一种反射发光源的结构的制作方法

1.本实用新型涉及发光源显示领域，具体涉及一种反射发光源的结构。


背景技术：

2.量子点(quantum dots，本实用新型中简称qd)是一种新型纳米材料，其量子点产率＞90％，制成量子点led(本实用新型中简称qd
‑
led)，激发后能发出能谱集中，非常纯正的高品质红、绿、蓝单色光。具有可以实现更广色域显示，可精准色彩控制，光学稳定性好，更长寿，更节能等优点。
3.在应用的过程中，通常都将单色qd
‑
led芯片和驱动芯片依序对称单个排列在基板上得到led结构，为了实现白光或其他颜色的光，利用三原色qd
‑
led 的组合获得，但这种封装形式不仅尺寸较大，而且光的行程路径再利用率低，亮度低，均匀性差。
4.因此，如何设计是一种光利用率高、亮度强和均匀性好的反射发光源的结构是本实用新型所要解决的技术问题。


技术实现要素：

5.本实用新型的目的是为了解决背景技术中的问题，提供一种反射发光源结构。本实用新型提供的一种反射发光源结构，结构简单，具有高均匀性，光线的反射行程路径重复利用。本实用新型中，micro
‑
qd
‑
led是指具有量子点的micro
‑
led，mini
‑
qd
‑
led是指具有量子点的mini
‑
led。
6.本实用新型的上述技术目的，是通过以下技术方案实现的：
7.一种反射发光源结构，包括基板、至少两组qd
‑
led发光单元和控制qd
‑
led 发光单元的芯片，所述芯片倒装于基板上，所述qd
‑
led发光单元包括并列排布设置于基板上的第一qd
‑
led发光源和第二qd
‑
led发光源，所述基板上设置有负极和正极，所述正极包括第一正极和第二正极，所述第一qd
‑
led发光源和第二qd
‑
led发光源的负电极端与基板上的同一个负极电连接，所述第一 qd
‑
led发光源和第二qd
‑
led发光源的正电极端分别与第一正极和第二正极电连接，所述基板的表面印刷有第三发光源，所述第一qd
‑
led发光源具有红光量子点或者蓝光量子点中的一者，所述第二qd
‑
led发光源具有红光量子点或者蓝光量子点中的另一者，所述第三发光源具有绿光量子点；
8.所述第一qd
‑
led发光源和第二qd
‑
led发光源均为micro
‑
qd
‑
led或 mini
‑
qd
‑
led。
9.如上所述的一种反射发光源结构，所述第三发光源为印刷于基板上的qd 粉末油墨，所述qd粉末油墨的厚度为20～150微米。
10.如上所述的一种反射发光源结构，所述基板的上表面电镀有镜面导电层，所述负极、第一正极和第二正极相互隔离地设置于镜面导电层中。
11.如上所述的一种反射发光源结构，所述镜面导电层的厚度为100微米。
12.如上所述的一种反射发光源结构，所述红光量子点峰值波长为610～ 640nm，半波宽小于25nm。
13.如上所述的一种反射发光源结构，所述蓝光量子点峰值波长为475～ 490nm，半波宽小于20nm。
14.如上所述的一种反射发光源结构，所述绿光量子点峰值波长为520～ 545nm，半波宽小于30nm。
15.与现有技术相比，本实用新型具有以下优点和有益效果：
16.1、本实用新型提供的一种反射发光源结构，所述芯片倒装于基板上，一方面，使得qd
‑
led发光单元发出的光线可以从芯片顶部、底部及四周全面出光，提高芯片的出光效率；另一方面芯片可以摆放的比较密集，在同样的尺寸下，倒装的可以放更多芯片，实现小尺寸大电流光集中的特点；另外，芯片倒装使得热阻也降低很多，提高了散热效果。
17.2、本实用新型提供的一种反射发光源结构，包括基板、至少两组qd
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led 发光单元和控制qd
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led发光单元的芯片，第一qd
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led发光源具有红光量子点或者蓝光量子点中的一者，第二qd
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led发光源具有红光量子点或者蓝光量子点中的另一者，第三发光源具有绿光量子点，第一qd
‑
led发光源和第二 qd
‑
led发光源配合印刷不同形状、不同尺寸的绿色qd粉末油墨的网点设计，实现了三基色的混合白光，相对于现有的单独封装的qd
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led，本使用新型提供的micro
‑
qd
‑
led或mini
‑
qd
‑
led在使用时，让光线的反射行程路径一致且重复利用，具有更好的混光均匀性，且光的能量再次利用，达到更高的亮度。
18.3、本实用新型提供的一种反射发光源结构，所述第三发光源为印刷于基板上的绿色qd粉末油墨，绿色qd粉末油墨的厚度为20～150微米。因为绿色qd粉末油墨在高温下，量子点产率降低较快，为了更高利用qd量子点的产率，选择绿色qd粉末油墨印刷不同形状的网点，让光的能量再次利用。
19.4、本实用新型提供的一种反射发光源结构，所述基板的上表面电镀有镜面导电层，所述负极、第一正极和第二正极相互隔离地设置于镜面导电层中，镜面银导电层具有三方面的作用：第一是可以增加其光滑性；第二是可以提高反射率，增加光的再利用率；第三是抗氧化、耐酸碱，耐水性能佳。
附图说明
20.为了更清楚地说明本实用新型或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面描述的仅仅是本实用新型的一个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。
