝光装置ex，这一点与上述实施方式不同。需要说明的是，对于与上述实施方式相同的构成付以相同的符号，并省略或简化其说明。
[0114]
图10所示的曝光系统300中，多个曝光装置ex包括第1曝光装置ex1和第2曝光装置ex2。第1曝光装置ex1相对于检查装置dt配置在基板fs的传送方向的上游侧。第2曝光装置ex2相对于检查装置dt配置在基板fs的传送方向的下游侧。第1曝光装置ex1和第2曝光装置ex2与上述曝光装置ex为同样的构成。需要说明的是，第1曝光装置ex1和第2曝光装置ex2可以为相同的构成，也可以为不同的构成。另外，控制装置cont具有对第1曝光装置ex1进行控制的第1曝光控制部65、以及对第2曝光装置ex2进行控制的第2曝光控制部66。
[0115]
图11是示出利用曝光系统300的曝光方法的一例的流程图。图11所示的示例中，曝光系统300与上述实施方式同样地进行步骤s01至步骤s03的处理。需要说明的是，步骤s01的曝光处理在第1曝光装置ex1中进行。在步骤s03之后，控制装置cont检测在判断部64中是否判断为曝光不良(步骤s04)。
[0116]
步骤s04中，在判断部64判断为曝光不良的情况下(步骤s04的“是”)，控制装置cont利用第2曝光装置ex2对判断部64判断为曝光不良的曝光区域w进行再次曝光(步骤s07)。步骤s07中，第2曝光控制部66基于所计算出的脱离量相关信息对第2曝光装置ex2进行控制。第2曝光控制部66基于所计算出的脱离量相关信息对于例如第2曝光装置ex2在曝光时的曝光光sp的强度、曝光光sp的焦点位置、曝光光sp的照射时间以及曝光光sp的重叠
量进行调整。通过利用第2曝光装置ex2对判断为曝光不良的曝光区域w进行曝光，能够消除曝光区域w的全部或一部分曝光不良。
[0117]
需要说明的是，在判断部64中判断为曝光不良的情况下(步骤s04的“是”)，控制装置cont除了利用第2曝光装置ex2进行曝光以外，还可以基于所计算出的脱离量相关信息利用第1曝光控制部65进行第1曝光装置ex1的控制，也可以进行传送装置tr的控制。另外，控制装置cont可以对曝光区域w中的曝光不良的部分(例如图3所示的单位区域wa)进行利用第2曝光装置ex2照射曝光光sp这样的控制。其结果，能够避免向不需要利用第2曝光装置ex2再次曝光的部分照射曝光光sp。
[0118]
根据本实施方式，在由检查装置dt判断曝光区域w为曝光不良的情况下，利用第2曝光装置ex2对曝光不良的曝光区域w进行再次曝光，因此能够防止曝光区域w在曝光不良的状态下移动至后段处理中。其结果，能够抑制基板fs的成品率的降低。需要说明的是，本实施方式中，也可以在第2曝光装置ex2的下游侧配置检查装置dt，在利用第2曝光装置ex2进行曝光后，利用判断部64判断是否产生了曝光不良(是否残留有曝光不良)。
[0119]
<第4实施方式>
[0120]
图12示出了第4实施方式的曝光系统400的一例。图12所示的曝光系统400除了具备涂布装置ct、曝光装置ex、传送装置tr以及检查装置dt以外还具备镀覆装置mk，这一点与上述第1～第3实施方式不同。图12所示的曝光系统400中，镀覆装置mk配置在基板fs的传送方向上的检查装置dt的下游侧。镀覆装置mk利用曝光装置ex对形成有亲液/疏液图案的基板fs进行镀覆处理(例如化学镀覆处理)。
[0121]
镀覆装置mk具有用于对基板fs进行镀覆催化剂浴的镀覆催化剂槽mka、用于对基板fs进行镀覆的镀覆槽mkb、以及多个传送辊mkc。镀覆催化剂槽mka配置在基板fs的传送方向的上游侧，对形成于基板fs上的亲液/疏液图案的亲液部分赋予镀覆催化剂。即，在基板fs的曝光区域w中，感光性保护基团发生脱离而使该区域具有亲液性，在非曝光区域n中，感光性保护基团未脱离因而具有亲液性，因此镀覆催化剂液附着于曝光区域w。贮存在镀覆催化剂槽mka中的镀覆催化剂液例如选择化学镀覆处理中所需要的任意镀覆催化剂液来贮存。
