半导体器件及半导体器件的制备方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括p型衬底，所述p型衬底的上表面设置有外延层，所述外延层的上表面设置有上电极，所述p型衬底的下表面设置有多个凹槽，所述凹槽的深度小于所述p型衬底的厚度，所述p型衬底的下表面以及所述凹槽的槽壁和槽底均设置有下电极。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括热沉，所述热沉与所述下电极的下表面固定连接。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括石墨烯层，所述石墨烯层位于所述下电极与所述热沉之间。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述石墨烯层设置有多个第一通孔，多个所述第一通孔沿所述石墨烯层的长度方向间隔设置，和/或，所述石墨烯层设置有第二通孔，所述第二通孔的延伸方向与所述凹槽的长度方向之间呈夹角设置。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述石墨烯层设置有多个所述第一通孔和所述第二通孔，所述第二通孔的延伸方向与所述凹槽的长度方向平行，且所述第二通孔与所述凹槽的槽口相对应。6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述石墨烯层设置有第二通孔，所述第二通孔的延伸方向与所述凹槽的长度方向垂直。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述p型衬底的厚度为105~125μm，所述凹槽的深度为50~100μm。8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层包括从下至上依次设置的p型包覆层、p型波导层、有源层、n型波导层、n型包覆层、n型接触层。9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：提供一p型衬底；在所述p型衬底的上表面形成所述外延层；在所述p型衬底的下表面形成多个所述凹槽，其中，所述凹槽的深度小于所述p型衬底的厚度；在所述p型衬底的下表面以及所述凹槽的内壁和槽底均形成下电极；在所述外延层的上表面形成上电极。10.根据权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺，利用混合溶液对所述p型衬底的下表面进行腐蚀，以形成多个所述凹槽，其中，腐蚀温度为20~24℃，腐蚀时间为3~5min，所述混合溶液包括氨水和双氧水，且所述氨水与所述双氧水的体积比为1：5。

技术总结
本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体器件及半导体器件的制备方法。半导体器件包括P型衬底，其上表面设置有外延层，外延层的上表面设置有上电极，P型衬底的下表面设置有多个凹槽，凹槽的深度小于P型衬底的厚度，P型衬底的下表面以及凹槽的槽壁和槽底均设置有下电极。通过在P型衬底的下表面设置多个凹槽，且凹槽的深度小于P型衬底的厚度，即凹槽没有贯穿整个P型衬底，能够有效地防止在形成凹槽的过程中破坏外延层，同时，将下电极设置在P型衬底的下表面以及凹槽的槽壁和槽底，能够与上电极相对应，且凹槽为下电极提供了胀缩空间，当下电极与热沉接触时，能够减小下电极与热沉之间的热应力，改善半导体器件整体的散热效果。效果。效果。


技术研发人员：惠利省 杨国文
受保护的技术使用者：度亘激光技术（苏州）有限公司
技术研发日：2021.09.13
技术公布日：2021/10/23