二极管芯片的制作方法

技术特征：
1.一种二极管芯片，其特征在于：包括多个相互并联的元胞，所述元胞包括n 衬底(1)，n 衬底(1)为<100>晶向n型抛光片材料，n 衬底(1)的背面设有背金属层(2)，n 衬底(1)的正面设有n
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外延区(3)，n
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外延区(3)的正面依次设有栅氧层(4)、多晶硅(5)、金属化层(6)；所述n
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外延区(3)的正面中部嵌入有p型基区(7)，金属化层(6)背面设有凸起部，凸起部嵌入p型基区(7)，凸起部周围设有n 区(9)，凸起部端面与p型基区(7)之间设有p 区(8)，p型基区(7)、n 区(9)的正面均被栅氧层(4)覆盖。2.如权利要求1所述的二极管芯片，其特征在于：所述并联具体为，不同元胞的背金属层(2)相互一体连接形成阴极区，不同元胞的金属化层(6)相互一体连接形成阳极区，不同元胞的n 衬底(1)相互一体连接，不同元胞的n
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外延区(3)相互一体连接，不同元胞的栅氧层(4)相互一体连接，不同元胞的多晶硅(5)相互一体连接。3.如权利要求2所述的二极管芯片，其特征在于：所述阳极区的还设有金属凸点(13)。4.如权利要求3所述的二极管芯片，其特征在于：所述金属凸点(13)是由不同元胞的金属化层(6)相互一体连接形成的。5.如权利要求1或4所述的二极管芯片，其特征在于：所述金属化层(6)从靠近n
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外延区(3)到远离n
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外延区(3)方向依次包括钛层(10)、镍层(11)、银层(12)。6.如权利要求5所述的二极管芯片，其特征在于：所述金属化层(6)中的钛层(10)、镍层(11)厚度依次为钛80nm～100nm，镍80nm～100nm。7.如权利要求6所述的二极管芯片，其特征在于：所述金属化层(6)中的银层(12)厚度为35um～40um。8.如权利要求7所述的二极管芯片，其特征在于：所述银层(12)构成金属凸点（13）的凸出部分。9.如权利要求1所述的二极管芯片，其特征在于：所述背金属层(2)从n 衬底（1）背面向外依次包括钛层(10)、镍层(11)、银层(12)。10.如权利要求9所述的二极管芯片，其特征在于：所述背金属层(2)的钛层(10)、镍层(11)、银层(12)的厚度依次为钛80nm～100nm，镍80nm～100nm，银1400nm～1500nm。

技术总结
本实用新型提供了一种二极管芯片，该芯片包括多个相互并联的元胞，元胞包括N 衬底，N 衬底的背面设有背金属层，N 衬底的正面设有N


技术研发人员：袁强 古进 王博 贺晓金 陆超 姚秋原
受保护的技术使用者：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
技术研发日：2021.05.06
技术公布日：2021/10/23