[0122]
镀覆槽mkb配置在基板fs的传送方向的下游侧，对被赋予了镀覆催化剂的基板fs的亲液部分进行化学镀覆。即，由于对基板fs的曝光区域w赋予了镀覆催化剂，因此可对该曝光区域w实施镀覆处理。其结果，在基板fs上通过镀覆处理形成布线图案。基板fs通过卷取辊rl2对基板fs的卷取在镀覆装置mk中移动。多个传送辊mkc在镀覆装置mk中引导基板fs。需要说明的是，多个传送辊mkc中，可以至少1个为驱动辊，其余为从动辊。通过使传送辊mkc中的1个为驱动辊，能够在镀覆装置mk内变更基板fs的传送速度。
[0123]
另外，多个传送辊mkc中，可以使配置在镀覆催化剂槽mka内的传送辊mkc、或者配置在镀覆槽mkb内的传送辊mkc中的至少一者能够沿基板fs的传送方向移动。这种情况下，通过传送辊mkc在镀覆催化剂槽mka内或镀覆槽mkb内沿基板fs的传送方向移动，能够变更镀覆催化剂槽mka中的基板fs的传送距离、或者镀覆槽mkb中的基板fs的传送距离的长度。
[0124]
控制装置cont具有对镀覆装置mk进行控制的镀覆控制部67。在多个传送辊mkc中的任一者为驱动辊的情况下，镀覆控制部67能够对传送辊mkc(驱动辊)的旋转速度、即镀覆装置mk内的基板fs的传送速度进行控制。基板fs的传送速度的变更会改变基板fs在镀覆催
化剂槽mka中的浸渍时间、或者基板fs在镀覆槽mkb内的浸渍时间。另外，在镀覆催化剂槽mka内或镀覆槽mkb内的传送辊mkc能够沿基板fs的传送方向移动的情况下，镀覆控制部67能够控制可移动的传送辊mkc的位置、即基板fs在镀覆催化剂槽mka内或镀覆槽mkb内的传送距离。基板fs在镀覆催化剂槽mka内或镀覆槽mkb内的传送距离的变更会改变基板fs在镀覆催化剂槽mka中的浸渍时间、或者基板fs在镀覆槽mkb内的浸渍时间。
[0125]
图13是示出利用本实施方式的曝光系统400的曝光方法的一例的流程图。图13所示的示例中，曝光系统400与上述实施方式同样地进行步骤s01到步骤s03的处理。之后，控制装置cont检测在判断部64中曝光区域w是否被判断为曝光不良(步骤s04)。步骤s04的检测的结果，在判断部64中判断为曝光不良的情况下(步骤s04的“是”)，传送控制部63基于所计算出的脱离量相关信息对镀覆装置mk进行控制(步骤s08)。步骤s08中，镀覆控制部67例如通过调整传送辊mkc的旋转速度、位置来控制镀覆装置mk内的基板fs的传送速度、基板fs的传送距离，例如延长基板fs在镀覆催化剂槽mka内或镀覆槽mkb内的浸渍时间。
[0126]
其结果，被判断为曝光不良的曝光区域w的单位时间的镀覆催化剂的赋予率降低，但通过延长基板fs在镀覆催化剂槽mka中的浸渍时间，能够弥补对曝光区域w的镀覆催化剂的赋予。或者，即使在未对曝光区域w赋予充分的镀覆催化剂时，通过延长基板fs在镀覆槽mkb中的浸渍时间，也能够对曝光区域w形成充分的(足以作为布线图案的)镀覆。
[0127]
图14(a)和图14(b)是示出在曝光系统400中变更镀覆装置mk内的基板fs的传送距离的情况的一例的图。图14(a)所示的示例中，在基板fs被浸渍在镀覆催化剂槽mka或镀覆槽mkb中的状态下，按照传送路径的长度最短的方式配置传送辊mkc。如图14(b)所示，通过使配置在镀覆催化剂槽mka或镀覆槽mkb内的多个传送辊mkc中的传送辊mkc1由该状态向上方移动，基板fs在镀覆催化剂槽mka内或镀覆槽mkb内以沿上下方向蛇行的状态移动。即，基板fs在镀覆催化剂槽mka或镀覆槽mkb中的传送路径变长，能够延长在镀覆催化剂槽mka或镀覆槽mkb中的浸渍时间。