21.图1为本实用新型的一种反射发光源结构示意图；
22.图2为图1中a部的放大示意图；
23.图3为本实用新型的一种反射发光源结构的侧视图；
24.图4为micro
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qd
‑
led或mini
‑
qd
‑
led反射发光源结构的光线的行程再反射原理图。
[0025]1‑
基板，2
‑
第一qd
‑
led发光源，3
‑
第二qd
‑
led发光源，11
‑
负极，12
‑ꢀ
正极，121
‑
第一正极，122
‑
第二负极，4
‑
第三发光源，5
‑
光线。
具体实施方式
[0026]
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行
清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型的实施例，本领域普通技术人员没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0027]
需要说明的是，当元件被称为“固定于”或者“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
[0028]
请参阅图1
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图3，一种反射发光源结构，包括基板1、至少两组qd
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led 发光单元和控制qd
‑
led发光单元的芯片，所述芯片倒装于基板1上，所述 qd
‑
led发光单元包括并列排布设置于基板1上的第一qd
‑
led发光源2和第二 qd
‑
led发光源3，所述基板1上设置有负极11和正极12，所述正极12包括第一正极121和第二正极122，所述第一qd
‑
led发光源2和第二qd
‑
led发光源3的负电极端与基板1上的同一个负极11电连接，所述第一qd
‑
led发光源2和第二qd
‑
led发光源3的正电极端分别与第一正极121和第二正极122 电连接，所述基板1的表面印刷有第三发光源4，所述第一qd
‑
led发光源2 具有红光量子点或者蓝光量子点中的一者，所述第二qd
‑
led发光源3具有红光量子点或者蓝光量子点中的另一者，所述第三发光源4具有绿光量子点。
[0029]
优选的，所述第一qd
‑
led发光源2和第二qd
‑
led发光源3均为 micro
‑
qd
‑
led或mini
‑
qd
‑
led。
[0030]
优选的，所述第三发光源4为印刷于基板1上的qd粉末油墨，所述qd 粉末油墨的厚度为20～150微米。绿色qd粉末油墨在高温下，量子点产率降低较快，为了更高利用qd量子点的产率，选择绿色qd粉末油墨印刷不同形状的网点，让光的能量再次利用。
[0031]
优选的，所述基板1的上表面电镀有镜面导电层，所述负极11、第一正极121和第二正极122相互隔离地设置于镜面导电层中。更优选的，所述镜面导电层的厚度为100微米。镜面银导电层具有三方面的作用：第一是可以增加其光滑性；第二是可以提高反射率，增加光的再利用率；第三是抗氧化、耐酸碱，耐水性能佳。
[0032]
优选的，所述红光量子点峰值波长为610～640nm，半波宽小于25nm。
[0033]
优选的，所述蓝光量子点峰值波长为475～490nm，半波宽小于20nm。
[0034]
优选的，所述绿光量子点峰值波长为520～545nm，半波宽小于30nm。
[0035]
本实施例的一种反射发光源结构在使用时，请参照图4，第一qd
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led发光源2和第二qd
‑
led发光源3同时发出红光和蓝光时的光线5，可以理解的是，第一qd
‑
led发光源2发出红光、第二qd
‑
led发光源3发出蓝光，或者第一qd
‑
led发光源2发出蓝光、第二qd
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led发光源3发出红光，与基板1 上表面印刷不同形状第三光源4交集在一起时，第三光源4为具有绿光量子点的绿色qd粉末油墨，可以理解的是不同形状的绿色qd粉末油墨为圆形、三角形、菱形或者其他任意不同形状，且绿色qd粉末油墨具有不同尺寸大小，选择绿色qd粉末油墨印刷不同形状的网点，让光的能量再次利用，基板1的上表面层会形成micro
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qd
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led或mini
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qd
‑
led的三基色；反射到基板1上表面的光线5，将通过印刷不同形状的网点之间反射；同时反射出去的光线5，也会再次同micro
‑
qd
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led或mini
‑
qd
‑
led形成三基色，且之间还会形成的反射。将更多光的光线5行程路径重复利用，光线5重叠聚集在一起，提高了光的均匀性，使得亮度更高。
[0036]
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技
术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。