一种水分触发降解的P型瞬态薄膜晶体管制备方法与流程

技术特征：
1.一种水分触发降解的p型瞬态薄膜晶体管制备方法，其特征在于，包括：步骤一、将单面抛光的铁箔基底置于等离子增强化学气相沉积设备中，在铁箔基底抛光的一侧进行绝缘层沉积，得到第一样品；步骤二、将有源层模板覆盖在第一样品上，并在射频磁控溅射设备中，进行有源层材料沉积，得到第二样品；步骤三、将源漏电极掩模板覆盖在第二样品上，并将其放置在热蒸发台中进行源漏电极材料沉积，得到第三样品，将所述第三样品置于快速退火炉中，进行退火，得到第四样品；步骤四、将浓度为6％的丝素蛋白水溶液涂覆在第四样品的表面，并进行烘干，得到第五样品；步骤五、在第五样品的未抛光基底上覆盖保护层掩模板，并在射频磁控溅射设备中，沉积保护层材料，得到第六样品；步骤六、将第六样品固定在夹具中，并将其浸入稀盐酸中对第六样品中的铁箔基底进行溶解，得到第七样品；其中，将第六样品中铁箔基底抛光的一侧朝向夹具的下板，未抛光的一侧朝向夹具的上板；步骤七、将第七样品放置在电子束蒸发设备中，进行蒸镀栅电极，得到水分触发降解的p型薄膜晶体管。2.根据权利要求1所述的水分触发降解的p型瞬态薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述步骤一包括：在铁箔基底抛光的一侧沉积sio2绝缘层材料；其中，射频功率为50～100w，沉积温度为150～250℃，压力为0.2～0.6torr，sih4流量为20～40sccm，n2o流量为80～150sccm，sio2薄膜厚度为150～250nm。3.根据权利要求2所述的水分触发降解的p型瞬态薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述步骤二包括：所述有源层材料为sno，采用金属sn靶，进行有源层材料沉积；其中，溅射功率为25～35w，温度为室温，压力为5～7mtorr，ar/o2为9:1～2:1，沉积时间为10～20min，薄膜厚度为45～70nm。4.根据权利要求3所述的水分触发降解的p型瞬态薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述步骤三包括：所用电极材料为au，厚度为50～100nm；相邻源漏电极之间的距离为10μm～1mm；退火温度为250～350℃，退火时间为25～40min。5.根据权利要求4所述的水分触发降解的p型瞬态薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述步骤四包括：所述保护层材料为hfo2，溅射功率为100～250w，温度为25～200℃，压力为8～20mtorr，ar/o2为9:1～2:1，沉积时间为50～150min，薄膜厚度为50～200nm。6.根据权利要求5所述的水分触发降解的p型瞬态薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述步骤六包括：所述夹具包括夹具上板和夹具下板，所述夹具上板和所述夹具下板均为矩形，所述夹
具下板的中心设有矩形凹槽，所述夹具上板的中心有通孔；所述稀盐酸的浓度为：1～30wt％.。7.根据权利要求6所述的水分触发降解的p型瞬态薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述步骤七包括：电极材料为al，电极厚度为50～200nm。8.根据权利要求7所述的水分触发降解的p型瞬态薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述步骤一中，射频功率为50w，沉积温度为200℃，压力为0.2torr，sih4流量为20sccm，n2o流量为80sccm，sio2薄膜厚度为150nm；所述步骤二中，溅射功率为25w，温度为室温，压力为5mtorr，ar/o2为9:1，沉积时间为10min，薄膜厚度为45nm；所述步骤三中，所用电极材料为au，厚度为50nm；相邻源漏电极之间的距离为：10μm；退火温度为：250℃，退火时间为25min；所述步骤四中，溅射功率为：100w，温度为25℃，压力为8mtorr，ar/o2为2：1，沉积时间为50min，薄膜厚度为50nm；所述步骤六中，所述稀盐酸的浓度为：1wt％；所述步骤七中，所述电极厚度为50nm。

技术总结
本发明公开了一种水分触发降解的P型瞬态晶体管制备方法，包括：在铁箔基底抛光的一侧进行绝缘层沉积，得到第一样品；在第一样品上进行有源层材料沉积，得到第二样品；在第二样品上进行源漏电极材料沉积，得到第三样品，将第三样品进行退火，得到第四样品；将浓度为6％的丝素蛋白水溶液涂覆在第四样品的表面烘干后，得到第五样品；在第五样品的未抛光基底上覆盖保护层掩模板，沉积保护层材料，得到第六样品；将第六样品固定在夹具中，并将其浸入稀盐酸中对第六样品中的铁箔基底进行溶解，得到第七样品；将第七样品放置在电子束蒸发设备中，进行蒸镀栅电极，得到水分触发降解的p型薄膜晶体管。能够克服基底材料耐热性对器件制备温度的限制。温度的限制。温度的限制。


技术研发人员：杨帆 王超 王艳杰 吴博琦 闫兴振 王欢 高晓红 吕卅 杨佳 赵春雷 赵阳 迟耀丹 杨小天 蔡乾顺 龙玉洪
受保护的技术使用者：吉林建筑大学
技术研发日：2021.07.22
技术公布日：2021/10/26