[0128]
根据本实施方式，在利用检查装置dt将曝光区域w判断为曝光不良的情况下，对镀覆装置mk进行控制来调整(延长)基板fs在镀覆催化剂槽mka或镀覆槽mkb中的浸渍时间，因此能够对被判断为曝光不良的曝光区域w实施适当的镀覆处理。其结果，在被判断为曝光不良的曝光区域w形成所期望的布线图案，由此能够抑制基板fs的成品率的降低。
[0129]
<第5实施方式>
[0130]
图15是示出第5实施方式的曝光系统500的一例的图。图15所示的曝光系统500具备曝光装置ex3、以及检查装置dt。需要说明的是，在以下的说明中，只要没有特别声明，则设定重力方向为z方向的xyz正交坐标系，根据图中所示的箭头对x方向、y方向以及z方向进行说明。将箭头所指的方向作为 方向(例如 x方向)、将相反的方向作为
‑
方向(例如
‑
x方向)来进行说明。
[0131]
曝光系统500例如是构建有制造作为电子器件的柔性显示器、柔性传感器等的制造线的制造系统的一部分。下文中，作为电子器件，以柔性显示器为前提来进行说明。
[0132]
曝光系统500具有所谓辊对辊(roll to roll)方式的结构，即，从挠性的片状基板(薄片基板)fs卷成卷状而成的送出辊(参照图1的送出辊rl1)送出基板fs，对送出的基板fs连续地实施各种处理后，利用卷取辊(参照图1的卷取辊rl2)卷取各种处理后的基板fs。基板fs具有基板fs的传送方向为长边方向(长尺寸)、宽度方向为短边方向(短尺寸)的带状形
状。从送出辊送出的基板fs依次利用处理装置pr1、曝光装置(描绘装置、光束扫描装置)ex4以及处理装置pr2等施以各种处理，并利用卷取辊进行卷取。
[0133]
需要说明的是，x方向是在水平面内从处理装置pr1经曝光装置ex3朝向处理装置pr2的方向(传送方向)。y方向是在水平面内与x方向正交的方向，是基板fs的宽度方向(短尺寸方向)。z方向是与x方向和y方向正交的方向(上方向)，与重力作用方向平行。
[0134]
处理装置pr1对将要利用曝光装置ex进行曝光处理的基板fs进行前工序的处理。处理装置pr1将进行前工序的处理后的基板fs向曝光装置ex传送。通过该前工序的处理，送到曝光装置ex中的基板fs成为在其表面形成有抗蚀剂层r的基板。
[0135]
本实施方式中，作为光束扫描装置的曝光装置ex3是不使用掩模的直描方式的曝光装置、即所谓光栅扫描方式的曝光装置。曝光装置ex3对由处理装置pr1供给的基板fs的被照射面(曝光区域w)照射与用于显示器用电子器件、电路或布线等的特定图案相对应的光图案。曝光装置ex3一边将基板fs沿 x方向传送，一边使曝光用的光束lb的曝光光sp在基板fs的被照射面上沿特定的扫描方向(y方向)进行一维扫描，同时根据图案数据(描绘数据)高速地调制(接通/断开)曝光光sp的强度。通过该构成，在基板fs的被照射面上进行与电子器件、电路或布线等的特定图案相对应的光图案的描绘曝光。
[0136]
即，通过基板fs的传送和曝光光sp的扫描，曝光光sp在基板fs的被照射面上相对地进行二维扫描，在基板fs上进行特定图案的描绘曝光。另外，由于基板fs沿着传送方向( x方向)进行传送，因此利用曝光装置ex使图案曝光的曝光区域w沿着基板fs的长尺寸方向隔开特定间隔设置有多个。由于在该曝光区域w形成电子器件，因此曝光区域w也是电子器件形成区域。需要说明的是，由于电子器件是通过将多个图案层(形成有图案的层)重叠而构成的，因此可以利用曝光装置ex3进行与各层相对应的图案的曝光。
[0137]
处理装置pr2对于被曝光装置ex3进行了曝光处理的基板fs进行后工序的处理(例如镀覆处理、显影/蚀刻处理等)。通过该后工序的处理，在基板fs上形成电子器件的图案层(例如布线图案层)。
[0138]
