晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器与流程

技术特征：
1.一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：形成贴附于绝缘侧墙的导电沟道，所述导电沟道包括柱状本体以及两侧的端部，所述端部至少有一为突出设置；在所述柱状本体侧面形成半包围所述柱状本体的栅绝缘层，并暴露所述导电沟道两端；在所述栅绝缘层侧面形成覆盖所述栅绝缘层的栅电极；在所述导电沟道的两端部形成源电极和漏电极。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成贴附于绝缘侧墙的导电沟道采用如下方法形成：形成绝缘侧墙；在绝缘侧墙的侧壁处形成导电沟道。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成贴附于绝缘侧墙的导电沟道采用如下方法形成：形成导电沟道；在导电沟道的一侧形成绝缘侧墙。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述柱状本体的柱状结构选自于圆柱和棱柱中的任意一种。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅绝缘层的材料选自于氧化硅、氮化硅、以及氮氧化硅中的任意一种。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅电极、源电极、以及漏电极均采用金属材料制作。7.一种晶体管，其特征在于，包括：绝缘侧墙；贴附于绝缘侧墙的导电沟道，所述导电沟道包括柱状本体以及两侧的端部，所述端部至少有一为突出设置；在所述柱状本体侧面的半包围所述柱状本体的栅绝缘层；在所述栅绝缘层侧面的覆盖所述栅绝缘层的栅电极；以及覆盖两端部的源电极和漏电极。8.根据权利要求7所述的晶体管，其特征在于，所述柱状本体的柱状结构选自于圆柱和棱柱中的任意一种。9.根据权利要求7所述的晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层的材料选自于氧化硅、氮化硅、以及氮氧化硅中的任意一种。10.根据权利要求7所述的晶体管，其特征在于，所述栅电极、源电极、以及漏电极均采用金属材料制作。11.一种动态随机存取存储器的基本存储单元，包括一晶体管和一电容，其特征在于，所述晶体管包括：绝缘侧墙；贴附于绝缘侧墙的导电沟道，所述导电沟道包括柱状本体以及两侧的端部，所述端部至少有一为突出设置；
在所述柱状本体侧面的半包围所述柱状本体的栅绝缘层；在所述栅绝缘层侧面的覆盖所述栅绝缘层的栅电极；以及覆盖两端部的源电极和漏电极。12.一种动态随机存取存储器，包括多个基本存储单元的阵列，所述基本存储单元包括一晶体管和一电容，其特征在于，所述晶体管包括：绝缘侧墙；贴附于绝缘侧墙的导电沟道，所述导电沟道包括柱状本体以及两侧的端部，所述端部至少有一为突出设置；在所述柱状本体侧面的半包围所述柱状本体的栅绝缘层；在所述栅绝缘层侧面的覆盖所述栅绝缘层的栅电极；以及覆盖两端部的源电极和漏电极。13.根据权利要求12所述的动态随机存储器，其特征在于，基本存储单元的阵列中包括临近的两晶体管，所述临近的两晶体管的彼此的突出设置的端部相互连接。

技术总结
本发明提供一种晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器。所述方法包括如下步骤：形成贴附于绝缘侧墙的导电沟道，所述导电沟道包括柱状本体以及两侧的端部，所述端部至少有一为突出设置；在所述柱状本体侧面形成半包围所述柱状本体的栅绝缘层，并暴露所述导电沟道两端；在所述柱状本体侧面形成覆盖所述栅绝缘层的栅电极；在所述导电沟道的两端部形成源电极和漏电极。上述技术方案是从现有技术的水平方向的晶体管改进为垂直方向，从而使得单个晶体管在水平方向上所占的面积减少，单位面积的晶体管数量增加，提高了晶体管密度。高了晶体管密度。高了晶体管密度。


技术研发人员：华文宇 薛迎飞
受保护的技术使用者：芯盟科技有限公司
技术研发日：2021.04.16
技术公布日：2021/10/19