由于电子器件是通过将多个图案层重叠而构成的，因此经过包含曝光系统500的器件制造系统的至少各处理，生成1个图案层。因此，为了生成电子器件，必须经历例如2次图15所示的包含曝光系统500的器件制造系统的各处理。因此，例如可以通过将卷取有基板fs的卷取辊作为送出辊并安装于另一器件制造系统中来进行图案层的层积。重复这样的工作而形成电子器件。处理后的基板fs成为多个电子器件形成区域隔开特定间隔沿基板fs的长尺寸方向相连的状态。即，基板fs成为多倒角用基板。
[0139]
曝光装置ex3收纳于调温室ecv内。该调温室ecv将内部保持为规定的温度，由此抑制在内部传送的基板fs的因温度所致的形状变化。调温室ecv藉由无源或有源的防振单元su1、su2配置在制造工厂等的设置面e上。防振单元su1、su2降低来自设置面e的振动。该设置面e可以是工厂的地面本身，也可以是为了作出水平面而设置在地面上的设置基座上的面。曝光装置ex3具备基板传送机构12、光源装置14、光束切换部件16、曝光头18、控制装置20、以及多个对准显微镜amm(am1～am4)。
[0140]
基板传送机构12将由处理装置pr1传送的基板fs以规定速度在曝光装置ex3内传送，之后以规定速度送出到处理装置pr2中。利用该基板传送机构12，规定在曝光装置ex3内传送的基板fs的移动路径。基板传送机构12从基板fs的传送方向的上游侧(
‑
x方向侧)起依
次具有边缘位置控制器epc、驱动辊r1、张力调整辊rt1、旋转滚筒(圆筒滚筒)dr、张力调整辊rt2、驱动辊r2以及驱动辊r3。
[0141]
基板传送机构12将由处理装置pr1传送的基板fs以规定速度在曝光装置ex3内传送，之后以规定速度送出到处理装置pr2中。利用该基板传送机构12，规定在曝光装置ex3内传送的基板fs的移动路径。基板传送机构12从基板fs的传送方向的上游侧(
‑
x方向侧)起依次具有边缘位置控制器epc、驱动辊r1、张力调整辊rt1、旋转滚筒dr、张力调整辊rt2、驱动辊r2以及驱动辊r3。
[0142]
光源装置14具有光源(脉冲光源)，发射出脉冲状的光束(脉冲光、激光)lb。该光束lb例如是在370nm以下的波段具有峰值波长的紫外线光，将光束lb的振荡频率(发光频率)设为fs。光源装置14发射出的光束lb经由光束切换部件16入射至曝光头18。光源装置14按照控制装置20的控制以振荡频率fs发出光束lb并射出。该光源装置14例如由发生红外波长区域的脉冲光的半导体激光器元件、光纤放大器、将放大后的红外波长区域的脉冲光转换成紫外波长区域的脉冲光的波长转换元件(谐波发生元件)等构成，使用可得到振荡频率fs为数百mhz、1脉冲光的发光时间为皮秒程度的高亮度的紫外线脉冲光的光纤放大器激光源。
[0143]
光束切换部件16对光束lb的光路进行切换，以使来自光源装置14的光束lb入射到构成曝光头18的多个扫描单元un(u1～u6)中的进行曝光光sp的一维扫描的一个扫描单元un中。
[0144]
曝光头18具备光束lb分别入射的多个扫描单元un(u1～u6)。曝光头18利用多个扫描单元un(u1～u6)在被旋转滚筒dr的圆周面支承的基板fs的一部分上描绘图案。曝光头18成为相同构成的多个扫描单元un(u1～u6)排列而成的所谓多光束型的曝光头。由于曝光头18对基板fs反复进行电子器件用的图案曝光，因此进行图案曝光的曝光区域w(电子器件形成区域)沿着基板fs的长尺寸方向隔开规定间隔设置有多个。第奇数个扫描单元u1、u3、u5相对于中心面poc配置在基板fs的传送方向的上游侧(
‑
x方向侧)，并且沿y方向配置。第偶数个扫描单元u2、u4、u6相对于中心面poc配置在基板fs的传送方向的下游侧( x方向侧)，并且沿y方向配置。第奇数个扫描单元u1、u3、u5与第偶数个扫描单元u2、u4、u6相对于中心面poc对称设置。
[0145]
扫描单元un一边使来自光源装置14的光束lb在基板fs的被照射面上以会聚成曝光光sp的方式投射，一边使该曝光光sp在基板fs的被照射面上沿着规定的直线性的描绘线(扫描线)sln(sl1～sl6)通过旋转的多面镜进行一维扫描。需要说明的是，在扫描单元un的下游侧配置检查装置dt。检查装置dt在每一测定点测量沿着旋转滚筒dr的外周面移动的基板fs的曝光区域w中的关于感光性保护基团的脱离量的信息。将由检查装置dt得到的测量结果送到控制装置20中。
[0146]
根据本实施方式，即使在基板fs沿着旋转滚筒dr移动的情况下，也能够利用检查装置dt获取曝光区域w中的关于感光性保护基团的脱离量的信息。需要说明的是，检查装置dt并不限于与利用旋转滚筒dr进行移动的基板fs对置地配置。例如，检查装置dt也可以按照与在旋转滚筒dr的下游侧移动的基板fs对置的方式进行配置。
[0147]
<第6实施方式>
[0148]
图16是示出第6实施方式的曝光装置ex4的一例的图。需要说明的是，本实施方式
中，对于与上述实施方式相同的构成付以相同的符号，并省略或简化其说明。如图16所示，曝光系统600具备曝光装置ex4。该曝光装置ex4与上述实施方式不同，具备检查装置dt。
[0149]
检查装置dt在曝光装置ex4中设置在比照射曝光光sp的部分更靠基板fs的传送方向的下游侧。曝光装置ex4利用曝光光sp进行曝光区域w的曝光，并且利用检查装置dt获取曝光区域w中的关于感光性保护基团的脱离量的信息。即，在利用曝光光sp进行曝光区域w的曝光后，能够立即获取曝光区域w中的关于感光性保护基团的脱离量的信息。
[0150]
利用检查装置dt获取的关于感光性保护基团的脱离量的信息被送至曝光装置ex4所具备的未图示的控制装置、或者设于曝光装置ex4外部的未图示的控制装置中。该控制装置可以具备上述的判断部64。在利用判断部64将曝光区域w判断为曝光不良的情况下，控制装置可以对曝光装置ex4中的曝光条件(例如曝光光sp的强度、基板fs的移动速度等)进行控制。
[0151]
根据本实施方式，利用曝光装置ex4所具备的检查装置dt来获取关于感光性保护基团的脱离量的信息，因此不必在曝光装置ex4的外部配置检查装置dt。其结果，能够缩短基板fs的传送方向的长度(即基板fs中的电子器件的制造线的长度)。另外，曝光装置ex4所具备的检查装置dt的测定结果可以用作用于控制曝光装置ex4以外的装置(例如配置在曝光装置ex4的上游侧、下游侧的其他曝光装置、处理装置pr1、pr2等)的信息。
[0152]
以上对本发明的实施方式进行了说明，但本发明的技术范围并不限定于上述实施方式或变形例等中说明的方式。上述实施方式等中说明的要素中的一个以上有时可省略。另外，上述实施方式等中说明的要素可以适当地组合。另外，在法令容许的范围内，援引国际申请pct/jp2019/011101和本说明书中引用的全部文献的公开内容作为本文的记载的一部分。
[0153]
符号的说明
[0154]
cont
···
控制装置 ct
···
涂布装置 dt、dta～dtc
···
检查装置 ex、exa～exc、ex3
···
曝光装置 ex1
···
第1曝光装置 ex2
···
第2曝光装置 fs
···
基板 mk
···
镀覆装置 mka
···
镀覆催化剂浴 mkb
···
镀覆浴 n
···
非曝光区域 tr
···
传送装置 w
···
曝光区域 wa
···
单位区域 61
···
涂布控制部 62
···
曝光控制部 63
···
传送控制部 64
···
判断部 65
···
第1曝光控制部 66
···
第2曝光控制部 67
···
镀覆控制部 100、200、300、400、500
···
曝光系统